力矩傳感器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種力矩傳感器，其包括：磁場(chǎng)產(chǎn)生部，其與第1軸一起旋轉(zhuǎn)；旋轉(zhuǎn)磁路部，其與第2軸一起旋轉(zhuǎn)；固定磁路部，其固定于殼體；磁檢測(cè)器，其用于檢測(cè)出伴隨著扭桿的扭轉(zhuǎn)變形而自磁場(chǎng)產(chǎn)生部通過(guò)旋轉(zhuǎn)磁路部而引導(dǎo)到固定磁路部的磁通密度；以及屏蔽板，其配置于旋轉(zhuǎn)磁路部與磁檢測(cè)器之間，并將磁檢測(cè)器進(jìn)行磁屏蔽。
【專(zhuān)利說(shuō)明】力矩傳感器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于檢測(cè)作用于扭桿的力矩的力矩傳感器。

【背景技術(shù)】
[0002]作為設(shè)于車(chē)輛的轉(zhuǎn)向裝置的力矩傳感器，已知有利用磁力檢測(cè)作用于轉(zhuǎn)向軸的轉(zhuǎn)向力矩的非接觸式力矩傳感器。
[0003]在JP2009 — 244205A中公開(kāi)了一種力矩傳感器,該力矩傳感器包括固定于輸入軸的磁場(chǎng)產(chǎn)生部、固定于輸出軸的旋轉(zhuǎn)磁路部、固定于殼體的固定磁路部、以及檢測(cè)被引導(dǎo)至固定磁路部的磁通密度的磁傳感器。
[0004]當(dāng)力矩作用于連結(jié)輸入軸與輸出軸的扭桿從而扭桿發(fā)生扭轉(zhuǎn)變形時(shí)，磁場(chǎng)產(chǎn)生部與旋轉(zhuǎn)磁路部的旋轉(zhuǎn)方向的相對(duì)位置變化。伴隨與此，自磁場(chǎng)產(chǎn)生部通過(guò)旋轉(zhuǎn)磁路部而引導(dǎo)至固定磁路部的磁通密度變化。磁傳感器輸出與磁通密度相對(duì)應(yīng)的信號(hào)。作用于扭桿的力矩根據(jù)自磁傳感器輸出的信號(hào)而被檢測(cè)到。
[0005]參照?qǐng)D23，對(duì)伴隨著扭桿的扭轉(zhuǎn)變形的磁通的路徑進(jìn)行說(shuō)明。旋轉(zhuǎn)磁路部與固定磁路部之間的磁通的路徑如圖23中直線箭頭所示那樣，是自磁場(chǎng)產(chǎn)生部的永磁體91的N極經(jīng)由旋轉(zhuǎn)磁路部的第I軟磁性環(huán)92、固定磁路部的第I集磁環(huán)(未圖示)、第I集磁磁軛93、第2集磁磁軛94、第2集磁環(huán)(未圖示)、旋轉(zhuǎn)磁路部的第2軟磁性環(huán)95而朝向永磁體91的S極的路徑。磁傳感器96配置于第I集磁磁軛93與第2集磁磁軛94之間。
[0006]這里，在旋轉(zhuǎn)磁路部中，如圖23中曲線箭頭所示，在第I軟磁性環(huán)92與第2軟磁性環(huán)95之間存在泄漏磁通。當(dāng)以裝置的小型化為目的使磁傳感器96靠近輸入輸出軸時(shí)，磁傳感器96暴露于旋轉(zhuǎn)磁路部的泄漏磁通并受到泄漏磁通的影響，因此力矩傳感器將產(chǎn)生檢測(cè)誤差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)而完成的，其目的在于提高力矩傳感器的檢測(cè)精度。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的某一方式，提供一種力矩傳感器，其用于檢測(cè)作用于扭桿的力矩，該扭桿將以旋轉(zhuǎn)自如的方式支承于殼體內(nèi)的第I軸與第2軸相連結(jié)，其中，該力矩傳感器包括:磁場(chǎng)產(chǎn)生部，其與上述第I軸一起旋轉(zhuǎn)；旋轉(zhuǎn)磁路部，其與上述第2軸一起旋轉(zhuǎn)；固定磁路部，其固定于上述殼體；磁檢測(cè)器，其用于檢測(cè)伴隨著上述扭桿的扭轉(zhuǎn)變形而自上述磁場(chǎng)產(chǎn)生部通過(guò)上述旋轉(zhuǎn)磁路部而引導(dǎo)到上述固定磁路部的磁通密度；以及屏蔽板，其配置于上述旋轉(zhuǎn)磁路部與上述磁檢測(cè)器之間，并將上述磁檢測(cè)器進(jìn)行磁屏蔽。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是應(yīng)用了本發(fā)明的第I實(shí)施方式的力矩傳感器的電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置的縱剖視圖。
[0010]圖2是圖1的局部放大圖。
[0011]圖3是磁場(chǎng)產(chǎn)生部的仰視圖。
[0012]圖4是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的力矩傳感器的立體圖，是去除殼體后的狀態(tài)的圖。
[0013]圖5是旋轉(zhuǎn)磁路部的立體圖。
[0014]圖6是傳感器保持件的立體圖。
[0015]圖7是集磁磁軛的立體圖。
[0016]圖8是表示磁通的路徑的圖，實(shí)線箭頭表示正規(guī)的磁通的路徑，虛線箭頭表示泄漏磁通的路徑。
[0017]圖9是表示泄漏磁通的影響所引起的力矩傳感器的檢測(cè)誤差的圖表。
[0018]圖10是應(yīng)用了本發(fā)明的第2實(shí)施方式的力矩傳感器的電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置的局部縱首1J視圖。
[0019]圖11是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的力矩傳感器的立體圖，是去除殼體后的狀態(tài)的圖。
[0020]圖12是傳感器保持件的立體圖。
[0021]圖13是集磁磁軛的立體圖。
[0022]圖14是應(yīng)用了本發(fā)明的第3實(shí)施方式的力矩傳感器的電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置的縱剖視圖。
[0023]圖15是圖14的局部放大圖。
[0024]圖16是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的力矩傳感器的立體圖，是去除殼體后的狀態(tài)的圖。
