技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種窄帶紅外探測芯片及其制作方法，包括以下步驟：選取單晶硅片，蒸鍍一定厚度的金；通過PECVD設(shè)備進(jìn)行表面沉積一定厚度的SiO2；旋涂PMMA曝光膠；設(shè)計(jì)十字交叉結(jié)構(gòu)的納米棒陣列，精確控制納米棒陣列的尺寸參數(shù)，通過電子束曝光設(shè)備將所設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至PMMA曝光膠；進(jìn)行曝光處理，并通過電子束蒸鍍設(shè)備進(jìn)行金蒸鍍；進(jìn)行化學(xué)溶液浸泡，去掉PMMA曝光膠，此時(shí)硅片上會呈現(xiàn)十字形納米棒的陣列結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過引入光學(xué)納米結(jié)構(gòu)的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)窄帶的紅外探測，制造工藝簡單可靠，更有利于技術(shù)的推廣和普及。

技術(shù)研發(fā)人員：周侖;李君宇;談小超;楊?yuàn)W
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華中科技大學(xué)
文檔號碼：201610580080
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.22
技術(shù)公布日：2016.12.07