本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種放射線檢測器及其制造方法。

背景技術(shù)：

放射線檢測器中設(shè)有：基板，其由玻璃等透光性材料形成；多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部，其在基板的上方設(shè)為矩陣狀；閃爍層，其覆蓋多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部，并將放射線轉(zhuǎn)換為可見光即熒光；以及防濕體等，該防濕體覆蓋閃爍層。

此外，為了提高熒光的利用效率，改善靈敏度特性，有時(shí)還會在閃爍層的上方設(shè)置反射層。

閃爍層設(shè)為覆蓋設(shè)有多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部的區(qū)域(有效像素區(qū)域)。

此處，使用真空蒸鍍法形成閃爍層時(shí)，會在閃爍層的周緣部分形成傾斜部。傾斜部的厚度尺寸隨著朝向閃爍層的外側(cè)而逐漸減少。因此，傾斜部的厚度小于位于閃爍層的中央?yún)^(qū)域的部分。如果閃爍層的厚度過薄，則發(fā)光亮度會減小，因此有傾斜部的區(qū)域的圖像質(zhì)量可能會降低。

此時(shí)，如果在從有效像素區(qū)域偏向外側(cè)的位置設(shè)置傾斜部，則能夠抑制圖像質(zhì)量的降低。但是，如果要在從有效像素區(qū)域偏向外側(cè)的位置設(shè)置傾斜部，則無法實(shí)現(xiàn)放射線檢測器的小型化。

因此，人們期望開發(fā)一種即使傾斜部位于有效像素區(qū)域的上方，也能夠抑制圖像質(zhì)量的降低，并且能夠?qū)崿F(xiàn)放射線檢測器的小型化的放射線檢測器及其制造方法。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2009-128023號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明所要解決的課題是提供一種即使傾斜部位于有效像素區(qū)域的上方，也能夠抑制圖像質(zhì)量的降低，并且能夠?qū)崿F(xiàn)放射線檢測器的小型化的放射線檢測器及其制造方法。

解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案

實(shí)施方式所涉及的放射線檢測器具備：陣列基板，其具有基板以及設(shè)置在所述基板的一面?zhèn)鹊亩鄠€(gè)光電轉(zhuǎn)換元件；閃爍層，其設(shè)置在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的上方，并且含有第1熒光體材料；壁體，其設(shè)置在所述基板的一面?zhèn)?，并且包圍所述閃爍層；以及填充部，其設(shè)置在所述閃爍層與所述壁體之間，并且含有第2熒光體材料。

所述閃爍層在周緣部分具有傾斜部，其厚度尺寸隨著朝向所述閃爍層的外側(cè)而逐漸減少。

所述填充部設(shè)置在所述傾斜部的上方。

附圖說明

圖1是用來例示第1實(shí)施方式所涉及的x射線檢測器1的示意立體圖。

圖2是x射線檢測器1的示意剖面圖。

圖3是用來例示高溫高濕環(huán)境下(60℃-90％rh)的透濕量的變化的曲線圖。

圖4是用來例示高溫高濕環(huán)境下(60℃-90％rh)的分辨率特性的變化的曲線圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對實(shí)施方式進(jìn)行例示。另外，在各附圖中，對相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號，并適當(dāng)省略詳細(xì)說明。

此外，本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的放射線檢測器除了x射線以外，還能夠適用于γ線等各種放射線。此處，作為一例，作為放射線中的代表，以x射線時(shí)為例進(jìn)行說明。因此，通過將以下實(shí)施方式的“x射線”替換為“其他放射線”，也能夠適用于其他放射線。

[第1實(shí)施方式]

首先，例示第1實(shí)施方式所涉及的x射線檢測器1。

圖1是用來例示第1實(shí)施方式所涉及的x射線檢測器1的示意立體圖。

另外，為了避免復(fù)雜，圖1中省略了反射層6、防濕體7、填充部8、壁體9、接合層10以及保護(hù)層2f等。

圖2是x射線檢測器1的示意剖面圖。

另外，為了避免復(fù)雜，圖2中省略了控制線(或柵極線)2c1、數(shù)據(jù)線(或信號線)2c2、信號處理部3以及圖像傳送部4等。

放射線檢測器即x射線檢測器1是用來檢測放射線圖像即x射線圖像的x射線平面?zhèn)鞲衅?。x射線檢測器1能夠用于例如一般醫(yī)療用途等。但是，x射線檢測器1的用途并不僅限于一般醫(yī)療用途。