[0025]圖17是殼體的立體圖。
[0026]圖18是集磁環(huán)的立體圖。
[0027]圖19是應(yīng)用了本發(fā)明的第4實(shí)施方式的力矩傳感器的電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置的局部縱首1J視圖。
[0028]圖20是本發(fā)明的第4實(shí)施方式的力矩傳感器的立體圖，是去除殼體后的狀態(tài)的圖。
[0029]圖21是殼體的立體圖。
[0030]圖22是集磁環(huán)的立體圖。
[0031]圖23是表示正規(guī)的磁通的路徑以及泄漏磁通的路徑的圖，直線箭頭表示正規(guī)的磁通的路徑，曲線箭頭表示泄漏磁通的路徑。

【具體實(shí)施方式】
[0032]參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0033]<第I實(shí)施方式>
[0034]參照?qǐng)D1?圖9對(duì)本發(fā)明的第I實(shí)施方式的力矩傳感器100進(jìn)行說(shuō)明。
[0035]首先，參照?qǐng)D1對(duì)應(yīng)用了本發(fā)明的第I實(shí)施方式的力矩傳感器100的電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置I進(jìn)行說(shuō)明。
[0036]電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置I使轉(zhuǎn)向軸10與輸出軸12聯(lián)動(dòng)于轉(zhuǎn)向盤(pán)而旋轉(zhuǎn)，使與設(shè)于輸出軸12的下端的小齒輪嚙合的齒條軸沿軸向移動(dòng)從而使車(chē)輪轉(zhuǎn)向。
[0037]另外，電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置I作為輔助性施加轉(zhuǎn)向力矩的輔助機(jī)構(gòu)，包括連結(jié)于輸出軸12的蝸輪、與蝸輪嚙合的蝸桿、以及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)蝸桿的電動(dòng)馬達(dá)。電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置I通過(guò)電動(dòng)馬達(dá)向輸出軸12施加轉(zhuǎn)向輔助力矩。
[0038]轉(zhuǎn)向軸10由作為第I軸的輸入軸11和連結(jié)于輸入軸11的扭桿21構(gòu)成。輸入軸
11借助滾動(dòng)軸承37以旋轉(zhuǎn)自如的方式支承于殼體30。作為第2軸的輸出軸12借助滾動(dòng)軸承38以旋轉(zhuǎn)自如的方式支承于殼體49。在輸入軸11的下端側(cè)與輸出軸12的上端側(cè)之間安裝滑動(dòng)軸承39。輸入軸11與輸出軸12以在同一軸上旋轉(zhuǎn)自如的方式支承于殼體30、49。
[0039]輸入軸11形成為圓筒狀，在輸入軸11的內(nèi)部同軸地收納有扭桿21。扭桿21的上端部借助銷(xiāo)28而連結(jié)于輸入軸11的上端部。扭桿21的下端部自輸入軸11的下端開(kāi)口部突出，并借助梳狀齒29而連結(jié)于輸出軸12。扭桿21將經(jīng)由轉(zhuǎn)向盤(pán)輸入至輸入軸11的轉(zhuǎn)向力矩傳遞到輸出軸12，并且扭桿21對(duì)應(yīng)于該轉(zhuǎn)向力矩以旋轉(zhuǎn)軸線O為中心進(jìn)行扭轉(zhuǎn)變形。
[0040]在電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置I中設(shè)有非接觸式的力矩傳感器100，該力矩傳感器100用于檢測(cè)作用于將輸入軸11與輸出軸12之間連結(jié)的扭桿21的轉(zhuǎn)向力矩。以下，對(duì)力矩傳感器100進(jìn)行說(shuō)明。
[0041]力矩傳感器100包括:磁場(chǎng)產(chǎn)生部22,其固定于輸入軸11,且與輸入軸11 一起旋轉(zhuǎn)；旋轉(zhuǎn)磁路部25，其固定于輸出軸12，且與輸出軸12 —起旋轉(zhuǎn)；固定磁路部31，其固定于殼體30 ;以及作為磁檢測(cè)器的磁傳感器48,其檢測(cè)伴隨著扭桿21的扭轉(zhuǎn)變形而自磁場(chǎng)產(chǎn)生部22通過(guò)旋轉(zhuǎn)磁路部25引導(dǎo)至固定磁路部31的磁通密度。力矩傳感器100基于磁傳感器48的輸出而檢測(cè)作用于扭桿21的轉(zhuǎn)向力矩。
[0042]也可以取代上述結(jié)構(gòu)，將磁場(chǎng)產(chǎn)生部22以與輸出軸12 —起旋轉(zhuǎn)的方式固定于輸出軸12，將旋轉(zhuǎn)磁路部25以與輸入軸11 一起旋轉(zhuǎn)的方式固定于輸入軸11。
[0043]如圖1?圖3所示，磁場(chǎng)產(chǎn)生部22包括壓入輸入軸11的環(huán)狀的背磁軛24和結(jié)合于背磁軛24的下端面的環(huán)狀的環(huán)形磁體23。
[0044]環(huán)形磁體23是在輸入軸11的旋轉(zhuǎn)軸線O方向上產(chǎn)生磁場(chǎng)的環(huán)狀的永磁體。環(huán)形磁體23是通過(guò)朝向旋轉(zhuǎn)軸線O方向磁化硬磁體而形成的多極磁體，具有沿周向以相等的寬度形成的12個(gè)磁極。換言之，在環(huán)形磁體23的上端面以及下端面沿周向交替配設(shè)有6個(gè)N極與6個(gè)S極。形成于環(huán)形磁體23的端面的磁極數(shù)在兩個(gè)以上的范圍內(nèi)可任意設(shè)定。
[0045]背磁軛24在其下端面借助粘合劑而固定環(huán)形磁體23的上端面即上部磁極面。另夕卜，由于背磁軛24由軟磁體形成，因此該背磁軛24在環(huán)形磁體23所帶來(lái)的磁場(chǎng)作用下被磁化，從而吸附于環(huán)形磁體23。如此，環(huán)形磁體23與背磁軛24利用粘合劑的粘合力與磁力結(jié)合。背磁軛24具有作為將環(huán)形磁體23連結(jié)于輸入軸11的連結(jié)構(gòu)件的功能、以及作為結(jié)合環(huán)形磁體23的相鄰磁極來(lái)引導(dǎo)磁通的軛鐵的功能，使磁力集中于環(huán)形磁體23的下端面即下部磁極面。
