本申請總體上涉及電路校準，并且更具體地，涉及校準芯片上包絡追蹤系統(tǒng)的變異。

背景技術(shù)：

由于無線技術(shù)的迅速發(fā)展和對更高數(shù)據(jù)速率的需求不斷增加，在無線通信中采用的調(diào)制方案正變得越來越復雜。復雜的調(diào)制方案產(chǎn)生的高峰值對平均值比(PAPR)的發(fā)送信號，降低了射頻(RF)功率放大器(PA)的效率。長期演進(LTE)服務需要更多的頻帶，使得情況變得嚴重。射頻功率放大器趨向于沒有效率，當它們被構(gòu)造成覆蓋一個更寬的頻率范圍。此外，基于LTE高級(LTE-A)與載波聚合(CA)的服務需要更復雜的RF前端部件，所伴隨的是更多的損耗，推射頻功率放大器必須要輸出更高的功率，這在常規(guī)具有固定的電源電壓的射頻功率放大器上可能是不可行的。

為了解決這個問題，包絡追蹤(ET)的技術(shù)已被提出。使用ET，實際調(diào)制后的RF信號的包絡被追蹤。通過根據(jù)調(diào)制后信號的包絡瞬時調(diào)整PA的供電電壓，ET能有效地降低PA的功率消耗，因此，顯著提高了整個系統(tǒng)的效率。認識到ET的效率提高的能力，許多智能手機廠商已經(jīng)在他們的智能手機采用了ET。除了砷化鎵(GaAs)功率放大器，ET也能改善被廣泛地應用于WiFi應用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)功率放大器的線性度和效率。

ET的工廠校準通常考慮電氣特性，如誤差向量幅度(EVM)，相鄰信道泄漏比(ACLR)，接收帶噪聲(RXBN)和功率效率。然而，由于在在工廠的生產(chǎn)線的有限校準時間，難以校準良好或最佳的ET參數(shù)。例如，在生產(chǎn)線中，在一個測試條件下測量發(fā)射機(TX)性能所需的總時間為約1秒。具體而言，測試計算機控制移動裝置(例如，智能電話)來發(fā)送TX信號到測試儀，測試計算機從測試儀獲得TX的測量結(jié)果。ET工廠校準通常需要很長的時間來找到最佳的ET參數(shù)(例如，恒定的增益映射，非恒定的增益映射，ET-TX通路延遲等)，這是由于EVM，ACLR，RXBN等主要性能指標和電源效率需要折衷。若要得到理想的ET參數(shù)，校準時間會太長，這是工廠設置生產(chǎn)線所不能接受的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種校準半導體芯片的多個參數(shù)的方法及裝置以有效地解決上述問題。

依據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種校準一無線通信設備中一半導體芯片的多個參數(shù)的方法，包括：執(zhí)行第一校準來校準該多個參數(shù)中的第一組參數(shù)；加載一通用設定檔案，該通用設定檔案包括用于該多個參數(shù)中的第二組參數(shù)的多個設定值；以及執(zhí)行第二校準來校準該第二組參數(shù)，其中，該多個設定值是由藉由對多個半導體芯片樣品進行綜合校準矩陣而預先決定的，以及該多個設定值作為第二組參數(shù)的初始校準值。

依據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種校準方法，包括：對多個半導體芯片樣品進行綜合校準矩陣，以決定多個設定值，該進行綜合校準矩陣的步驟包含：收集該多個半導體芯片樣品的包絡追蹤統(tǒng)計數(shù)據(jù)；根據(jù)該包絡追蹤統(tǒng)計數(shù)據(jù)，決定多個包絡追蹤參數(shù)；和根據(jù)該多個包絡追蹤參數(shù)，生成一通用設定檔案。

依據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種校準裝置，用以校準多個半導體芯片的多個包絡追蹤參數(shù)，該裝置包括：一容器，一次接收和操作該多個半導體芯片中的一個；一可變電源，通過容器設定位于該容器內(nèi)的一相應半導體芯片的供應電壓；一測試儀器，測量該相應半導體芯片的電氣特性；一存儲器，存儲多個包絡追蹤設定，其中該多個包絡追蹤設定基于該多個包絡追蹤參數(shù)，每一包絡追蹤參數(shù)具有對應的一或多個參數(shù)設定，以及存儲該多個半導體芯片的一包絡追蹤測量的相應結(jié)果；以及一處理器，通信耦合到該容器，該可變電源，該測試儀器和該存儲器，該處理器在一個或多個測量條件以及各該多個包絡追蹤設定下對該多個半導體芯片執(zhí)行該包絡追蹤測量，分析該包絡追蹤測量的該相應結(jié)果，以確定該一個或多個測量條件的一通用包絡追蹤設定組合，并且產(chǎn)生包括一個或多個相應的通用包絡追蹤設定組合的一包絡追蹤設定檔案。

