開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法，包括如下步驟：以第一步長(zhǎng)在第一范圍內(nèi)進(jìn)行掃描獲取最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓所在的第二范圍；以第二步長(zhǎng)在所述第二范圍內(nèi)進(jìn)行掃描得到最大漏電流及對(duì)應(yīng)的柵極電壓；其中，所述第一步長(zhǎng)大于第二步長(zhǎng)。上述測(cè)試方法，首先采用更大的第一步長(zhǎng)進(jìn)行粗掃描縮小測(cè)試電壓的取值范圍，然后采用步長(zhǎng)更小的第二步長(zhǎng)進(jìn)行細(xì)掃描得到最大漏電流及對(duì)應(yīng)的柵極電壓，相比于傳統(tǒng)的直接采用小步長(zhǎng)直接進(jìn)行掃描測(cè)試的方法，可以大大減少測(cè)試次數(shù)，提高測(cè)試效率。
【專利說(shuō)明】開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及元器件測(cè)試技術(shù)，特別是涉及一種開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于生產(chǎn)完成的元器件，通常都需要測(cè)試其可靠性。在對(duì)開(kāi)關(guān)管的可靠性進(jìn)行評(píng)估時(shí)，需要測(cè)試其襯底的最大漏電流或者襯底的最大漏電流所對(duì)應(yīng)的柵極電壓是否符合工作特性。
[0003]傳統(tǒng)的測(cè)試方法中，將開(kāi)關(guān)管的漏極接工作電壓，襯底、源極接零電位，柵極在一定的測(cè)試電壓范圍內(nèi)連續(xù)選值后測(cè)試襯底電流，獲取測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)的最大電流值作為襯底的最大漏電流。
[0004]為了提高發(fā)現(xiàn)器件異常的可能，通常都以比較小的固定步長(zhǎng)從O伏電壓開(kāi)始逐步增大柵極電壓并測(cè)試襯底電流，當(dāng)步長(zhǎng)太小時(shí)，雖然精度夠高，但是測(cè)試的時(shí)間也相對(duì)較長(zhǎng)，效率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要提供一種能夠減少測(cè)試時(shí)間，提高測(cè)試效率的開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法。
[0006]一種開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法，包括如下步驟:
[0007]以第一步長(zhǎng)在第一范圍內(nèi)進(jìn)行掃描獲取最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓所在的第二范圍；
[0008]以第二步長(zhǎng)在所述第二范圍內(nèi)進(jìn)行掃描得到最大漏電流及對(duì)應(yīng)的柵極電壓；
[0009]其中，所述第一步長(zhǎng)大于第二步長(zhǎng)。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述以第一步長(zhǎng)在第一范圍內(nèi)進(jìn)行掃描獲取最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓所在的第二范圍的步驟具體為:
[0011]從第一范圍的測(cè)試電壓下限開(kāi)始，以第一步長(zhǎng)逐步增加測(cè)試電壓；
[0012]在當(dāng)前測(cè)試電壓下，測(cè)試襯底電流；
[0013]判斷當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流是否小于前一測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流，若是，則以當(dāng)前測(cè)試電壓減去第一步長(zhǎng)作為所述第二范圍的測(cè)試電壓下限；否則繼續(xù)增加測(cè)試電壓進(jìn)行測(cè)試。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述以第二步長(zhǎng)在所述第二范圍內(nèi)進(jìn)行掃描得到最大漏電流及對(duì)應(yīng)的柵極電壓的步驟具體為:
[0015]從所述第二范圍的測(cè)試電壓下限開(kāi)始，以第二步長(zhǎng)逐步增加測(cè)試電壓；
[0016]在當(dāng)前測(cè)試電壓下，測(cè)試襯底電流；
[0017]判斷當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流是否小于前一測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流，若是，則以當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流為最大漏電流，當(dāng)前測(cè)試電壓為最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓；否則繼續(xù)增加測(cè)試電壓進(jìn)行測(cè)試。[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述以第一步長(zhǎng)在第一范圍內(nèi)進(jìn)行掃描獲取最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓所在的第二范圍的步驟具體為:
[0019]從第一范圍的測(cè)試電壓上限開(kāi)始，以第一步長(zhǎng)逐步減小測(cè)試電壓；
