本發(fā)明涉及一種用于探測(cè)x射線或伽馬射線的探測(cè)器組件和探測(cè)器，具體但不排除地，本發(fā)明涉及一種提供閃爍晶體像素內(nèi)部相互作用點(diǎn)的更精確定位的、用于探測(cè)x射線或伽馬射線的閃爍探測(cè)器組件。

背景技術(shù)：

正電子放射斷層造影術(shù)(pet)是在核醫(yī)學(xué)中經(jīng)常使用的成像技術(shù)。在pet中，生理機(jī)能相關(guān)的化合物以正電子發(fā)射同位素進(jìn)行標(biāo)記。在某一時(shí)間點(diǎn)，放射性同位素發(fā)射正電子，并且該正電子具有數(shù)百kev的動(dòng)能。正電子在人體組織中的范圍通常小于1mm。在停止移動(dòng)之后，正電子湮沒成兩個(gè)幾乎背靠背的511kev的伽馬射線。511kev的伽馬射線在人體中的平均自由路徑為約10cm。在許多情況下，上述兩個(gè)伽馬射線將在不經(jīng)歷散射的情況下離開身體，即，它們的原始方向不改變。

pet掃描儀基本上是環(huán)繞患者以探測(cè)例如511kev的伽馬射線的探測(cè)器。如果同時(shí)探測(cè)到兩個(gè)511kev伽馬射線，則這些伽馬射線很可能來自同一湮沒事件。因此，可以認(rèn)為湮沒和含有放射性同位素的分子位于連接兩個(gè)探測(cè)點(diǎn)的線上的某處。此線稱為“響應(yīng)線”(lor)。通過以這種方式觀察大量的正電子湮沒，能夠獲得湮沒事件的、與經(jīng)標(biāo)記的分子體內(nèi)的三維分布相同的三維分布。

商用pet掃描儀通常使用閃爍晶體和光電探測(cè)器來探測(cè)伽馬射線。當(dāng)伽馬射線在閃爍晶體中相互作用時(shí)，產(chǎn)生短暫且微弱的光信號(hào)。光發(fā)射可處于光譜的可見光范圍中、處于紫外線或紅外線中。pet中常用的閃爍體材料為bgo(bi4ge3o12)、lso(lu2sio5:ce)；lyso(lu2-2xy2xsio5:ce)；gso(gd2sio5:ce)和nai:tl。pet掃描儀中所使用的閃爍體的最重要的性質(zhì)是其必須具有短的衰減時(shí)間、具有對(duì)x射線和伽馬射線的大的阻止能力和良好能量分辨率。短衰減時(shí)間是重要的，因?yàn)槠湓试S良好的時(shí)間分辨率，并且其確保所探測(cè)到的兩個(gè)伽馬射線真正來自同一湮沒事件，而不是來自兩個(gè)無關(guān)的湮沒事件。阻止能力是重要的，因?yàn)槠浯_保較高的探測(cè)效率，并因此確保觀察到大部分的湮沒事件。良好的能量分辨率允許拒絕這些伽馬射線之一在被探測(cè)到之前經(jīng)歷康普頓散射的事件。

雖然市售的pet掃描儀能夠提供人體內(nèi)過程的三維圖像，但它們并不總是提供如期望的精確圖像。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明人已認(rèn)識(shí)到，需要一種用于對(duì)閃爍晶體像素內(nèi)部的相互作用點(diǎn)進(jìn)行更精確定位的改進(jìn)的探測(cè)器組件和探測(cè)器。

因此，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種用于x射線或伽馬射線探測(cè)器的探測(cè)器組件，該探測(cè)器組件包括：具有多個(gè)閃爍晶體像素的閃爍晶體，其中每個(gè)閃爍晶體像素的一個(gè)維度比其它兩個(gè)維度更大，并且其中每個(gè)閃爍晶體像素具有一個(gè)或多個(gè)光出射面；以及與每個(gè)閃爍晶體像素的光出射面中的至少一個(gè)相關(guān)聯(lián)的光電探測(cè)器，其中第一閃爍晶體像素和第二閃爍晶體像素彼此相鄰地布置，其中第一閃爍晶體像素的x射線或伽馬射線的相互作用引起至少一個(gè)光子的產(chǎn)生，并且所產(chǎn)生的至少一個(gè)光子的光學(xué)串?dāng)_發(fā)生在第一閃爍晶體像素與第二閃爍晶體像素之間，使得在使用中在與第二閃爍晶體像素的光出射面相關(guān)聯(lián)的光電探測(cè)器處探測(cè)到第一閃爍晶體像素內(nèi)的x射線或伽馬射線的相互作用。

