一種測試mos管特性的測試電路及其方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種測試電路，用于對具有柵極、源極和漏極的MOS管的測試，包括：第一單刀單擲開關(guān)，該開關(guān)的第一觸點與柵極連接，第二觸點與源極連接；第二單刀單擲開關(guān)，該開關(guān)的第三觸點與漏極連接，第四觸點與源極連接；單刀雙擲開關(guān)，該開關(guān)的第五觸點與一電源裝置連接，第六觸點與漏極連接，第七觸點與柵極連接；當?shù)谝挥|點與第二觸點連通使柵極與源極短路，且第五觸點與第六觸點連通時，電源裝置的電壓加在漏極與源極之間，以測試MOS管的高溫反偏特性；當?shù)谌|點與第四觸點連通使漏極與源極短路，且第五觸點與第七觸點連通時，電源裝置的電壓加在柵極與源極之間，以測試MOS管的高溫柵偏置特性。
【專利說明】一種測試MOS管特性的測試電路及其方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造的測試領(lǐng)域，具體涉及一種測試MOS管特性的測試電路及其方法
【背景技術(shù)】
[0002]半導體制造中，在POWER MOS管生產(chǎn)出來以后并不能立即投入使用，而是要利用相關(guān)的可靠性試驗對該MOS管的可靠性能以及實際使用壽命進行測試，而MOS管的HTRB (高溫反偏)及HTGB (高溫柵偏置)特性是MOS管的兩項非常重要的可靠性項目，其中，高溫反偏特性反映了 MOS管在高溫下驗證PN結(jié)的反向擊穿特性，高溫柵偏置則反映了 MOS管在高溫下柵氧的質(zhì)量情況。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中測試MOS管的特性的電路圖如圖1和圖2所示，其中，圖1是針對N-channel POWER MOS管的HTRB特性的測試電路圖，P-channel POWER MOS管應(yīng)使所加的電壓反向，從圖中可以看出，HTRB實驗時，MOS管的柵極G與源極S短接，一偏壓通過串聯(lián)一電阻R后加在漏極D與源級S之間，電阻R的作用為當漏極D與源極S擊穿的時候避免電路短路從而引起大電流損壞測試電路。圖2是針對N-channel MOS管的HTGB特性的測試電路圖，P-channel POWER MOS管仍應(yīng)使所加的電壓反向，從圖中可以看出，HTGB實驗時，MOS管的漏極D與源極S短接，一偏壓通過串聯(lián)一電阻R后加在柵極G與源級S之間，電阻R同樣為保護設(shè)備的作用。
[0004]本發(fā)明 申請人:在實施本申請實施例的過程中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)存在如下技術(shù)問題:
[0005]現(xiàn)有技術(shù)針對MOS管的高溫反偏特性及高溫柵偏置特性的測試電路在同一時間里只能測試高溫反偏特性和高溫柵偏置特性中的一個，不能對兩種特性同時進行測試，并且也不能批量的測試MOS管的高溫反偏特性及高溫柵偏置特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本申請實施例提供一種測試MOS管高溫反偏和高溫柵偏置特性的測試電路，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中不能同時測試MOS管的高溫反偏和高溫柵偏置特性的技術(shù)問題。
[0007]為了解決上述問題，本申請實施例提供了一種測試MOS管高溫反偏和高溫柵偏置特性的測試電路，該測試電路用于對包括有柵極、源極以及漏極的MOS管進行高溫反偏和高溫柵偏置特性的測試，所述測試電路包括:
[0008]第一單刀單擲開關(guān)，所述第一單刀單擲開關(guān)具有第一觸點及第二觸點，所述第一觸點與所述柵極連接，所述第二觸點與所述源極連接；
