本申請(qǐng)實(shí)施例涉及但不限于一種用于石油測(cè)井儀器的測(cè)試裝置，尤指一種電極系的測(cè)試裝置。

背景技術(shù)：

側(cè)向類測(cè)井儀對(duì)電極系絕緣性能要求比較高，而電極系的絕緣性能受外部的溫度、壓力、介質(zhì)的礦化度等多種因素影響。一般對(duì)電極系絕緣性能的測(cè)試是直接將電極系放入測(cè)試井內(nèi)，在普通清水介質(zhì)中的高溫高壓下測(cè)試絕緣性能，然而電極系在普通清水介質(zhì)中和高礦化度介質(zhì)中的絕緣性能有差異，導(dǎo)致現(xiàn)有的測(cè)試井無(wú)法準(zhǔn)確的測(cè)試出電極系的絕緣性能。

申請(qǐng)內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電極系的測(cè)試裝置，該測(cè)試裝置能夠準(zhǔn)確的測(cè)試出高溫高壓高礦化度介質(zhì)對(duì)采用不同絕緣材料的電極系測(cè)量性能的影響；同時(shí)，能夠測(cè)試出同一絕緣材料在不同溫度、壓力和礦化度介質(zhì)下絕緣性能的變化。

為了達(dá)到本申請(qǐng)目的，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電極系的測(cè)試裝置，包括絕緣殼體，所述絕緣殼體內(nèi)設(shè)有密封的測(cè)試腔體，所述測(cè)試腔體的兩端分別安裝有上接頭和下接頭，所述上接頭上設(shè)有與所述測(cè)試腔體連通的高礦化度介質(zhì)進(jìn)液口和出液口。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣殼體的頂部連接有電子艙，所述電子艙內(nèi)安裝有測(cè)試電路，所述測(cè)試電路通過(guò)導(dǎo)線與所述測(cè)試腔體內(nèi)的待測(cè)儀器的電極連接。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣殼體上開設(shè)有容納所述導(dǎo)線穿過(guò)的過(guò)線槽。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣殼體上開設(shè)有徑向孔，所述徑向孔內(nèi)固定有密封插針，所述密封插針的一端與所述待測(cè)儀器的電極連接，所述密封插針的另一端通過(guò)所述導(dǎo)線與所述測(cè)試電路連接。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣殼體的底部連接有橡膠筒，所述橡膠筒與所述測(cè)試腔體連通。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述絕緣殼體的絕緣層沿所述絕緣殼體的長(zhǎng)度方向分多段組裝而成。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)的測(cè)試裝置具有絕緣殼體，避免了測(cè)試時(shí)導(dǎo)致待測(cè)儀器的電路短路而損壞儀器。

可選地，電子艙內(nèi)的測(cè)試電路與待測(cè)儀器的電極連接，實(shí)現(xiàn)了模擬待測(cè)儀器在通電工作狀態(tài)下的測(cè)試。

可選地，絕緣殼體上的過(guò)線槽，用于固定導(dǎo)線，容納導(dǎo)線穿過(guò)，使導(dǎo)線與待測(cè)儀器的電極連接。

可選地，絕緣殼體上開設(shè)有徑向孔，徑向孔內(nèi)固定有密封插針，使導(dǎo)線通過(guò)密封插針與待測(cè)儀器的電極連接，便于導(dǎo)線的連接以及保證絕緣殼體的密封。

可選地，絕緣殼體的底部連接有橡膠筒，橡膠筒用于平衡絕緣殼體內(nèi)、外的壓力，避免絕緣殼體的外部或內(nèi)部的壓力過(guò)大，導(dǎo)致絕緣殼體的破損。

本申請(qǐng)的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書中變得顯而易見，或者通過(guò)實(shí)施本申請(qǐng)而了解。本申請(qǐng)的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與本申請(qǐng)的實(shí)施例一起用于解釋本申請(qǐng)的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案的限制。

圖1為本申請(qǐng)絕緣殼體上部的剖視圖；

圖2為本申請(qǐng)絕緣殼體中部的剖視圖；

圖3為本申請(qǐng)絕緣殼體下部的剖視圖；

圖4為本申請(qǐng)絕緣殼體安裝密封插針的剖視圖；

圖5為本申請(qǐng)絕緣殼體表面的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為為本申請(qǐng)電子艙內(nèi)測(cè)試電路的原理圖。

具體實(shí)施方式

為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對(duì)本申請(qǐng)的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。