如圖1和圖2所示，x射線檢測器1上設(shè)有陣列基板2、信號處理部3、圖像傳送部4、閃爍層5、反射層6、防濕體7、填充部8、壁體9以及接合層10。

陣列基板2具有基板2a、光電轉(zhuǎn)換部2b、控制線2c1、數(shù)據(jù)線2c2以及保護(hù)層2f。

基板2a呈板狀，由無堿玻璃等透光性材料形成。

光電轉(zhuǎn)換部2b在基板2a的一個(gè)表面上設(shè)有多個(gè)。

光電轉(zhuǎn)換部2b呈矩形狀，設(shè)置在由控制線2c1與數(shù)據(jù)線2c2劃出的區(qū)域中。多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部2b排列成矩陣狀。

另外，1個(gè)光電轉(zhuǎn)換部2b對應(yīng)1個(gè)像素(pixel)。

多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部2b上分別設(shè)有光電轉(zhuǎn)換元件2b1以及作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(tft；thinfilmtransistor)2b2。

此外，還能夠在光電轉(zhuǎn)換元件2b1上設(shè)置未圖示的儲能電容器，其可用來存儲轉(zhuǎn)換后的信號電荷。未圖示的儲能電容器呈例如矩形平板狀，能夠設(shè)置在各薄膜晶體管2b2的下方。但是，根據(jù)光電轉(zhuǎn)換元件2b1的容量，光電轉(zhuǎn)換元件2b1能夠兼做未圖示的儲能電容器。

光電轉(zhuǎn)換元件2b1能夠使用例如光電二極管等。

薄膜晶體管2b2會對通過將熒光入射至光電轉(zhuǎn)換元件2b1來生成的電荷進(jìn)行蓄積和釋放的切換。薄膜晶體管2b2能夠采用含有非晶硅(a-si)或多晶硅(p-si)等半導(dǎo)體材料的物質(zhì)。薄膜晶體管2b2具有柵極、源極以及漏極。薄膜晶體管2b2的柵極與相應(yīng)的控制線2c1電連接。薄膜晶體管2b2的源極與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線2c2電連接。薄膜晶體管2b2的漏極與相應(yīng)的光電轉(zhuǎn)換元件2b1及未圖示的儲能電容器電連接。

控制線2c1以規(guī)定間隔相互平行地設(shè)有多個(gè)。控制線2c1例如向行方向延伸。

多個(gè)控制線2c1分別與設(shè)置在基板2a的周緣附近的多個(gè)配線墊2d1電連接。多個(gè)配線墊2d1上分別電連接著設(shè)置在柔性印刷電路板2e1上的多個(gè)配線的一端。設(shè)置在柔性印刷電路板2e1上的多個(gè)配線的另一端分別電連接至設(shè)置在信號處理部3的未圖示的控制電路。

數(shù)據(jù)線2c2以規(guī)定間隔相互平行地設(shè)有多個(gè)。數(shù)據(jù)線2c2向與控制線2c1延伸的方向正交的方向(例如列方向)延伸。

多個(gè)數(shù)據(jù)線2c2分別與設(shè)置在基板2a的周緣附近的多個(gè)配線墊2d2電連接。多個(gè)配線墊2d2上分別電連接著設(shè)置在柔性印刷電路板2e2上的多個(gè)配線的一端。設(shè)置在柔性印刷電路板2e2上的多個(gè)配線的另一端分別電連接至設(shè)置在信號處理部3的未圖示的放大/轉(zhuǎn)換電路。

保護(hù)層2f設(shè)置為覆蓋光電轉(zhuǎn)換部2b、控制線2c1以及數(shù)據(jù)線2c2。

保護(hù)層2f能夠由氮化硅(sin)和丙烯酸類樹脂等絕緣性材料形成。

信號處理部3設(shè)置在基板2a上設(shè)有光電轉(zhuǎn)換部2b的一側(cè)的相反側(cè)。

信號處理部3上設(shè)有未圖示的控制電路以及未圖示的放大/轉(zhuǎn)換電路。

未圖示的控制電路可控制各薄膜晶體管2b2的動作即接通狀態(tài)和斷開狀態(tài)。例如，未圖示的控制電路經(jīng)由柔性印刷電路板2e1、配線墊2d1以及控制線2c1，將控制信號s1依次施加至各控制線2c1。根據(jù)施加至控制線2c1的控制信號s1，薄膜晶體管2b2成為接通狀態(tài)，并且能夠接收來自光電轉(zhuǎn)換部2b的圖像數(shù)據(jù)信號s2。

未圖示的放大/轉(zhuǎn)換電路具有例如多個(gè)電荷放大器、并聯(lián)/串聯(lián)轉(zhuǎn)換器以及模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器。

多個(gè)電荷放大器分別電連接至各數(shù)據(jù)線2c2。

多個(gè)并聯(lián)/串聯(lián)轉(zhuǎn)換器分別電連接至多個(gè)電荷放大器。

多個(gè)模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器分別電連接至多個(gè)并聯(lián)/串聯(lián)轉(zhuǎn)換器。

