具有以單片結(jié)構(gòu)配置的處理器和磁阻元件的轉(zhuǎn)向扭矩角傳感器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于測(cè)量車輛轉(zhuǎn)向組件內(nèi)的磁場(chǎng)角的電子裝置。該電子裝置包括具有邊緣的半導(dǎo)體裸片、形成在裸片中并且位于該半導(dǎo)體裸片的邊緣附近的磁阻傳感元件，以及形成在裸片中的處理電路。該處理電路電連接到磁阻傳感元件并且配置為生成表示磁場(chǎng)角和轉(zhuǎn)向扭矩中的至少一個(gè)的信號(hào)。非導(dǎo)電材料將半導(dǎo)體裸片包封。電連接器被電連接到裸片并且穿過(guò)將半導(dǎo)體裸片包封的非導(dǎo)電材料。電連接器被配置為電連接到印刷電路板。該半導(dǎo)體裸片位于所述封裝件的邊緣附近，以將所述磁阻傳感元件定位在封裝件的邊緣附近。
【專利說(shuō)明】具有以單片結(jié)構(gòu)配置的處理器和磁阻元件的轉(zhuǎn)向扭矩角傳感器
[0001]相關(guān)串請(qǐng)
[0002]本申請(qǐng)要求2012年8月3日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)第13/566，022號(hào)和2012年6月15日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)第61/660，491號(hào)的優(yōu)先權(quán)，這兩項(xiàng)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。

【背景技術(shù)】
[0003]本發(fā)明涉及在車輛轉(zhuǎn)向系統(tǒng)中用于檢測(cè)駕駛員的轉(zhuǎn)向輸入的傳感器。特別地，本發(fā)明涉及設(shè)計(jì)為檢測(cè)磁場(chǎng)的角的變化的車輛轉(zhuǎn)向系統(tǒng)傳感器。
[0004]設(shè)計(jì)為檢測(cè)轉(zhuǎn)動(dòng)部件的運(yùn)動(dòng)的傳感器通常是眾所周知的。例如，霍爾效應(yīng)傳感器可以用來(lái)感測(cè)軸和車輪的速度和轉(zhuǎn)動(dòng)方向。能夠感測(cè)乘客和類似的車輛中的轉(zhuǎn)向輸入的傳感器通常也是已知的。例如，在具有I)輸入軸(例如，連接到方向盤)、2)輸出軸(例如，連接到支架或者用于移動(dòng)或者操縱車輛車輪的其它元件)，以及3)連接這兩個(gè)軸的柔性軸或者扭力桿的轉(zhuǎn)向系統(tǒng)中，可以感測(cè)磁角的變化并且確定輸入扭矩。特別地，磁體被放置在一個(gè)軸上并且磁傳感元件(例如，磁阻傳感元件)被安裝在另一個(gè)軸上。扭力桿具有已知的彈簧常數(shù)或者扭轉(zhuǎn)剛度。輸入軸相對(duì)于輸出軸的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)在磁體和磁傳感元件之間產(chǎn)生相對(duì)的角位移。然后利用已知的磁原理來(lái)測(cè)量該角位移。特別地，角位移與施加在輸入軸上的扭矩成正比。因此，轉(zhuǎn)向扭矩可以從通過(guò)磁傳感元件所提供的信息來(lái)導(dǎo)出。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]盡管能夠提供關(guān)于轉(zhuǎn)向扭矩的信息的傳感器是可獲得的，但是它們無(wú)法完全令人滿意。在許多常規(guī)設(shè)計(jì)中，多個(gè)裝置必須被用于產(chǎn)生傳感器，該傳感器能夠感測(cè)磁場(chǎng)角的變化和生成表示輸入扭矩的輸出。例如，發(fā)明人所知的傳感器包括磁傳感元件(例如，由具有磁傳感的專業(yè)知識(shí)的個(gè)人所設(shè)計(jì)的電路)和處理器(例如，由具有半導(dǎo)體和集成電路制造的專業(yè)知識(shí)的個(gè)人所設(shè)計(jì)的專用集成電路)。這兩個(gè)裝置安裝且有線地結(jié)合到電路板，并且接著通過(guò)導(dǎo)電跡線彼此連接。