[0020]在當(dāng)前測(cè)試電壓下，測(cè)試襯底電流；
[0021]判斷當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流是否小于前一測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流，若是，則以當(dāng)前測(cè)試電壓加上第一步長(zhǎng)為所述第二范圍的測(cè)試電壓上限；否則繼續(xù)減小測(cè)試電壓進(jìn)行測(cè)試。
[0022]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述以第二步長(zhǎng)在所述第二范圍內(nèi)進(jìn)行掃描得到最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓的步驟具體為:
[0023]從所述第二范圍的測(cè)試電壓上限開(kāi)始，以第二步長(zhǎng)逐步減小測(cè)試電壓；
[0024]在當(dāng)前測(cè)試電壓下，測(cè)試襯底電流；
[0025]判斷當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流是否小于前一測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流，若是，則以當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流為最大漏電流，當(dāng)前測(cè)試電壓為最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓；否則繼續(xù)減小測(cè)試電壓進(jìn)行測(cè)試。
[0026]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一范圍為O至3伏。
[0027]在其中一個(gè)實(shí) 施例中，所述第一步長(zhǎng)為0.5伏。
[0028]在其中一個(gè)實(shí)施例中，第二步長(zhǎng)為0.1伏。
[0029]上述測(cè)試方法，首先采用更大的第一步長(zhǎng)進(jìn)行粗掃描縮小測(cè)試電壓的取值范圍，然后采用步長(zhǎng)更小的第二步長(zhǎng)進(jìn)行細(xì)掃描得到最大漏電流及對(duì)應(yīng)的柵極電壓，相比于傳統(tǒng)的直接采用小步長(zhǎng)直接進(jìn)行掃描測(cè)試的方法，可以大大減少測(cè)試次數(shù)，提高測(cè)試效率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]圖1為一實(shí)施例的開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法流程圖；
[0031 ] 圖2為圖1所示流程在一個(gè)實(shí)施例中的步驟SllO的具體流程圖；
[0032]圖3為圖1所示流程在一個(gè)實(shí)施例中的步驟S120的具體流程圖；
[0033]圖4為圖1所示流程在另一個(gè)實(shí)施例中的步驟SllO的具體流程圖；
[0034]圖5為圖1所示流程在另一個(gè)實(shí)施例中的步驟S120的具體流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]如圖1所示，為一實(shí)施例的開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法流程圖。該開(kāi)關(guān)管可以為N型MOS管或P型MOS管等。該方法包括如下步驟。
[0036]步驟SllO:以第一步長(zhǎng)在第一范圍內(nèi)進(jìn)行掃描獲取最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓所在的第二范圍。第一范圍是加在開(kāi)關(guān)管柵極的測(cè)試電壓的取值范圍，最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓應(yīng)該落在第一范圍內(nèi)，第一范圍可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)確定。例如對(duì)于大部分N型MOS管來(lái)說(shuō)，襯底最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓約為1.2伏。因此可以將第一范圍確定為0-3伏。當(dāng)然該第一范圍的取值不限于此，在其他實(shí)施例中可以靈活選取。第一步長(zhǎng)是加在開(kāi)關(guān)管柵極的電壓的變化幅度，在測(cè)試電壓進(jìn)行取值時(shí)，測(cè)試電壓即以該第一步長(zhǎng)或增或減進(jìn)行變化。
[0037]本步驟經(jīng)過(guò)粗掃描測(cè)試進(jìn)一步縮小測(cè)試電壓的取值范圍，得到第二范圍。
[0038]步驟S120:以第二步長(zhǎng)在所述第二范圍內(nèi)進(jìn)行掃描得到最大漏電流及對(duì)應(yīng)的柵極電壓。在步驟SllO的基礎(chǔ)上，第二范圍比第一范圍更小，測(cè)試電壓在第二范圍內(nèi)取值可以采用更小的步長(zhǎng)，即第二步長(zhǎng)進(jìn)行細(xì)掃描檢測(cè)漏電流。
[0039]在一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，步驟SllO具體包括如下步驟。
[0040]Slll:以第一范圍的測(cè)試電壓下限作為測(cè)試電壓測(cè)試襯底電流。
[0041]S113:以第一步長(zhǎng)增加測(cè)試電壓。
[0042]SI 15:在當(dāng)前測(cè)試電壓下，測(cè)試襯底電流。