未圖示的多個(gè)電荷放大器經(jīng)由數(shù)據(jù)線2c2、配線墊2d2以及柔性印刷電路板2e2，依次接收來自各光電轉(zhuǎn)換部2b的圖像數(shù)據(jù)信號s2。

然后，未圖示的多個(gè)電荷放大器將所接收的圖像數(shù)據(jù)信號s2依次放大。

未圖示的多個(gè)并聯(lián)/串聯(lián)轉(zhuǎn)換器將放大后的圖像數(shù)據(jù)信號s2依次轉(zhuǎn)換為串聯(lián)信號。

未圖示的多個(gè)模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器將轉(zhuǎn)換為串聯(lián)信號的圖像數(shù)據(jù)信號s2依次轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。

圖像傳送部4經(jīng)由配線4a電連接至信號處理部3的未圖示的放大/轉(zhuǎn)換電路。另外，圖像傳送部4也可以與信號處理部3形成一體。

圖像傳送部4基于通過未圖示的多個(gè)模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的圖像數(shù)據(jù)信號s2，構(gòu)成x射線圖像。此時(shí)，例如有效像素區(qū)域a的中央?yún)^(qū)域與周緣區(qū)域存在亮度差時(shí)，能夠?qū)嵤╇姎馓幚?圖像修正、亮度修正)，對于構(gòu)成x射線圖像時(shí)因亮度差而產(chǎn)生的靈敏度差進(jìn)行修正。所構(gòu)成的x射線圖像的數(shù)據(jù)會從圖像傳送部4輸出至外部設(shè)備。

閃爍層5設(shè)置在多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部2b(有效像素區(qū)域a)的上方，將入射后的x射線轉(zhuǎn)換為熒光即可見光。

閃爍層5含有熒光體材料。

閃爍層5能夠使用例如碘化銫(csi)：鉈(tl)或碘化鈉(nai)：鉈(tl)等來形成。此時(shí)，如果使用真空蒸鍍法等形成閃爍層5，則可形成由多個(gè)柱狀結(jié)晶的集合體構(gòu)成的閃爍層5。

閃爍層5的厚度尺寸能夠設(shè)為例如600μm左右。柱狀結(jié)晶的柱(柱狀物)的粗細(xì)尺寸例如在最表面能夠設(shè)為8μm～12μm左右。

此處，使用真空蒸鍍法等形成閃爍層5時(shí)，如圖2所示，在閃爍層5的周緣部分形成傾斜部5a。傾斜部5a的厚度尺寸隨著朝向閃爍層5的外側(cè)而逐漸減少。因此，傾斜部5a的厚度小于位于閃爍層5的中央?yún)^(qū)域的部分。

閃爍層5的傾斜部5a設(shè)置在有效像素區(qū)域a的周緣區(qū)域的上方。

為了提高熒光的利用效率并改善靈敏度特性，設(shè)有反射層6。也就是說，反射層6會反射在閃爍層5和填充部8中產(chǎn)生的熒光中、朝向設(shè)有光電轉(zhuǎn)換部2b一側(cè)的相反側(cè)的光，使其朝向光電轉(zhuǎn)換部2b。

反射層6覆蓋著閃爍層5及填充部8的x射線的入射側(cè)。

反射層6能夠通過例如將含有氧化鈦(tio2)等光散射性粒子的樹脂涂布至閃爍層5及填充部8的上方來形成。此外，反射層6也能夠通過例如將由銀合金或鋁等具有高光反射率的金屬構(gòu)成的層成膜在閃爍層5及填充部8的上方來形成。

此外，反射層6也能夠使用例如表面由銀合金和鋁等具有高光反射率的金屬構(gòu)成的板來形成。

另外，圖2中例示的反射層6通過將由氧化鈦構(gòu)成的亞微粒粉末、粘合劑樹脂以及溶劑混合而成的材料涂布至閃爍層5及填充部8的x射線的入射側(cè)，并使其固化而形成。

此時(shí)，反射層6的厚度尺寸能夠設(shè)為120μm左右。

另外，反射層6并非必需，可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。

以下例示設(shè)有反射層6的情況。

設(shè)置防濕體7的目的在于，抑制反射層6的特性、閃爍層5的特性以及下述填充部8的特性因空氣中含有的水蒸氣而發(fā)生劣化。

因此，防濕體7可抑制水蒸氣的透過。

防濕體7覆蓋反射層6的上方。此時(shí)，防濕體7與反射層6的上表面之間可以設(shè)有間隙，也可以使防濕體7與反射層6的上表面接觸。

例如，在壓力小于大氣壓力的環(huán)境中將防濕體7與反射層6的周緣部的上表面或填充部8的上表面接合后，可通過恢復(fù)為大氣壓力來使防濕體7與反射層6的上表面貼緊。