[0006]近來(lái)，已經(jīng)創(chuàng)建了將處理部件和磁傳感元件合并到一個(gè)封裝件中的封裝的集成電路。然而，這些裝置常常使用霍爾效應(yīng)傳感器。通常，霍爾效應(yīng)傳感器能夠測(cè)量的僅是磁場(chǎng)的大小。因此，在試圖測(cè)量磁場(chǎng)的角時(shí)必須使用多個(gè)霍爾效應(yīng)傳感器。因此，可用的集成電路通常包括至少兩個(gè)霍爾效應(yīng)傳感器并且這些霍爾效應(yīng)傳感器通常包括多個(gè)霍爾效應(yīng)傳感元件。此外，已知的單個(gè)封裝件裝置通常將霍爾效應(yīng)傳感元件放在封裝件的中心和對(duì)稱的位置。
[0007]與這些當(dāng)前的設(shè)計(jì)相反，本發(fā)明的實(shí)施例尤其提供了轉(zhuǎn)向扭矩角傳感器，其包括處理器(例如，專用集成電路(“ASIC”))和磁阻(“MR”)傳感元件。ASIC和MR傳感元件是單個(gè)半導(dǎo)體裸片的部分(即，ASIC和MR傳感元件形成單片裝置)。該裸片具有有源邊緣，并且MR傳感元件位于大致與該裸片的有源邊緣共面。優(yōu)選地，該裸片通過(guò)絲焊結(jié)合到一個(gè)或多個(gè)電連接器(例如，引線框)。連接器連接到該裸片，并且連接器和裸片被包封在絕緣材料(例如，塑料)中或者“封裝”，以形成可以表面安裝在印刷電路板上的集成裝置。該裸片被定位在集成裝置的邊緣附近，以將MR傳感元件定位為靠近位于集成裝置附近的磁體。在一些實(shí)施例中，MR傳感元件定位在集成裝置內(nèi)，以定位在由磁體生成的飽和的磁場(chǎng)(例如，25kA/m)內(nèi)。
[0008]在另一實(shí)施例中，本發(fā)明提供用于測(cè)量車輛轉(zhuǎn)向組件內(nèi)的磁場(chǎng)角的電子裝置。該電子裝置包括具有邊緣的半導(dǎo)體裸片。磁阻傳感元件形成在裸片中并且位于半導(dǎo)體裸片的邊緣附近。處理電路也形成在裸片中。處理電路電連接到磁阻傳感元件，并且配置為生成表示磁場(chǎng)角和轉(zhuǎn)向扭矩中的至少一個(gè)的信號(hào)。非導(dǎo)電材料將半導(dǎo)體裸片包封。電連接器被電連接到裸片并且穿過(guò)將半導(dǎo)體裸片包封的非導(dǎo)電材料。電連接器被配置為電連接到印刷電路板。
[0009]在又一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供用于測(cè)量車輛轉(zhuǎn)向組件的第一軸和第二軸之間的相對(duì)角的傳感器組件。傳感器組件包括耦接到第一軸的磁體和如前一段落中所述的電子裝置。電子裝置耦接到第二軸，使得包括在電子裝置內(nèi)的磁阻傳感元件靠近磁體。
[0010]在再一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供用于測(cè)量車輛轉(zhuǎn)向組件內(nèi)的磁場(chǎng)角的傳感器組件。傳感器組件包括如段落
[0007]中所述的第一電子裝置和如段落
[0007]中所述的第二電子裝置。第二電子裝置被定位為在印刷電路板上與第一電子裝置相鄰。
[0011]本發(fā)明的其它方面通過(guò)考慮【具體實(shí)施方式】和附圖變得明顯。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是包括用于測(cè)量轉(zhuǎn)向軸扭矩的扭矩角傳感器組件的車輛轉(zhuǎn)向組件的立體圖。
[0013]圖2是圖1的扭矩角傳感器組件的正面立體圖。
[0014]圖3a示意性地示出了圖1的扭矩角傳感器組件。
[0015]圖3b示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括在圖1的扭矩角組件內(nèi)的電子裝置。
