實施例總體上涉及磁強計校準。更具體地，實施例涉及基于擴展卡爾曼濾波器(ekf)的自動磁強計校準。

背景技術：

磁強計通?？梢杂糜跍y量磁場的強度和方向。具體地，小型化磁強計可以用作手持式設備(如，智能電話和平板計算機)中的羅盤。然而，小型化磁強計對于其他磁性對象的敏感度可能對精度具有負面影響。例如，安裝在附近印刷電路板(pcb)上的已磁化的鐵磁部件可以在手持式設備中的磁強計上產生“硬鐵效應”。此外，“軟鐵效應”可能是由于地球磁場將干擾磁場感應到附近pcb的正常未磁化的鐵磁部件上而造成的。硬鐵效應和軟鐵效應都可以引起磁強計的測量以形成三維(3d)空間中的橢圓體而非球體。

盡管常規(guī)“橢圓體擬合”解決方案可以試圖確定磁強計的優(yōu)化校準參數以便對從橢圓體表面到球體表面的原始測量點進行重定位，但仍保持相當大的空間用于改進。例如，如果來自磁強計的測量數據集合較小或分布不均，則可能發(fā)生“過度擬合”，其進而可以使校準結果惡化。另外，常規(guī)橢圓體擬合解決方案可以提示設備用戶執(zhí)行麻煩的、不便的和/或復雜的手勢，如，使用手持式設備的“圖8”動作。此外，常規(guī)橢圓體擬合解決方案可以依賴手動觸發(fā)，其可以進一步對用戶體驗具有負面影響。

附圖說明

通過閱讀以下說明書和所附權利要求書并參考以下附圖，實施例的各種優(yōu)點對于本領域技術人員將變得顯而易見，在附圖中：

圖1是根據實施例的磁強計校準環(huán)境的示例的展示；

圖2和圖3是根據實施例的操作校準裝置的方法的示例的流程圖；

圖4是根據實施例的系統(tǒng)的示例的框圖；以及

圖5是根據實施例的校準結果的示例的展示。

具體實施方式

現在轉到圖1，示出了其中磁強計10(例如，實現在微電子機械系統(tǒng)/mems芯片中)被自動校準的環(huán)境。在所展示的示例中，磁強計10安裝到印刷電路板(pcb)12，所述印刷電路板還包括一個或多個硬鐵效應部件14(例如，揚聲器磁體)以及一個或多個軟鐵效應部件16(例如，電磁干擾/emi屏蔽物、螺釘、電池觸點)。硬鐵效應部件14可以是已磁化的鐵磁部件，所述已磁化的鐵磁部件影響磁強計10的測量精度。軟鐵效應部件16可以是正常未磁化的鐵磁部件，由于由地磁場18在軟鐵效應部件16上感應的干擾磁場，所述正常未磁化的鐵磁部件也影響磁強計10的測量精度。所展示的磁強計10耦合至校準裝置20，所述校準裝置使用來自磁強計10的傳感器數據、來自陀螺儀22的傳感器數據以及擴展卡爾曼濾波器(ekf)來對磁強計10進行校準。

如將更詳細討論的，校準裝置20可以提供兩種觀察的獨特技術應用：1)在相同的位置，無論設備的取向如何，環(huán)境磁場的大小是恒定的；以及2)經校準的磁強計測量的改變與設備取向的改變相符，所述設備取向可以經由陀螺儀來測量。更具體地，可以基于兩種觀察實時確定和/或量化硬鐵效應和軟鐵效應二者。因此，所展示的方法使得能夠對少且分布不均的測量數據集合進行有效校準，而不需要來自用戶的不便的或復雜的手勢。實際上，所展示的解決方案可以使得能夠自動觸發(fā)在背景(例如，對于用戶是透明的)中運行的校準操作。