[0046]如圖1、圖2、圖4、以及圖5所示，旋轉(zhuǎn)磁路部25包括:第I軟磁性環(huán)26以及第2軟磁性環(huán)27，自磁場(chǎng)產(chǎn)生部22的環(huán)形磁體23產(chǎn)生的磁通被引導(dǎo)至該第I軟磁性環(huán)26以及該第2軟磁性環(huán)27 ;安裝構(gòu)件70，其安裝于輸出軸12 ；以及模制樹(shù)脂71，其將第I軟磁性環(huán)26以及第2軟磁性環(huán)27固定于安裝構(gòu)件70。
[0047]第I軟磁性環(huán)26包括環(huán)狀的第I磁路環(huán)部26C、自第I磁路環(huán)部26C朝下突出的6個(gè)第I磁路柱部26B、自各第I磁路柱部26B的下端分別朝內(nèi)彎折并與環(huán)形磁體23的下端面相對(duì)的第I磁路頂端部26A。第2軟磁性環(huán)27包括環(huán)狀的第2磁路環(huán)部27C、自第2磁路環(huán)部27C朝上突出的6個(gè)第2磁路柱部27B、自各第2磁路柱部27B的上端分別朝內(nèi)彎折并與環(huán)形磁體23的下端面相對(duì)的第2磁路頂端部27A。
[0048]第I軟磁性環(huán)26以及第2軟磁性環(huán)27分別通過(guò)沖壓加工而形成。第I軟磁性環(huán)26以及第2軟磁性環(huán)27并不局限于沖壓加工，也可以通過(guò)鑄造、燒結(jié)等形成。
[0049]第I磁路頂端部26A以及第2磁路頂端部27A形成為平板狀。第I磁路頂端部26A與第2磁路頂端部27A在與扭桿21的旋轉(zhuǎn)軸線O正交的同一平面上以旋轉(zhuǎn)軸線O為中心沿周向隔開(kāi)相等間隔交替配置。
[0050]另外，第I磁路頂端部26A與第2磁路頂端部27A配置為，在力矩不作用于扭桿21的中立狀態(tài)下，第I磁路頂端部26A與第2磁路頂端部27A的沿扭桿21的徑向延伸的各自的中心線指向環(huán)形磁體23的N極與S極的交界。
[0051]第I磁路柱部26B與第2磁路柱部27B分別形成為平板狀，并沿旋轉(zhuǎn)軸線O方向延伸設(shè)置。第I磁路柱部26B以隔開(kāi)預(yù)定的間隙而包圍環(huán)形磁體23的外周面的方式配置。第I磁路柱部26B以使環(huán)形磁體23的磁通不會(huì)短路的方式設(shè)置。另外，第2磁路柱部27B沿旋轉(zhuǎn)軸線O向與第I磁路柱部26B相反的方向延伸設(shè)置。
[0052]第I磁路環(huán)部26C以及第2磁路環(huán)部27C配置在與旋轉(zhuǎn)軸線O正交的平面上，并形成整周相連的環(huán)狀。第I磁路環(huán)部26C以及第2磁路環(huán)部27C并不局限于該形狀，也可以是局部形成有狹縫的C字形狀。
[0053]第I磁路環(huán)部26C配置在比環(huán)形磁體23的下端面靠上方的位置，第2磁路環(huán)部27C配置在比環(huán)形磁體23靠下方的位置。換言之，環(huán)形磁石23在旋轉(zhuǎn)軸線O方向上配置于第I磁路環(huán)部26C與第2磁路環(huán)部27C之間。
[0054]如圖1、圖2、圖4、圖6、以及圖7所示，固定磁路部31包括:第I集磁環(huán)32，其沿第I軟磁性環(huán)26的第I磁路環(huán)部26C的外周設(shè)置；第2集磁環(huán)33，其沿第2軟磁性環(huán)27的第2磁路環(huán)部27C的外周設(shè)置；第I集磁磁軛34，其連接于第I集磁環(huán)32 ；以及第2集磁磁軛35，其連接于第2集磁環(huán)33。此外，在圖4中省略了第I集磁環(huán)32以及第2集磁環(huán)33的一部分的圖不。
[0055]第I集磁環(huán)32以及第2集磁環(huán)33呈局部形成有狹縫的C字形狀，并鉚接固定于殼體30的內(nèi)周面。第I集磁環(huán)32的內(nèi)周面與第I軟磁性環(huán)26的第I磁路環(huán)部26C相對(duì)，第2集磁環(huán)33的內(nèi)周面與第2軟磁性環(huán)27的第2磁路環(huán)部27C相對(duì)。
[0056]如此，第I集磁環(huán)32以及第2集磁環(huán)33配置于旋轉(zhuǎn)磁路部25的外周，具有緩和旋轉(zhuǎn)磁路部25的旋轉(zhuǎn)振擺、偏心的影響而向磁傳感器48側(cè)引導(dǎo)磁通的功能。
[0057]第I集磁磁軛34形成為具有與第I集磁環(huán)32的外周面抵接的圓弧狀內(nèi)周面34a的塊狀，第2集磁磁軛35形成為具有與第2集磁環(huán)33的外周面抵接的圓弧狀內(nèi)周面35a的塊狀。
[0058]在第I集磁磁軛34沿旋轉(zhuǎn)軸線O方向延伸設(shè)置有一對(duì)集磁凸部34b，在第2集磁磁軛35也沿旋轉(zhuǎn)軸線O方向延伸設(shè)置有一對(duì)集磁凸部35b。第I集磁磁軛34的一對(duì)集磁凸部34b與第2集磁磁軛35的一對(duì)集磁凸部35b以預(yù)定的縫隙即磁隙而彼此相對(duì)。換言之，在第I集磁磁軛34與第2集磁磁軛35之間形成有沿周向排列的一對(duì)磁隙。在各個(gè)磁隙內(nèi)設(shè)置磁傳感器48。
[0059]第I集磁磁軛34以及第2集磁磁軛35具有將來(lái)自旋轉(zhuǎn)磁路部25的磁通經(jīng)由第I集磁環(huán)32以及第2集磁環(huán)33向磁傳感器48聚集的功能。
[0060]第I集磁磁軛34、第2集磁磁軛35、磁傳感器48、以及基板47借助模制樹(shù)脂固定于傳感器保持件40。樹(shù)脂制的傳感器保持件40的圓筒部40a插入到殼體30的開(kāi)口部30a中，并且借助插入緊固孔40b中的螺栓而安裝于金屬制的殼體30。