本發(fā)明提供實驗室的ET測試方法，以支持ET工廠校準。根據(jù)本公開內(nèi)容實施方式提供用于ET工廠校準的初始ET參數(shù)，ET工廠校準可根據(jù)本發(fā)明加快。

在閱讀各個附圖中例示的優(yōu)選實施例的如下詳細描述之后，本發(fā)明的這些和其他目的對本領域技術(shù)人員來說無疑將變得顯而易見。

附圖說明

圖1描述了根據(jù)本公開內(nèi)容的各種技術(shù)可被實現(xiàn)的的示例。

圖2是按照本公開內(nèi)容的實施方案的示例性方法的流程圖。

圖3是根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方案的示例性方法的流程圖。

圖4是根據(jù)本公開的一實施方式的示例的變化的校準裝置的簡化框圖。

圖5是關(guān)于對于多個半導體芯片PVT變化的參數(shù)校準，在根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方案的示例過程的流程圖。

圖6是根據(jù)本公開內(nèi)容的一關(guān)于ET變異校準的示例過程的流程圖。

具體實施方式

在下面的詳細描述中，許多具體的細節(jié)通過實施例，以便提供相關(guān)的教導的全面理解。基于本文中所描述的教導的任何變化，衍生物和/或附加信息都在本公開的保護范圍內(nèi)。在一些情況下，為了避免不必要模糊本公開的教導，公知的方法，過程，組件，和/或關(guān)于本文所公開的一個或多個示例實施方式可以較高水平無揭露細節(jié)地描述。

本文提出加速在生產(chǎn)線的ET工廠校準的方法。按照本發(fā)明所提出的方法的實施方式可涉及許多任務。例如，多個具無線能力的移動設備(例如，智能電話)的ET統(tǒng)計數(shù)據(jù)可以在實驗室或非生產(chǎn)線的設置來收集。例如，在實驗室中，可以使用調(diào)制后信號來收集多個移動設備的統(tǒng)計信息。最佳ET參數(shù)可以基于ET的統(tǒng)計數(shù)據(jù)來確定。一個ET設定檔案可能產(chǎn)生用于ET工廠校準。在工廠或生產(chǎn)線上，ET設定檔案可以加載到待進行ET工廠校準的每個移動設備。例如，在工廠中，每個移動設備可以加載設定檔案，并且可以使用未調(diào)制信號進行工廠校準。

當前的半導體技術(shù)促進了生產(chǎn)許多相同的半導體芯片。例如，一個300毫米直徑的晶片可容納約150模具，每個模具尺寸為20毫米×20毫米，這對復雜的系統(tǒng)如個人計算機的微處理器已足夠大。對于較小的系統(tǒng)級芯片，如手機，智能手機中的收發(fā)器，晶圓可以輕松容納幾千甚至幾萬相同的模具。半導體制造商，或“芯片制造商”，因此能夠產(chǎn)生數(shù)百萬基于相同的電路設計的半導體芯片。理想上該些半導體芯片應該是彼此相同的，然而在現(xiàn)實中，大規(guī)模生產(chǎn)的芯片經(jīng)常並不完全相同。在制造過程中引入的各種制造梯度可能導致產(chǎn)生的數(shù)以百萬計的芯片間所謂的部分對部分的“工藝變化。”另外，即使對數(shù)以百萬計的制造芯片中的一個，在其上的電路可以在各種條件下運作，如不同的電源電壓和/或環(huán)境溫度。即，半導體芯片可以在本身進行各種“電壓變化”和/或“溫度變化”?？偟膩碚f，以百萬計的假想相同的半導體芯片可以因各種工藝-電壓-溫度(PVT)的變化當中，使它們彼此稍有不同。

許多方面存在對抗PVT變化。有關(guān)本發(fā)明中，電路可以被設計成具有幾個可調(diào)諧的或可編程的參數(shù)，允許它們在被制造后，每個片芯片制造商分別調(diào)整或調(diào)諧。換言之，該電路可以被設計為具有一些“旋鈕”，它可以用來設置調(diào)整電路的某些特性。每個“旋鈕”可設置有一個或多個預定值或者“設定”。調(diào)諧電路參數(shù)對每個芯片的后制造工藝中，通常被稱為“校準”。也就是說，每個芯片被分別校準，并且各自芯片的電路參數(shù)被調(diào)諧到合適的值，使得芯片能執(zhí)行相同功能獲至少在電路設計的規(guī)范內(nèi)。