圖2示出了操作校準裝置的方法24。所述方法24通?？梢栽谛恃b置(如，已經討論過的校準裝置20(圖1))中實現。更具體地，所述方法24可以被實現為邏輯指令集中的一個或多個模塊，所述邏輯指令集存儲在如隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)、可編程rom(prom)、固件、閃存等的機器或計算機可讀存儲介質中，在如例如可編程邏輯陣列(pla)、現場可編程門陣列(fpga)、復雜可編程邏輯器件(cpld)的可配置邏輯中，在使用如例如應用專用集成電路(asic)、互補金屬氧化物半導體(cmos)或晶體管-晶體管邏輯(ttl)技術或其任何組合的電路技術的固定功能硬件邏輯中。所展示的處理框26提供用于獲得與陀螺儀相關聯(lián)的第一傳感器數據，其中，可以在框28處獲得與磁強計相關聯(lián)的第二傳感器數據?？?0可以使用第一傳感器數據、第二傳感器數據以及ekf來對磁強計進行校準。

如將更詳細討論的，框30可以包括為ekf確定一個或多個軟鐵校準參數以及一個或多個硬鐵校準參數。更具體地，框30可以使用磁強計測量模型，所述磁強計測量模型被寫為：

bp＝ab+b傳感器+ε(1)

其中，

bp是磁強計傳感器測量結果；

a是設備的從地球坐標至主體坐標的旋轉矩陣；

b是地球坐標中的磁場。按照定義，其可以是[0，by，bz]，其中，可以根據地球磁場模型從測試位置計算by和bz；

b傳感器是磁強計的測量偏差(其可以是常數值)；

ε是磁強計的測量誤差(其可以由白噪聲模擬)。

軟鐵效應和硬鐵效應：

如已經討論的，磁強計可以受硬鐵效應和軟鐵效應影響?？紤]到這些干擾，測量模型可以被寫為：

bp＝wab+b+εm(2)

其中，

w＝w非正交w增益w軟(3)

b＝b傳感器+bpcb(4)

其中，w是3×3的對稱矩陣，所述對稱矩陣包括非正交誤差矩陣w非正交、增益誤差矩陣w增益以及軟鐵效應矩陣w軟；b是3×1的硬鐵矩陣，所述硬鐵矩陣包括來自傳感器的偏差b傳感器，以及來自印刷電路板的硬鐵效應bpcb。

依照等式(2)，如果w和b是已知的，則經校準的測量結果可以被容易地定義為：

b校準＝ab＝w^-1(bp-b)(5)

觀察#1-恒定強度：

如已經指出的，可以在相同位置進行觀察，無論設備的取向如何，環(huán)境磁場的強度是恒定的。因此，可以將以下等式公式化，

b校準^tb校準＝(bp-b)^t(w^-1)^tw^-1(bp-b)＝常數(6)

以上等式可以是通用表達，所述通用表達定義位于具有在b處的中心的橢圓體表面上的向量bp的軌跡。因此，橢圓體擬合算法可以應用于獲得校準參數w和b。

觀察#2-陀螺儀對準：

由于常規(guī)橢圓體擬合技術可能具有實際限制，因此可以進行另一個觀察，經校準的磁強計測量的改變與設備取向的改變相符，所述設備取向可以經由陀螺儀測量。因此，可以將以下等式公式化，

其中，

ak和ak+1是在時間k和k+1處的旋轉矩陣a；

b校準，k和b校準，k+1是在時間k和k+1處的經校準的磁強計測量結果；

ωx、ωy和ωz是三軸校準的陀螺儀測量結果；以及

dt是時間k與k+1之間的時間間隔。

擴展卡爾曼濾波器(ekf)校準：

依照觀察#1和觀察#2，卡爾曼濾波器狀態(tài)可以被定義為：

其中，w11-w23是軟鐵矩陣w的元素。因此狀態(tài)轉換模型可以被寫為：

w＝常數(11)

b＝常數(12)

其中，

ωx，k、ωx，k和ωx，k是時間k處的經校準的陀螺儀值；以及

εω是經校準的陀螺儀的測量噪聲。

因此觀察模型可以被寫為：

bp，k+1＝wb校準，k+1+b+εm(13)