[0061]在用于檢測(cè)磁場(chǎng)的磁傳感器48中使用了霍爾元件。霍爾元件將與通過(guò)該霍爾元件的磁通密度相對(duì)應(yīng)的電壓作為信號(hào)而輸出。磁傳感器48將與磁隙的磁場(chǎng)的大小以及方向相對(duì)應(yīng)的電壓通過(guò)基板47以及端子44而輸出。端子44借助連接于傳感器保持件40的布線而與控制器連接。也可以在磁傳感器48中使用具有放大霍爾元件的信號(hào)的電路、進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)碾娐贰⒁约办o噪濾波器的電路等的磁傳感器。
[0062]磁傳感器48與形成于第I集磁磁軛34與第2集磁磁軛35之間并沿周向排列的一對(duì)磁隙相對(duì)應(yīng)地設(shè)有一對(duì)，一方為主系統(tǒng)，另一方為副系統(tǒng)。在電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置I的電動(dòng)馬達(dá)的控制中使用自主系統(tǒng)的磁傳感器48輸出的輸出電壓。自副系統(tǒng)的磁傳感器48輸出的輸出電壓是為了用控制器診斷力矩傳感器100的異常而使用的。具體而言，控制器比較用主系統(tǒng)檢測(cè)出的轉(zhuǎn)向力矩與用副系統(tǒng)檢測(cè)出的轉(zhuǎn)向力矩，在判斷為它們的差為預(yù)先確定的容許差以上的情況下，判定為力矩傳感器100已產(chǎn)生異常。
[0063]接下來(lái)，對(duì)利用力矩傳感器100檢測(cè)作用于扭桿21的轉(zhuǎn)向力矩的檢測(cè)方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0064]在力矩未作用于扭桿21的中立狀態(tài)下，第I軟磁性環(huán)26的第I磁路頂端部26A與第2軟磁性環(huán)27的第2磁路頂端部27A分別以相同面積與環(huán)形磁體23的N極以及S極相對(duì)，使兩者磁短路。因此，磁通無(wú)法被引導(dǎo)至旋轉(zhuǎn)磁路部25與固定磁路部31。
[0065]在通過(guò)駕駛員操作轉(zhuǎn)向盤(pán)而使指定方向的力矩作用于扭桿21的情況下，扭桿12根據(jù)該力矩的方向而扭轉(zhuǎn)變形。當(dāng)扭桿21扭轉(zhuǎn)變形時(shí)，第I磁路頂端部26A以比S極大的面積與N極相對(duì)，另一方面，第2磁路頂端部27A以比N極大的面積與S極相對(duì)。來(lái)自環(huán)形磁體23的磁通通過(guò)旋轉(zhuǎn)磁路部25而引導(dǎo)至固定磁路部31。具體而言，是自N極經(jīng)由第I軟磁性環(huán)26、第I集磁環(huán)32、第I集磁磁軛34、第2集磁磁軛35、第2集磁環(huán)33、第2軟磁性環(huán)27而朝向S極的路徑。設(shè)置于第I集磁磁軛34與第2集磁磁軛35之間的磁隙的磁傳感器48輸出與磁通的大小以及方向相對(duì)應(yīng)的信號(hào)。
[0066]另一方面，在通過(guò)駕駛員操作轉(zhuǎn)向盤(pán)而使與上述相反方向的力矩作用于扭桿21的情況下，扭桿21根據(jù)該力矩的方向而向相反方向扭轉(zhuǎn)變形。當(dāng)扭桿12扭轉(zhuǎn)變形時(shí)，第I磁路頂端部26A以比N極大的面積與S極相對(duì)，另一方面,第2磁路頂端部27A以比S極大的面積與N極相對(duì)。來(lái)自環(huán)形磁體23的磁通通過(guò)旋轉(zhuǎn)磁路部25而引導(dǎo)至固定磁路部31,成為與上述相反的路徑。具體而言，是自N極經(jīng)由第2軟磁性環(huán)27、第2集磁環(huán)33、第2集磁磁軛35、第I集磁磁軛34、第I集磁環(huán)32、第I軟磁性環(huán)26而朝向S極的路徑。設(shè)置于第I集磁磁軛34與第2集磁磁軛35之間的磁隙的磁傳感器48輸出與磁通的大小以及方向相對(duì)應(yīng)的信號(hào)。
[0067]第I磁路頂端部26A與環(huán)形磁體23的N極和S極相對(duì)的面積差、以及第2磁路頂端部27A與環(huán)形磁體23的N極和S極相對(duì)的面積差越大，引導(dǎo)到磁隙的磁通越大，磁傳感器48的輸出信號(hào)也增大。因此，通過(guò)增加環(huán)形磁體23的磁極數(shù)，能夠提高引導(dǎo)至磁傳感器48的磁通密度。
[0068]這里，參照?qǐng)D8、圖9、以及圖23對(duì)旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通進(jìn)行說(shuō)明。
[0069]圖8是表示扭桿21扭轉(zhuǎn)變形，第I軟磁性環(huán)26的第I磁路頂端部26A以比S極大的面積與N極相對(duì)，第2軟磁性環(huán)27的第2磁路頂端部27A以比N極大的面積與S極相對(duì)時(shí)的磁通路徑的圖，實(shí)線箭頭表示正規(guī)的磁通的路徑，虛線箭頭表示泄漏磁通的路徑。
[0070]泄漏磁通自第I軟磁性環(huán)26繞過(guò)磁傳感器48而被引導(dǎo)至第2軟磁性環(huán)27。如此，獨(dú)立于正規(guī)的磁通的路徑，在旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)存在使第I軟磁性環(huán)26與第2軟磁性環(huán)27短路的泄漏磁通的路徑(圖23中曲線的箭頭所示的路徑)。由于泄漏磁通的路徑自環(huán)形磁體23的N極通過(guò)第I軟磁性環(huán)26以及第2軟磁性環(huán)27而朝向S極，因此僅存在磁極數(shù)量的泄漏磁通的路徑。在本實(shí)施方式中，環(huán)形磁體23具有6對(duì)N極與S極，因此使第I軟磁性環(huán)26與第2軟磁性環(huán)27短路的磁通的路徑存在6個(gè)。
[0071]圖9是表示泄漏磁通影響下的力矩傳感器100的檢測(cè)誤差的圖表。圖9的橫軸是輸入軸11的旋轉(zhuǎn)角度，縱軸是力矩傳感器100所檢測(cè)出的轉(zhuǎn)向力矩(檢測(cè)力矩)。另外，圖9中實(shí)線是主系統(tǒng)的檢測(cè)力矩，虛線是副系統(tǒng)的檢測(cè)力矩。
