1.一種壓力傳感器的制備方法，其特征在于，包括：
提供一半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板中形成有互連結(jié)構(gòu)和底部接觸電極；
形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述底部接觸電極；
形成壓力感應(yīng)層，所述壓力感應(yīng)層覆蓋所述犧牲層、互連結(jié)構(gòu)的上層金屬層及剩余的半導(dǎo)體基板表面，所述壓力感應(yīng)層包括頂壁、底壁和側(cè)壁，所述頂壁位于所述犧牲層上，所述側(cè)壁圍繞在所述犧牲層的周圍，所述底壁位于所述互連結(jié)構(gòu)的上層金屬層上；
對所述互連結(jié)構(gòu)的上層金屬層進(jìn)行激光退火。
2.如權(quán)利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述激光退火的激光的波長是290nm-320nm，脈沖持續(xù)時間是100ns-200ns，其能量范圍是0.3J/Cm2-0.8J/Cm2。
3.如權(quán)利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述上層金屬層的材料為鈦、鉭，鎳，鉑，鉬中的一種或其任意組合。
4.如權(quán)利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述壓力感應(yīng)層的材料為鍺化硅，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝形成鍺化硅，等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝的溫度為400℃～450℃。
5.如權(quán)利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為非晶碳，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝形成所述犧牲層，等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝采用的溫度為400℃～500℃。
6.如果權(quán)利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，在激光退火的步驟之后還包括：在壓力感應(yīng)層上形成具有窗口的保護層。