閃爍晶體劃分成兩個(gè)或更多個(gè)閃爍晶體像素，每個(gè)閃爍晶體像素具有一個(gè)或多個(gè)光出射面。光出射面或光出射側(cè)是閃爍晶體像素的、在x射線或伽馬射線撞擊閃爍晶體時(shí)產(chǎn)生的光學(xué)光子(或二次產(chǎn)生光子)通過其出射的面。

在一些示例中，每個(gè)閃爍晶體像素可具有一個(gè)光出射面，或者每個(gè)閃爍晶體像素可具有兩個(gè)光出射面。閃爍晶體像素的一個(gè)維度比其它兩個(gè)維度更大。在一些優(yōu)選示例中，一個(gè)或多個(gè)光出射面可以定位在閃爍晶體像素的具有較大尺寸的端部處。例如，在閃爍晶體像素為具有尺寸a、b和c(其中a>b并且a>c)的長(zhǎng)方體的示例中，一個(gè)或多個(gè)光出射面可定位在面bxc處。

光電探測(cè)器可與探測(cè)器組件的一個(gè)或多個(gè)閃爍晶體像素的光出射面相關(guān)聯(lián)，并且優(yōu)選地，與特定光出射面相關(guān)聯(lián)的光電探測(cè)器總是定位在所述光出射面處或緊密接近于所述光出射面。換句話說，不同于每個(gè)閃爍晶體像素需要至少兩個(gè)光電探測(cè)器的當(dāng)前探測(cè)器組件，本發(fā)明的探測(cè)器組件可包括與閃爍晶體像素相同數(shù)量的光電探測(cè)器，或者包括與閃爍晶體像素相比更少數(shù)量的光電探測(cè)器。這種配置的優(yōu)點(diǎn)在于系統(tǒng)的總成本降低。此外，閃爍晶體像素與探測(cè)對(duì)象之間存在過多的光電探測(cè)器及其相關(guān)聯(lián)電子器件增加在到達(dá)閃爍晶體像素之前的光子相互作用的機(jī)會(huì)，并且因此探測(cè)器組件的靈敏度降低，其結(jié)果圖像質(zhì)量下降。因此，這是為什么本發(fā)明的布置提供包括探測(cè)器組件的整體探測(cè)器的更優(yōu)效率和改善的圖像質(zhì)量的一個(gè)原因。

所產(chǎn)生的至少一個(gè)光子的光學(xué)串?dāng)_在探測(cè)器組件中發(fā)生在彼此相鄰的第一閃爍晶體像素與第二閃爍晶體像素之間，使得在使用中在與該第二閃爍晶體像素的光出射面相關(guān)聯(lián)的光電探測(cè)器處探測(cè)到第一閃爍晶體像素內(nèi)的伽馬射線或x射線的相互作用(其引起至少一個(gè)光子的釋放)。因此，doi信息可通過僅從閃爍晶體像素的一端讀取光而獲得，因?yàn)楣鈱W(xué)串?dāng)_使到達(dá)第一閃爍晶體像素的、與光電探測(cè)器所定位的端部相對(duì)的端部處的光通過相鄰的閃爍晶體像素返回到光電探測(cè)器側(cè)，并且在與第二閃爍晶體像素的光出射面相關(guān)聯(lián)的光電探測(cè)器上給出信號(hào)。相應(yīng)地，由于識(shí)別出光子相互作用在沿著閃爍晶體像素的長(zhǎng)度的哪個(gè)位置發(fā)生是可能的，因此能夠通過光電探測(cè)器實(shí)現(xiàn)更精確的像素讀取。