[0072]圖9是表示以作用于扭桿21的轉(zhuǎn)向力矩恒定的方式使輸入軸11旋轉(zhuǎn)一圈時(shí)的力矩傳感器100的檢測(cè)力矩。作用于扭桿21的轉(zhuǎn)向力矩恒定，因此本來(lái)的話力矩傳感器100的檢測(cè)力矩必須恒定。但是，力矩傳感器100的檢測(cè)力矩如圖9所示那樣以60°周期變化。這是因?yàn)?，使第I軟磁性環(huán)26與第2軟磁性環(huán)27短路的泄漏磁通的路徑如上述那樣存在6個(gè)，該6個(gè)泄漏磁通伴隨著輸入軸11的旋轉(zhuǎn)而變得大小不均進(jìn)而被檢測(cè)出。如此，力矩傳感器100檢測(cè)出取決于輸入軸11的旋轉(zhuǎn)角度的泄漏磁通的變化，換言之，也檢測(cè)出與扭桿14的扭轉(zhuǎn)變形無(wú)關(guān)的泄漏磁通的變化。
[0073]當(dāng)磁傳感器48獲取與扭桿14的扭轉(zhuǎn)變形無(wú)關(guān)的泄漏磁通的變化(誤差成分)時(shí)，磁傳感器48檢測(cè)出在伴隨著扭桿14的扭轉(zhuǎn)變形的實(shí)際磁通密度中重疊有與扭桿14的扭轉(zhuǎn)變形無(wú)關(guān)的泄漏磁通的變化的磁通密度，在力矩傳感器100中產(chǎn)生檢測(cè)誤差。當(dāng)在力矩傳感器100中產(chǎn)生檢測(cè)誤差時(shí)，利用電動(dòng)馬達(dá)施加于輸出軸12的轉(zhuǎn)向輔助力矩將產(chǎn)生誤差。因此，在利用電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置I謀求精度較高的控制的情況下，需要防止與扭桿14的扭轉(zhuǎn)變形無(wú)關(guān)的泄漏磁通的變化所引起的力矩傳感器100的檢測(cè)誤差。
[0074]作為其對(duì)策，如圖2、圖4、圖6、以及圖7所示，在旋轉(zhuǎn)磁路部25與磁傳感器48之間配置屏蔽板50,該屏蔽板50用于在第I集磁磁軛34與第2集磁磁軛35之間引導(dǎo)泄漏磁通，并將磁傳感器48相對(duì)于泄漏磁通進(jìn)行磁屏蔽。
[0075]屏蔽板50呈具有與第I集磁磁軛34以及第2集磁磁軛35的內(nèi)周面34a、35a大致相同的曲率半徑的圓弧形狀，屏蔽板50由磁性材料、具體而言為軟磁體形成。
[0076]屏蔽板50與第I集磁磁軛34以及第2集磁磁軛35 —起借助模制樹(shù)脂一體成型于傳感器保持件40 (參照?qǐng)D6)。具體而言，屏蔽板50形成于第I集磁磁軛34以及第2集磁磁軛35之間并固定于支承兩者的模制樹(shù)脂51 (參照?qǐng)D2)。屏蔽板50與模制樹(shù)脂51通過(guò)嵌入成型或者注塑成形而一體成型。
[0077]屏蔽板50以內(nèi)周面50a與內(nèi)周面34a、35a處于同一面上的方式、并且在第I集磁磁軛34與第2集磁磁軛35之間與兩者隔開(kāi)預(yù)定的縫隙52、53而配置。
[0078]通過(guò)在第I集磁磁軛34與第2集磁磁軛35之間配置屏蔽板50，使得旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通被引導(dǎo)到屏蔽板50而不能到達(dá)磁傳感器48。如此，由于在屏蔽板50的作用下相對(duì)于旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通被磁屏蔽，因此磁傳感器48不會(huì)受到與扭桿14的扭轉(zhuǎn)變形無(wú)關(guān)的泄漏磁通的變化的影響。因此，力矩傳感器100的檢測(cè)誤差消失，力矩傳感器100的檢測(cè)精度提高。
[0079]當(dāng)屏蔽板50與第I集磁磁軛34之間的縫隙52以及屏蔽板50與第2集磁磁軛35之間的縫隙53過(guò)小時(shí)，第I集磁磁軛34與第2集磁磁軛35經(jīng)由屏蔽板50而短路，磁傳感器48所檢測(cè)出的磁通密度將降低。因此，縫隙52、53設(shè)定為如下尺寸:能夠抑制磁傳感器48的檢測(cè)磁通密度的降低、并且能夠?qū)⒋艂鞲衅?8相對(duì)于旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通進(jìn)行磁屏蔽的尺寸。
[0080]根據(jù)以上的第I實(shí)施方式，起到以下所示的效果。
[0081 ] 通過(guò)在第I集磁磁軛34與第2集磁磁軛35之間設(shè)置屏蔽板50，旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通被屏蔽板55引導(dǎo)而自第I集磁磁軛34向第2集磁磁軛35或者自第2集磁磁軛35向第I集磁磁軛34并繞過(guò)磁傳感器48而被引導(dǎo)。如此，由于旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通不能到達(dá)磁傳感器48，因此磁傳感器48不會(huì)受到與扭桿14的扭轉(zhuǎn)變形無(wú)關(guān)的泄漏磁通的變化的影響。因此，不再存在旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通所引起的力矩傳感器100的檢測(cè)誤差，力矩傳感器100的檢測(cè)精度提高。
[0082]另外，由于通過(guò)設(shè)置屏蔽板50而消除旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通所引起的力矩傳感器100的檢測(cè)誤差，因此能夠?qū)⒋艂鞲衅?8靠近輸入輸出軸11、12而配置，能夠使力矩傳感器100小型化。
[0083]<第2實(shí)施方式>
[0084]接下來(lái)，參照?qǐng)D10?圖13對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式的力矩傳感器200進(jìn)行說(shuō)明。以下，僅對(duì)與上述第I實(shí)施方式不同的點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)與第I實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略說(shuō)明。