[0016]圖3c示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的包括在圖1的扭矩角組件內(nèi)的電子裝置。
[0017]圖3d是圖3b的電子裝置的側(cè)視圖。
[0018]圖3e是圖3b的電子裝置的端視圖。
[0019]圖4示意性地示出了通過(guò)圖1的扭矩角傳感器組件的磁體所生成的磁場(chǎng)。
[0020]圖5示意性地示出了具有兩個(gè)磁傳感元件的電子裝置的形式的本發(fā)明的替換實(shí)施例。
[0021]圖6示意性地示出了扭矩角傳感器組件的配置，其中兩個(gè)電子裝置被定位為接近于磁體。

【具體實(shí)施方式】
[0022]在詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的任何實(shí)施例前，要理解的是，本發(fā)明在它的應(yīng)用中不限于以下描述中提出或者以下附圖中示出的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)和部件的配置。本發(fā)明能夠是其它實(shí)施例并且能夠以各種方式被實(shí)踐或者執(zhí)行。
[0023]圖1示出了車輛轉(zhuǎn)向組件10。組件10包括輸入軸12和輸出軸14。輸入軸12連接到方向盤(未示出)并且輸出軸14連接到用于移動(dòng)或者轉(zhuǎn)動(dòng)車輛車輪的支架或者齒輪箱(未不出)。輸入軸12通過(guò)扭力桿(未不出)親接到輸出軸14。扭力桿與軸12和14同軸地對(duì)準(zhǔn)并且具有已知的扭轉(zhuǎn)剛度或者彈簧常數(shù)。扭力桿將來(lái)自輸入軸12的負(fù)載傳輸?shù)捷敵鲚S14。特別地，扭力桿撓曲或者扭曲，以允許與施加到輸入軸12的扭矩的量成比例的、輸入軸12相對(duì)于輸出軸14的相對(duì)角位移。輸入軸12與輸出軸14的相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)位移的差值與施加到方向盤的扭矩的大小成正比。
[0024]扭矩角傳感器組件16通過(guò)測(cè)量扭力桿的第一和第二端部之間的相對(duì)角來(lái)測(cè)量轉(zhuǎn)向軸扭矩。特別地，如圖3所示，傳感器組件16包括環(huán)形磁體18，環(huán)形磁體18附接到與扭力桿的第一端部連接的輸入軸12的軸向端部。因此，磁體18隨輸入軸12和扭力桿的第一端部旋轉(zhuǎn)。
[0025]扭矩角傳感器組件16還包括電子裝置20。電子裝置20定位為相對(duì)于磁體18固定。因此，當(dāng)扭力桿扭曲時(shí)，磁體18相對(duì)于裝置20旋轉(zhuǎn)。在一些實(shí)施例中，傳感器組件16連接到與扭力桿的第二端部連接的輸出軸14的軸向端部。在其它實(shí)施例中，電子裝置20定位為與扭力桿同軸但是不連接到扭力桿或者輸出軸14。
[0026]如圖3a中示意性地示出的，電子裝置20具有邊緣21并且包括具有邊緣32的半導(dǎo)體裸片30。處理器(例如，專用集成電路(“ASIC”))33也形成在裸片30中。在一些實(shí)施例中，處理器33形成在裸片30的有源區(qū)域34內(nèi)，而在一些實(shí)施例中則占據(jù)整個(gè)有源區(qū)域34。具有邊緣36的磁阻(“MR”)傳感元件35也形成在裸片30中。如圖3a所示，在一些實(shí)施例中，MR傳感元件35定位在處理器33上并且(例如，經(jīng)由形成在裸片30中的連接)電連接到處理器33。在一些實(shí)施例中，MR傳感元件25通過(guò)將附加層(例如，金屬層)增加到處理器33頂部的小區(qū)域上來(lái)形成。
[0027]在一些實(shí)施例中，MR傳感元件35包括各向異性磁阻(“AMR”)角傳感器。在其它實(shí)施例中，MR傳感元件35包括巨磁阻(“GMR”)角傳感器或者隧道磁阻(“TMR”)角傳感器。MR傳感元件35被配置為測(cè)量由磁體18所生成的磁場(chǎng)的一個(gè)或更多個(gè)特性，例如角(或者方向)和/或強(qiáng)度(或者大小)。
