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具有內(nèi)部校準(zhǔn)電路的硅光電倍增管的制作方法

文檔序號:11449221閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種硅光電倍增管,所述硅光電倍增管包括多個微單元,所述多個微單元響應(yīng)于入射輻射提供脈沖輸出,每個微單元包括電路,所述電路配置成啟用和禁用所述脈沖輸出。每個微單元包括單元禁用開關(guān)。所述控制邏輯電路控制所述單元禁用開關(guān)和自測試電路。當(dāng)所述單元禁用開關(guān)處于第一狀態(tài)下時,微單元的脈沖輸出被禁用。一種用于微單元的自測試校準(zhǔn)方法包括:向所述微單元提供測試啟用信號;在預(yù)定時間段內(nèi)集成暗電流;將所述集成暗電流與預(yù)定閾值水平進(jìn)行比較;以及如果高于所述預(yù)定閾值水平,則提供信號。

技術(shù)研發(fā)人員:J.郭;S.I.多林斯基
受保護(hù)的技術(shù)使用者:通用電氣公司
技術(shù)研發(fā)日:2015.09.18
技術(shù)公布日:2017.08.29
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