[0085]力矩傳感器200與上述第I實(shí)施方式的不同之處在于，用于在第I集磁磁軛34與第2集磁磁軛35之間引導(dǎo)泄漏磁通的屏蔽板60的結(jié)構(gòu)。在上述第I實(shí)施方式中，屏蔽板50獨(dú)立于第I集磁磁軛34以及第2集磁磁軛35地形成，但是力矩傳感器200中的屏蔽板60與第I集磁磁軛34以及第2集磁磁軛35—體地形成。以下，對(duì)屏蔽板60進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0086]第I集磁磁軛34以及第2集磁磁軛35分別具有延長(zhǎng)其局部而形成的第I延長(zhǎng)部34c以及第2延長(zhǎng)部35c。第I延長(zhǎng)部34c與第2延長(zhǎng)部35c向彼此靠近的方向延長(zhǎng)而形成，并隔開(kāi)預(yù)定的縫隙61而相對(duì)配置。
[0087]屏蔽板60由隔開(kāi)預(yù)定的縫隙61而相對(duì)配置的第I延長(zhǎng)部34c與第2延長(zhǎng)部35c構(gòu)成，并配置于旋轉(zhuǎn)磁路部25與磁傳感器48之間。屏蔽板60具有與上述第I實(shí)施方式中的屏蔽板50相同的功能。換言之，屏蔽板60在第I集磁磁軛34與第2集磁磁軛35之間引導(dǎo)泄漏磁通，并將磁傳感器48相對(duì)于泄漏磁通進(jìn)行磁屏蔽。
[0088]與上述第I實(shí)施方式相同，第I延長(zhǎng)部34c與第2延長(zhǎng)部35c的縫隙61被設(shè)定為如下尺寸:能夠抑制磁傳感器48的檢測(cè)磁通密度的降低、并且能夠?qū)⒋艂鞲衅?8相對(duì)于旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通進(jìn)行磁屏蔽的尺寸。
[0089]根據(jù)以上的第2實(shí)施方式，起到以下所示的效果。
[0090]通過(guò)設(shè)置與第I集磁磁軛34以及第2集磁磁軛35 —體地形成的屏蔽板55，使得旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通被屏蔽板55引導(dǎo)而自第I集磁磁軛34向第2集磁磁軛35或者自第2集磁磁軛35向第I集磁磁軛34并繞過(guò)磁傳感器48被引導(dǎo)。如此，由于旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通不能到達(dá)磁傳感器48，因此磁傳感器48不會(huì)受到與扭桿14的扭轉(zhuǎn)變形無(wú)關(guān)的泄漏磁通的變化的影響。因此，不再存在旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通所引起的力矩傳感器100的檢測(cè)誤差，力矩傳感器100的檢測(cè)精度提高。
[0091]另外，由于通過(guò)設(shè)置屏蔽板60而消除旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通所引起的力矩傳感器200的檢測(cè)誤差，因此能夠?qū)⒋艂鞲衅?8靠近輸入輸出軸11、12而配置，能夠使力矩傳感器200小型化。
[0092]而且，由于屏蔽板60由將第I集磁磁軛34以及第2集磁磁軛35的局部延長(zhǎng)而成的第I延長(zhǎng)部34c與第2延長(zhǎng)部35c構(gòu)成，因此與屏蔽板50獨(dú)立于第I集磁磁軛34以及第2集磁磁軛35地設(shè)置的上述第I實(shí)施方式的力矩傳感器100相比較，能夠減少部件數(shù)量。
[0093]<第3實(shí)施方式>
[0094]接下來(lái)，參照?qǐng)D14?圖18對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施方式的力矩傳感器300進(jìn)行說(shuō)明。以下，僅對(duì)與上述第I實(shí)施方式不同的點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)與第I實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略說(shuō)明。
[0095]在旋轉(zhuǎn)磁路部25與磁傳感器48之間配置屏蔽板55,該屏蔽板55用于在第I集磁環(huán)32與第2集磁環(huán)33之間引導(dǎo)泄漏磁通，并將磁傳感器48相對(duì)于泄漏磁通進(jìn)行磁屏蔽。
[0096]屏蔽板55呈具有與第I集磁環(huán)32以及第2集磁環(huán)33大致相同的曲率半徑的圓弧形狀，并具有與第I集磁環(huán)32以及第2集磁環(huán)33大致相同的厚度。屏蔽板55由磁性材料、具體而言為軟磁體形成。
[0097]屏蔽板55與殼體30—體成型。具體而言,屏蔽板55固定于如圖6所不那樣以結(jié)合于殼體30的開(kāi)口部30a的內(nèi)周面并橫截開(kāi)口部30a的方式形成的樹(shù)脂件56。屏蔽板55與樹(shù)脂件56通過(guò)嵌入成型或者注塑成形而一體成型。在屏蔽板55的兩端部形成有缺口55a,該缺口 55a用于在一體成型屏蔽板55與樹(shù)脂件56時(shí)、供用于對(duì)屏蔽板55進(jìn)行定位的銷(xiāo)嵌入。
[0098]也可以取代將屏蔽板55與殼體30 —體成型,而將屏蔽板55與傳感器保持件40一體成型。在該情況下，屏蔽板55形成于第I集磁磁軛34以及第2集磁磁軛35之間并固定于支承兩者的模制樹(shù)脂51 (參照?qǐng)D2)。
[0099]屏蔽板55在第I集磁環(huán)32與第2集磁環(huán)33之間與兩者隔開(kāi)預(yù)定的縫隙57、58而配置。
[0100]通過(guò)在第I集磁環(huán)32與第2集磁環(huán)33之間配置屏蔽板55，使得旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通被屏蔽板55引導(dǎo)而不能到達(dá)磁傳感器48。如此，由于在屏蔽板55的作用下相對(duì)于旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通被磁屏蔽，因此磁傳感器48不會(huì)受到與扭桿14的扭轉(zhuǎn)變形無(wú)關(guān)的泄漏磁通的變化的影響。因此，力矩傳感器300的檢測(cè)誤差消失，力矩傳感器300的檢測(cè)精度提聞。