其中，bp，k+1是時間k+1處的未校準的磁強計測量結果。

依照線性狀態(tài)轉換等式(10)-(12)以及非線性觀察函數(13)，ekf等式可以應用于確定經校準的磁強計測量結果、軟鐵矩陣以及硬鐵向量。

測量質量評估：

在理想校準之后，所有經校準的磁強計測量結果都可以位于球體表面上。相應地，磁強計測量結果的強度的標準偏差可以用于進行校準質量分析，

大體上，質量指標可以通過以下等式被傳送至角度測量誤差：

誤差≈asin(質量_指標)(15)

圖5示出了來自日常使用場景的校準結果27。在所展示的示例中，在關于設備的典型拿起和放下動作期間(例如，在相對短時間幀內，如例如5s)收集校準數據集29，并且校準數據集29用于確定磁強計的校準參數。所展示的視圖中的剩余點表示在圖8動作期間(例如，在相對長時間幀內，如例如30s)捕獲的測試數據集。特別要注意的是，即使校準數據集29的動作包括最小旋轉移動并且僅覆蓋校準空間中的較小區(qū)域，測試數據集仍與經校準的球體31非常相符。

現在轉到圖3，示出了校準磁強計的更詳細的方法32。所述方法32通常可以在校準裝置(如例如已經討論過的校準裝置20(圖1))中實現。更具體地，所述方法32可以被實現為邏輯指令集中的一個或多個模塊，所述邏輯指令集存儲在如ram、rom、prom、固件、閃存等的機器或計算機可讀存儲介質中，在如例如pla、fpga、cpld的可配置邏輯中，在使用如例如asic、cmos或ttl技術或其任何組合的電路技術的固定功能硬件邏輯中。

所展示的處理框34判定是否已經手動地開始了校準(例如，響應于用戶請求)。若否，則可以在框36處讀出經校準的磁強計傳感器數據流，其中，可以在框38處計算經校準的磁強計傳感器的質量指標?？?8可以包括使用如例如已經討論的等式(14)的表達式?？梢栽诳?0處判定磁強計的測量品質是否很差(例如，已經下降到特定閾值以下)。若否，則可以在框36處重復讀出磁強計傳感器數據流。如果磁強計的測量品質很差或者校準已經手動開始，則所展示的框42激活陀螺儀并且增加磁強計的采樣率。在這方面，當磁強計未被校準時，將陀螺儀維持在斷電狀態(tài)中可以節(jié)省功率和/或延長電池壽命。另外，磁強計可以在正常操作期間或者當判定是否自動觸發(fā)校準時以相對低的采樣率(例如，1hz)進行操作，并且在校準期間以較高采樣率(例如，100hz)進行操作。這種方法可以進一步節(jié)省功率和/或延長電池壽命，同時確保最優(yōu)精度。

可以在框44處初始化擴展卡爾曼濾波器(ekf)，其中，所展示的框46讀取經校準的磁強計傳感器數據流?？梢栽诳?8處判定設備(例如，手持式設備和/或包含磁強計和陀螺儀的系統(tǒng))是否已經開始旋轉移動。若否，則可以重復框48。一旦檢測到旋轉，框50就可以在時間k處讀取未校準的磁強計傳感器數據流(例如，在沒有校準參數應用至磁強計的情況下的傳感器數據)。52另外，所展示的框52提供用于在時間k處讀取陀螺儀傳感器數據流。如將更詳細討論的，陀螺儀傳感器數據流可以是經校準的或未校準的?？梢栽诳?4處進行ekf預測，其中，可以在框56處更新/校正ekf。在未校準的陀螺儀的情況下，框56還可以包括校準陀螺儀的偏移。

考慮陀螺儀偏差的ekf校準：

未校準的陀螺儀可以具有線性狀態(tài)轉換模型，所述線性狀態(tài)轉換模型使得其能夠與磁強計一起被自動校準。這種方法可以產生甚至更好的性能。更具體地，狀態(tài)向量可以選擇為：

xk＝[b校準，kw11w22w33w12w13w23bbω](16)