[0028]處理器33被配置為將來(lái)自MR傳感元件35的信號(hào)或者數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)為模擬或者數(shù)字信號(hào)，該模擬或者數(shù)字信號(hào)可被用于創(chuàng)建關(guān)于磁體18所生成的磁場(chǎng)的角的信息。在一些實(shí)施例中，處理器33還被配置為將關(guān)于磁場(chǎng)的角的信息轉(zhuǎn)換為施加到輸入軸12的扭矩。處理器33還包括用于根據(jù)預(yù)定的通信協(xié)議(例如，模擬信號(hào)協(xié)議、脈沖寬度調(diào)制信號(hào)協(xié)議、單邊半字節(jié)傳輸信號(hào)協(xié)議，或者其它基于電壓或者電流調(diào)制的數(shù)字通信協(xié)議)來(lái)傳送磁場(chǎng)角信息(或者扭矩信息)的電路。
[0029]電連接器或者管腳38電連接到裸片30，這允許裸片30安裝在印刷電路板39上(參見(jiàn)圖1和2)。半導(dǎo)體裸片30和電連接器38封閉在例如塑料的非導(dǎo)電材料中，以形成單片封裝件40，該單片封裝件40限定電子裝置20的邊緣21的至少一部分。然而，連接器38穿過(guò)非導(dǎo)電材料。應(yīng)當(dāng)理解的是，盡管在圖中示出了僅僅8管腳封裝件，但是可以使用具有更少或更多連接器38的其它封裝件40。
[0030]如圖3a所示，MR傳感元件35被定位在裸片30的邊緣32附近，而裸片30被定位在電子裝置20的邊緣21附近，這將MR傳感元件35定位在電子裝置20的邊緣21附近。在這個(gè)位置中，MR傳感元件35位于邊緣32的部分41和邊緣21的部分42附近，邊緣32的部分41和邊緣21的部分42中的每一個(gè)均被定位為最接近或者貼近磁體18。如圖3所示，在這個(gè)位置中，MR傳感元件35相對(duì)于裝置20的邊緣21定位為偏離中心并且在傳感器組件16的操作期間靠近磁體18。
[0031 ] 特別地，在一些實(shí)施例中，MR傳感元件35被定位為使得MR傳感元件35的邊緣36的一部分大致與裸片30的有源區(qū)域34共面(例如，通過(guò)處理器33限定)。裸片30的有源區(qū)域34與裸片30的邊緣32偏移一邊界距離，以允許在制造期間切割裸片30。裸片30的有源區(qū)域34和裸片30的物理邊緣32之間的這個(gè)邊界偏移在半導(dǎo)體裸片制造中被較好地建立，并且在一些實(shí)施例中從大約0.5毫米變動(dòng)到大致0.1毫米。在其它實(shí)施例中，MR傳感元件35被定位為大致與裸片的物理邊緣32共面。
[0032]此外，在一些實(shí)施例中，MR傳感元件35的中心被定位為距電子裝置20的邊緣21大約1.75毫米或者更少(即，部分42)，并且在一些實(shí)施例中，被定位為距電子裝置20的邊緣21少于大約1.0毫米(S卩，部分44)。然而，如下所述，在提供將MR定位為靠近外部磁體的集成封裝件時(shí)，電子裝置20的其它尺寸和配置是可以的。
[0033]特別地，圖3b示出了電子裝置20的一個(gè)配置。如圖3b所示，MR傳感元件35的中心位于距部分42大約0.5毫米或者更少。部分42還位于距部分44大約1.25毫米或者更少。在這個(gè)位置中，從MR傳感元件35的中心到部分44的距離大約是1.75毫米或者更少。在這個(gè)位置中，MR傳感元件35和磁體18之間的徑向距離被最小化，并且MR傳感元件35在磁體18旋轉(zhuǎn)時(shí)靠近磁體18。在其它實(shí)施例中，如圖3c所示，MR傳感元件35的中心位于與部分44相距小于1.0毫米。
[0034]如圖4所示，磁體18被極化，使得當(dāng)磁體18相對(duì)于傳感元件35轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，MR傳感元件35處的磁場(chǎng)角改變。特別地，MR傳感元件35通常由被布置為一個(gè)或更多個(gè)橋式配置的幾個(gè)阻性元件制成。阻性元件的阻抗和因此的阻性橋的輸出隨著傳感元件35處的磁場(chǎng)角的改變而改變。因此，MR傳感元件35的輸出在磁體18相對(duì)于電子裝置20旋轉(zhuǎn)時(shí)改變。
