一種鏈?zhǔn)絪vg功率單元支撐電容的檢測(cè)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的檢測(cè)電路，以達(dá)到在簡(jiǎn)化電路的前提下最大程度降低生產(chǎn)成本的目的。由于采用上述的電路結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型電路簡(jiǎn)單，成本低，使用元件少，測(cè)量精度高，轉(zhuǎn)換速度快。
【專利說明】—種鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的檢測(cè)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及鏈?zhǔn)絊VG功率單元的性能檢測(cè)，特別涉及一種鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的檢測(cè)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]鏈?zhǔn)絊VG系統(tǒng)共有A、B、C三相，每相因?yàn)镮GBT及電容耐壓的問題，需要12個(gè)單元級(jí)聯(lián)。在系統(tǒng)運(yùn)行的過程中，需要軟件控制級(jí)聯(lián)的支撐電容保持直流電壓的均衡，否則會(huì)出現(xiàn)工作效率低更嚴(yán)重的情況是由于過壓導(dǎo)致支撐電容損壞，因此需要實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確的測(cè)量36個(gè)支撐電容的電壓。
[0003]目前利用MAX1241芯片，首先將模擬量變?yōu)槿跣盘?hào)；電阻分壓，低通濾波后再進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換；通過AD芯片將模擬量轉(zhuǎn)換為數(shù)字量，但是此數(shù)字量與高壓同“地”。需要通過光耦將模擬地與數(shù)字地隔離，最后將數(shù)字信號(hào)傳輸給CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，計(jì)算出有效值。這種方法不僅電路復(fù)雜而且生產(chǎn)成本較高。
[0004]針對(duì)上述問題，提供一種新型的檢測(cè)電路對(duì)鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的直流電壓進(jìn)行檢測(cè)，在簡(jiǎn)化電路的前提下最大程度降低生產(chǎn)成本是現(xiàn)有技術(shù)需要解決的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的檢測(cè)電路，以達(dá)到在簡(jiǎn)化電路的前提下最大程度降低生產(chǎn)成本的目的。
[0006]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是，一種鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的檢測(cè)電路，其特征在于:所述的檢測(cè)電路為支撐電容的直流電壓通過降壓電路、濾波電路后接入檢測(cè)芯片進(jìn)行處理，處理后的數(shù)字信號(hào)傳遞給微處理器計(jì)算出有效值。
[0007]所述的降壓電路為電阻Rl、R2串聯(lián)后接入直流電壓的兩端。
[0008]所述的濾波電路為電容C4、C5串聯(lián)后與電容C3并聯(lián)分別接入電阻R3、R4。
[0009]所述的檢測(cè)芯片的型號(hào)為AMC1204，檢測(cè)芯片內(nèi)部含有A/D轉(zhuǎn)換電路和隔離電路。
[0010]一種鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的檢測(cè)電路，由于采用上述的電路結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型電路簡(jiǎn)單，成本低，使用元件少，測(cè)量精度高，轉(zhuǎn)換速度快。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明；
[0012]圖1為本實(shí)用新型一種鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0013]圖2為本實(shí)用新型一種鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的檢測(cè)電路的電路圖；
[0014]在圖1-2中，1、降壓電路；2、濾波電路；3、檢測(cè)芯片；4、微處理器。
【具體實(shí)施方式】
[0015]如圖1所示，本實(shí)用新型為支撐電容的直流電壓通過降壓電路1、濾波電路2后接入檢測(cè)芯片3進(jìn)行處理，處理后的數(shù)字信號(hào)傳遞給微處理器4計(jì)算出有效值。降壓電路I為電阻R1、R2串聯(lián)后接入直流電壓的兩端。濾波電路2為電容C4、C5串聯(lián)后與電容C3并聯(lián)分別接入電阻R3、R4。檢測(cè)芯片3的型號(hào)為AMC1204，檢測(cè)芯片3內(nèi)部含有A/D轉(zhuǎn)換電路和隔離電路。
[0016]本實(shí)用新型使用了 AMC1204芯片作為檢測(cè)芯片3，該芯片價(jià)格在30元左右，該芯片是帶隔離的AD芯片，電路設(shè)計(jì)異常簡(jiǎn)潔，降低了材料成本的同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓監(jiān)測(cè)，輸出數(shù)字信號(hào)給后端進(jìn)行處理，不需要額外使用隔離器件，應(yīng)用電路設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單、更可靠。
[0017]首先將模擬量變?yōu)槿跣盘?hào)；電阻分壓，低通濾波，再進(jìn)行AD轉(zhuǎn)換；通過AD芯片將模擬量轉(zhuǎn)換為數(shù)字量，因該芯片具有隔離功能，所以此數(shù)字量與模擬量具有隔離；數(shù)字信號(hào)傳輸給微處理器4進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，計(jì)算出有效值。
[0018]如圖2所示，電容Cl對(duì)AMC1204元件的模擬電源進(jìn)行濾波處理，電容C2對(duì)AMC1204元件的數(shù)字電源進(jìn)行濾波處理，同時(shí)注意到數(shù)字電源使用的是3.3V電壓，那么，SCLK和DOUT信號(hào)可以不經(jīng)電壓轉(zhuǎn)換的連接到3.3V的微處理器4上。
[0019]檢測(cè)芯片3的型號(hào)為AMC1204，AMC1204是一款二階隔離Delta-Sigma調(diào)制器。使用電容隔離技術(shù)，滿足UL1577，IEC60747-5-2及CSA認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，隔離工作電壓可達(dá)1200Vpeak，瞬間隔離電壓達(dá)4000Vpeak，共模瞬態(tài)抑制在15KV/us以上。電容隔離器件具有同電感隔離器件相比更高的磁場(chǎng)抗擾性及可靠性，同光耦隔離器件相比更低的功耗等這些顯著的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)AMC1204內(nèi)部集成了高精度的Delta-Sigma調(diào)制器，電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單。
[0020]本實(shí)用新型與現(xiàn)有的技術(shù)進(jìn)行對(duì)比，具體區(qū)別見下表:
【權(quán)利要求】
1.一種鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的檢測(cè)電路，其特征在于:所述的檢測(cè)電路為支撐電容的直流電壓通過降壓電路(I)、濾波電路(2)后接入檢測(cè)芯片(3)進(jìn)行處理，處理后的數(shù)字信號(hào)傳遞給微處理器(4)計(jì)算出有效值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的檢測(cè)電路，其特征在于:所述的降壓電路(I)為電阻R1、R2串聯(lián)后接入直流電壓的兩端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的檢測(cè)電路，其特征在于:所述的濾波電路(2 )為電容C4、C5串聯(lián)后與電容C3并聯(lián)分別接入電阻R3、R4。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鏈?zhǔn)絊VG功率單元支撐電容的檢測(cè)電路，其特征在于:所述的檢測(cè)芯片(3)的型號(hào)為AMC1204，檢測(cè)芯片(3)內(nèi)部含有A/D轉(zhuǎn)換電路和隔離電路。
【文檔編號(hào)】G01R19/25GK203732616SQ201320889049
【公開日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】楊振, 徐成, 陶思磊 申請(qǐng)人:安徽鑫龍電器股份有限公司