其中，bω是陀螺儀測量的偏移向量。

相應地，狀態(tài)轉換模型可以被寫為：

w＝常數(18)

b＝常數(19)

bω＝εb(20)

其中，

bxw，k、byw，k和bzw，k是bω在時間k處的元素；以及

εb是bω的偏移不穩(wěn)定性噪聲。

觀察模型可以與等式(13)相同。依照以上模型，ekf可以應用至陀螺儀校準過程。

框58可以利用從框54和框56獲得的校準數據/參數來計算質量指標。因此框58可以包括使用如例如已經討論的等式(14)的表達式。

所展示的框60判定新的校準參數的質量是否足夠好或者是否已經發(fā)生超時。若否，則可以重復框50。如果新的校準參數的質量足夠好或者已經發(fā)生超時，則可以在框62處判定是否停止校準。若否，則框64可以從ekf輸出經校準的磁強計測量結果(例如，具有相對低的測量噪聲)并且返回至框50。如果將停止校準，則所展示的框66讀取經校準的磁強計傳感器數據流(例如，利用舊的校準參數)并且所展示的框68計算經校準的磁強計的質量指標。另外，可以在框70處讀取未校準的磁強計傳感器數據流，其中，所展示的框72提供用于應用新的校準參數并且計算質量指標。

如果在框74處確定更好的質量來自新的校準參數，則框76可以更新并存儲新計算的校準參數。另外，所展示的框78去激活陀螺儀并且減小磁強計的采樣率。如果在框74處確定更好的質量并非來自新的校準參數，則框74可以重復在框44處的ekf的初始化。

圖4示出了地磁場測量系統(tǒng)80。所展示的系統(tǒng)80可以是移動設備(如例如，筆記本計算機、平板計算機、可轉換平板、智能電話、個人數字助理(pda)、移動互聯(lián)網設備(mid)、可穿戴計算機、媒體播放器等或者其組合)的一部分。系統(tǒng)80可以包括磁強計82、陀螺儀84、主處理器86(例如，中央處理單元/cpu)以及集成傳感器裝置88。系統(tǒng)80還可以包括具有一個或多個硬鐵效應部件(如例如，硬鐵效應部件14(圖1))和/或一個或多個軟鐵效應部件(如例如，軟鐵效應部件16(圖1))的一個或多個電路板。

通常可以在相對低功率下連續(xù)操作的所展示的集成傳感器裝置88包括：陀螺儀監(jiān)測器90，所述陀螺儀監(jiān)測器用于獲得與陀螺儀84相關聯(lián)的第一傳感器數據；以及磁強計監(jiān)測器92，所述磁強計監(jiān)測器用于獲得與磁強計82相關聯(lián)的第二傳感器數據。陀螺儀84可以維持均勻采樣率或者使用高精度時間戳以便確保校準精度。所展示的磁強計82將第二傳感器數據存儲到數據緩沖器93。另外，校準器94(94a-94c)可以使用第一傳感器數據、第二傳感器數據以及ekf來對磁強計82進行校準。更具體地，所展示的校準器94使用用于執(zhí)行核校準計算的ekf校準部件94a、用于判定經校準的磁強計測量是否足夠好/準確的測量質量評估器94b、以及ekf控制器94c。所展示的校準部件94a將核校準的結果存儲至數據緩沖器93以及磁強計存儲設備96。如果磁強計測量質量很差，則ekf控制器94c可以啟用/激活ekf校準部件94a，如果校準結果是可接受的或者已經發(fā)生校準超時，則禁用/去激活ekf校準部件94a，并且如果校準結果比先前的校準參數更糟糕，則重新啟動ekf校準部件94a。