[0009]第二單刀單擲開關(guān)，所述第二單刀單擲開關(guān)具有第三觸點及第四觸點，所述第三觸點與所述漏極連接，所述第四觸點與所述源極連接；
[0010]單刀雙擲開關(guān)，所述單刀雙擲開關(guān)具有第五觸點，第六觸點及第七觸點，所述第五觸點與一電源裝置連接，所述第六觸點與所述漏極連接，所述第七觸點與所述柵極連接；
[0011]其中，當所述第一觸點與所述第二觸點連通使所述柵極與所述源極處于短路狀態(tài)，且當所述第五觸點與所述第六觸點連通時通過將所述電源裝置的電壓加在所述漏極與所述源極之間，測試所述MOS管的高溫反偏特性；
[0012]當所述第三觸點與所述第四觸點連通使所述漏極與所述源極處于短路狀態(tài)，且當所述第五觸點與所述第七觸點連通時通過將所述電源裝置的電壓加在所述柵極與所述源極之間，用于測試所述MOS管的高溫柵偏置特性。
[0013]優(yōu)選地，所述測試電路還包括一保護電阻，連接在所述第五觸點與所述電源裝置之間，用于當由于所述漏極與所述源極間處于所述短路狀態(tài)，或者所述柵極與所述源極間處于短路狀態(tài)而產(chǎn)生電流值大于一預(yù)設(shè)值的大電流時，保護所述測試電路。
[0014]優(yōu)選地，所述測試電路還具有一保險裝置，連接在所述保護電阻與所述電源裝置之間，用于當所述MOS管失效產(chǎn)生電流值大于所述預(yù)設(shè)值的大電流后，保護所述測試電路。
[0015]優(yōu)選地，所述保險裝置具體為一保險絲，當所述MOS管失效產(chǎn)生所述大電流后，通過將所述保險絲燒斷，切斷所述電源裝置與所述保護電阻間的連路，以保護所述測試電路。
[0016]優(yōu)選地，所述電源裝置具體為設(shè)置在所述測試電路內(nèi)的電源裝置，或者為一外接于所述測試電路的電源裝置。
[0017]優(yōu)選地，所述測試電路的所述源極與地連接，以使所述第二觸點、所述源極與所述第四觸點共同與所述地連接。
[0018]對應(yīng)地，本申請實施例還提供一種測試MOS管高溫反偏和高溫柵偏置特性的測試方法，同樣用于解決現(xiàn)有技術(shù)不能同時及批量測試MOS管的高溫反偏和高溫柵偏置特性的技術(shù)問題，所述測試方法應(yīng)用于一測試電路中對包括有柵極、源極以及漏極的MOS管進行測試，所述測試電路包括:第一單刀單擲開關(guān)，所述第一單刀單擲開關(guān)具有第一觸點及第二觸點，所述第一觸點與所述柵極連接，所述第二觸點與所述源極連接；第二單刀單擲開關(guān)，所述第二單刀單擲開關(guān)具有第三觸點及第四觸點，所述第三觸點與所述漏極連接，所述第四觸點與所述源極連接；單刀雙擲開關(guān)，所述單刀雙擲開關(guān)具有第五觸點，第六觸點及第七觸點，所述第五觸點與一電源裝置連接，所述第六觸點與所述漏極連接，所述第七觸點與所述柵極連接，所述測試方法包括:
[0019]通過將所述第一觸點與所述第二觸點連通，控制所述柵極與所述源極處于短路狀態(tài)，并通過將所述第五觸點與所述第六觸點連通，將所述電源裝置的電壓加在所述漏極與所述源極之間，以測試所述MOS管的高溫反偏特性；或者
[0020]通過將所述第三觸點與所述第四觸點連通，控制所述漏極與所述源極處于短路狀態(tài)，并通過將所述第五觸點與所述第七觸點連通，將所述電源裝置的電壓加在所述柵極與所述源極之間，以測試所述MOS管的高溫柵偏置特性。
[0021 ] 優(yōu)選地，所述測試電路還包括:
[0022]保護電阻，連接在所述第五觸點與一電源裝置之間，用于當由于所述漏極與所述源極間處于所述短路狀態(tài)，或者所述柵極與所述源極間處于短路狀態(tài)而產(chǎn)生電流值大于一預(yù)設(shè)值的大電流時，保護所述測試電路；
[0023]保險裝置，連接在所述保護電阻與所述電源裝置之間，用于當所述MOS管失效產(chǎn)生電流值大于所述預(yù)設(shè)值的大電流后，保護所述測試電路。
[0024]優(yōu)選地，當所述保險裝置具體為保險絲時，所述方法還包括:
[0025]將所述MOS管失效時產(chǎn)生的所述大電流傳輸至所述保險絲；[0026]通過所述大電流將所述保險絲燒斷，以切斷所述電源裝置與所述保護電阻間的連路，以保護所述測試電路。
[0027]優(yōu)選地，所述電源裝置具體為設(shè)置在所述測試電路內(nèi)的電源裝置，或者為一外接于所述測試電路的電源裝置。
[0028]優(yōu)選地，所述方法還包括:通過將所述測試電路的所述源極與地連接，控制所述第二觸點、所述源極與所述第四觸點共同與所述地連接。
[0029]本申請實施例提供的上述技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點:
[0030]由于采用了根據(jù)MOS管高溫反偏及高溫柵偏置的測試原理，將單刀單擲開關(guān)以及單刀雙擲開關(guān)置于相應(yīng)的位置從而使需要的電路支路處于連通狀態(tài)，以實現(xiàn)不同測試電路之間的轉(zhuǎn)變的技術(shù)手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中不能同時及批量測試MOS管的高溫反偏及高溫柵偏置特性的技術(shù)問題，因而，具有能同時及批量測試MOS管的高溫反偏和高溫柵偏置特性的技術(shù)效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中測試MOS管高溫反偏特性的測試電路的電路聯(lián)接示意圖；
[0032]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中測試MOS管高溫柵偏置特性的測試電路的電路聯(lián)接示意圖；
[0033]圖3為本申請實施例中一種測試MOS管特性的測試電路的電路聯(lián)接示意圖；
[0034]圖4為本申請實施例中測試MOS管高溫反偏特性的測試方法流程圖；
[0035]圖5為本申請實施例中測試MOS管高溫柵偏置特性的測試方法流程圖?！揪唧w實施方式】
[0036]本申請實施例通過提供一種測試MOS管高溫反偏和高溫柵偏置特性的測試電路，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中不能同時測試MOS管的高溫反偏和高溫柵偏置特性的技術(shù)問題。
[0037]本申請實施例的技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，總體思路如下:
[0038]在MOS管的測試電路中加入兩個單刀單擲單擲開關(guān)以及一個單刀單擲雙擲開關(guān)，單刀單擲單擲開關(guān)具有兩個觸點，單刀單擲雙擲開關(guān)具有三個觸點，根據(jù)測試高溫反偏及高溫柵偏置特性的原理，將不同的觸點之間連通，就能使需要的電路支路處于連通、斷開或者短路的狀態(tài)，繼而實現(xiàn)測試高溫反偏特性及高溫柵偏置特性的測試電路之間的轉(zhuǎn)化，再對測試電路采用并聯(lián)的電路聯(lián)接方式，就能實現(xiàn)對MOS管高溫反偏以及高溫柵偏置特性的同時及批量測試。
[0039]通過采用本申請實施例中的技術(shù)方案，測試電路能根據(jù)用戶的選擇使單刀單擲開關(guān)以及單刀雙擲開關(guān)的不同觸點之間連通或者斷開，從而可以將電路支路置于連通、斷開或者短路狀態(tài)，繼而實現(xiàn)在測試高溫反偏特性及高溫柵偏置特性的測試電路之間的轉(zhuǎn)化，以實現(xiàn)對高溫反偏特性及高溫柵偏置特性的測試。
[0040]為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說明書附圖以及具體的實施方式對上述技術(shù)方案進行詳細的說明。
[0041]本申請實施例中用于測試具有柵極G，源極S，漏極D的POWER MOS管的高溫反偏特性以及高溫柵偏置特性的測試電路的電路聯(lián)接如圖3所示，具體包括:
[0042]第一單刀單擲開關(guān)101，所述第一單刀單擲開關(guān)101具有第一觸點I及第二觸點2，所述第一觸點I與待測MOS管的柵極G連接，所述第二觸點2與所述待測MOS管的源極S連接；
[0043]第二單刀單擲開關(guān)102，所述第二單刀單擲開關(guān)102具有第三觸點3及第四觸點4，所述第三觸點3與所述待測MOS管的漏極D連接，所述第四觸點4與所述待測MOS管的源極S連接；
[0044]單刀雙擲開關(guān)103，所述單刀雙擲開關(guān)103具有第五觸點5，第六觸點6及第七觸點7，所述第五觸點5與一電源裝置106連接，所述第六觸點6與所述待測MOS管的漏極D連接，所述第七觸點7與所述待測MOS管的柵極G連接；
[0045]其中，當所述第一觸點I與所述第二觸點2連通使所述柵極G與所述源極S處于短路狀態(tài)，且當所述第五觸點5與所述第六觸點6連通時通過將所述電源裝置106的電壓加在所述漏極D與所述源極S之間，測試所述MOS管的高溫反偏特性；
[0046]當所述第三觸點3與所述第四觸點4連通使所述漏極D與所述源極S處于短路狀態(tài)，且當所述第五觸點5與所述第七觸點7連通時通過將所述電源裝置106的電壓加在所述柵極G與所述源極S之間，用于測試所述MOS管的高溫柵偏置特性。
[0047]在具體實施過程中，所述測試電路中還具有一保護電阻104，連接在所述第五觸點5與所述電源裝置106之間，用于當所述測試電路用于測試所述待測MOS管的高溫反偏特性，而將所述待測MOS管的所述漏極D與所述源極S之間處于短路狀態(tài)，測試電路產(chǎn)生大于一預(yù)設(shè)值的大電流時，保護所述測試電路?；蛘哂糜诋斔鰷y試電路用于測試所述待測MOS管的高溫柵偏置特性，而將所述待測MOS管的所述柵極G與所述源極S之間處于短路狀態(tài)，測試電路產(chǎn)生大于一預(yù)設(shè)值的大電流時，保護所述測試電路。
[0048]在具體實施過程中，為了更好的保護所述測試電路，除了在測試電路中設(shè)置一保護電阻104，還需要設(shè)置一保險裝置105，所述保險裝置105連接在所述保護電阻104與所述電源裝置106之間，用于當所述待測MOS管失效，而所述測試電路產(chǎn)生大于所述預(yù)設(shè)值的大電流后，保護所述測試電路，以免所述測試電路中的器件燒壞。而在具體實施過程中，所述保險裝置105 —般為一保險絲，當所述MOS管失效產(chǎn)生所述大電流后，所述保險絲會燒斷，進而切斷所述電源裝置106與所述保護電阻104間的連路，以保護所述測試電路。以上對于保險裝置105的舉例并不用于限制本申請實施例的保險裝置105，只要是能夠在本申請實施例的測試電路中起到與保險絲相同作用的裝置都應(yīng)該在本申請的保護范圍內(nèi)。
[0049]在具體實施過程中，所述電源裝置106可以設(shè)置在所述測試電路內(nèi)，成為所述測試電路的組成部分，在這種情況下，所述的電源裝置106還可以具有一能夠控制電源裝置106供電或斷電的開關(guān)裝置，當測試電路需要測試所述待測MOS管的特性時，所述開關(guān)裝置控制所述電源裝置106供電，在不需要所述測試電路工作時，所述開關(guān)裝置控制所述電源裝置106斷電?；蛘咚鲭娫囱b置106還可以為一外接于所述測試電路的供電裝置，此時的電源裝置106就不再是測試電路的組成部分了，具體地，比如此時電源裝置106為一電源插座，那么測試電路就還可以具有一能夠插到所述電源插座上的插頭，當測試電路測試MOS管的特性而需要供電時，只需將連接在測試電路中的插頭插到所述電源插座上即可，而當不需要測試MOS管的特性時，只需將插頭從電源插座上拔出即可。