防濕體7覆蓋閃爍層5的上方，防濕體7的周緣部附近在填充部8的上方與反射層6接合。

此時(shí)，也能夠?qū)⒎瓷鋵?的周緣部端設(shè)在防濕體7的周緣部端的內(nèi)側(cè)，使防濕體7的周緣部與填充部8直接接合。或者也能夠使防濕體7的周緣部的一部分與填充部8接合，并使防濕體7的周緣部的其他部分與反射層6接合。并且，也能夠使防濕體7的周緣部與壁體9的上表面接合。

在平面圖中，防濕體7的端面7a的位置能夠位于有效像素區(qū)域a的外側(cè)且位于壁體9的內(nèi)面9a的內(nèi)側(cè)。

此時(shí)，如果在平面圖中防濕體7的端面7a的位置接近壁體9的內(nèi)面9a，則能夠提高防濕性能。

如果防濕體7的周緣部也與壁體9的上表面接合，則能進(jìn)一步提高防濕性能。此外，作為改進(jìn)例，也能夠使防濕體7的周緣部僅與壁體9的上表面接合。

防濕體7呈膜狀、箔狀或薄板狀。

防濕體7能夠由透濕系數(shù)較小的材料形成。

防濕體7能夠由例如由鋁、鋁合金或者層疊著樹脂膜與由無機(jī)材料(鋁或鋁合金等金屬、sio2、sion、al2o3等陶瓷類材料)構(gòu)成的膜的低透濕防潮膜(水蒸氣阻隔薄膜)等形成。

此時(shí)，如果使用實(shí)效上透濕系數(shù)幾乎為零的鋁或鋁合金等形成防濕體7，則能夠幾乎完全消除透過防濕體7的水蒸氣。

此外，還能夠在考慮x射線的吸收和剛性等后，決定防濕體7的厚度尺寸。此時(shí)，如果防濕體7的厚度尺寸過大，則x射線的吸收會過大。如果防濕體7的厚度尺寸過小，則剛性會降低，容易發(fā)生破損。

防濕體7能夠使用例如厚度尺寸為0.1mm的鋁箔來形成。

填充部8設(shè)置在閃爍層5的傾斜部5a與壁體9的內(nèi)面9a之間。

填充部8的上表面的位置能夠設(shè)為與閃爍層5的上表面的位置程度相同。

此時(shí)，填充部8的上表面的位置可以與閃爍層5的上表面的位置相同，可以略高于閃爍層5的上表面的位置，也可以略低于閃爍層5的上表面的位置。

填充部8的上表面的位置能夠略低于壁體9的上表面的位置。

如果填充部8的上表面的位置略低于壁體9的上表面的位置，則在實(shí)施下述填充時(shí)，能夠避免用來形成填充部8的材料超過壁體9的上表面并溢出。

填充部8的上表面優(yōu)選為平坦表面。

如果填充部8的上表面平坦，則能夠確保填充部8與接合至其上表面的上方的防濕體7的密封性，并且獲得高可靠性。

此時(shí)，通過降低用來形成填充部8的材料的粘度，能夠使填充部8的上表面變得平坦。

例如，用來形成填充部8的材料的粘度在室溫下為100pa·sec左右以下即可。

此外，填充部8具有熒光體材料，將所入射的x射線轉(zhuǎn)換為熒光即可見光。

也就是說，在閃爍層5的傾斜部5a的上方設(shè)有將所入射的x射線轉(zhuǎn)換為熒光的填充部8。

另外，關(guān)于填充部8的作用和材料等的詳情將在下文說明。

壁體9在平面圖中呈框狀，圍住閃爍層5。

壁體9在平面圖中位于閃爍層5的外側(cè)，且設(shè)置在設(shè)有配線墊2d1、2d2的區(qū)域的內(nèi)側(cè)。

用來形成壁體9的材料能夠是透濕系數(shù)較低的材料。

壁體9含有例如由無機(jī)材料構(gòu)成的填充材料以及樹脂(例如環(huán)氧類樹脂等)。

填充材料能夠例如由滑石(mg3si4o10(oh)2)等形成。

滑石是低硬度的無機(jī)材質(zhì)，滑動性高。因此，即使含有高濃度的滑石，壁體9也不會變脆。

如果由滑石構(gòu)成的填充材料的粒徑為數(shù)μm至數(shù)十μm左右，則能夠提高滑石的濃度(填充密度)。

如果提高滑石的濃度，與僅有樹脂時(shí)相比，能夠?qū)⑼笣裣禂?shù)降低1位左右。

用來形成壁體9的材料的粘度高于用來形成填充部8的材料的粘度。

用來形成壁體9的材料的粘度能夠例如在室溫下為340pa·sec左右。

此外，壁體9也能夠由例如鋁等金屬或玻璃等無機(jī)材料形成。

接合層10在填充部8的上方將防濕體7的周緣附近與反射層6進(jìn)行接合。

此外，接合層10也能夠在反射層6的端部的外側(cè)將未被反射層6覆蓋的填充部8的上表面與防濕體7的周緣部進(jìn)行接合。并且，接合層10除了防濕體7的周緣部、反射層6以及填充部8的露出部以外，還能夠包含壁體9的上表面在內(nèi)進(jìn)行接合。接合層10也能夠僅將防濕體7的周緣部與壁體9的上表面進(jìn)行接合。