如圖1、圖2和圖3所示，一種電極系的測(cè)試裝置，包括絕緣殼體1，所述絕緣殼體1呈圓柱狀，其內(nèi)設(shè)有密封的測(cè)試腔體2，測(cè)試腔體2用于容納待測(cè)儀器3進(jìn)行絕緣性能的測(cè)試。測(cè)試腔體2的兩端分別安裝有上接頭6和下接頭7，上接頭6和下接頭7用于固定待測(cè)儀器3，將待測(cè)儀器3固定在上接頭6和下接頭7之間，上接頭6和下接頭7分別與絕緣殼體1的兩端螺紋連接，且上接頭6和下接頭7分別通過(guò)快旋螺母8與待測(cè)儀器3螺紋連接。上接頭6上設(shè)有與測(cè)試腔體2連通的進(jìn)液口4和出液口5，進(jìn)液口4和出液口5用于高礦化度介質(zhì)進(jìn)入測(cè)試腔體2和排出測(cè)試腔體2，并可根據(jù)測(cè)試的需要隨時(shí)調(diào)節(jié)測(cè)試腔體2內(nèi)介質(zhì)的礦化度，該高礦化度介質(zhì)中的高礦化度指30000ppm以上，高礦化度介質(zhì)可為高礦化度水。

如圖1、圖2和圖5所示，絕緣殼體1的頂部密封連接有電子艙9，電子艙9內(nèi)安裝有測(cè)試電路10，測(cè)試電路10上安裝有密封插針11，測(cè)試電路10通過(guò)該密封插針11與導(dǎo)線12的一端連接，導(dǎo)線12的另一端由絕緣殼體1的表面穿過(guò)，與固定在絕緣殼體1徑向孔13上的密封插針11的一端連接，該密封插針11的另一端與測(cè)試腔體2內(nèi)的待測(cè)儀器3的電極連接。

如圖6所示的測(cè)試電路10原理圖，其中，E1、E2、E3、E4、E5、E6分別用導(dǎo)線連接在雙側(cè)向電極系的1-6號(hào)電極上，10#接在電纜外皮；R2-R10用于模擬不同泥漿電阻率，其中R2、R5、R10用于模擬泥漿電阻率為0.1歐姆米時(shí)的情形；R3、R4、R6、R7、R8、R9用于模擬泥漿電阻率為0.01歐姆米時(shí)的情形。Rf用于模擬地層電阻率，R12及R13用于模擬泥餅電阻率。在測(cè)試時(shí)，分別選取相應(yīng)的阻值，可模擬出在泥漿電阻率為0.1/0.01時(shí)，地層電阻率為0.2、1、10、100、1k、10k的情況。

如圖5所示，絕緣殼體1上開設(shè)有容納導(dǎo)線12穿過(guò)的過(guò)線槽14，過(guò)線槽14用于固定導(dǎo)線12。

如圖4所示，絕緣殼體1上開設(shè)有徑向孔13，徑向孔13內(nèi)密封連接有插頭座15，插頭座15內(nèi)設(shè)有容納密封插針11穿過(guò)的通孔，該通孔臨近絕緣殼體1外部的端口上固定有彈簧壓蓋16，密封插針11的一端順次穿過(guò)彈簧壓蓋16的通孔和插頭座15的通孔進(jìn)入測(cè)試腔體2內(nèi)，并與待測(cè)儀器3的電極接觸，密封插針11上固定有彈簧座17，彈簧座17位于彈簧壓蓋16的下方，彈簧座17與彈簧壓蓋16之間安裝有彈簧18，彈簧18的一端壓設(shè)在彈簧壓蓋16上，其另一端壓設(shè)在彈簧座17上，密封插針11通過(guò)彈簧18壓緊在待測(cè)儀器3的電極上。

如圖3所示，絕緣殼體1的底部連接有橡膠筒19，橡膠筒19與測(cè)試腔體2連通，用于平衡絕緣殼體1內(nèi)、外的壓力。

絕緣殼體1的絕緣層沿絕緣殼體1的長(zhǎng)度方向分多段組裝而成。

將本申請(qǐng)?zhí)峁┑臏y(cè)試裝置放置在現(xiàn)有的高溫高壓測(cè)試井內(nèi)，測(cè)試井能夠模擬高溫高壓的環(huán)境，通過(guò)測(cè)試井提供的高壓，擠壓本申請(qǐng)?zhí)峁┑臏y(cè)試裝置的橡膠筒19，使測(cè)試裝置內(nèi)形成高壓環(huán)境；測(cè)試井提供的高溫，通過(guò)熱傳遞，將高溫傳遞至測(cè)試裝置內(nèi)形成高溫環(huán)境。

雖然本申請(qǐng)所揭露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本申請(qǐng)而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本申請(qǐng)。任何本申請(qǐng)所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本申請(qǐng)所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式及細(xì)節(jié)上進(jìn)行任何的修改與變化，但本申請(qǐng)的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。