[0050]在具體實施過程中，在測試MOS管的高溫反偏特性以及高溫柵偏置特性時，一般都會將所述測試電路的所述源極S與地連接，以使所述第二觸點、所述源極S、以及所述第四觸點共同與所述地連接。[0051]通過本申請實施例提供的測試電路就能對MOS管的高溫反偏特性以及高溫柵偏置特性進行測試，并且不需要更換其它元器件，只需將需要的觸點連通就能實現(xiàn)高溫反偏特性測試電路以及高溫柵偏置測試電路之間的任意轉(zhuǎn)換，而當需要同時測試高溫反偏特性以及高溫柵偏特性時，或者批量測試MOS管的高溫反偏特性及高溫柵偏置特性時，只需要將若干相同的測試電路裝置按照并聯(lián)的聯(lián)接方式聯(lián)接起來即可，至于并聯(lián)的測試電路的數(shù)量則根據(jù)需要測試的MOS管數(shù)量以及需要測試的特性的項數(shù)來決定。
[0052]對應(yīng)地，基于同一發(fā)明構(gòu)思，本申請實施例還提供一種測試方法，應(yīng)用于上述的測試電路中對包括有柵極、源極以及漏極的待測MOS管進行測試，所述測試電路包括:第一單刀單擲開關(guān)101，所述第一單刀單擲開關(guān)101具有第一觸點I及第二觸點2，所述第一觸點I與所述柵極G連接，所述第二觸點2與所述源極S連接；第二單刀單擲開關(guān)102，所述第二單刀單擲開關(guān)102具有第三觸點3及第四觸點4，所述第三觸點3與所述漏極D連接，所述第四觸點4與所述源極S連接；單刀雙擲開關(guān)103，所述單刀雙擲開關(guān)103具有第五觸點5，第六觸點6及第七觸點7，所述第五觸點5與一電源裝置106連接，所述第六觸點6與所述漏極D連接，所述第七觸點7與所述柵極G連接，所述測試方法應(yīng)包括高溫反偏測試方法以及高溫柵偏置測試方法，其中，高溫反偏測試方法如圖4所示，包括:
[0053]401:通過將所述第一觸點I與所述第二觸點2連通，控制所述柵極G與所述源極S處于短路狀態(tài)；
[0054]402:并通過將所述第五觸點5與所述第六觸點6連通，將所述電源裝置106的電壓加在所述漏極D與所述源極S之間，以測試所述待測MOS管的高溫反偏特性。
[0055]而高溫柵偏置的測試方法如圖5所示，包括:
[0056]501:通過將所述第三觸點3與所述第四觸點4連通，控制所述漏極D與所述源極S處于短路狀態(tài)；
[0057]502:并通過將所述第五觸點5與所述第七觸點7連通，將所述電源裝置106的電壓加在所述柵極G與所述源極S之間，以測試所述待測MOS管的高溫柵偏置特性。
[0058]以上的測試方法中的步驟并沒有順序的先后之分，只要保證在測試電路在測試MOS管的高溫反偏及高溫柵偏置特性之前，該測試電路的電源裝置不會供電即可。
[0059]在具體實施過程中，為了保護所述測試電路的安全，在進行MOS管的高溫反偏及高溫柵偏置特性測試時一般會在所述測試電路中加入保護裝置，用以當流經(jīng)測試電路的電流為大于預(yù)設(shè)電流的大電流時，保護所述測試電路中的器件不被損壞，所述的保護裝置包括:
[0060]保護電阻104，連接在所述第五觸點5與一電源裝置106之間，用于當由于所述漏極D與所述源極S間處于所述短路狀態(tài)，或者所述柵極G與所述源極S間處于短路狀態(tài)而產(chǎn)生電流值大于一預(yù)設(shè)值的大電流時，保護所述測試電路；
[0061]保險裝置105，連接在所述保護電阻104與所述電源裝置106之間，用于當所述MOS管失效產(chǎn)生電流值大于所述預(yù)設(shè)值的大電流后，保護所述測試電路。
[0062]而在具體實施過程中，當所述保險裝置105具體為一保險絲時，所述測試方法還包括:將所述MOS管失效時產(chǎn)生的所述大電流傳輸至所述保險絲；通過所述大電流將所述保險絲燒斷，以切斷所述電源裝置106與所述保護電阻104間的連路，以保護所述測試電路。以上對于保險裝置105的具體說明并不用于限制本申請實施例的保險裝置105，只要是能夠在本申請實施例的測試方法中起到與保險絲相同作用的裝置都應(yīng)該在本申請的保護范圍內(nèi)。
