一種減少溫度漂移的壓阻式壓力傳感器一體化基座的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開一種減少溫度漂移的壓阻式壓力傳感器一體化基座，包括殼體(1)，殼體(1)頂部設(shè)有充油腔(6)，殼體(1)沿軸向的圓周設(shè)有一組貫穿殼體的引線腳(2)，殼體(1)端面沿軸向還設(shè)有引壓孔(3)與充油孔(4)，所述殼體(1)頂部端面的內(nèi)側(cè)為向下的斜面；在封裝時，減少了充油腔(6)內(nèi)的充油量，繼而限制了充油介質(zhì)溫度的變化，從而減少了溫度漂移對傳感器檢測精度的影響。
【專利說明】—種減少溫度漂移的壓阻式壓力傳感器一體化基座
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及傳感器領(lǐng)域，具體是一種減少溫度漂移的壓阻式壓力傳感器一體
化基座。
【背景技術(shù)】
[0002]公知的壓阻式壓力傳感器利用單晶硅的壓阻效應(yīng)來實現(xiàn)壓力參數(shù)的測量，但擴散硅芯片本身存在有溫度漂移特性，即當測試介質(zhì)溫度發(fā)生變化時，芯片上注入或擴散的構(gòu)成惠斯頓電橋的四個電阻值隨之變化，阻值的變化造成電橋的電路失衡，產(chǎn)生電信號的變化，這個變化不是線性的，會對傳感器的輸出帶來影響，所以必須在芯片設(shè)計、制造和傳感器裝配中以及后部電路處理中克服溫度漂移的影響，雖然芯片設(shè)計和制造中采取措施來保證電阻值在一個區(qū)域內(nèi)盡可能隨溫度變化相同，減少阻值變化帶來的影響，但在傳感器裝配中由于結(jié)構(gòu)的影響、傳遞介質(zhì)的溫度膨脹影響，尤其是小量程壓力傳感器，因量程小，靈敏度高，微小壓力變化可造成傳感器零點較大漂移。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的目的在于提供一種減少溫度漂移的壓阻式壓力傳感器一體化基座，該一體化基座能夠減少充油腔內(nèi)的充油量，繼而限制充油介質(zhì)的溫度變化，能夠減少溫度漂移對傳感器檢測精度的影響。
[0004]本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0005]一種減少溫度漂移的壓阻式壓力傳感器一體化基座，包括殼體，殼體頂部設(shè)有充油腔，殼體沿軸向的圓周設(shè)有一組貫穿殼體的引線腳，殼體端面沿軸向還設(shè)有充油孔與引壓孔，所述殼體頂部端面的內(nèi)側(cè)為向下的斜面。
[0006]本實用新型的有益效果是，由于殼體頂部端面的內(nèi)側(cè)為向下的斜面，在封裝膜片時即減少了充油腔的容量，繼而減少了充油腔內(nèi)的充油量，從而限制了充油介質(zhì)溫度的變化，減少了溫度漂移對傳感器檢測精度的影響。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明:
[0008]圖1是本實用新型的俯視圖；
[0009]圖2是圖1的A-A剖視圖；
[0010]圖3是圖2中殼體斜面的局部放大圖；
[0011]1.殼體；2.引線腳；3.引壓孔；4.充油孔；5.玻璃絕緣子；6.充油腔。
【具體實施方式】
[0012]結(jié)合圖1及圖2所示，殼體I頂部設(shè)有充油腔6，殼體I沿軸向的圓周設(shè)有一組貫穿殼體I的引線腳2，引線腳2通過玻璃絕緣子5燒結(jié)固定在殼體I內(nèi)，殼體I端面沿軸向還設(shè)有充油孔4與引壓孔3 ;結(jié)合圖3所示，殼體I頂部端面的內(nèi)側(cè)為向下的斜面；由于設(shè)置了斜面，在封裝時，減少了充油腔6的容量，繼而減少了充油腔6內(nèi)的充油量，從而限制了充油介質(zhì)溫度的變化，減少了溫度漂移對傳感器檢測精度的影響。
【權(quán)利要求】
1.一種減少溫度漂移的壓阻式壓力傳感器一體化基座，包括殼體(1)，殼體(I)頂部設(shè)有充油腔(6)，殼體(I)沿軸向的圓周設(shè)有一組貫穿殼體的引線腳(2)，殼體(I)端面沿軸向還設(shè)有引壓孔(3)與充油孔(4)，其特征在于，所述殼體(I)頂部端面的內(nèi)側(cè)為向下的斜面。
【文檔編號】G01L1/18GK203534761SQ201320639827
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月17日
【發(fā)明者】王維東, 王維娟, 謝成功 申請人:蚌埠市創(chuàng)業(yè)電子有限責(zé)任公司