如此，通過接合層10，能夠?qū)⒎瓷鋵?的周緣部、未被反射層6覆蓋的填充部8的上表面以及壁體9的上表面中的至少一個(gè)與防濕體7進(jìn)行接合。

將反射層6的周緣部設(shè)為防濕體7的周緣部的內(nèi)側(cè)時(shí)，接合層10接合至填充部8的上表面或接合層10接合至填充部8的上表面和反射層6?；蛘呓雍蠈?0也可接合至壁體9的上表面。

接合層10能夠通過例如延遲固化型粘合劑、自然(常溫)固化型粘合劑以及加熱固化型粘合劑中的任一種進(jìn)行固化來形成。

另外，接合層10在閃爍層5側(cè)的端部可以位于閃爍層5的上方，也可以不位于閃爍層5的上方。圖2中例示的是接合層10在閃爍層5側(cè)的端部位于閃爍層5的上方的情況。

接著，進(jìn)一步說明填充部8。

如上所述，傾斜部5a的厚度尺寸朝著閃爍層5的外側(cè)逐漸減少。也就是說，傾斜部5a的厚度小于位于閃爍層5的中央?yún)^(qū)域的部分。閃爍層5的厚度減小后，發(fā)光亮度和dqe(detectivequantumefficiency，量子檢測效率)會相應(yīng)厚度的變化而發(fā)生變化，有效像素區(qū)域a的周緣區(qū)域中的圖像質(zhì)量可能會降低。

也就是說，當(dāng)傾斜部5a位于有效像素區(qū)域a的上方時(shí)，存有傾斜部5a的區(qū)域中的圖像質(zhì)量可能會降低。

此時(shí)，如果在從有效像素區(qū)域a偏向外側(cè)的位置設(shè)置傾斜部5a，則能夠抑制圖像質(zhì)量的降低。但是，如果要在從有效像素區(qū)域a偏向外側(cè)的位置設(shè)置傾斜部5a，則無法實(shí)現(xiàn)x射線檢測器1的小型化。

因此，本實(shí)施方式所涉及的x射線檢測器1中，在閃爍層5的傾斜部5a的上方設(shè)置用來將所入射的x射線轉(zhuǎn)換為熒光的填充部8，并利用從填充部8產(chǎn)生的熒光補(bǔ)充在傾斜部5a降低的發(fā)光亮度。

入射至有效像素區(qū)域a的周緣區(qū)域的x射線會通過填充部8和閃爍層5的傾斜部5a轉(zhuǎn)換為熒光，因此能夠抑制在有效像素區(qū)域a的周緣區(qū)域出現(xiàn)圖像質(zhì)量降低。

填充部8例如含有樹脂和熒光體材料。

熒光體材料只要能夠?qū)射線等放射線轉(zhuǎn)換為熒光，則并無特別限定。

熒光體材料例如能夠采用碘化銫(csi)：鉈(ti)、碘化鈉(nai)：鉈(ti)、硫氧化釓(gd2o2s)：鋱(tb)以及硫化鋅(zns)：銅(cu)等。

此處，在閃爍層5的中央?yún)^(qū)域與設(shè)有填充部8和閃爍層5的傾斜部5a的區(qū)域，發(fā)光亮度有時(shí)會不等同。

此外，根據(jù)反射層6是覆蓋整個(gè)填充部8還是覆蓋其一部分或者不進(jìn)行覆蓋，會在反射層6的周緣端的內(nèi)側(cè)與外側(cè)產(chǎn)生固定的亮度差。

但是，能夠在所述圖像傳送部4實(shí)施電氣處理(圖像修正、靈敏度修正)，對構(gòu)成x射線圖像時(shí)因亮度差而產(chǎn)生的靈敏度差進(jìn)行修正。

因此，如果有效像素區(qū)域a的中央?yún)^(qū)域與周緣區(qū)域的亮度差在規(guī)定范圍內(nèi)，則在圖像質(zhì)量上不會發(fā)生問題。

此外，閃爍層5由多個(gè)柱狀結(jié)晶的集合體構(gòu)成。因此，可在閃爍層5中抑制發(fā)光的擴(kuò)大，因此可改善分辨率特性。

另一方面，由于熒光體材料不具有柱狀結(jié)晶，所以填充部8的發(fā)光擴(kuò)大可能會大于閃爍層5。因此，有效像素區(qū)域a的周緣區(qū)域的分辨率特性可能比有效像素區(qū)域a的中央?yún)^(qū)域差。