校準可以是一個耗時的過程，尤其是如果芯片被設計有許多操作模式。電路參數(shù)必須為每種模式被調(diào)諧，每個相應的模式中，芯片可能需要一組不同的參數(shù)值。校準過程會發(fā)現(xiàn)對于每個模式參數(shù)值的對應集合，并將校準后的參數(shù)值保存到數(shù)據(jù)庫或查找表(LUT)等。當特定模式下，芯片隨后可參考此數(shù)據(jù)庫或LUT來找到適當?shù)囊唤M參數(shù)值。

收發(fā)信機具有發(fā)射器(TX)和接收機(RX)，在LTE系統(tǒng)中使用時通常具有多個模式。具體地，收發(fā)器可在多達50個頻帶上操作，每個頻帶具有不同頻率范圍。每個頻帶可進一步分成多個子帶，并且每個子帶可配置多個信道帶寬(CBW)中的一個。每個CBW可以對應于一或多個不同的帶寬配置?？紤]所有的頻帶/子帶/CBW/帶寬配置組合，LTE收發(fā)器有可能操作在多達數(shù)千不同的模式。對于數(shù)千個不同模式中的每一個，在校準過程中都需決定一組電路參數(shù)，這是一個冗長的過程。這尤其是當收發(fā)器的TX被設計使用ET功能。具體而言，ET校準通常需要一個為芯片設定電源電壓的可變電源，和一個或多個測量儀器測量在帶內(nèi)和帶外的各種傳輸特性。通常，對于一個特定頻帶/子帶/CBW/帶寬配置組合的測量可能需要長達1秒。因此，它可能需要數(shù)千秒，或超過100分鐘，才能校準完LTE TX與ET功能。

考慮到收發(fā)器可以在不同溫度及不同的發(fā)送RF功率下操作，所需要校準的模式又更復雜。也就是說，在不同溫度和/或不同RF功率下工作時，RF功率收發(fā)器可能需要一組不同的參數(shù)值。所有這些維度(即，頻帶，子帶，CBW，帶寬配置，溫度和RF功率)在其下的電路參數(shù)是要被校準，校準矩陣變得很大。執(zhí)行這樣一個廣泛的校準矩陣的時間是非常長，對數(shù)以百萬計的芯片進行完整的校準變得不切實際。

為了解決這個問題，本發(fā)明提出了一種改進的方法來校準若干代表性芯片樣品的ET參數(shù)，并確定一套通用適用于所有的芯片的ET參數(shù)。圖1描繪在其中按照本發(fā)明的各種技術(shù)可實現(xiàn)的示例性場景100。在場景100中，示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的ET功能的TX的改進的校準方法。如上所述，對TX的各模式確定一組的ET參數(shù)值。為了做到這一點，TX被放置在一個接一個的模式(在圖1中以測量條件來表示，即，MC1，MC2，...，MCQ)。參數(shù)q表示模式的數(shù)量。

如上所述，電路參數(shù)被類比推為旋鈕來調(diào)節(jié)電路的某些特性，并且每個旋鈕可以被設置為設計的幾個設置之一。具有ET能力的TX可能有一個以上的ET參數(shù)進行設置，并且每個ET參數(shù)可以具有一個或多個值或設定可選擇。在一些實現(xiàn)方式中，TX可以包括具有三個設定的“ET增益映射”，具有兩個設定的“數(shù)字預失真(DPD)”，具有四個設定的”PA偏置電壓“，以及具有兩個設定的“PA偏置電流”。因此可能有多達48個(即，3×2×4×2＝48)不同的可能的ET參數(shù)值的組合，或48個不同的ET設定，或ET設定組合。一校準的任務是在每一個測量條件下從該48個可能ET參數(shù)設定的組合中確定出一個最佳的ET設定組合。ET設定可能包括至少(例如但不限于)恒定增益映射(constant gain mapping)，非恒定的增益映射(non-constant gain mapping)，ET整形功能(ET shaping function)，DPD功能和PA的柵極偏置設定(PA gate bias setting)。

下面將描述根據(jù)一些標準和決策方法，為每個測量條件決定最佳的ET設置組合。在圖1所示的例子，測定條件MC1下，可為芯片C1從48個可能的ET設置組合中確定出一個最佳的，在圖表示為C1_OptET1。此外，測定條件MC2下，可為芯片C1從48個可能的ET設置組合中確定出一個最佳的，在圖表示為C1_OptET2。類似地，為測量條件的其余部分，各最佳的ET設置組合可以被確定。