磁強計存儲設備96可以存儲磁強計校準參數，如例如，已經討論的軟鐵矩陣w和硬鐵向量b。陀螺儀存儲器98可以選擇性地存儲陀螺儀校準參數，如例如，陀螺儀測量偏移。在這方面，當陀螺儀84未校準時，校準器94可以對陀螺儀84的偏移進行校準(如虛線所示)。所展示的裝置88還包括磁強計控制器100，所述磁強計控制器用于在獲得第二傳感器數據之前增加磁強計82的采樣率以及在校準磁強計82之后減小磁強計82的采樣率。在一個示例中，裝置88進一步包括陀螺儀控制器102，所述陀螺儀控制器用于在獲得第一傳感器數據之前激活陀螺儀84以及在校準磁強計82之后去激活陀螺儀84。另外，運動檢測器104可以檢測與磁強計82相關聯(lián)的旋轉事件，其中，響應于旋轉事件獲得第二傳感器數據。

附加說明與示例：

示例1可以包括地磁場測量系統(tǒng)，所述地磁場測量系統(tǒng)包括：磁強計；陀螺儀；電路板，所述電路板包括一個或多個硬鐵效應部件以及一個或多個軟鐵效應部件；以及集成傳感器裝置，所述集成傳感器裝置包括：陀螺儀監(jiān)測器，所述陀螺儀監(jiān)測器用于獲得與所述陀螺儀相關聯(lián)的第一傳感器數據；磁強計監(jiān)測器，所述磁強計監(jiān)測器用于獲得與所述磁強計相關聯(lián)的第二傳感器數據；以及校準器，所述校準器用于使用所述第一傳感器數據、所述第二傳感器數據以及擴展卡爾曼濾波器來對所述磁強計進行校準。

示例2可以包括如示例1所述的系統(tǒng)，其中，所述集成傳感器裝置進一步包括磁強計控制器，所述磁強計控制器用于在獲得所述第二傳感器數據之前增加所述磁強計的采樣率以及在校準所述磁強計之后減小所述磁強計的所述采樣率。

示例3可以包括如示例1所述的系統(tǒng)，其中，所述集成傳感器裝置進一步包括陀螺儀控制器，所述陀螺儀控制器用于在獲得所述第一傳感器數據之前激活所述陀螺儀以及在校準所述磁強計之后去激活所述陀螺儀。

示例4可以包括如示例1所述的系統(tǒng)，其中，所述陀螺儀是經校準的陀螺儀。

示例5可以包括如示例1所述的系統(tǒng)，其中，所述陀螺儀是未校準的陀螺儀，并且其中，所述校準器用于對所述陀螺儀的偏移進行校準。

示例6可以包括如示例1至5中任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述校準器用于確定所述擴展卡爾曼濾波器的一個或多個軟鐵校準參數以及一個或多個硬鐵校準參數。

示例7可以包括一種校準裝置，所述校準裝置包括：陀螺儀監(jiān)測器，所述陀螺儀監(jiān)測器用于獲得與陀螺儀相關聯(lián)的第一傳感器數據；磁強計監(jiān)測器，所述磁強計監(jiān)測器用于獲得與磁強計相關聯(lián)的第二傳感器數據；以及校準器，所述校準器用于使用所述第一傳感器數據、所述第二傳感器數據以及擴展卡爾曼濾波器來對所述磁強計進行校準。

示例8可以包括如示例7所述的裝置，進一步包括磁強計控制器，所述磁強計控制器用于在獲得所述第二傳感器數據之前增加所述磁強計的采樣率以及在校準所述磁強計之后減小所述磁強計的所述采樣率。

示例9可以包括如示例7所述的裝置，進一步包括陀螺儀控制器，所述陀螺儀控制器用于在獲得所述第一傳感器數據之前激活所述陀螺儀以及在校準所述磁強計之后去激活所述陀螺儀。