[0043]S117:判斷當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流是否小于前一測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流，若是，則執(zhí)行步驟SI 19，否則執(zhí)行步驟SI 13。
[0044]S119:以當(dāng)前測(cè)試電壓減去第一步長(zhǎng)作為所述第二范圍的測(cè)試電壓下限。
[0045]以前述N型MOS管為例，從O伏開(kāi)始，分別測(cè)試0.5伏、1.0伏、1.5伏直至3伏等電壓下的襯底電流。由于一般在1.2伏時(shí)，漏電流達(dá)到最大，因此在粗掃描時(shí)，比較1.0伏和1.5伏時(shí)所測(cè)得的襯底電流I1U2，若I1 < I2，則1.5伏為轉(zhuǎn)折點(diǎn)，將其減去第一步長(zhǎng)0.5伏，得到的1.0伏作為第二范圍的下限,也即1~3伏為第二范圍；若I1 > I2,則1.0伏為轉(zhuǎn)折點(diǎn)，將其減去第一步長(zhǎng)0.5伏，得到的0.5伏作為第二范圍的下限，也即0.5^3伏為第二范圍。
[0046]本實(shí)施例中，如圖3所示，步驟S120具體包括如下步驟。 [0047]S121:以第二范圍的測(cè)試電壓下限作為測(cè)試電壓測(cè)試襯底電流。
[0048]S123:以第二步長(zhǎng)增加測(cè)試電壓。
[0049]S125:在當(dāng)前測(cè)試電壓下，測(cè)試襯底電流。
[0050]S127:判斷當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流是否小于前一測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流，若是，則執(zhí)行步驟S129，否則執(zhí)行步驟S123。
[0051]S129:以當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流為最大漏電流，當(dāng)前測(cè)試電壓為最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓。
[0052]以前述N型MOS管為例，當(dāng)?shù)诙介L(zhǎng)取為0.1伏時(shí)，根據(jù)情況，可以從I伏或0.5伏開(kāi)始進(jìn)行逐步測(cè)試襯底電流，即可得到較為精確的最大漏電流。
[0053]在另一個(gè)實(shí)施例中，如圖4所示，步驟SllO具體包括如下步驟。
[0054]Sill’:以第一范圍的測(cè)試電壓上限作為測(cè)試電壓測(cè)試襯底電流。
[0055]SI 13’:以第一步長(zhǎng)減小測(cè)試電壓。
[0056]S115’:在當(dāng)前測(cè)試電壓下，測(cè)試襯底電流。
[0057]S117’:判斷當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流是否小于前一測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流，若是，則執(zhí)行步驟S119’，否則執(zhí)行步驟S113’。
[0058]S119’:以當(dāng)前測(cè)試電壓加上第一步長(zhǎng)作為所述第二范圍的測(cè)試電壓上限。
[0059]以前述N型MOS管為例,從3伏開(kāi)始,分別測(cè)試3伏、2.5伏、2伏、1.5伏直至O伏等電壓下的襯底電流。由于一般在1.2伏時(shí)，漏電流達(dá)到最大，因此在粗掃描時(shí)，比較1.0伏和1.5伏時(shí)所測(cè)得的襯底電流I1U2，若I1 < I2，則1.5伏為轉(zhuǎn)折點(diǎn)，將其加上第一步長(zhǎng)0.5伏，得到的2伏作為第二范圍的上限，也即0~2伏為第二范圍；若I1 > I2，則1.0伏為轉(zhuǎn)折點(diǎn)，將其加上第一步長(zhǎng)0.5伏，得到的1.5伏作為第二范圍的上限，也即(Tl.5伏為第二范圍。
[0060]本實(shí)施例中，如圖5所示，步驟S120具體包括如下步驟。[0061]S121’:以第二范圍的測(cè)試電壓上限作為測(cè)試電壓測(cè)試襯底電流。
[0062]S123’:以第二步長(zhǎng)減小測(cè)試電壓。
[0063]S125’:在當(dāng)前測(cè)試電壓下，測(cè)試襯底電流。
[0064]S127’:判斷當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流是否小于前一測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流，若是，則執(zhí)行步驟S129’，否則執(zhí)行步驟S123’。
[0065]S129’:以當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流為最大漏電流，當(dāng)前測(cè)試電壓為最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓。
[0066]以前述N型MOS管為例，當(dāng)?shù)诙介L(zhǎng)取為0.1伏時(shí)，根據(jù)情況，可以從I。5伏或2伏開(kāi)始進(jìn)行逐步減少測(cè)試電壓來(lái)測(cè)試襯底電流，即可得到較為精確的最大漏電流。
[0067]上述測(cè)試方法，首先采用更大的第一步長(zhǎng)進(jìn)行粗掃描縮小測(cè)試電壓的取值范圍，然后采用步長(zhǎng)更小的第二步長(zhǎng)進(jìn)行細(xì)掃描得到最大漏電流及對(duì)應(yīng)的柵極電壓，相比于傳統(tǒng)的直接采用小步長(zhǎng)直接進(jìn)行掃描測(cè)試的方法，可以大大減少測(cè)試次數(shù)，提高測(cè)試效率。