[0063]在具體實施過程中，所述電源裝置106可以設(shè)置在所述測試電路內(nèi)，成為所述測試電路的組成部分，在這種情況下，所述的電源裝置106還可以具有一能夠控制電源裝置106供電或斷電的開關(guān)裝置，當測試電路需要測試所述待測MOS管的特性時，所述開關(guān)裝置控制所述電源裝置106供電，在不需要所述測試電路工作時，所述開關(guān)裝置控制所述電源裝置106斷電?；蛘咚鲭娫囱b置106還可以為一外接于所述測試電路的供電裝置，此時的電源裝置106就不再是測試電路的組成部分了，具體地，比如此時電源裝置106為一電源插座，那么測試電路就還可以具有一能夠插到所述電源插座上的插頭，當測試電路測試MOS管的特性而需要供電時，只需將連接在測試電路中的插頭插到所述電源插座上即可，而當不需要測試MOS管的特性時，只需將插頭從電源插座上拔出即可。
[0064]在具體實施過程中，所述測試方法還包括:通過將所述測試電路的所述源極S與地連接，控制所述第二觸點2、所述源極S與所述第四觸點4共同與所述地連接。
[0065]通過本申請實施例提供的測試電路就能對MOS管的高溫反偏特性以及高溫柵偏置特性進行測試，并且不需要更換其它元器件，只需將需要的觸點連通就能實現(xiàn)高溫反偏特性測試電路以及高溫柵偏置測試電路之間的任意轉(zhuǎn)換，而當需要同時測試高溫反偏特性以及高溫柵偏特性時，或者批量測試MOS管的高溫反偏特性及高溫柵偏置特性時，只需要將若干相同的測試電路裝置按照并聯(lián)的聯(lián)接方式聯(lián)接起來即可，至于并聯(lián)的測試電路的數(shù)量則根據(jù)需要測試的MOS管數(shù)量以及需要測試的特性的項數(shù)來決定。
[0066]在本申請實施例的方法實施例中，所有步驟均沒有順序要求，即測試電路中的器件可以任何順序接入電路，但要保證在所有電路器件完成接入前，不得為測試電路供電即可。
[0067]通過本申請實施例中的一個或多個技術(shù)方案，可以實現(xiàn)如下技術(shù)效果:
[0068]由于采用了根據(jù)MOS管高溫反偏及高溫柵偏置的測試原理，將單刀單擲開關(guān)以及單刀雙擲開關(guān)置于相應(yīng)的位置從而使需要的電路支路處于連通狀態(tài)，以實現(xiàn)不同測試電路之間的轉(zhuǎn)變的技術(shù)手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中不能同時及批量測試MOS管的高溫反偏及高溫柵偏置特性的技術(shù)問題，因而，具有能同時及批量測試MOS管的高溫反偏和高溫柵偏置特性的技術(shù)效果。
[0069]在此說明書中，本發(fā)明已參照其特定的實施例作了描述，但是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種測試電路，用于對包括有柵極、源極以及漏極的MOS管進行測試，其特征在于，所述測試電路包括: 第一單刀單擲開關(guān)，所述第一單刀單擲開關(guān)具有第一觸點及第二觸點，所述第一觸點與所述柵極連接，所述第二觸點與所述源極連接； 第二單刀單擲開關(guān)，所述第二單刀單擲開關(guān)具有第三觸點及第四觸點，所述第三觸點與所述漏極連接，所述第四觸點與所述源極連接； 單刀雙擲開關(guān)，所述單刀雙擲開關(guān)具有第五觸點，第六觸點及第七觸點，所述第五觸點與一電源裝置連接，所述第六觸點與所述漏極連接，所述第七觸點與所述柵極連接； 其中，當所述第一觸點與所述第二觸點連通使所述柵極與所述源極處于短路狀態(tài)，且當所述第五觸點與所述第六觸點連通時通過將所述電源裝置的電壓加在所述漏極與所述源極之間，測試所述MOS管的高溫反偏特性； 當所述第三觸點與所述第四觸點連通使所述漏極與所述源極處于短路狀態(tài)，且當所述第五觸點與所述第七觸點連通時通過將所述電源裝置的電壓加在所述柵極與所述源極之間，用于測試所述MOS管的高溫柵偏置特性。
2.如權(quán)利要求1所述的測試電路，其特征在于，所述測試電路還包括一保護電阻，連接在所述第五觸點與所述電源裝置之間，用于當由于所述漏極與所述源極間處于所述短路狀態(tài)，或者所述柵極與所述源極間處于短路狀態(tài)而產(chǎn)生電流值大于一預(yù)設(shè)值的大電流時，保護所述測試電路。