示例10可以包括如示例7所述的裝置，其中，所述第一傳感器數據將從經校準的陀螺儀獲得。

示例11可以包括如示例7所述的裝置，其中，所述第一傳感器數據將從未校準的陀螺儀獲得，并且其中，所述校準器用于對所述陀螺儀的偏移進行校準。

示例12可以包括如示例7至11中任一項所述的裝置，其中，所述校準器用于確定所述擴展卡爾曼濾波器的一個或多個軟鐵校準參數以及一個或多個硬鐵校準參數。

示例13可以包括一種操作校準裝置的方法，所述方法包括：獲得與陀螺儀相關聯(lián)的第一傳感器數據；獲得與磁強計相關聯(lián)的第二傳感器數據；以及使用所述第一傳感器數據、所述第二傳感器數據以及擴展卡爾曼濾波器來對所述磁強計進行校準。

示例14可以包括如示例13所述的方法，所述方法進一步包括：在獲得所述第二傳感器數據之前增加所述磁強計的采樣率；以及在校準所述磁強計之后減小所述磁強計的所述采樣率。

示例15可以包括如示例13所述的方法，所述方法進一步包括：在獲得所述第一傳感器數據之前激活所述陀螺儀；以及在校準所述磁強計之后去激活所述陀螺儀。

示例16可以包括如示例13所述的方法，其中，所述第一傳感器數據是從經校準的陀螺儀獲得的。

示例17可以包括如示例13所述的方法，其中，所述第一傳感器數據是從未校準的陀螺儀獲得的，所述方法進一步包括對所述陀螺儀的偏移進行校準。

示例18可以包括如示例13至17中任一項所述的方法，所述方法進一步包括確定所述擴展卡爾曼濾波器的一個或多個軟鐵校準參數以及一個或多個硬鐵校準參數。

示例19可以包括至少一種計算機可讀存儲介質，所述至少一種計算機可讀存儲介質包括指令集，所述指令當被計算設備執(zhí)行時使所述計算設備：獲得與陀螺儀相關聯(lián)的第一傳感器數據；獲得與磁強計相關聯(lián)的第二傳感器數據；以及使用所述第一傳感器數據、所述第二傳感器數據以及擴展卡爾曼濾波器來對所述磁強計進行校準。

示例20可以包括如示例19所述的至少一種計算機可讀存儲介質，其中，所述指令當被執(zhí)行時使計算設備：在獲得所述第二傳感器數據之前增加所述磁強計的采樣率；以及在校準所述磁強計之后減小所述磁強計的所述采樣率。

示例21可以包括如示例19所述的至少一種計算機可讀存儲介質，其中，所述指令當被執(zhí)行時使計算設備：在獲得所述第一傳感器數據之前激活所述陀螺儀；以及在校準所述磁強計之后去激活所述陀螺儀。

示例22可以包括如示例19所述的至少一種計算機可讀存儲介質，其中，所述第一傳感器數據將從經校準的陀螺儀獲得。

示例23可以包括如示例19所述的至少一種計算機可讀存儲介質，其中，所述第一傳感器數據將從未校準的陀螺儀獲得，并且其中，所述指令當被執(zhí)行時使計算設備對所述陀螺儀的偏移進行校準。

示例24可以包括如示例19至23中任一項所述的至少一種計算機可讀存儲介質，其中，所述指令當被執(zhí)行時使計算設備確定所述擴展卡爾曼濾波器的一個或多個軟鐵校準參數以及一個或多個硬鐵校準參數。

示例25可以包括一種校準裝置，所述校準裝置包括：用于獲得與陀螺儀相關聯(lián)的第一傳感器數據的裝置；用于獲得與磁強計相關聯(lián)的第二傳感器數據的裝置；以及用于使用所述第一傳感器數據、所述第二傳感器數據以及擴展卡爾曼濾波器來對所述磁強計進行校準的裝置。

示例26可以包括如示例25所述的裝置，所述裝置進一步包括：用于在獲得所述第二傳感器數據之前增加所述磁強計的采樣率的裝置；以及用于在校準所述磁強計之后減小所述磁強計的所述采樣率的裝置。

示例27可以包括如示例25所述的裝置，所述裝置進一步包括：用于在獲得所述第一傳感器數據之前激活所述陀螺儀的裝置；以及用于在校準所述磁強計之后去激活所述陀螺儀的裝置。