例如，當(dāng)該探測(cè)器組件在用于諸如pet掃描儀、ct掃描儀、伽馬相機(jī)等應(yīng)用的x射線或伽馬探測(cè)器中使用時(shí)，多個(gè)閃爍晶體像素可形成環(huán)形探測(cè)器，其中每個(gè)閃爍晶體像素與至少兩個(gè)其它閃爍晶體像素相鄰。通過這種方式，多個(gè)閃爍晶體像素可在使用中環(huán)繞或部分地環(huán)繞患者或動(dòng)物。替換地，多個(gè)閃爍晶體像素可線性地布置或跨越表面布置，并且例如所構(gòu)成的探測(cè)器的該配置對(duì)如x射線安全性等某些斷層攝影應(yīng)用可能尤其有利。替換地，多個(gè)閃爍晶體像素可形成單個(gè)探測(cè)器或者兩個(gè)或更多個(gè)探測(cè)器或形成不同的形狀。

光電探測(cè)器可以是具有內(nèi)部增益的固態(tài)光電探測(cè)器。光電探測(cè)器還可以是硅光電倍增管、多像素光子計(jì)數(shù)器或數(shù)字硅光電倍增管。

閃爍晶體像素可以以如下方式略微吸收光：即，到達(dá)晶體的一個(gè)或每個(gè)光出射端的光量取決于x射線或伽馬射線的相互作用點(diǎn)的、沿著閃爍晶體像素的長(zhǎng)度的位置。

探測(cè)器組件還可至少在第一閃爍晶體像素與第二閃爍晶體像素之間還包括反射材料，該反射材料覆蓋第一閃爍晶體像素與第二閃爍晶體像素之間的共同側(cè)的一部分或全部。反射材料可優(yōu)選地為全反射的。

如果反射材料布置成覆蓋第一閃爍晶體像素與第二閃爍晶體像素之間的共同側(cè)的一部分，則可通過在無反射材料的間隙中的光的泄漏產(chǎn)生光學(xué)串?dāng)_。在該情況下，優(yōu)選的是，共同側(cè)的未覆蓋部分位于或基本上朝向閃爍晶體像素的、與光電探測(cè)器所定位的端部相對(duì)的端部。無反射材料的間隙可以由透明材料填充。

如果反射材料布置成覆蓋第一閃爍晶體像素與第二閃爍晶體像素之間的全部共同側(cè)，則優(yōu)選的是，透明材料片設(shè)置在晶體陣列的、遠(yuǎn)離光電探測(cè)器所定位的光出射面的端部處和/或第一閃爍晶體像素和第二閃爍晶體像素可以以某種方式經(jīng)光學(xué)拋光，以使得光學(xué)串?dāng)_產(chǎn)生，如在下文中將進(jìn)一步詳細(xì)解釋。

除提供反射材料以外附加地或與其替換地，探測(cè)器組件還可包括位于晶體陣列的、遠(yuǎn)離光電探測(cè)器所定位的光出射面的端部處的透明材料片，以允許第一閃爍晶體像素與第二閃爍晶體像素之間的光學(xué)串?dāng)_。

除提供反射材料和提供透明材料片以外附加地或與其替換地，第一閃爍晶體像素與第二閃爍晶體像素之間的共同側(cè)沒有任何部分或僅一部分可經(jīng)光學(xué)拋光，以允許第一閃爍晶體像素與第二閃爍晶體像素之間的光學(xué)串?dāng)_。

可能優(yōu)選的是，相鄰的閃爍晶體像素之間的光學(xué)串?dāng)_發(fā)生在閃爍晶體像素的、遠(yuǎn)離光電探測(cè)器所定位的光出射面的端部處。其優(yōu)點(diǎn)在于，信號(hào)比光學(xué)串?dāng)_發(fā)生在閃爍晶體像素的接近光電探測(cè)器的端部處時(shí)行進(jìn)地更遠(yuǎn)且更長(zhǎng)的時(shí)間段。

第一閃爍晶體像素中的光信號(hào)的幅度與第二像素中的光信號(hào)的幅度之比可取決于第一閃爍晶體像素中的x射線或伽馬射線的相互作用點(diǎn)的相互作用深度。doi可從可測(cè)量的量r獲得，r定位為：

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種x射線或伽馬射線探測(cè)器，該探測(cè)器包括至少兩個(gè)如上所述的探測(cè)器組件。