該校準過程可以重復用于幾個樣品芯片，該些樣品芯片可代表其他數(shù)以百萬計的芯片在PVT的變化。樣品芯片的數(shù)目C1–Cp是可變的，取決于用于校的資源或時間。在一般情況下，樣品芯片的數(shù)量越大越有代表性，所得出的校準參數(shù)越可適合所有的芯片。為所有樣品芯片的所有測量條件進行校準后，一種統(tǒng)計方法(如圖1的140)可以采用，以確定基于每個測量條件的“黃金”或通用的ET設定組合。這種通用的ET設定組合可被直接應用到所有芯片作為各個測量條件或相應的操作模式的校準參數(shù)值。如圖1，在測量條件MC1所表示的模式下，芯片C1可以被校準，以取得最佳的ET設定組合C1_OptET1，芯片C2可以被校準，以取得最佳的ET設定組合C2_OptET1，等等。然后統(tǒng)計方法140可以基于C1_OptET1，C2_OptET1，...，和Cp_OptET1產(chǎn)生一個通用的ET設定組合MC1_UnivET。類似地，統(tǒng)計方法140可基于C1_OptET2，C2_OptET2，...，以及Cp_OptET2產(chǎn)生一個通用的ET設定組合MC2_UnivET。同樣地，統(tǒng)計方法140還可以生成用于其余模式或測定條件的通用的ET設定組合。如圖1，通用ET設定組合可以隨后被編譯成一個單一的ET設定檔案160。ET設定檔案160可以施加到或以其他方式加載到所有制造芯片。

示例性方法

圖2描繪了根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方案的示例性方法200。方法200可以涉及在實驗室或非生產(chǎn)線進行的多個操作(示出為方塊210，220和230)。此外，方法200可能涉及一些在工廠或生產(chǎn)線的操作(如方塊240，250，260和270)。操作在實驗室或非生產(chǎn)線的操作涉及以上所描述的場景100。也就是說，獲得最佳的ET設定組合的相對冗長的耗時程序和測量和校準可在實驗室或一個非生產(chǎn)線設置進行，以產(chǎn)生一個設定檔案(本文中可互換地稱為“ET設定檔案”和“通用設定檔案”)，其可以被裝載到每個待測設備(例如，在工廠或生產(chǎn)線的無線通信設備或手持設備(例如手機和智能手機)中使用的半導體芯片)。有利的是，方法200用于ET工廠校準提供了最佳的ET參數(shù)以及加快ET工廠校準。

參照圖2，對實驗室或非生產(chǎn)線側(cè)，方法200可從方塊210開始。

在方塊210，方法200可以涉及采集多個無線通信設備(例如，芯片C1-Cp，每個芯片C1-Cp具有相同的發(fā)射機電路設計，或至少具有相同的待測電路設計，而其他非待測電路設計可以不同)的ET統(tǒng)計數(shù)據(jù)。方法200可以從方塊210進入方塊220。

在方塊220，方法200可以包括基于所收集的ET統(tǒng)計數(shù)據(jù)確定ET參數(shù)。方法200可以從方塊220進入方塊230。

在方塊230，方法可以涉及生成一個設定檔案(例如，ET設定檔案或本文所述的通用設定檔案)，以在ET工廠校準使用(例如，在工廠或生產(chǎn)線的設置)，如方塊250所述。

參照圖2，在工廠或生產(chǎn)線端，方法200可以從方塊240開始。

在方塊240，方法200可以涉及為多個無線通信裝置進行校準，如手機(例如，蜂窩電話或智能電話)。方法200可以從方塊240進入方塊250。

在方塊250，方法200可以涉及將設定檔案加載到每個待校準的無線通信裝置。方法200可以從方塊250進入方塊260。

在方塊260，方法200可以涉及為每個無線通信設備執(zhí)行ET工廠校準。方法200可以從方塊260繼續(xù)進行至方塊270。

在方塊270，方法200可以涉及為每個無線通信設備執(zhí)行一個或多個非信號的場測。

圖3描繪了一個涉及在根據(jù)本公開內(nèi)容實施方案收集無線通信裝置的ET統(tǒng)計信息的示例性方法300。方法300可以是方法200的框210,220,230的示例實現(xiàn)。方法300可以涉及多個操作(示出為方塊302，304，306，308，310，312，314，316，318，320，322和324)。方法300可以在302開始。