[0035]單片封裝件40提高了傳感性能并且降低了傳感器組件16的裝配成本。特別地，封裝件40減少了用于傳感器組件16的裝配步驟的數(shù)量。例如，單獨(dú)地安裝MR傳感元件35和處理器33的兩個(gè)步驟由安裝封裝件40的單個(gè)步驟來(lái)替代。此外，在MR傳感元件35和處理器33作為裸露的裸片單獨(dú)被安裝時(shí)，它們可以有線地結(jié)合到印刷電路板，這是相對(duì)昂貴的處理，因?yàn)樗枰鍧嵉氖噎h(huán)境。相反，利用較便宜的常規(guī)的表面安裝技術(shù)來(lái)安裝封裝件40。此外，其它部件被表面安裝在印刷電路板39上。因此，將單片封裝件40安裝在板39上僅僅向表面安裝裝配步驟增加了表面安裝部件的一個(gè)附加的放置。因此，即使封裝件40的產(chǎn)生與先前用于處理器33的裸露的裸片相比更加昂貴的，集成的封裝件的更低的裝配成本和更短的周期時(shí)間也降低了傳感器組件16的總成本。
[0036]此外，通過(guò)將MR傳感元件35放置在裸片30最接近磁體18的邊緣32 (例如，部分42)處或附近并且放置在裝置20最接近磁體的邊緣21 (例如，部分44)處或附近，MR傳感元件35被定位為盡可能地接近磁體18的表面。在這個(gè)位置中，MR傳感元件35定位在由磁體18所生成的磁場(chǎng)的較強(qiáng)部分內(nèi)，這允許傳感元件35獲取更加精確的場(chǎng)角讀數(shù)。
[0037]此外，將傳感元件和處理器33集成在單個(gè)裸片30中還降低了溫度偏移效應(yīng)。特別地，MR傳感元件35隨著溫度的偏移可以由處理器33補(bǔ)償。
[0038]應(yīng)當(dāng)理解的是，在一些實(shí)施例中，如上所述的電子裝置20可以包括兩個(gè)MR傳感元件35。例如，圖5示意性地示出了用于扭矩傳感器組件16的替換的電子裝置20。電子裝置20包括形成在第一裸片30a中的第一 MR傳感元件35a和形成在第二裸片30b中的第二MR傳感元件35b。處理器(例如，一個(gè)或更多個(gè)ASIC) 33a和33b也形成在每一裸片30a和30b 中。
[0039]如圖5所示，傳感元件35a和35b兩者被定位在它們各自的裸片30a和30b的邊緣32 ( S卩，部分42a和42b)附近，并且裸片30a和30b被定位在裝置20的邊緣21 ( S卩，部分44)附近。在一些實(shí)施例中，如圖5所示，裸片30a和30b被并排地定位在裝置20中。在其它實(shí)施例中，裸片30a和30b可以彼此層疊并且被放置在單個(gè)封裝件中。MR傳感元件35a和35b以及裸片30a和30b的其它配置也是可以的。
[0040]在一些實(shí)施例中，第一 MR傳感元件35a感測(cè)與第二 MR傳感元件35b不同的磁特性。在其它實(shí)施例中，第一和第二傳感元件35a和35b感測(cè)相同的磁特性。在兩個(gè)實(shí)施例中，第一 MR傳感元件35a和第二 MR傳感元件35b提供冗余的傳感系統(tǒng)。此外，為了提供包括獨(dú)立的電路的冗余的傳感系統(tǒng)(例如，除了傳感元件35a和35b之外，為了檢查電路故障)，可以使用如圖6所示的系統(tǒng)或者配置70。該配置70包括并排地放置在印刷電路板上的兩個(gè)電子裝置20(如圖6所示)。替換地，每一封裝件40可以定位在印刷電路板的相對(duì)側(cè)上。每一封裝件40的輸出可以被比較(例如，通過(guò)處理器33或者單獨(dú)的處理部件或者系統(tǒng))，以利用封裝件40來(lái)識(shí)別問(wèn)題或者故障。