[0101]當(dāng)屏蔽板55與第I集磁環(huán)32之間的縫隙57以及屏蔽板55與第2集磁環(huán)33之間的縫隙58過(guò)小時(shí)，第I集磁環(huán)32與第2集磁環(huán)33經(jīng)由屏蔽板55而短路，磁傳感器48所檢測(cè)出的磁通密度降低。因此，縫隙57、58設(shè)定為如下尺寸:能夠抑制磁傳感器48的檢測(cè)磁通密度的降低、并且能夠?qū)⒋艂鞲衅?8相對(duì)于旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通進(jìn)行磁屏蔽的尺寸。
[0102]根據(jù)以上的第3實(shí)施方式，起到以下所示的效果。
[0103]通過(guò)在第I集磁環(huán)32與第2集磁環(huán)33之間設(shè)置屏蔽板55，旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通被屏蔽板55引導(dǎo)而自第I集磁環(huán)32向第2集磁環(huán)33或者自第2集磁環(huán)33向第I集磁環(huán)32并繞過(guò)磁傳感器48而被引導(dǎo)。如此，由于旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通不能到達(dá)磁傳感器48，因此磁傳感器48不會(huì)受到與扭桿14的扭轉(zhuǎn)變形無(wú)關(guān)的泄漏磁通的變化的影響。因此，不再存在旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通所引起的力矩傳感器300的檢測(cè)誤差，力矩傳感器300的檢測(cè)精度提高。
[0104]另外，由于通過(guò)設(shè)置屏蔽板55而消除旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通所引起的力矩傳感器300的檢測(cè)誤差，因此能夠?qū)⒋艂鞲衅?8靠近輸入輸出軸11、12而配置，能夠使力矩傳感器300小型化。
[0105]<第4實(shí)施方式>
[0106]接下來(lái)，參照?qǐng)D19?圖22對(duì)本發(fā)明的第4實(shí)施方式的力矩傳感器400進(jìn)行說(shuō)明。以下，僅對(duì)與上述第3實(shí)施方式不同的點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)與第3實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略說(shuō)明。
[0107]力矩傳感器400與上述第3實(shí)施方式的不同之處在于，用于在第I集磁環(huán)32與第2集磁環(huán)33之間引導(dǎo)泄漏磁通的屏蔽板65的結(jié)構(gòu)。在上述第3實(shí)施方式中，屏蔽板55獨(dú)立于第I集磁環(huán)32與第2集磁環(huán)33地形成，但是力矩傳感器400中的屏蔽板65與第I集磁環(huán)32以及第2集磁環(huán)33 —體地形成。以下對(duì)屏蔽板65進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0108]第I集磁環(huán)32以及第2集磁環(huán)33分別具有延長(zhǎng)其局部而形成的第I延長(zhǎng)部32a以及第2延長(zhǎng)部33a。第I延長(zhǎng)部32a與第2延長(zhǎng)部33a向彼此靠近的方向延長(zhǎng)而形成，并隔開(kāi)預(yù)定的縫隙66而相對(duì)配置。
[0109]屏蔽板65由隔開(kāi)預(yù)定的縫隙66而相對(duì)配置的第I延長(zhǎng)部32a與第2延長(zhǎng)部33a構(gòu)成，并配置于旋轉(zhuǎn)磁路部25與磁傳感器48之間。屏蔽板65具有與上述第I實(shí)施方式中的屏蔽板55相同的功能。換言之，屏蔽板65在第I集磁環(huán)32與第2集磁環(huán)33之間引導(dǎo)泄漏磁通，并將磁傳感器48相對(duì)于泄漏磁通進(jìn)行磁屏蔽。
[0110]與上述第I實(shí)施方式相同，第I延長(zhǎng)部32a與第2延長(zhǎng)部33a的縫隙66設(shè)定為如下尺寸:能夠抑制磁傳感器48的檢測(cè)磁通密度的降低、并且能夠?qū)⒋艂鞲衅?8相對(duì)于旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通磁進(jìn)行屏蔽的尺寸。
[0111]根據(jù)以上的第4實(shí)施方式，起到以下所示的效果。
[0112]通過(guò)設(shè)置與第I集磁環(huán)32以及第2集磁環(huán)33 —體地形成的屏蔽板55，使得旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通被屏蔽板55引導(dǎo)而自第I集磁環(huán)32向第2集磁環(huán)33或者自第2集磁環(huán)33向第I集磁環(huán)32并繞過(guò)磁傳感器48被引導(dǎo)。如此，由于旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通不能到達(dá)磁傳感器48，因此磁傳感器48不會(huì)受到與扭桿14的扭轉(zhuǎn)變形無(wú)關(guān)的泄漏磁通的變化的影響。因此，不再存在旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通所引起的力矩傳感器400的檢測(cè)誤差，力矩傳感器400的檢測(cè)精度提高。
[0113]另外，由于通過(guò)設(shè)置屏蔽板65而消除旋轉(zhuǎn)磁路部25內(nèi)的泄漏磁通所引起的力矩傳感器400的檢測(cè)誤差，因此能夠?qū)⒋艂鞲衅?8靠近輸入輸出軸11、12而配置，能夠使力矩傳感器400小型化。
[0114]而且，由于屏蔽板65由將第I集磁環(huán)32以及第2集磁環(huán)33的局部延長(zhǎng)而成的第I延長(zhǎng)部32a與第2延長(zhǎng)部33a構(gòu)成，因此與屏蔽板55獨(dú)立于第I集磁環(huán)32以及第2集磁環(huán)33地設(shè)置的上述第3實(shí)施方式的力矩傳感器300相比較，能夠減少部件數(shù)量。