在302，方法300可以涉及從多個設備(例如，芯片C1-Cp)中選擇一個裝置用于校準。方法300可從302進行至304。

在304，方法300可以涉及為所選擇的設備執(zhí)行設備校準。方法300可從304進行到306。

在306，方法300可以涉及為所選擇的設備從多個ET設定中選擇一ET設定。方法300可從306進行至308。

在308，方法300可以涉及為所選擇的設備在各種條件下進行ET校準。方法300可從308進行至310。

在310，方法300可以包括確定ET-TX的路徑延遲。因為ET-TX路徑延遲是相關(guān)于頻帶內(nèi)特性，頻帶外特性和/或其它信息，方法300還可以包括確定對應于ET-TX通路延遲的頻帶內(nèi)特性和/或頻帶外特性和/或其它信息(例如，電流和/或溫度)。在一些實現(xiàn)中，在310處，方法300可以涉及找到或搜索對于所有頻帶，子帶和CBW最佳的ET-TX的路徑延遲。此外，方法300還可以涉及記錄該最佳的ET-TX路徑延遲和相應的ACLR，電流，RXBN和/或EVM。在一些實現(xiàn)中，用于確定最佳的ET-TX通路延遲的準則包含找到具有最佳的ACLR(例如，最低的ACLR)的ET-TX路徑延遲。在一些實現(xiàn)中，用于確定最佳的ET-TX通路延遲的一個廣義標準可以是帶外發(fā)射(out-band emission)，帶內(nèi)線性(in-band linearity)和/或溫度的函數(shù)。方法300可從310進行至312。

在312，方法300可以涉及檢查當前ET設定是否是最后或最終的ET設定。若當前ET設定為最終的ET設定，方法300可從312進行至314，否則，方法可從312繼續(xù)至322。

在314，方法300可以包括確定該設備的最佳的ET設定。最佳的ET設定為所有設定的所有的ET統(tǒng)計數(shù)據(jù)的函數(shù)。在一些實現(xiàn)中，用于確定對每個設備的最佳ET設定的準則包含發(fā)現(xiàn)通過ACLR目標門檻且具有最小的電流消耗的ACLR。例如，最佳的ET設置可能透過尋找通過規(guī)范且最小電流的相應ACLR來確定。在一些實現(xiàn)中，用于確定每個設備的最佳ET設定的一個廣義標準可以是與設備相關(guān)聯(lián)的ACLR，電流，RXBN和/或EVM的函數(shù)?；蛘?，用于確定最佳的ET設定的一個廣義標準可以是與設備相關(guān)聯(lián)的帶外發(fā)射，帶內(nèi)發(fā)射，電流和/或溫度的函數(shù)。方法300可從314進行到316。

在316，方法300可以涉及檢查所標定的當前設備是否是待校準的最后一個或最終設備。在當前設備是最后最后一個的情況下，方法300可從316進行至318，否則，方法可從316繼續(xù)至324。

在318，方法300可以包括確定多個ET設定中的至少一個ET設定為通用ET設定，通用ET設定可用在工廠或生產(chǎn)線上以校準一批設備。所確定的ET設定為所測量的裝置的ET設定和相應的ET統(tǒng)計數(shù)據(jù)的函數(shù)。在一些實現(xiàn)中，用于確定最佳的ET設置的一個準則可以是根據(jù)平均增益映射。例如，可以通過對所有設備的增益映射值取平均來確定。在一些實現(xiàn)中，用于確定最佳的ET設定的一個廣義標準可以是該批設備的ET設定的函數(shù)。方法300可從318進行到320。

在320，方法300可以涉及生成用于ET出廠校準的設定檔案(例如，ET設定檔案或如本文所述的通用設定檔案)。設定檔案可以包括，例如但不限于，至少一些或所有的以下信息：ET-TX路徑延遲，恒定增益映射，非恒定的增益映射，ET整形功能，DPD功能，PA柵極偏置設定和溫度信息。僅用于說明意但不限制本公開內(nèi)容，表1示出了針對一個頻帶的一個簡化的ET設定檔案。

表1

在322，300的方法可能涉及選擇另一個ET設定。方法300可從322進行到306。

在324，方法300可以涉及從用于待校準的多個設備中選擇另一裝置。方法300可從324進行到302。

裝置示例

圖4描繪了根據(jù)本公開的一個實施方式的校準設備400的示例。裝置400可以執(zhí)行本文描述的過程和方法，包括示例方法100，示例方法200和示例方法300，以及如下面描述的示例方法500和示例方法600。裝置400可以包括一個，一些或全部在圖中所示的組件。裝置400可包括在圖4中未示出額外的組分。

裝置400可用來校準多個半導體芯片的多個ET參數(shù)，其中該些半導體芯片可能具有相同的電路設計，包括一發(fā)射機(TX)，也可能是至少待測電路設計相同而其他非待測電路設計可以不同。設備400可以包括測試計算機405，容器430，可變電源440和測試儀器450。測試計算機405可包括處理器410和存儲器420。容器或插座430能夠一次接收和操作該些半導體芯片中的一個(被測器件(DUT)460)?？勺冸娫?40可以通過容器430設定位在容器430內(nèi)的半導體芯片的電源電壓。測試儀450可以測量半導體芯片的電氣特性。