但是，一般重要的檢測會在有效像素區(qū)域a的中央?yún)^(qū)域?qū)嵤?，在有效像素區(qū)域a的周緣區(qū)域?qū)ε臄z區(qū)域的輪郭進(jìn)行判斷等。也就是說，在有效像素區(qū)域a的周緣區(qū)域，可能很難實(shí)施需要高精細(xì)的圖像的重要檢測，只要有效像素區(qū)域a的周緣區(qū)域的分辨率特性為略有降低的程度，則實(shí)用上并無問題。

也就是說，即使在閃爍層5的中央?yún)^(qū)域與設(shè)有填充部8及閃爍層5的傾斜部5a的區(qū)域，分辨率特性方面產(chǎn)生了規(guī)定的范圍內(nèi)的差，在實(shí)用上也并無問題。

根據(jù)本發(fā)明人等獲得的知識，只要填充部8中含有的熒光體材料的比例為體積填充率40％以上，則實(shí)用上并無問題。此時(shí)，更優(yōu)選填充部8中含有的熒光體材料的比例為體積填充率60％以上。

此時(shí)，如果填充部8中含有的熒光體材料與閃爍層5中含有的熒光體材料相同，則能夠容易地減小亮度差和根據(jù)x射線能量產(chǎn)生的特性差。

此外，如果設(shè)置含有熒光體材料的填充部8，則與填充部8僅含有樹脂材料時(shí)相比，能夠降低填充部8的透濕系數(shù)。如果能夠降低填充部8的透濕系數(shù)，則空氣中含有的水蒸氣難以到達(dá)閃爍層5。

因此，能夠抑制閃爍層5的特性因空氣中含有的水蒸氣而發(fā)生劣化。

圖3是用來例示高溫高濕環(huán)境下(60℃-90％rh)的透濕量的變化的曲線圖。

另外，圖3中的200是取代防濕體7和填充部8，設(shè)置覆蓋閃爍層且由聚對二甲苯構(gòu)成的膜的情況。

圖3中的100、110是設(shè)有填充部8的情況。

另外，100是填充部8含有碘化銫：鉈的情況。

110是填充部8含有硫氧化釓：鋱的情況。

從圖3可以看出，與比較例(圖3中的200)相比，采用設(shè)有含有熒光體材料的填充部8的本發(fā)明的防濕構(gòu)造時(shí)，能夠大幅降低透濕量。

圖4是用來例示高溫高濕環(huán)境下(60℃-90％rh)的分辨率特性的變化的曲線圖。

另外，圖4中的200是取代防濕體7和填充部8，設(shè)置覆蓋閃爍層且由聚對二甲苯構(gòu)成的膜的情況。

圖4中的100、110是設(shè)有填充部8的情況。

另外，100是填充部8含有碘化銫：鉈的情況。

110是填充部8含有硫氧化釓：鋱的情況。

此時(shí)，對通過閃爍層5和反射層6獲得的分辨率特性在高溫高濕環(huán)境下(60℃-90％rh)隨著保存時(shí)間的經(jīng)過產(chǎn)生了怎樣的劣化進(jìn)行評估。

另外，通過與發(fā)光亮度相比對于濕度更敏感的分辨率特性進(jìn)行評估。

通過將分辨率測試圖配置在各樣品的表面?zhèn)?，并照射相?dāng)于rqa-5的x射線，然后從背面?zhèn)葴y定2lp/mm的ctf(contrasttransferfunction，對比度傳遞函數(shù))的方法，獲得分辨率特性。

從圖4可以看出，與比較例(圖4中的200)相比，采用設(shè)有含有熒光體材料的填充部8的本發(fā)明的防濕構(gòu)造時(shí)，能夠特別減少分辨率特性的劣化。

此外，填充部8也能夠還含有由無機(jī)材料構(gòu)成的填充材料和吸濕材料等。填充材料能夠采用例如由滑石等形成的材料。吸濕材料能夠采用例如呈粒狀且由氯化鈣等形成的材料。

如此，能夠進(jìn)一步抑制閃爍層5的特性因空氣中含有的水蒸氣而發(fā)生劣化。

[第2實(shí)施方式]

接著，例示第2實(shí)施方式所涉及的x射線檢測器1的制造方法。

首先，制作陣列基板2。

陣列基板2能夠通過例如在基板2a的上方依次形成光電轉(zhuǎn)換部2b、控制線2c1、數(shù)據(jù)線2c2、配線墊2d1、配線墊2d2以及保護(hù)層2f等來制成。

