1.一種壓力傳感器設(shè)備，位于測量機械參數(shù)的材料內(nèi)，所述壓力傳感器設(shè)備包括：
集成電路(IC)，包括：
環(huán)形振蕩器，包括至少一個反相器級，所述至少一個反相器級包括第一摻雜壓敏電阻器對和第二摻雜壓敏電阻器對，
每個壓敏電阻器對均包括彼此正交布置且具有相同電阻值的兩個壓敏電阻器，
每個壓敏電阻器對均具有響應(yīng)于壓力的第一電阻值和第二電阻值，以及
輸出接口，耦合至所述環(huán)形振蕩器，并且被配置為生成基于所述第一電阻值和所述第二電阻值并且表示垂直于所述IC的壓力的壓力輸出信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器設(shè)備，其中所述第一摻雜壓敏電阻器對包括具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料；并且其中所述第二摻雜壓敏電阻器對包括具有第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器設(shè)備，其中所述輸出接口包括無線發(fā)射器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓力傳感器設(shè)備，其中所述輸出接口包括調(diào)制器，所述調(diào)制器耦合在所述無線發(fā)射器的上游并被配置為通過調(diào)制所述環(huán)形振蕩器電路的輸出生成所述壓力輸出信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓力傳感器設(shè)備，其中所述調(diào)制器被配置為基于幅移鍵控調(diào)制來進行操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器設(shè)備，其中所述至少一個反相器級包括耦合至所述第一摻雜壓敏電阻器對和所述第二摻雜壓敏電阻器對的電容器。
7.一種壓力傳感器設(shè)備，位于測量機械參數(shù)的材料內(nèi)，所述壓力傳感器設(shè)備包括：
集成電路(IC)，包括：
環(huán)形振蕩器，包括至少一個反相器級，所述至少一個反相器級包括第一摻雜壓敏電阻器對和第二摻雜壓敏電阻器對，
電容器，耦合至所述第一摻雜壓敏電阻器對和所述第二摻雜壓敏電阻器對，
每個壓敏電阻器對均包括彼此正交布置且具有相同電阻值的兩個壓敏電阻器，
每個壓敏電阻器對均具有響應(yīng)于壓力的第一電阻值和第二電阻值，以及
無線輸出接口，耦合至所述環(huán)形振蕩器，并且被配置為生成基于所述第一電阻值和所述第二電阻值并且表示垂直于所述IC的壓力的壓力輸出信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓力傳感器設(shè)備，其中所述第一摻雜壓敏電阻器對包括具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料；并且其中所述第二摻雜壓敏電阻器對包括具有第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓力傳感器設(shè)備，其中所述無線輸出接口包括無線發(fā)射器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的壓力傳感器設(shè)備，其中所述無線輸出接口包括調(diào)制器，所述調(diào)制器耦合在所述無線發(fā)射器的上游并被配置為通過調(diào)制所述環(huán)形振蕩器電路的輸出生成所述壓力輸出信號。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的壓力傳感器設(shè)備，其中所述調(diào)制器被配置為基于幅移鍵控調(diào)制來進行操作。
12.一種用于使壓力傳感器設(shè)備位于測量機械參數(shù)的材料內(nèi)的方法，所述方法包括：
形成集成電路(IC)，所述集成電路包括：
環(huán)形振蕩器，包括至少一個反相器級，所述至少一個反相器級包括第一摻雜壓敏電阻器對和第二摻雜壓敏電阻器對，
每個壓敏電阻器對均包括彼此正交布置且具有相同電阻值 的兩個壓敏電阻器，
每個壓敏電阻器對均具有響應(yīng)于壓力的第一電阻值和第二電阻值，以及
輸出接口，耦合至所述環(huán)形振蕩器，并且被配置為生成基于所述第一電阻值和所述第二電阻值并且表示垂直于所述IC的壓力的壓力輸出信號。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第一摻雜壓敏電阻器對包括具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料；并且其中所述第二摻雜壓敏電阻器對包括具有第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述輸出接口包括無線發(fā)射器。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述輸出接口包括調(diào)制器，所述調(diào)制器耦合在所述無線發(fā)射器的上游并被配置為通過調(diào)制所述環(huán)形振蕩器電路的輸出生成所述壓力輸出信號。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述調(diào)制器被配置為基于幅移鍵控調(diào)制來進行操作。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述至少一個反相器級包括耦合至所述第一摻雜壓敏電阻器對和所述第二摻雜壓敏電阻器對的電容器。