存儲器420可以通過任何合適的技術(shù)來實現(xiàn)，并且可以包括易失性存儲器和/或非易失性存儲器。例如，存儲器420可以包括隨機存取存儲器(RAM)，如動態(tài)RAM(DRAM)，靜態(tài)RAM(SRAM)，晶閘管的RAM(T-RAM)和/或零電容器的RAM(Z-RAM)的?；蛘呋蛄硗?，存儲器420可以包括一種類型的只讀存儲器(ROM)，諸如掩膜ROM，可編程ROM(PROM)，可擦除可編程ROM(EPROM)和/或電可擦除可編程ROM(EEPROM)的?；蛘呋蛄硗?，存儲器420可以包括一種類型的非易失性隨機存取存儲器(NVRAM)，諸如閃速存儲器，固態(tài)存儲器，鐵電RAM(FeRAM)之，磁阻RAM(MRAM)和/或相變存儲器。

存儲器420可以存儲多個由處理器410執(zhí)行的組件，包括ET設定數(shù)據(jù)庫422(示出為圖4中的“數(shù)據(jù)庫A”)和統(tǒng)計數(shù)據(jù)庫424(示為圖4中的“數(shù)據(jù)庫B”)。ET設定數(shù)據(jù)庫422可包括基于所述多個ET參數(shù)的多個ET設定的組合，每一個ET參數(shù)具有各自的一個或多個的ET參數(shù)設定。統(tǒng)計數(shù)據(jù)庫424可以被編程以存儲所述多個半導體芯片的進行ET測量所得到的相應結(jié)果。

處理器410可以是在一個或多個集成電路(IC)芯片等的形式，例如但不限于，一個或多個單核處理器，一個或多個多核處理器，或一種或多種復雜指令集計算(CISC)處理器。處理器410可以通信地耦合到容器430，可變電源440，測試儀450，和存儲器420。即，處理器410可以提供控制信號和/或從容器430，可變電源440和測試儀450接收數(shù)據(jù)信號和/或可以訪問(例如，讀和寫)存儲在存儲器420內(nèi)的組件及數(shù)據(jù)。

處理器410可以是設計和配置成執(zhí)行或以其他方式進行專門的算法，軟件指令，計算和邏輯，以根據(jù)本公開內(nèi)容對半導體芯片進行ET變異校準。即，處理器410可以包括專用電路和/或硬件(和任選地，專門固件)專門設計和構(gòu)造成以本公開內(nèi)容的方式對半導體芯片進行ET變異校準。如圖4，處理器410可以包括測試控制器412和測試分析器414。

測試控制器412能夠執(zhí)行一些操作。例如，測試控制器412可以是能夠產(chǎn)生一個測量空間可包括基于多個測量矢量的多個測量條件。每個測量矢量可具有相應的一個或多個矢量設定。測試控制器412還能夠為所述多個半導體芯片執(zhí)行ET的測量。具體地，測試控制器412可以在上述測量空間及多個ET設定組合的多個測量條件下，測量各半導體芯片的電氣特性，如ET-TX通路延遲設置。

測試分析器414能夠執(zhí)行一些操作。例如，測試分析器414可以分析統(tǒng)計數(shù)據(jù)庫424，以確定在測量空間中的一個或多個測量條件下的通用ET設定組合。測試分析器414也可以產(chǎn)生ET設定檔案，該ET設定檔案包含在測量空間中的一個或多個測量的條件組合下的一個或多個相應的通用ET設定。

在一些實施方式中，電氣特性可以包括以下的一個或多個：帶外發(fā)射，帶內(nèi)線性，誤差向量幅度(EVM)，相鄰信道泄漏比(ACLR)，接收波段噪聲(RXBN)，功率效率，電流消耗和溫度。

在一些實施中，該多個ET參數(shù)可包括以下的一個或多個：ET增益映射，數(shù)字預失真(DPD)功能，功率放大器的偏置電壓，和功率放大器的偏置電流。各該多個ET設定組合可以包括相應ET各參數(shù)設定的各種不同的組合。

在一些實施方式中，多個測量矢量可以包括頻帶，子帶，CBW和帶寬配置。多個測量條件的一個可以相應的具有不同的頻帶設定，子帶設置，CBW設置，與帶寬配置的組合。用于ET測量的調(diào)制后的RF信號可以根據(jù)頻帶，子頻帶，CBW和帶寬配置的設定來進行組態(tài)。

在一些實施方式中，多個測量矢量也可以包括TX天線的RF功率。調(diào)制后的RF信號可被進一步調(diào)制以具有與RF功率設置對應的RF功率。

在一些實施方式中，多個測量矢量還可包括環(huán)境溫度。在這種情況下，容器430可以包括溫度腔室，以為所述各半導體芯片(例如，DUT 460)基本上保持設定的環(huán)境溫度。