兩個(gè)探測(cè)器組件可探測(cè)在閃爍晶體像素內(nèi)相互作用的互補(bǔ)的x射線或伽馬射線。

附圖說明

下面將僅以示例的方式描述本發(fā)明的某些優(yōu)選實(shí)施方式，并參照附圖與比較示例進(jìn)行對(duì)比，其中：

圖1示出pet掃描儀的原理；

圖2示出允許減少pet掃描儀中的光電探測(cè)器數(shù)量和讀出通道數(shù)量的塊探測(cè)器組件的原理；

圖3示出pet掃描儀中的相互作用深度效應(yīng)；

圖4示出本發(fā)明的示例性探測(cè)器組件的操作；

圖5示出本發(fā)明的另一示例性探測(cè)器組件的操作；

圖6示出根據(jù)本發(fā)明示例性探測(cè)器組件的不同信號(hào)的相互作用深度分辨率；以及

圖7示出可通過本發(fā)明示例性探測(cè)器組件獲得的相互作用深度分辨率。

具體實(shí)施方式

在pet掃描儀的最簡(jiǎn)單幾何結(jié)構(gòu)中，pet掃描儀由一個(gè)或多個(gè)閃爍體塊環(huán)組成，每個(gè)閃爍體塊環(huán)配備有環(huán)繞患者的光電探測(cè)器。圖1中示出了用于人類患者11的典型的pet掃描儀10。為增強(qiáng)光線收集，閃爍體晶體的側(cè)面通常利用光學(xué)質(zhì)量拋光進(jìn)行拋光。在閃爍體環(huán)12的外側(cè)上，每個(gè)閃爍體晶體13具有其自己的光電探測(cè)器14。線表示源自幾個(gè)湮沒事件的伽馬射線的飛行方向。這些伽馬射線在閃爍體塊中相互作用。如果兩個(gè)伽馬射線在兩個(gè)閃爍體塊13中同時(shí)相互作用，則最可能的是，正電子湮沒發(fā)生在沿著連接兩個(gè)閃爍材料塊的中心的線的某處。如果511kev伽馬射線15之一在閃爍體塊中的一個(gè)中相互作用，則該相互作用點(diǎn)上的位置精確度與閃爍晶體的大小相等。因此，使用大量小閃爍晶體是正常的，其中每個(gè)閃爍晶體配備有其自己的光電探測(cè)器。某些pet系統(tǒng)確實(shí)使用該方案。

然而，為降低成本，大多數(shù)商用pet掃描儀使用光電探測(cè)器比晶體少的系統(tǒng)。圖2中示出該方法的可能實(shí)現(xiàn)。在該設(shè)計(jì)中，在一個(gè)大的閃爍體晶體20中切割出槽，使其劃分為64個(gè)單獨(dú)的晶體像素21，并且該閃爍體塊20僅與四個(gè)光電倍增管22、23、24、25接觸。這些槽然后以某些材料填充以減少鄰近晶體像素之間的光學(xué)串?dāng)_。在閃爍體中切割的槽并不一直延伸到閃爍體晶體塊20的底部。通過這種方式，光可分布在四個(gè)光電倍增管22、23、24、25上，其中光的分布取決于伽馬射線相互作用所處的、閃爍體晶體20的位置。根據(jù)光電倍增管22、23、24、25中的信號(hào)的幅度，可以如下計(jì)算量x和y：

量x和y是發(fā)生相互作用的閃爍體晶體塊20的位置的(x,y)平面中的近似位置。(x,y)的測(cè)量值與晶體的真實(shí)位置之間的映射必須通過實(shí)驗(yàn)確定。

在正電子放射斷層造影術(shù)中限制圖像分辨率的因素之一是所謂的“相互作用深度”(doi)效應(yīng)。圖3中示出了該效應(yīng)，并且還給出了示例性尺寸。在該圖中，假定由一個(gè)光子的湮沒產(chǎn)生的兩個(gè)伽馬射線分別在晶體31、32中相互作用。這些晶體31,32通過從記錄來自晶體31、32的光信號(hào)的光電探測(cè)器33、34接收的信號(hào)來識(shí)別。通常不知道相互作用發(fā)生在沿著晶體長(zhǎng)度31、32的長(zhǎng)度的哪個(gè)位置。如果正電子湮沒遠(yuǎn)離掃描儀的中心發(fā)生，則這會(huì)引入對(duì)連接兩個(gè)伽馬相互作用點(diǎn)的線的位置的大的不確定性，并由此引入對(duì)正電子湮沒點(diǎn)的位置的大的不確定性。這又導(dǎo)致圖像質(zhì)量的相當(dāng)大的下降。

