本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示面板的金屬走線的寄生電容的量測方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有功耗低、體積小、重量輕等特點，因此備受用戶的青睞。隨著平面顯示技術(shù)的發(fā)展，具有高分辨率、低能耗的液晶顯示器的需求被提出。

隨著低溫多晶硅(LTPS)半導體薄膜晶體管的發(fā)展，而且由于LTPS半導體本身超高載流子遷移率的特性，相應(yīng)的面板周邊集成電路也成為大家關(guān)注的焦點，并且很多人投入到面板上系統(tǒng)集成(System on Panel，SOP)的相關(guān)技術(shù)研究，并逐步成為現(xiàn)實。

參見圖1及圖2，圖1為現(xiàn)有一般小尺寸LTPS面板中的金屬走線設(shè)計示意圖，圖2為現(xiàn)有一般小尺寸LTPS面板金屬走線之間寄生電容的等效示意圖。在小尺寸的面板的設(shè)計過程中，需要有WOA區(qū)域和GOA區(qū)域的設(shè)計。其中，WOA區(qū)域為陣列走線(Wire On Array)區(qū)域，用于芯片(IC)到有效顯示區(qū)域(AA)和GOA區(qū)域的金屬走線排布。GOA區(qū)域為陣列柵極(Gate On Array)區(qū)域，產(chǎn)生柵極移位驅(qū)動信號用于AA區(qū)域像素(Pixel)的驅(qū)動。在WOA區(qū)域和GOA區(qū)域必然存在一些金屬走線的并排和交疊的設(shè)計，用于信號的傳遞。由于小尺寸面板顯示模式的限制，其信號走線上的電容提取相對于大尺寸面板有很大的區(qū)別。其中，金屬走線的側(cè)向電容和交疊電容就是小尺寸面板設(shè)計考量的重點，側(cè)向電容和交疊電容為小尺寸面板金屬走線驅(qū)動的主要負載。因此，如何有效地提取金屬走線的寄生電容成為小尺寸面板設(shè)計的重點。

由示意圖分析可知，圖1中對應(yīng)于數(shù)字1至9的各金屬走線之間的寄生電容可以等效為每根金屬走線分別至GND(地線)的電容，即如圖2中所示寄生電容分別表示為Ct1至Ct9，而每根金屬走線寄生電容的有效量測則是小尺寸面板走線設(shè)計的重點。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板的金屬走線的寄生電容的量測方法，用于有效量測金屬走線之間的側(cè)向電容或交疊電容大小。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種顯示面板的金屬走線的寄生電容的量測方法，包括：

步驟10、提供第一組電路版圖，其包括測試部分及公共部分，該測試部分包含待量測的金屬走線，該公共部分包含引線及與引線相連接的量測墊；該引線及相連接的量測墊一一對應(yīng)于該金屬走線，該引線一端連接對應(yīng)的金屬走線，另一端連接相應(yīng)的量測墊；

步驟20、利用該第一組電路版圖中的量測墊量測第一組寄生電容數(shù)據(jù)；

步驟30、提供第二組電路版圖，其僅包括該第一組電路版圖中的公共部分；

步驟40、利用該第二組電路版圖中的量測墊量測第二組寄生電容數(shù)據(jù)；

步驟50、將該第一組寄生電容數(shù)據(jù)與第二組寄生電容數(shù)據(jù)對應(yīng)相減以得到對應(yīng)的金屬走線的寄生電容。

其中，所述引線與對應(yīng)的金屬走線相連的一端的形狀為該對應(yīng)的金屬走線的形狀的自然延伸。

其中，所述待量測的金屬走線為平行的金屬走線，所述金屬走線的寄生電容為側(cè)向電容。

其中，所述待量測的金屬走線為交疊的金屬走線，所述金屬走線的寄生電容為交疊電容。

其中，所述顯示面板為LTPS面板。

其中，所述引線包括與對應(yīng)的金屬走線連接并按照該對應(yīng)的金屬走線形狀延伸的第一平行延伸部分，連接該第一平行延伸部分的斜線延伸部分，以及連接該斜線延伸部分并與該第一平行延伸部分平行的第二平行延伸部分。