3.如權(quán)利要求2所述的測試電路，其特征在于，所述測試電路還具有一保險裝置，連接在所述保護電阻與所述電源裝置之間，用于當所述MOS管失效產(chǎn)生電流值大于所述預(yù)設(shè)值的大電流后，保護所述測試電路。
4.如權(quán)利要求3所述的測試電路，其特征在于，所述保險裝置具體為一保險絲，當所述MOS管失效產(chǎn)生所述大電流后，通過將所述保險絲燒斷，切斷所述電源裝置與所述保護電阻間的連路，以保護所述測試電路。
5.如權(quán)利要求1-4任一權(quán)項所述的測試電路，其特征在于，所述電源裝置具體為設(shè)置在所述測試電路內(nèi)的電源裝置，或者為一外接于所述測試電路的電源裝置。
6.如權(quán)利要求5所述的測試電路，其特征在于，所述測試電路的所述源極與地連接，以使所述第二觸點、所述源極與所述第四觸點共同與所述地連接。
7.—種測試方法，應(yīng)用于一測試電路中對包括有柵極、源極以及漏極的MOS管進行測試，其特征在于，所述測試電路包括:第一單刀單擲開關(guān)，所述第一單刀單擲開關(guān)具有第一觸點及第二觸點，所述第一觸點與所述柵極連接，所述第二觸點與所述源極連接；第二單刀單擲開關(guān)，所述第二單刀單擲開關(guān)具有第三觸點及第四觸點，所述第三觸點與所述漏極連接，所述第四觸點與所述源極連接；單刀雙擲開關(guān)，所述單刀雙擲開關(guān)具有第五觸點，第六觸點及第七觸點，所述第五觸點與一電源裝置連接，所述第六觸點與所述漏極連接，所述第七觸點與所述柵極連接，所述方法包括: 通過將所述第一觸點與所述第二觸點連通，控制所述柵極與所述源極處于短路狀態(tài)，并通過將所述第五觸點與所述第六觸點連通，將所述電源裝置的電壓加在所述漏極與所述源極之間，以測試所述MOS管的高溫反偏特性；或者 通過將所述第三觸點與所述第四觸點連通，控制所述漏極與所述源極處于短路狀態(tài)，并通過將所述第五觸點與所述第七觸點連通，將所述電源裝置的電壓加在所述柵極與所述源極之間，以測試所述MOS管的高溫柵偏置特性。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述測試電路還包括: 保護電阻，連接在所述第五觸點與一電源裝置之間，用于當由于所述漏極與所述源極間處于所述短路狀態(tài)，或者所述柵極與所述源極間處于短路狀態(tài)而產(chǎn)生電流值大于一預(yù)設(shè)值的大電流時，保護所述測試電路； 保險裝置，連接在所述保護電阻與所述電源裝置之間，用于當所述MOS管失效產(chǎn)生電流值大于所述預(yù)設(shè)值的大電流后，保護所述測試電路。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于， 當所述保險裝置具體為保險絲時，所述方法還包括: 將所述MOS管失效時產(chǎn)生的所述大電流傳輸至所述保險絲； 通過所述大電流將所述保險絲燒斷，以切斷所述電源裝置與所述保護電阻間的連路，以保護所述測試電路。
10.如權(quán)利要求8-9任一權(quán)項所述的方法，其特征在于，所述電源裝置具體為設(shè)置在所述測試電路內(nèi)的電源裝置，或者為一外接于所述測試電路的電源裝置。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法還包括:通過將所述測試電路的所述源極與地連接，控制所述第二觸點、所述源極與所述第四觸點共同與所述地連接。
【文檔編號】G01R31/26GK103913688SQ201310003944
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年1月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月7日
【發(fā)明者】邱海亮, 蔡新春 申請人:北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司