在一些實施方式中，ET各測定結(jié)果可包括多個半導體芯片各自的電氣特性記錄條目。每個記錄條目可對應于不同的測量條件下不同的ET設定組合。

在一些實施方式中，在一個或多個測量條件的各ET設定組合下，處理器410可以執(zhí)行許多操作。例如，基于一個或更多的電氣特性，處理器410可基于第一預定準則，為半導體芯片在每一個測量條件的每一個ET設定組合下，確定最佳的ET-TX通路延遲設定?；谝粋€或更多的電氣特性，處理器410也可基于第二預定準則，為半導體芯片在每一個測量條件下，確定最佳的ET設定組合。處理器410可進一步基于統(tǒng)計方法，根據(jù)多個半導體芯片的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，確定每個測量條件的通用ET設定組合。

在一些實施中，第一預定準則可以包括從多個ET-TX通路延遲設置中發(fā)現(xiàn)具有目標ACLR值(例如，最低的ACLR值)的最佳ET-TX通路延遲設置。在一些實現(xiàn)方式中，第二預定準則可以包括從多個ET設定組合中發(fā)現(xiàn)達成目標ACLR值(例如，低于預定的ACLR閾值)及目標電流消耗(例如，最低的電流消耗)的最佳ET設定組合。

在一些實施方式中，統(tǒng)計方法(例如，統(tǒng)計方法140)可以包括計算所述多個半導體芯片的相應的最佳的ET設定組合的數(shù)學平均。

流程示例

圖5示出的示例流程500有關(guān)對于多個半導體芯片PVT變化的校準。流程500可以包括一個或多個操作，由一個或多個方塊510,520和530表示。盡管示意為離散的步驟方塊，流程500的各種方塊可以被劃分成額外步驟方塊，組合成更少的步驟方塊，或消除步驟方塊，這取決于所需的實現(xiàn)。流程500的步驟方塊可以如圖5中所示的順序來執(zhí)行，或以任何其它順序來執(zhí)行，這取決于所需的實現(xiàn)。流程500可以由裝置400和任何變化和/或它們的衍生物來實現(xiàn)。流程500可以是方法200和方法300的一個示例實現(xiàn)，無論是部分或完全。僅用于說明的目的，但不限于，流程500是以裝置400來描述。過程500可在510開始。

在510，流程500可包括以裝置400執(zhí)行第一校準(例如,圖2中的手持裝置校準240)來校準多個參數(shù)中第一組多個參數(shù)。過程500可以從510繼續(xù)至520。

在520，流程500可包括以裝置400加載一個通用設定檔案，包括用于該多個參數(shù)中的第二組多個參數(shù)的多個參數(shù)設定值。該些參數(shù)設定值可通過對多個半導體芯片樣品進行綜合的校準矩陣來預先決定。流程500可以從520繼續(xù)至530。

在530，流程500可包括以裝置400執(zhí)行第二校準來校準所述第二組的多個參數(shù)。通用設定檔案的多個參數(shù)設定值可以作為所述第二組參數(shù)的初始校準值。

在一些實施方式中，半導體芯片樣品可以包括具有ET功能的TX。第二組參數(shù)可以包括多個有關(guān)ET能力的ET參數(shù)。在執(zhí)行綜合校準矩陣，流程500可以包括以裝置400施加調(diào)制后的RF信號到所述多個樣品中的相應TX。在執(zhí)行第二校準，流程500可包括以裝置400施加未調(diào)制的RF信號到半導體芯片的相應的TX。

在一些實施中，多個ET參數(shù)可以包括以下的一個或多個：ET增益映射，數(shù)字預失真(DPD)功能，TX的功率放大器的偏置電壓，以及TX的功率放大器的偏置電流。

在一些實現(xiàn)方式中，TX可經(jīng)配置以在多個信號頻率中的一個信號頻率下發(fā)射信號，每一個信號頻率分別對應不同的頻帶設置，子帶設置，CBW設置和帶寬配置設置的不同組合。通用設定檔案的參數(shù)值可以包括相應于每個信號頻率的一組初始校準值。

在一些實施方式中，TX還可以被配置在多個RF功率電平中的一個射頻功率電平下進行信號傳輸。初始校準值可以包括多個初始校準值的子集，其中每個子集對應于所述多個RF功率電平中的相應一個RF功率電平。