避免因doi效應(yīng)引起的分辨率下降的一種可能的方法是將光電探測(cè)器布置在晶體的兩端上。如果晶體被完全地拋光并在其長(zhǎng)側(cè)面上覆蓋高反射箔，則在兩端處收集到的光量不依賴于伽馬射線的相互作用點(diǎn)的、沿著晶體的長(zhǎng)度的位置。然而，如果晶體的側(cè)面不完全地拋光，則在兩端處收集到的光量取決于伽馬或x射線的、沿著晶體的長(zhǎng)度的相互作用點(diǎn)。

在晶體的兩端上布置光電探測(cè)器具有若干缺點(diǎn)。光電探測(cè)器以及相關(guān)聯(lián)的電子器件表示pet掃描儀的大部分成本。因此，此方法極大地增加這種系統(tǒng)的成本。此外，在閃爍晶體與患者之間存在光電探測(cè)器及其相關(guān)聯(lián)電子器件增加伽馬射線在到達(dá)閃爍晶體之前在某處相互作用的機(jī)會(huì)，從而降低靈敏度并影響圖像質(zhì)量。

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種在僅從晶體的一端讀取晶體光的同時(shí)獲得doi信息的方式。這可通過在與光電探測(cè)器相對(duì)的側(cè)面上的鄰近晶體之間引起光學(xué)串?dāng)_來實(shí)現(xiàn)。這種光學(xué)串?dāng)_將使到達(dá)第一閃爍晶體像素的相對(duì)端部的光通過鄰近閃爍晶體像素返回到光電探測(cè)器側(cè)，并且在與鄰近閃爍晶體像素相關(guān)聯(lián)的光電探測(cè)器上給出信號(hào)。如果例如通過晶體的略微不拋光的一個(gè)或多個(gè)側(cè)面(優(yōu)選地為長(zhǎng)側(cè)面的一個(gè)或多個(gè)側(cè)面)來使晶體稍微吸收光，則到達(dá)晶體的一個(gè)或每個(gè)光出射面或光出射端的光量取決于x射線或伽馬射線的相互作用點(diǎn)的、沿著閃爍晶體像素的長(zhǎng)度的位置。

在閃爍晶體包括兩個(gè)光出射面或兩個(gè)光出射側(cè)的示例中，兩端處的脈沖幅度之比可以與相互作用的、沿著閃爍晶體像素的位置有關(guān)。此外，通過這種方式返回到鄰近光電探測(cè)器的光量將取決于x射線或伽馬射線的相互作用的、沿著閃爍晶體像素的長(zhǎng)度的位置。發(fā)生相互作用的閃爍晶體像素中的光量與所有其它像素中的光量之比將取決于x射線或伽馬相互作用的doi。

原則上，可以使用任何光電探測(cè)器。例如，可以使用光電倍增管。然而，光電倍增管并不非常實(shí)用，并且該想法并未在任何商用pet系統(tǒng)中使用。難以使用光電倍增管的原因在于：在光電倍增管中，在晶體與光電陰極之間總是存在至少2mm厚度的玻璃。光在該玻璃中的傳播使得極難正確地獲得doi并獲得發(fā)生相互作用的晶體。然而，光電探測(cè)器(如sipm)實(shí)用得多。此外，借助sipm，如果存在比光電探測(cè)器更多的閃爍晶體，則還可以使用光共享來識(shí)別發(fā)生相互作用的晶體。

引起期望的光學(xué)串?dāng)_的最直接的方式是在閃爍晶體陣列上在與光電探測(cè)器相對(duì)的側(cè)面上放置透明材料板(例如玻璃板)。透明材料板應(yīng)優(yōu)選地光學(xué)耦合至閃爍晶體。這種光學(xué)耦合可通過在閃爍晶體與透明材料板之間應(yīng)用一些透明膠或透明油脂來實(shí)現(xiàn)。圖4中示出了根據(jù)本發(fā)明示例的這種探測(cè)器組件的示例。在圖4中，示出了探測(cè)器組件40。探測(cè)器組件40具有放置于光電探測(cè)器42的4x4陣列上的閃爍晶體像素41的8x8陣列，其中4x4陣列的光電探測(cè)器42可以是sipm陣列。在本發(fā)明的該示例性實(shí)現(xiàn)中，通過將透明材料片43放置在閃爍晶體像素41陣列的與光電探測(cè)器42側(cè)相對(duì)的側(cè)面上來獲得光電探測(cè)器42的相對(duì)側(cè)面上的光串?dāng)_。透明材料可以是一片或多個(gè)單獨(dú)片；透明材料能夠覆蓋相對(duì)側(cè)面的整個(gè)表面或僅覆蓋其一部分。透明材料可光學(xué)耦合至閃爍晶體，或者透明材料可在無光學(xué)接觸的情況下按壓在閃爍晶體上。