示例28可以包括如示例25所述的裝置，其中，所述第一傳感器數據將從經校準的陀螺儀獲得。

示例29可以包括如示例25所述的裝置，其中，所述第一傳感器數據是從未校準的陀螺儀獲得的，所述裝置進一步包括用于對所述陀螺儀的偏移進行校準的裝置。

示例30可以包括如示例25至29中任一項所述的裝置，所述裝置進一步包括用于確定所述擴展卡爾曼濾波器的一個或多個軟鐵校準參數以及一個或多個硬鐵校準參數的裝置。

因此，技術可以提供利用不充足和不均勻分布的數據而很好地工作的磁強計校準。另外，可以基于小動作(如例如，行走時拿起和/或放下包含磁強計的設備)來進行校準。技術還可以在參數自動更新的背景(例如，不提示用戶執(zhí)行麻煩的、不便的或復雜的手勢)中提供磁強計校準。此外，可以快速輸出(例如，利用最小旋轉)校準結果和參數(例如，硬鐵向量、軟鐵矩陣)。磁強計校準還可以與經校準的陀螺儀與未校準的陀螺儀一起很好地工作。另外，在校準期間，由于ekf計算結果在每個迭代中相同，因此計算結果可以均勻地分布在每個樣本中。

實施例適用于所有類型的半導體集成電路(“ic”)芯片。這些ic芯片的示例包括但不限于：處理器、控制器、芯片組部件、可編程邏輯陣列(pla)、存儲器芯片、網絡芯片、片上系統(tǒng)(soc)、ssd/nand控制器asic等。另外，在一些附圖中，利用線條表示信號導體線。一些線條可以是不同的以指示更多組成的信號通路，具有數字標記以指示組成的信號通路的編號和/或在一端或多端具有箭頭以指示主要信息流方向。然而，這不應被解釋為限制性方式。而是，這種附加的細節(jié)可以與一個或多個示例性實施例結合使用以幫助更容易地理解電路。任何表示的信號線，無論是否有附加信息，都實際可以包括可以在多個方向上行進的一個或多個信號，并且可以利用任何適當類型的信號方案來實現，例如利用差分對、光纖線路和/或單端線路實現的數字或模擬線路。

可能已經給出了示例尺寸/模型/值/范圍，盡管實施例不限于此。隨著制造技術(例如，光刻)隨時間推移而成熟，預計可以制造出更小尺寸的器件。另外，為了簡化圖示和討論以及為了不使實施例的一些方案不清晰，可以在圖內示出或不示出到ic芯片和其他部件的公知的電力/接地連接。此外，安排可以以框圖的形式示出，以避免模糊實施例，并且還鑒于以下事實：關于完成這樣的框圖安排的實現方式的細節(jié)高度依賴于在其中實現實施例的平臺，即，這樣的細節(jié)應當完全處在本領域技術人員的視界中。特定細節(jié)(例如，電路)被闡述以便描述示例性實施例，對本領域技術人員來說應當顯而易見的是：實施例可以在無需這些細節(jié)或者采用這些實施例細節(jié)的變化的情況下被實踐。描述因此被視為是說明性的而非限制性的。

術語“耦合”在本文中可以用于指代所討論的部件之間的任何類型的直接或間接關系，并且可以應用于電學、機械、流體、光學、電磁、機電或其他連接。另外，術語“第一”、“第二”等在本文中可以僅用于方便討論，并不含有特別的時間或者順序含義，除非另外指出。

如在本申請和權利要求書中所使用的，由術語“中的一項或多項”聯(lián)接的一系列項目可意指所列術語的任何組合。例如，短語“a、b或c中的一項或多項”可意指a、b、c；a和b；a和c；b和c；或a、b和c。

本領域技術人員將從前面的描述中認識到，可以用各種形式來實現實施例的廣泛技術。因此，雖然已經結合其特定示例描述了這些實施例，但是實施例的實際范圍不應由此受限，因為其他的修改在本領域技術人員學習了附圖、說明書和所附權利要求之后就將變得顯而易見。