其中，所述待量測的金屬走線對應(yīng)于該顯示面板的WOA區(qū)域。

其中，所述待量測的金屬走線對應(yīng)于該顯示面板的GOA區(qū)域。

綜上，本發(fā)明的顯示面板的金屬走線的寄生電容的量測方法適用于LTPS面板的電容量測，能夠量測出金屬走線之間有效的側(cè)向電容和交疊電容大小，為小尺寸產(chǎn)品設(shè)計提供很好的參考價值。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有一般小尺寸LTPS面板中的金屬走線設(shè)計示意圖；

圖2為現(xiàn)有一般小尺寸LTPS面板金屬走線之間寄生電容的等效示意圖；

圖3為本發(fā)明顯示面板的金屬走線的寄生電容的量測方法的流程圖；

圖4為本發(fā)明第一較佳實施例中金屬走線之間側(cè)向電容測量的電路版圖示意圖；

圖5為本發(fā)明第一較佳實施例中側(cè)向電容測量的等效電路圖；

圖6為本發(fā)明第二較佳實施例中金屬走線之間交疊電容測量的電路版圖示意圖；

圖7為本發(fā)明第二較佳實施例中交疊電容測量的等效電路圖。

具體實施方式

參見圖3，其為本發(fā)明顯示面板的金屬走線的寄生電容的量測方法的流程圖。該方法主要包括：

步驟10、提供第一組電路版圖，其包括測試部分及公共部分，該測試部分包含待量測的金屬走線，該公共部分包含引線及與引線相連接的量測墊；該引線及相連接的量測墊一一對應(yīng)于該金屬走線，該引線一端連接對應(yīng)的金屬走線，另一端連接相應(yīng)的量測墊；

步驟20、利用該第一組電路版圖中的量測墊量測第一組寄生電容數(shù)據(jù)；

步驟30、提供第二組電路版圖，其僅包括該第一組電路版圖中的公共部分；

步驟40、利用該第二組電路版圖中的量測墊量測第二組寄生電容數(shù)據(jù)；

步驟50、將該第一組寄生電容數(shù)據(jù)與第二組寄生電容數(shù)據(jù)對應(yīng)相減以得到對應(yīng)的金屬走線的寄生電容。

由于小尺寸面板顯示模式的限制，其信號走線(金屬走線)上的電容提取相對于大尺寸面板有很大的區(qū)別。其中，金屬走線的側(cè)向電容和交疊電容就是小尺寸面板設(shè)計考量的重點，側(cè)向電容和交疊電容為小尺寸面板金屬走線驅(qū)動的主要負載。因此，如何有效地萃取金屬走線的寄生電容成為小尺寸面板設(shè)計的重點。其中，顯示面板可以為LTPS面板。待量測的金屬走線可以對應(yīng)于該顯示面板的WOA區(qū)域，也可以對應(yīng)于該顯示面板的GOA區(qū)域。待量測的金屬走線可以為平行的金屬走線，金屬走線的寄生電容為側(cè)向電容；待量測的金屬走線也可以為交疊的金屬走線，金屬走線的寄生電容為交疊電容。

參見圖4及圖5，圖4為本發(fā)明第一較佳實施例中金屬走線之間側(cè)向電容測量的電路版圖設(shè)計示意圖，圖5為本發(fā)明第一較佳實施例中側(cè)向電容測量的等效電路圖。

為測量側(cè)向電容，圖4中的上下分別顯示了本發(fā)明第一較佳實施例中所提供的金屬走線側(cè)向電容測量的第一組和第二組兩組電路版圖設(shè)計。本發(fā)明通過兩組版圖設(shè)計提供了兩組量測點位(Testkey)。如圖4所示，一組量測點位采用通常(Normal)設(shè)計，測試部分包含待量測的平行的金屬走線，公共部分包含引線及與引線相連接的量測墊1……9。引線(斜線區(qū)域)與對應(yīng)的金屬走線相連的一端的形狀為該對應(yīng)的金屬走線的形狀的自然延伸，包括與對應(yīng)的金屬走線連接并按照該對應(yīng)的金屬走線形狀延伸的第一平行延伸部分11，連接該第一平行延伸部分的斜線延伸部分12，以及連接該斜線延伸部分12并與該第一平行延伸部分11平行的第二平行延伸部分13。從平行的金屬走線通過引線連接至量測墊(Pad)，利用量測墊進行金屬走線之間側(cè)向電容的量測。另一組量測點位沒有進行平行金屬走線的設(shè)計，只有斜線區(qū)域(引線)和量測墊區(qū)域，利用量測墊進行斜線區(qū)域和量測墊區(qū)域寄生電容的量測。將兩組測試點位量測的數(shù)據(jù)進行對比分析，第一組量測點位量測的電容數(shù)據(jù)減去第二組量測點位量測的電容數(shù)據(jù)，即是真實的平行金屬走線之間的有效側(cè)向電容。