[0068]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法，包括如下步驟: 以第一步長(zhǎng)在第一范圍內(nèi)進(jìn)行掃描獲取最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓所在的第二范圍； 以第二步長(zhǎng)在所述第二范圍內(nèi)進(jìn)行掃描得到最大漏電流及對(duì)應(yīng)的柵極電壓； 其中，所述第一步長(zhǎng)大于所述第二步長(zhǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法，其特征在于，所述以第一步長(zhǎng)在第一范圍內(nèi)進(jìn)行掃描獲取最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓所在的第二范圍的步驟具體為: 從第一范圍的測(cè)試電壓下限開(kāi)始，以第一步長(zhǎng)逐步增加測(cè)試電壓； 在當(dāng)前測(cè)試電壓下，測(cè)試襯底電流； 判斷當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流是否小于前一測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流，若是，則以當(dāng)前測(cè)試電壓減去第一步長(zhǎng)作為所述第二范圍的測(cè)試電壓下限；否則繼續(xù)增加測(cè)試電壓進(jìn)行測(cè)試。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法，其特征在于，所述以第二步長(zhǎng)在所述第二范圍內(nèi)進(jìn)行掃描得到最大漏電流及對(duì)應(yīng)的柵極電壓的步驟具體為: 從所述第二范圍的測(cè)試電壓下限開(kāi)始，以第二步長(zhǎng)逐步增加測(cè)試電壓； 在當(dāng)前測(cè)試電壓下，測(cè)試襯底電流； 判斷當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流是否小于前一測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流，若是，則以當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流為最大漏電流，當(dāng)前測(cè)試電壓為最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓；否則繼續(xù)增加測(cè)試電壓進(jìn)行測(cè)試。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法，其特征在于，所述以第一步長(zhǎng)在第一范圍內(nèi)進(jìn)行掃描獲取最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓所在的第二范圍的步驟具體為: 從第一范圍的測(cè)試電壓上限開(kāi)始，以第一步長(zhǎng)逐步減小測(cè)試電壓； 在當(dāng)前測(cè)試電壓下，測(cè)試襯底電流； 判斷當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流是否小于前一測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流，若是，則以當(dāng)前測(cè)試電壓加上第一步長(zhǎng)為所述第二范圍的測(cè)試電壓上限；否則繼續(xù)減小測(cè)試電壓進(jìn)行測(cè)試。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法，其特征在于，所述以第二步長(zhǎng)在所述第二范圍內(nèi)進(jìn)行掃描得到最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓的步驟具體為: 從所述第二范圍的測(cè)試電壓上限開(kāi)始，以第二步長(zhǎng)逐步減小測(cè)試電壓； 在當(dāng)前測(cè)試電壓下，測(cè)試襯底電流； 判斷當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流是否小于前一測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流，若是，則以當(dāng)前測(cè)試電壓對(duì)應(yīng)的襯底電流為最大漏電流，當(dāng)前測(cè)試電壓為最大漏電流對(duì)應(yīng)的柵極電壓；否則繼續(xù)減小測(cè)試電壓進(jìn)行測(cè)試。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法，其特征在于，所述第一范圍為O至3伏。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法，其特征在于，所述第一步長(zhǎng)為0.5伏。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的開(kāi)關(guān)管的襯底漏電測(cè)試方法，其特征在于，第二步長(zhǎng)為0.1伏。
【文檔編號(hào)】G01R31/00GK104007332SQ201310057398
【公開(kāi)日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年2月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月22日
【發(fā)明者】連曉謙, 許文慧 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司