[0041]因此，本發(fā)明尤其提供了包括在單個(gè)裸片內(nèi)的MR傳感元件和處理器的單片封裝件。封裝件的集成配置降低了裝配成本并且改善了扭矩檢測(cè)。應(yīng)當(dāng)理解的是，單片封裝件和包括在封裝件內(nèi)的部件的形狀和配置作為示意性的實(shí)例被提供，并且其它形狀和配置也是可以的。例如，在一些實(shí)施例中，MR傳感元件具有矩形形狀而不是如圖中所示的圓形形狀。
[0042]本發(fā)明的各種特征和優(yōu)點(diǎn)在以下的權(quán)利要求中列出。
【權(quán)利要求】
1.一種用于測(cè)量車輛轉(zhuǎn)向組件內(nèi)的磁場(chǎng)角的電子裝置，所述電子裝置包括: 具有邊緣的半導(dǎo)體裸片； 磁阻傳感元件，所述磁阻傳感元件形成在所述裸片中并且位于所述半導(dǎo)體裸片的邊緣附近； 處理電路，所述處理電路形成在所述裸片中并且電連接到所述磁阻傳感元件，所述處理電路配置為生成表示磁場(chǎng)角和轉(zhuǎn)向扭矩中的至少一個(gè)的信號(hào)； 非導(dǎo)電材料，所述非導(dǎo)電材料將所述半導(dǎo)體裸片包封并且形成具有邊緣的封裝件；以及 電連接器，所述電連接器連接到所述裸片、穿過(guò)將所述半導(dǎo)體裸片包封的所述非導(dǎo)電材料，并且配置為電連接到印刷電路板， 其中，所述半導(dǎo)體裸片位于所述封裝件的邊緣附近，以將所述磁阻傳感元件定位在所述封裝件的邊緣附近。
2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述磁阻傳感元件包括各向異性磁阻角傳感器。
3.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述磁阻傳感元件包括巨磁阻角傳感器和隧道磁阻角傳感器中的至少一個(gè)。
4.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述磁阻傳感元件的邊緣位于大致與所述半導(dǎo)體裸片的邊緣共面。
5.如權(quán)利要求4所述的電子裝置，其中所述磁阻傳感元件的中心位于與所述封裝件的邊緣相距大致1.75毫米或者更少。
6.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述磁阻傳感元件的邊緣位于大致與所述半導(dǎo)體裸片的有源區(qū)域的邊緣共面。
7.如權(quán)利要求6所述的電子裝置，其中所述磁阻傳感元件的中心位于與所述封裝件的邊緣相距大致1.75毫米或者更少。
8.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述磁阻傳感元件的邊緣位于與所述半導(dǎo)體裸片的邊緣相距從大致0.5毫米到大致0.1毫米。
9.如權(quán)利要求8所述的電子裝置，其中所述磁阻傳感元件的中心位于與所述封裝件的邊緣相距大致1.75毫米或者更少。
10.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述磁阻傳感元件的中心位于與所述封裝件的邊緣相距大致1.75毫米或者更少。
11.如權(quán)利要求10的電子裝置，其中所述磁阻傳感元件位于所述半導(dǎo)體裸片的邊緣的一部分附近，該部分被定位為最靠近位于所述電子裝置之外的磁體。
12.如權(quán)利要求11的電子裝置，其中所述磁阻傳感元件位于所述封裝件的邊緣的一部分附近，該部分被定位為最靠近位于所述電子裝置之外的磁體。
13.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述電連接器被配置為表面安裝到所述印刷電路板。
14.如權(quán)利要求1的電子裝置，還包括形成在第二半導(dǎo)體裸片上并且位于所述第二半導(dǎo)體裸片的邊緣附近的第二磁阻傳感元件。
15.如權(quán)利要求14所述的電子裝置，還包括第二處理電路，所述第二處理電路形成在所述第二半導(dǎo)體裸片中并且電連接到所述第二磁阻傳感元件，所述第二處理電路被配置為生成表示磁場(chǎng)角和轉(zhuǎn)向扭矩中的至少一個(gè)的信號(hào)。