[0115]以上，說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但上述實(shí)施方式僅示出了本發(fā)明的應(yīng)用例的一部分，其宗旨并不在于將本發(fā)明的技術(shù)范圍限定于上述實(shí)施方式的具體結(jié)構(gòu)。
[0116]本申請(qǐng)基于2012年3月22日向日本國(guó)特許廳提出申請(qǐng)的特愿2012 — 65755以及2012年3月22日向日本國(guó)特許廳提出申請(qǐng)的特愿2012 — 65765要求優(yōu)先權(quán)，并將這些申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容以參照的方式引入到本說(shuō)明書(shū)中。
[0117]工業(yè)上的可利用性
[0118]本發(fā)明能夠用作電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置所使用的力矩傳感器，該電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向裝置用于輔助駕駛員施加于方向盤(pán)的轉(zhuǎn)向力。
【權(quán)利要求】
1.一種力矩傳感器，其用于檢測(cè)作用于扭桿的力矩，該扭桿將以旋轉(zhuǎn)自如的方式支承于殼體內(nèi)的第I軸與第2軸相連結(jié)，其中，該力矩傳感器包括: 磁場(chǎng)產(chǎn)生部，其與上述第I軸一起旋轉(zhuǎn)； 旋轉(zhuǎn)磁路部，其與上述第2軸一起旋轉(zhuǎn)； 固定磁路部，其固定于上述殼體； 磁檢測(cè)器，其用于檢測(cè)伴隨著上述扭桿的扭轉(zhuǎn)變形而自上述磁場(chǎng)產(chǎn)生部通過(guò)上述旋轉(zhuǎn)磁路部而引導(dǎo)到上述固定磁路部的磁通密度；以及 屏蔽板，其配置于上述旋轉(zhuǎn)磁路部與上述磁檢測(cè)器之間，并將上述磁檢測(cè)器進(jìn)行磁屏蔽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的力矩傳感器，其中， 上述旋轉(zhuǎn)磁路部包括第I軟磁性環(huán)以及第2軟磁性環(huán)，伴隨著上述扭桿的扭轉(zhuǎn)變形而自上述磁場(chǎng)產(chǎn)生部產(chǎn)生的磁通引導(dǎo)至該第I軟磁性環(huán)以及該第2軟磁性環(huán)， 上述固定磁路部包括: 第I集磁環(huán)以及第2集磁環(huán)，該第I集磁環(huán)以及該第2集磁環(huán)分別沿上述第I軟磁性環(huán)的外周以及上述第2軟磁性環(huán)的外周設(shè)置；以及 第I集磁磁軛以及第2集磁磁軛，該第I集磁磁軛以及該第2集磁磁軛分別連接于上述第I集磁環(huán)以及上述第2集磁環(huán)，并隔開(kāi)供上述磁檢測(cè)器設(shè)置的磁隙而相對(duì)配置； 上述屏蔽板配置為，在上述第I集磁磁軛與上述第2集磁磁軛之間引導(dǎo)上述旋轉(zhuǎn)磁路部處的泄漏磁通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的力矩傳感器，其中， 上述屏蔽板在上述第I集磁磁軛與上述第2集磁磁軛之間相對(duì)于該第I集磁磁軛和該第2集磁磁軛隔開(kāi)預(yù)定的縫隙而配置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的力矩傳感器，其中， 上述第I集磁磁軛具有延長(zhǎng)該第I集磁磁軛的局部而形成的第I延長(zhǎng)部，上述第2集磁磁軛具有延長(zhǎng)該第2集磁磁軛的局部而形成的第2延長(zhǎng)部， 上述屏蔽板由隔開(kāi)預(yù)定的縫隙而相對(duì)配置的上述第I延長(zhǎng)部與上述第2延長(zhǎng)部構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的力矩傳感器，其中， 上述旋轉(zhuǎn)磁路部包括第I軟磁性環(huán)以及第2軟磁性環(huán)，伴隨著上述扭桿的扭轉(zhuǎn)變形而自上述磁場(chǎng)產(chǎn)生部產(chǎn)生的磁通引導(dǎo)至該第I軟磁性環(huán)以及該第2軟磁性環(huán)， 上述固定磁路部包括分別沿上述第I軟磁性環(huán)的外周以及上述第2軟磁性環(huán)的外周設(shè)置的第I集磁環(huán)以及第2集磁環(huán)， 上述屏蔽板配置為，在上述第I集磁環(huán)與上述第2集磁環(huán)之間引導(dǎo)上述旋轉(zhuǎn)磁路部處的泄漏磁通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的力矩傳感器，其中， 上述屏蔽板在上述第I集磁環(huán)與上述第2集磁環(huán)之間相對(duì)于該第I集磁環(huán)和該第2集磁環(huán)隔開(kāi)預(yù)定的縫隙而配置。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的力矩傳感器，其中， 上述第I集磁環(huán)具有延長(zhǎng)該第I集磁環(huán)的局部而形成的第I延長(zhǎng)部，上述第2集磁環(huán)具有延長(zhǎng)該第2集磁環(huán)的局部而形成的第2延長(zhǎng)部，上述屏蔽板由隔開(kāi)預(yù)定的縫隙而相對(duì)配置的上述第I延長(zhǎng)部與上述第2延長(zhǎng)部構(gòu)成。
【文檔編號(hào)】G01L3/10GK104169701SQ201380013190
【公開(kāi)日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2013年1月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月22日
【發(fā)明者】前原秀雄, 山田亮太, 堤和彥, 林貴幸 申請(qǐng)人:萱場(chǎng)工業(yè)株式會(huì)社