陣列基板2能夠使用例如半導(dǎo)體制造工藝來制成。

接著，使用真空蒸鍍法，在設(shè)于基板2a的一面?zhèn)鹊亩鄠€(gè)光電轉(zhuǎn)換部2b的上方形成含有熒光體材料的閃爍層5。

閃爍層5能夠通過例如使用真空蒸鍍法形成由碘化銫：鉈構(gòu)成的膜來形成。此時(shí)，閃爍層5的厚度尺寸能夠設(shè)為600μm左右。

此外，在閃爍層5的周緣部分形成傾斜部5a。

接著，在基板2a的一面?zhèn)刃纬砂鼑W爍層5且含有填充材料及樹脂的壁體9。

壁體9能夠通過例如在閃爍層5的周圍涂布添加了填充材料的樹脂(例如添加了由滑石構(gòu)成的填充材料的環(huán)氧類樹脂等)，并使其固化來形成。

另外，涂布添加了填充材料的樹脂時(shí)，能夠使用例如分配器裝置等。

此時(shí)，能夠通過將添加了填充材料的樹脂實(shí)施涂布及固化1次或重復(fù)多次，形成壁體9。

此外，也能夠?qū)⒂山饘俸蜆渲葮?gòu)成的框狀壁體9粘合在陣列基板2的上方。

也能夠通過將由金屬和樹脂等構(gòu)成的板狀構(gòu)件粘合在陣列基板2的上方，形成壁體9。

此時(shí)，壁體9的高度能夠略高于閃爍層5的高度。

接著，在閃爍層5與壁體9之間形成含有熒光體材料的填充部8。

此時(shí)，在傾斜部5a的上方形成填充部8。

填充部8能夠通過例如在閃爍層5的傾斜部5a與壁體9的內(nèi)面9a之間填充含有熒光體材料、樹脂以及溶劑的材料，并使其固化來形成。

用來形成填充部8的材料能夠通過例如將作為熒光體材料的碘化銫：鉈、粘合劑樹脂(例如，環(huán)氧類樹脂或硅類樹脂等)以及溶劑進(jìn)行混合來制成。

此時(shí)，能夠例如使粘度在室溫下約為100pa·sec以下。

此外，還能夠進(jìn)一步添加環(huán)氧化亞麻仁油等環(huán)氧化植物油，形成具有可彎曲性的填充部8。

如果采用具有可彎曲性的填充部8，則能夠利用其柔軟性，抑制由于因溫度變化與構(gòu)件間的熱膨張差產(chǎn)生的應(yīng)力而發(fā)生的剝離。

用來形成填充部8的材料能夠使用例如分配器裝置等進(jìn)行填充。

此時(shí)，通過將材料實(shí)施填充及固化1次或重復(fù)多次，能夠形成填充部8。

另外，優(yōu)選在填充材料后等待表面平滑后再進(jìn)行固化。

填充部8的上表面的位置可以與閃爍層5的上表面的位置相同，可以略高于閃爍層5的上表面的位置，也可以略低于閃爍層5的上表面的位置。

接著，形成反射層6，使其覆蓋閃爍層5的表面?zhèn)?x射線的入射面?zhèn)?及填充部8的表面?zhèn)?x射線的入射面?zhèn)?。反射層6能夠通過例如將由氧化鈦構(gòu)成的亞微粒粉末、粘合劑樹脂以及溶劑混合而成的材料涂布至閃爍層5及填充部8的上方，并使其固化來形成。

反射層6的周緣可以覆蓋整個(gè)填充部8，也可以覆蓋填充部8的一部分。此外，反射層6也能夠僅覆蓋至填充部8的內(nèi)側(cè)的閃爍層5的表面。

接著，設(shè)置防濕體7，使其覆蓋反射層6及填充部8的表面?zhèn)?x射線的入射面?zhèn)?。

防濕體7的周緣附近在填充部8的上方經(jīng)由接合層10粘合至反射層6、填充部8或者壁體9。

例如，在防濕體7的周緣附近涂布照射紫外線后會延遲進(jìn)行固化的延遲固化型粘合劑，并對所涂布的延遲固化型粘合劑照射紫外線，使涂布著延遲固化型粘合劑的部分在填充部8的上方貼緊反射層6。如此，經(jīng)由接合層10粘合防濕體7。

另外，形成接合層10的粘合劑可以是自然固化型粘合劑或加熱固化型粘合劑等。

此外，在壓力低于大氣壓力的環(huán)境(例如10kpa左右)中，也能夠?qū)⒎罎耋w7粘合至反射層6或填充部8。

接著，經(jīng)由柔性印刷電路板2e1、2e2，將陣列基板2與信號處理部3進(jìn)行電連接。

此外，經(jīng)由配線4a，將信號處理部3與圖像傳送部4進(jìn)行電連接。

此外還可適當(dāng)安裝電路部件等。

接著，在未圖示的框體的內(nèi)部收容陣列基板2、信號處理部3以及圖像傳送部4等。

然后，根據(jù)需要實(shí)施確認(rèn)光電轉(zhuǎn)換元件2b1有無異?；螂娺B接有無異常的電氣試驗(yàn)、x射線圖像試驗(yàn)、高溫高濕試驗(yàn)以及冷熱周期試驗(yàn)等。