16.如權(quán)利要求14所述的電子裝置，其中所述第二磁阻傳感元件的邊緣位于大致與所述第二半導(dǎo)體裸片的邊緣共面。
17.如權(quán)利要求16所述的電子裝置，其中所述第二磁阻傳感元件的中心位于與所述封裝件的邊緣相距大致1.75毫米或者更少。
18.如權(quán)利要求14所述的電子裝置，其中所述第二磁阻傳感元件的邊緣位于大致與所述第二半導(dǎo)體裸片的有源區(qū)域的邊緣共面。
19.如權(quán)利要求18所述的電子裝置，其中所述第二磁阻傳感元件的中心位于與所述封裝件的邊緣相距大致1.75毫米或者更少。
20.如權(quán)利要求14所述的電子裝置，其中所述第二磁阻傳感元件的邊緣位于與所述第二半導(dǎo)體裸片的邊緣相距從大致0.5毫米到大致0.1毫米。
21.如權(quán)利要求20所述的電子裝置，其中所述第二磁阻傳感元件的中心位于與所述封裝件的邊緣相距大致1.75毫米或者更少。
22.如權(quán)利要求14所述的電子裝置，其中所述第二磁阻傳感元件的中心位于與所述封裝件的邊緣相距大致1.75毫米或者更少。
23.如權(quán)利要求22的電子裝置，其中所述第二磁阻傳感元件位于所述第二半導(dǎo)體裸片的邊緣的一部分附近，該部分被定位為最靠近位于所述電子裝置之外的磁體。
24.如權(quán)利要求23的電子裝置，其中所述第二磁阻傳感元件位于所述封裝件的邊緣的一部分附近，該部分被定位為最靠近位于所述電子裝置之外的磁體。
25.如權(quán)利要求14所述的電子裝置，其中所述第二半導(dǎo)體裸片被定位為與所述第一半導(dǎo)體裸片相鄰。
26.如權(quán)利要求14所述的電子裝置，其中所述第二半導(dǎo)體裸片被層疊在所述第一半導(dǎo)體裸片上。
27.一種用于測(cè)量車輛轉(zhuǎn)向組件內(nèi)的磁場(chǎng)角的傳感器組件，所述傳感器組件包括: 如權(quán)利要求1所述的第一電子裝置；以及 如權(quán)利要求1所述的第二電子裝置，其中第二電子裝置被定位為在所述印刷電路板上與所述第一電子裝置相鄰。
28.—種用于測(cè)量車輛轉(zhuǎn)向組件的第一軸和第二軸之間的相對(duì)角的傳感器組件，所述傳感器組件包括: 耦接到所述第一軸的磁體； 耦接到所述第二軸的如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中所述磁阻傳感元件位于所述半導(dǎo)體裸片的邊緣的最靠近所述磁體而定位的一部分附近，并且位于所述封裝件的邊緣的最靠近所述磁體而定位的一部分附近。
29.如權(quán)利要求28所述的傳感器組件，其中所述磁阻傳感元件包括各向異性磁阻角傳感器、巨磁阻角傳感器以及隧道磁阻角傳感器中的至少一個(gè)。
30.如權(quán)利要求29所述的傳感器組件，其中所述磁阻傳感元件的邊緣位于大致與所述半導(dǎo)體裸片的邊緣共面。
31.如權(quán)利要求30所述的傳感器組件，其中所述磁阻傳感元件的中心位于與所述封裝件的邊緣相距大致1.75毫米或者更少。
32.如權(quán)利要求29所述的傳感器組件，其中所述磁阻傳感元件的邊緣位于與所述半導(dǎo)體裸片的邊緣相距從大致0.5毫米到大致0.1毫米。
33.如權(quán)利要求32所述的傳感器組件，其中所述磁阻傳感元件的中心位于與所述封裝件的邊緣相距大致1.75毫米或者更少。
34.如權(quán)利要求29的傳感器組件，其中所述磁阻傳感元件的邊緣位于大致與所述半導(dǎo)體裸片的有源區(qū)域的邊緣共面。
35.如權(quán)利要求34所述的傳感器組件，其中所述磁阻傳感元件的中心位于與所述封裝件的邊緣相距大致1.75毫米或者更少。
【文檔編號(hào)】G01B7/30GK104487798SQ201380039031
【公開(kāi)日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2013年5月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月15日
【發(fā)明者】W·馬爾茨費(fèi)爾特 申請(qǐng)人:伯恩斯公司