技術(shù)特征：

1.一種設(shè)備，包括：

第一基板；

與所述第一基板相鄰的加熱元件；和

第二基板，所述第二基板包括硅，并且與所述加熱元件相鄰，所述第二基板具有第一側(cè)面和第二側(cè)面，其中，所述第二基板能夠?qū)碜运黾訜嵩臒醾鬟f到與所述第二基板熱接觸的氣相色譜柱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括加熱組件，所述加熱組件包括所述加熱元件，所述加熱元件布置在第一介入層和第二介入層之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述加熱組件相對所述第一基板和所述第二基板電氣絕緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述加熱元件包括箔片加熱器或者金屬絲加熱器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第一基板包括晶體硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，所述晶體硅包括多晶硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述第二基板包括晶體硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述第二基板與所述加熱元J件相鄰，所述第二基板包括以W下屬性：25℃時(shí)的體積熱容量小于25℃時(shí)的熱導(dǎo)率大于25℃時(shí)的熱導(dǎo)率與熱膨脹系數(shù)之比大于近似機(jī)械剛度大于100GPa。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括加熱組件，所述加熱組件包括所述加熱元件，所述加熱元件布置在第一介入層和第二介入層之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述第二基板包括氮化鋁、金剛石、碳化硅、鎢、鉬、鎢合金或者鉬合金，或者這些材料的組合。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述加熱元件包括箔片加熱器或者金屬絲加熱器。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括：

殼體，所述殼體被構(gòu)造成接收柱加熱設(shè)備，所述柱加熱設(shè)備包括第一側(cè)面和第二側(cè)面；

與所述第一側(cè)面相鄰的第一熱絕緣層；

與所述第二側(cè)面相鄰的第二熱絕緣層；

布置在所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面內(nèi)的加熱組件；和

致動(dòng)器，所述致動(dòng)器連接到所述殼體，并且被構(gòu)造成在加熱過程期間移動(dòng)所述第一和第二熱絕緣層以分別與所述第一和第二側(cè)面接觸，以及在冷卻過程期間移動(dòng)所述第一和第二熱絕緣層以分別與所述第一和第二側(cè)面脫離接觸。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，在所述冷卻過程期間，在所述第一和第二熱絕緣層和所述殼體之間形成的通道以及在所述加熱組件和所述第一和第二絕緣層的內(nèi)壁之間形成的通道，被構(gòu)造成允許冷卻流體穿過并降低所述柱加熱設(shè)備的溫度。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括連接到所述殼體的一個(gè)以上風(fēng)扇，其中，所述一個(gè)以上風(fēng)扇被構(gòu)造成迫使所述冷卻流體通過所述第一通道。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，所述柱加熱設(shè)備包括：

第一基板；

與所述第一基板相鄰的加熱組件；

與所述加熱組件相鄰的第二基板，所述第二基板具有第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第二側(cè)面被構(gòu)造成使所述氣相色譜柱與之熱接觸，其中，來自所述加熱組件的熱被傳遞經(jīng)過所述第二基板并且基本上均勻地加熱所述氣相色譜柱。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括加熱組件，所述加熱組件包括所述加熱元件，所述加熱元件布置在第一介入層和第二介入層之間。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中，所述加熱組件與所述基板電氣絕緣。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中，所述加熱元件包括箔片加熱器或者金屬絲加熱器。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中，所述第二基板包括晶體硅。

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中，所述第二基板包括以下屬性：25℃時(shí)的體積熱容量小于25℃時(shí)的熱導(dǎo)率大于25℃時(shí)的熱導(dǎo)率與熱膨脹系數(shù)之比大于近似機(jī)械剛度大于100GPa。

21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，所述第二基板包括：氮化鋁、金剛石、碳化硅、鎢、鉬、鎢合金或者鉬合金，或者這些材料的組合。