圖5中的上下分別顯示了圖4中第一組和第二組兩組電路版圖設(shè)計的等效電路圖。由圖5分析可知，第一組量測點位量測的電容為C(公共部分))和C(測試部分，即側(cè)向電容)之和，即Ct1+Cc1，Ct2+Cc2，……Ct9+Cc9，第二組量測點位量測的電容為C(公共部分)，即Cc1，Cc2，……Cc9。第一組量測點位量測數(shù)據(jù)減去第二組量測點位量測數(shù)據(jù)即為C(側(cè)向電容)。

本發(fā)明提供的金屬走線側(cè)向電容的版圖設(shè)計能夠有效的排除量測墊區(qū)域和斜線區(qū)域金屬對于平行金屬走線區(qū)域側(cè)向電容量測的影響，能夠量測出平行信號走線之間有效的側(cè)向電容大小，為小尺寸產(chǎn)品設(shè)計提供很好的參考價值。

參見圖6及圖7，圖6為本發(fā)明第二較佳實施例中金屬走線之間交疊電容測量的電路版圖設(shè)計示意圖，圖7為本發(fā)明第二較佳實施例中交疊電容測量的等效電路圖。

為測量交疊電容，圖6中的上下分別顯示了本發(fā)明第二較佳實施例中所提供的金屬走線側(cè)向電容測量的第一組和第二組兩組電路版圖設(shè)計。本發(fā)明通過兩組版圖設(shè)計提供了兩組量測點位。如圖6所示，一組量測點位采用通常設(shè)計，測試部分包含待量測的呈十字交疊的金屬走線，公共部分包含引線及與引線相連接的量測墊1，2，引線(斜線區(qū)域)與對應(yīng)的金屬走線相連的一端的形狀為該對應(yīng)的金屬走線的形狀的自然延伸，從交疊的金屬走線通過引線連接至量測墊，利用量測墊進行金屬走線之間交疊電容的量測。另一組量測點位沒有進行交疊金屬走線的設(shè)計，只有斜線區(qū)域(引線)和量測墊區(qū)域，利用量測墊進行斜線區(qū)域和量測墊區(qū)域寄生電容的量測。將兩組測試點位量測的數(shù)據(jù)進行對比分析，第一組量測點位量測的電容數(shù)據(jù)減去第二組量測點位量測的電容數(shù)據(jù)，即是真實的交疊金屬走線之間的有效寄生電容。

圖7中的上下分別顯示了圖6中第一組和第二組兩組電路版圖設(shè)計的等效電路圖。由圖6分析可知，第一組量測點位量測的電容為C(公共部分)和C(測試部分，即交疊電容)之和，第二組量測點位量測的電容為C(公共部分)。第一組量測點位量測數(shù)據(jù)減去第二組量測點位量測數(shù)據(jù)即為C(交疊電容)。

本發(fā)明提供的金屬走線交疊電容的版圖設(shè)計能夠有效的排除測試墊區(qū)域和斜線區(qū)域金屬對于交疊金屬走線區(qū)域交疊電容量測的影響，能夠量測出交疊信號走線之間有效的交疊電容大小，為小尺寸產(chǎn)品設(shè)計提供很好的參考價值。

本發(fā)明可應(yīng)用于：

1.集成在陣列(Array)基板上的液晶顯示器行掃描(Gate)驅(qū)動電路和像素中薄膜晶體管(TFT)設(shè)計；

2.手機，顯示器，電視的設(shè)計領(lǐng)域；

3.涵蓋LTPS TFT設(shè)計領(lǐng)域。

綜上，本發(fā)明的顯示面板的金屬走線的寄生電容的量測方法適用于LTPS面板的電容量測，能夠量測出金屬走線之間有效的側(cè)向電容和交疊電容大小，為小尺寸產(chǎn)品設(shè)計提供很好的參考價值。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護范圍。