圖5中示出了根據(jù)本發(fā)明示例的探測(cè)器組件50的另一可能實(shí)現(xiàn)。在本發(fā)明的該示例性實(shí)現(xiàn)中，閃爍晶體像素51、52被膠合在一起，其中反射材料53(其可以是全反射材料)位于相鄰晶體像素51、52之間的間隙中，從而防止光泄漏至相鄰晶體像素51、52。僅在分離間隙的一小部分中，在閃爍晶體像素51、52的與光電探測(cè)器54、55相對(duì)的一側(cè)，間隙56中無反射材料，從而允許一些光泄漏到鄰近閃爍晶體像素51、52。光泄漏到鄰近閃爍晶體像素51、52的間隙56應(yīng)優(yōu)選地以透明材料填充。

在圖4和圖5每個(gè)圖中，閃爍晶體像素41、51、52的一個(gè)維度比其它兩個(gè)維度更長(zhǎng)。此外，由于需要最小長(zhǎng)度的晶體像素用于吸收，有利的是將閃爍晶體像素布置成使產(chǎn)生的光子行進(jìn)跨越最長(zhǎng)的尺寸；通常，為吸收511kev的光子，需要最長(zhǎng)尺寸為1.5cm或2cm的鈰摻雜的硅酸釔镥(lyso；ceriumdopedlutetiumyttriumorthosilicate)或鈰摻雜的硅酸镥(lso；ceriumdopedlutetiumoxyorthosilicate)晶體像素，以實(shí)現(xiàn)足夠空間分辨率。

為證明該想法的有效性，對(duì)圖4中示出的幾何結(jié)構(gòu)進(jìn)行了模擬，其結(jié)果顯示在圖6和圖7中。在該模擬中，閃爍晶體像素的尺寸為1.53x1.53x15mm，并且透明材料是1mm厚的玻璃板。模擬是利用模擬軟件geant4完成的。在模擬中，假定晶體像素之間的間隔利用vikuityesr反射箔填充。這種箔是高度反射的，但是仍允許一些光泄漏到鄰近閃爍晶體像素。

在圖6和圖7中，doi可以從可測(cè)量的量r獲得，r被定義為：

圖6示出了參數(shù)r對(duì)不位于sipm陣列的邊緣處的閃爍晶體像素之一的相互作用的真實(shí)doi的分布圖。在該圖中，我們看到doi與r的值之間的明顯相關(guān)性。我們還看到相關(guān)帶之外的若干個(gè)散布點(diǎn)。這些點(diǎn)因伽馬相互作用所致，在伽馬相互作用中，伽馬射線首先在這些晶體中的一個(gè)中經(jīng)歷康普頓散射，并且隨后在該陣列的另一晶體中相互作用。此類事件應(yīng)被丟棄，因?yàn)閺倪@些事件獲得的位置信息不精確。

圖7示出了能夠由探測(cè)器內(nèi)的圖4的示例性探測(cè)器組件獲得的doi分辨率。該圖示出參數(shù)r的實(shí)驗(yàn)可測(cè)量值的不同值格的doi值的直方圖。這16個(gè)直方圖對(duì)應(yīng)于從0.6到0.8的變量r的16個(gè)值格。水平軸以mm為單位給出doi值。我們可以看到，doi分辨率為約3mmfwhm。