圖6描繪根據(jù)本發(fā)明的另一種涉及用于芯片上ET變異校準的示例過程600。過程600可以包括一個或多個操作，或由一個或多個方塊605和子塊610，620和630表示。盡管示為離散的步驟方塊，過程600的各種步驟方塊可以被劃分成附加步驟方塊，組合成更少的步驟方塊，或消除，這取決于所需的實現(xiàn)。過程600的步驟方塊可以如圖6中所示的順序來執(zhí)行，或以任何其它順序來執(zhí)行，這取決于所需的實現(xiàn)。過程600可以由裝置400和任何變化和/或它們的衍生物來實現(xiàn)。過程600可以是方法200和方法300的一個示例實現(xiàn)，無論是部分或完全。僅用于說明的目的，但不限于，過程600以裝置400一同描述。過程600在方框610開始。

在610，過程600可包括以裝置400于多個半導體芯片樣品進行綜合的校準矩陣來確定多個設定值。每個樣品芯片可以具有相同電路設計。在執(zhí)行多個樣品芯片的綜合校準矩陣時，設備400執(zhí)行610，620和630等若干個操作。

在610，過程600可以包括以設備400收集多個樣品芯片的ET統(tǒng)計信息。過程600可以從610繼續(xù)至620。

在620，過程600可包括以裝置400基于ET統(tǒng)計信息決定多個ET參數(shù)。過程600可以從620繼續(xù)到630。

在630，過程600可包括以裝置400根據(jù)多個ET參數(shù)為樣品芯片生成一個通用的設定檔案。

在一些實現(xiàn)中，過程600還可以包括以設備400對多個無線通信設備執(zhí)行第一校準(例如,圖3中的校準步驟304)，以校準第一組參數(shù)。此外，過程600可以包括以設備400加載通用設定檔案到所述多個無線通信設備中。通用設定檔案可以包括多個用于第二組參數(shù)的參數(shù)設定值。此外，過程600可以包括以設備400對多個無線通信設備執(zhí)行第二校準來校準所述第二組參數(shù)。通用設定檔案的參數(shù)設定值可以作為所述第二組參數(shù)的初始校準值。

在一些實施方式中，無線通信設備及樣品芯片可以包括具有ET功能的TX。第二組參數(shù)可以包括多個ET參數(shù)。在執(zhí)行多個樣品芯片的綜合校準矩陣時，過程600可包括以裝置400施加調(diào)制后的RF信號到所述多個樣品芯片中的每一樣品芯片的相應TX。在執(zhí)行第二校正時，過程600可包括以裝置400施加未調(diào)制的RF信號到半導體芯片中的每一半導體芯片的相應TX。

在一些實施中，多個ET參數(shù)可包括以下中的一個或多個：ET增益映射，DPD函數(shù)，TX的功率放大器的偏置電壓，以及TX的功率放大器的偏置電流。所述TX可經(jīng)配置以在多個信號頻率中的一個發(fā)射信號，每一個信號頻率分別對應不同的頻帶設置，子帶設置，CBW設置和帶寬配置的組合。通用設定檔案可以包括相應于每個信號頻率設定的各組初始校準值。TX還可以被配置在多個RF功率電平之一進行信號傳輸。通用設定檔案的各組初始校準值可以包括多個初始校準值的子集，其中每個子集對應于所述多個RF功率電平中的相應一個。

本申請所述裝置和技術(shù)的各個方面可以單獨使用、組合使用或者以上述實施方式中未特別討論的各種方式使用，因此在本申請中并不僅限于前面所描述的或者附圖所例示的組件的細節(jié)和結(jié)構(gòu)。例如，在一個實施方式描述的方面可以與其他實施方式中描述的方面以任何方式組合。

從前述內(nèi)容可以理解，為了說明的目的，本文已經(jīng)描述本發(fā)明的各種實現(xiàn)，在不脫離本公開的范圍和精神的情況下可以進行各種修改。因此，本文公開的各種實施方案不旨在是限制性的，真正的范圍和精神由下述的權(quán)利要求來指示。

權(quán)利要求中使用的序詞比如“第一”、“第二”、“第三”等本身并不意味著任何優(yōu)先級、優(yōu)先或一個元件相對于另一個元件的順序或者執(zhí)行方法中步驟的時間順序，而是僅僅作為標記用來區(qū)分具有某名稱的一個元件與具有相同名稱(使用序詞)的另一元件從而區(qū)分這些元件。

并且，這里使用的措辭和術(shù)語只是用于描述并不應當視為限制?！鞍ā?、“包含”、“具有”、“含有”、“涉及”等旨在包括所列舉的項目及其等同物以及附加項目。例如，裝置、結(jié)構(gòu)、設備、層或區(qū)域被描述為“包括”、“包含”、“具有”、“含有”、“涉及”特殊的材料，旨在至少包括所列列舉的材料還包括可能存在的其他元件或材料。