如上所述，能夠制成x射線檢測器1。

以上，例示了本發(fā)明的若干實(shí)施方式，這些實(shí)施方式僅為舉例提示，并非限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式可采用其他各種形態(tài)來實(shí)施，可在不超出發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，進(jìn)行各種省略、替換以及變更。這些實(shí)施方式及其改進(jìn)例包含在發(fā)明的范圍和主旨中，并且包含在權(quán)利要求范圍中記載的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。此外，上述各實(shí)施方式可相互組合后實(shí)施。

標(biāo)號說明

1x射線檢測器

2陣列基板

2a基板

2b光電轉(zhuǎn)換部

2b1光電轉(zhuǎn)換元件

3信號處理部

4圖像傳送部

5閃爍層

5a傾斜部

6反射層

7防濕體

8填充部

9壁體

10接合層

a有效像素區(qū)域

權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)

1.(修正后)一種放射線檢測器，其特征在于，具備：

陣列基板，其具有基板以及設(shè)置在所述基板的一面?zhèn)鹊亩鄠€(gè)光電轉(zhuǎn)換元件；

閃爍層，其設(shè)置在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的上方，并且含有第1熒光體材料；

壁體，其設(shè)置在所述基板的一面?zhèn)?，并且包圍所述閃爍層；以及

填充部，其設(shè)置在所述閃爍層與所述壁體之間，并且含有第2熒光體材料，

所述閃爍層在周緣部分具有傾斜部，其厚度尺寸隨著朝向所述閃爍層的外側(cè)而逐漸減少，

所述傾斜部的至少一部分設(shè)置在設(shè)有所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的有效像素區(qū)域的上方，

所述填充部設(shè)置在所述傾斜部的上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線檢測器，其特征在于，所述第2熒光體材料與所述第1熒光體材料相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放射線檢測器，其特征在于，還具備反射層，其設(shè)置在所述閃爍層及所述填充部的上方，反射來自所述閃爍層及所述填充部的光。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的放射線檢測器，其特征在于，還具備防濕體，其設(shè)置在所述閃爍層及所述填充部的上方或者所述反射層的上方，抑制水蒸氣的透過。

5.(修正后)一種放射線檢測器的制造方法，其特征在于，具備：

使用真空蒸鍍法，在設(shè)于基板的一面?zhèn)鹊亩鄠€(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的上方形成含有第1熒光體材料的閃爍層的工序；

在所述基板的一面?zhèn)刃纬砂鼑鲩W爍層的壁體的工序；以及

在所述閃爍層與所述壁體之間形成含有第2熒光體材料的填充部的工序，

在形成所述填充部的工序中，

所述填充部形成在傾斜部的上方，該傾斜部形成在所述閃爍層的周緣部分，并且其厚度尺寸隨著朝向所述閃爍層的外側(cè)而逐漸減少，且其至少一部分設(shè)置在設(shè)有所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的有效像素區(qū)域的上方。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的放射線檢測器的制造方法，其特征在于，所述第2熒光體材料與所述第1熒光體材料相同。

說明或聲明(按照條約第19條的修改)

jp2007-298464a的圖3、[0045]中記載著形成在熒光體層14的周緣部分的“凹陷的部分”。

但是，jp2007-298464a中并未記載或教導(dǎo)有關(guān)于“凹陷的部分”與“有效像素區(qū)域”的位置關(guān)系的記載。

jp2014-122820a的圖5中記載著周緣部分傾斜的閃爍層5。

但是，閃爍層5的傾斜部設(shè)置在傳感器陣列sa(有效像素區(qū)域)的外側(cè)，并未設(shè)置在傳感器陣列sa的上方。

如果將傾斜部設(shè)置在傳感器陣列sa的外側(cè)，則無法實(shí)現(xiàn)放射線檢測器的小型化。這點(diǎn)請參照本申請的[0002]。

相對于此，修正后的權(quán)利要求1、5中記載的閃爍層的傾斜部的至少一部分設(shè)置在設(shè)有多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的有效像素區(qū)域的上方。此外，在傾斜部的上方設(shè)有含有熒光體材料的填充部。

因此，即使傾斜部位于有效像素區(qū)域的上方，也能夠抑制圖像質(zhì)量的降低，并且能夠?qū)崿F(xiàn)放射線檢測器的小型化。

如此，修正后的權(quán)利要求1、5與引用文獻(xiàn)的結(jié)構(gòu)存在差異。此外，修正后的權(quán)利要求1、5對于所述領(lǐng)域技術(shù)人員來說并非顯而易見的，具有創(chuàng)造性。