將了解，雖然上文描述的本發(fā)明的一些示例指代優(yōu)選示例和實(shí)施方式，但是這些示例的原理可應(yīng)用到本發(fā)明的所有方面、示例和實(shí)施方式，包括權(quán)利要求中的任一項(xiàng)中限定的那些方面、示例和實(shí)施方式。此外，在單獨(dú)的示例或?qū)嵤┓绞降纳舷挛闹忻枋龅奶卣骺稍趩蝹€(gè)示例或?qū)嵤┓绞街幸越M合方式提供，并且相反地，在單個(gè)示例或?qū)嵤┓绞降纳舷挛闹忻枋龅奶卣饕部蓡为?dú)地或以任何適當(dāng)?shù)淖咏M合提供。

以下是根據(jù)本公開的特別優(yōu)選的方面。

第1項(xiàng).一種用于x射線或伽馬射線的探測(cè)器，所述探測(cè)器包括具有至少兩個(gè)閃爍晶體的多個(gè)閃爍晶體，并且其中所述閃爍晶體的一個(gè)維度比其它兩個(gè)維度更大，并且具有一個(gè)或兩個(gè)光出射側(cè)；并且反射材料放置在閃爍晶體像素中的至少一些之間，所述反射材料覆蓋兩個(gè)相鄰晶體之間的共同側(cè)的一部分或全部；并且在所述光出射側(cè)中的一個(gè)上具有光電探測(cè)器。

第2項(xiàng).根據(jù)項(xiàng)1所述的用于x射線或伽馬射線的探測(cè)器，其中所述光電探測(cè)器是具有內(nèi)部增益的固態(tài)光電探測(cè)器。

第3項(xiàng).根據(jù)項(xiàng)1或2所述的用于x射線或伽馬射線的探測(cè)器，其中所述光電探測(cè)器是硅光電倍增管、多像素光子計(jì)數(shù)器或數(shù)字硅光電倍增管。

第4項(xiàng).根據(jù)項(xiàng)1、2或3所述的用于x射線或伽馬射線的探測(cè)器，其中所述閃爍晶體以如下方式略微吸收閃爍光：即，到達(dá)晶體的每個(gè)端部的光量取決于伽馬射線的相互作用點(diǎn)的、沿著晶體的長(zhǎng)度的位置。

第5項(xiàng).根據(jù)項(xiàng)1、2、3或4所述的用于x射線或伽馬射線的探測(cè)器，其中到達(dá)所述晶體的每個(gè)端部的閃爍光的吸收是通過使所述閃爍晶體的至少一個(gè)側(cè)面的一部分或全部不經(jīng)光學(xué)拋光來實(shí)現(xiàn)。

第6項(xiàng).根據(jù)項(xiàng)1、2、3、4或5所述的用于x射線或伽馬射線的探測(cè)器，其中光從一個(gè)像素泄漏至相鄰像素，并且其中所述光泄漏主要存在于晶體陣列的、與光電探測(cè)器所處的光出射側(cè)相對(duì)的側(cè)面上。

第7項(xiàng).根據(jù)項(xiàng)1、2、3、4、5或6所述的用于x射線或伽馬射線的探測(cè)器，其中至相鄰像素的光泄漏是通過將透明材料片放置在晶體陣列的、與光出射側(cè)相對(duì)的側(cè)面上而引起的。所述透明材料可以是一片或若干個(gè)單獨(dú)的片；所述透明材料能夠覆蓋所述相對(duì)側(cè)面的整個(gè)表面或者僅覆蓋其一部分。所述透明材料能夠光學(xué)耦合所述閃爍晶體，或者所述透明材料能夠在無光學(xué)接觸的情況下按壓在閃爍晶體上。

第8項(xiàng).根據(jù)項(xiàng)1、2、3、4、5或6所述的用于x射線或伽馬射線的探測(cè)器，其中光泄漏至相鄰像素是通過位于光電探測(cè)器的相對(duì)側(cè)面處的晶體之間的分離間隙或間隙不以反射材料填充而引起的，從而允許一些光泄漏至相鄰的閃爍晶體像素。

第9項(xiàng).根據(jù)項(xiàng)1、2、3、4、5、6、7或8所述的用于x射線或伽馬射線的探測(cè)器，其中伽馬射線相互作用所處的、閃爍晶體像素中的光信號(hào)的幅度與一個(gè)或多個(gè)其它像素中的光信號(hào)的幅度之比取決于伽馬射線相互作用所處的晶體中的伽馬射線或x射線的相互作用點(diǎn)的doi。