一種薄膜電容熱沖擊試驗(yàn)的tanδ控制方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種薄膜電容熱沖擊試驗(yàn)的tanδ控制方法，包括對(duì)薄膜電容器的薄膜進(jìn)行金屬噴鍍，及對(duì)金屬噴鍍后的薄膜電容進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)。相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在薄膜電容熱沖擊試驗(yàn)中能控制tan?δ的增加。
【專利說明】一種薄膜電容熱沖擊試驗(yàn)的tan δ控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜電容熱沖擊試驗(yàn)，具體涉及一種薄膜電容熱沖擊試驗(yàn)的tan δ控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在汽車行業(yè)，汽車所用的平滑電容器和濾波電容器已經(jīng)開始傾向于選用薄膜電容器，基本選用tan δ (tan δ為介質(zhì)損耗角正切，指電介質(zhì)在單位時(shí)間內(nèi)每單元體積中，將電能轉(zhuǎn)化為熱能而消耗的能量，δ是介電損耗角)低，紋波電流大的聚丙烯薄膜電容，但是聚丙烯薄膜電容在135°C左右會(huì)收縮、到160°C會(huì)融化，在熱沖擊試驗(yàn)過程中聚丙烯薄膜電容的薄膜和金屬噴鍍的熱收縮率不一樣，層與層之間會(huì)出現(xiàn)剝離，并且因此完成熱沖擊試驗(yàn)有一定困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種薄膜電容熱沖擊試驗(yàn)中能控制tan δ增加的控制方法。
[0004]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種薄膜電容熱沖擊試驗(yàn)的tan δ控制方法，包括以下步驟:
[0005]噴鍍金屬:對(duì)薄膜電容器的薄膜進(jìn)行金屬噴鍍，被噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬為同種金屬；
[0006]熱沖擊:對(duì)金屬噴鍍后的薄膜電容進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)，使金屬噴鍍后的薄膜電容從溫度負(fù)40度勻速升溫至125度，再從125度勻速降溫至負(fù)40度，整個(gè)周期持續(xù)30分鐘。
[0007]所述噴鍍金屬:對(duì)薄膜電容器的薄膜進(jìn)行金屬噴鍍，被噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬為同種Al金屬。
[0008]所述噴鍍金屬:對(duì)薄膜電容器的薄膜進(jìn)行金屬噴鍍，被噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬為同種Al和Si的合金。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:噴鍍和蒸鍍金屬為相同的金屬，能配合薄膜的膨脹收縮，也能控制薄膜電容的膨脹，降低tan δ。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的介質(zhì)損耗角正切變化率的示意圖；
[0011]圖2為本發(fā)明靜電容量變化率的示意圖；
[0012]圖3為絕緣抵抗變化率的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。[0014]一種薄膜電容熱沖擊試驗(yàn)的tan δ控制方法，包括以下步驟:
[0015]噴鍍金屬:對(duì)薄膜電容器的薄膜進(jìn)行金屬噴鍍，被噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬為同種金屬；
[0016]熱沖擊:對(duì)金屬噴鍍后的薄膜電容進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)，使金屬噴鍍后的薄膜電容從溫度負(fù)40度勻速升溫至125度，再從125度勻速降溫至負(fù)40度，整個(gè)周期持續(xù)30分鐘。
[0017]所述噴鍍金屬:對(duì)薄膜電容器的薄膜進(jìn)行金屬噴鍍，被噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬同為金屬Al。
[0018]所述噴鍍金屬:對(duì)薄膜電容器的薄膜進(jìn)行金屬噴鍍，被噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬同為Al和Si的合金，所述Al和Si合金包括S1、Fe、Cu、Mn、Mg、Zn，其中Al的質(zhì)量百分比為85.65%?87.65%，Si的質(zhì)量百分比為11?13%，F(xiàn)e的質(zhì)量百分比為0.8%，Cu的質(zhì)量百分比為0.3%，Mn的質(zhì)量百分比為0.15%，Mg的質(zhì)量百分比為0.1%。
[0019]所述tan δ的考量參數(shù)包括靜電容量、絕緣抵抗，所述tan δ為介質(zhì)損耗角正切。
[0020]實(shí)施例1:對(duì)薄膜電容器的薄膜進(jìn)行金屬噴鍍，使噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬同為金屬Al，并對(duì)該薄膜電容器進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)，試驗(yàn)過程對(duì)介質(zhì)損耗角正切、靜電容量、絕緣抵抗進(jìn)行檢測(cè)，并將得到的檢測(cè)數(shù)據(jù)與原有條件熱沖擊試驗(yàn)數(shù)據(jù)和改變溫度熱沖擊試驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，得到如下數(shù)據(jù)圖表:
[0021]如圖1所示，設(shè)置有三種控制方法進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)，在熱沖擊金屬噴鍍變更控制方法這一項(xiàng)，也就是將噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬設(shè)置為同種金屬，介質(zhì)損耗角正切變化率小，表現(xiàn)最穩(wěn)定；
[0022]如圖2所示，設(shè)置有三種控制方法進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)，在熱沖擊金屬噴鍍變更控制方法這一項(xiàng)，也就是將噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬設(shè)置為同種金屬，靜電容量變化率適中，表現(xiàn)穩(wěn)定；
[0023]如圖3所示，設(shè)置有三種控制方法進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)，在熱沖擊金屬噴鍍變更控制方法這一項(xiàng)，也就是將噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬設(shè)置為同種金屬，絕緣抵抗顯示穩(wěn)定。
[0024]實(shí)施本方法，在熱沖擊試驗(yàn)中，使噴鍍和蒸鍍金屬為相同的金屬Al，能配合薄膜的膨脹收縮，也能控制薄膜電容的膨脹，降低tan δ。
[0025]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜電容熱沖擊試驗(yàn)的tan δ控制方法，其特征在于，包括以下步驟: 噴鍍金屬:對(duì)薄膜電容器的薄膜進(jìn)行金屬噴鍍，被噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬為同種金屬； 熱沖擊:對(duì)金屬噴鍍后的薄膜電容進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)，使金屬噴鍍后的薄膜電容從溫度負(fù)40度勻速升溫至125度，再從125度勻速降溫至負(fù)40度，整個(gè)周期持續(xù)30分鐘。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種薄膜電容熱沖擊試驗(yàn)的tanδ控制方法，其特征在于，所述噴鍍金屬:對(duì)薄膜電容器的薄膜進(jìn)行金屬噴鍍，被噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬同為金屬Al。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一所述一種薄膜電容熱沖擊試驗(yàn)的tanδ控制方法，其特征在于，所述噴鍍金屬:對(duì)薄膜電容器的薄膜進(jìn)行金屬噴鍍，被噴鍍的金屬與薄膜電容上的蒸鍍金屬同為Al和Si的合金。
【文檔編號(hào)】G01R31/00GK103954857SQ201410130200
【公開日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年4月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月1日
【發(fā)明者】陳重生 申請(qǐng)人:揚(yáng)州日精電子有限公司