專利名稱：高應(yīng)力平衡的紅外探測(cè)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及紅外成像系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域的一種用于常溫下的紅外焦平面陣列探測(cè)器，針對(duì)的紅外輻射波長(zhǎng)范圍是8 14i! m。
背景技術(shù)：
探測(cè)紅外光波的紅外輻射探測(cè)器，按探測(cè)原理分為光子型和熱敏型探測(cè)器。光子型需要工作在液氦(約77K)制冷的環(huán)境中，而熱敏型探測(cè)器通常工作在常溫下，多個(gè)該種探測(cè)器單元以二維陣列的形式排列在芯片基底上，并將芯片置于紅外輻射成像系統(tǒng)聚焦透鏡的焦平面上時(shí)，則構(gòu)成了用于常溫下的紅外焦平面陣列探測(cè)器(IRFPA)。這種用于常溫下的紅外探測(cè)器(IRFPA)通常包括兩部分基底和微結(jié)構(gòu)。微結(jié)構(gòu)中包括1、用于吸收紅外輻射并將其轉(zhuǎn)化為熱的裝置；2、將該探測(cè)器對(duì)于基底熱絕緣并以便探測(cè)器在紅外熱輻射的作用下可以實(shí)現(xiàn)溫升的裝置；3、熱敏感裝置，是在紅外輻射的加熱作用下，其自身的某些特性(例如電阻或者電阻率)隨溫度變化的部件。在基底上通常集成讀取熱敏感部分特性變化的電路裝置，是利用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體工藝制造。對(duì)于紅外焦平面陣列探測(cè)器，基底上的電路是一種能夠施加電信號(hào)激勵(lì)把探測(cè)器各個(gè)微結(jié)構(gòu)單元(Pixel)的特性變化(例如電阻變化)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)(電流或者電壓)、并對(duì)二維探測(cè)器陣列實(shí)現(xiàn)順序?qū)ぶ稢MOS讀出集成電路，該讀出電路還能夠?qū)μ綔y(cè)器單元的電信號(hào)進(jìn)行預(yù)處理，例如進(jìn)行增益放大、非均勻校正(NUC)等處理。紅外探測(cè)器 的兩個(gè)重要指標(biāo)分別噪聲等效溫差NETD和熱響應(yīng)時(shí)間常數(shù)T。NETD涵義是當(dāng)被測(cè)紅外熱輻射目標(biāo)的溫度變化，導(dǎo)致焦平面探測(cè)器輸出端的電壓等于噪聲電壓時(shí)，該溫度變化量稱為NETD，即探測(cè)器所能分辨的探測(cè)目標(biāo)的最小溫度變化。NETD越小越好，在目前已裝備的非制冷紅外熱象儀的NETD通常為20 IOOmK之間。響應(yīng)時(shí)間常數(shù)T定義假定橋面在吸收紅外輻射后，溫升達(dá)到熱平衡時(shí)時(shí)間為t，則T為t. (1-e—1)，其大小決定了探測(cè)器的幀頻F，當(dāng)然t也是越小越能滿足紅外成像的要求，通常是在毫米級(jí)的范圍，例如響應(yīng)時(shí)間t ( 10ms，適用的幀頻F彡30Hz。影響上述兩個(gè)指標(biāo)的因素很多，諸如探測(cè)器的陣列大小、單元像素的間距(Pitch)、各個(gè)膜層的材料、熱敏感層的溫度電阻特性(TCR)和電阻率、橋腿的線寬(CD)、厚度和長(zhǎng)度、各層材料的厚度以及光學(xué)真空間隙的高度等等。在紅外探測(cè)器制造過(guò)程中，各層薄膜結(jié)構(gòu)會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力(stress)，分類為張應(yīng)力和壓應(yīng)力。應(yīng)力超越了微結(jié)構(gòu)所能承受的范圍，就會(huì)導(dǎo)致橋面上結(jié)構(gòu)的翹曲、卷曲變形，應(yīng)力過(guò)大甚至?xí)?dǎo)致微結(jié)構(gòu)脫模、橋腿的斷裂等嚴(yán)重情形，進(jìn)而影響探測(cè)器的紅外熱能量吸收、熱阻分布以及熱響應(yīng)率等重要指標(biāo)的均勻性，也就成為影響探測(cè)器NETD性能以及探測(cè)器本身穩(wěn)定性的重要因素。所以，如何降低、消除微結(jié)構(gòu)上薄膜應(yīng)力成為紅外探測(cè)器陣列制造過(guò)程中非常棘手的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種橋面結(jié)構(gòu)平整穩(wěn)定，不會(huì)發(fā)生翹曲變形的紅外焦平面陣列探測(cè)器。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種高應(yīng)力平衡的紅外探測(cè)器，包括微結(jié)構(gòu)和基底，其中微結(jié)構(gòu)包括橋面，設(shè)置在橋面相對(duì)側(cè)方向的兩只橋腿和錨柱，微結(jié)構(gòu)的橋腿一邊端部與橋面連接在一起，另一邊端部通過(guò)錨柱連接在基底上，所述的基底為讀出集成電路襯底，表面上設(shè)有反射膜層；所述的微結(jié)構(gòu)的橋面是懸空在基底的上方，并與之上的反射膜層形成真空間隙層，所述微結(jié)構(gòu)的橋面薄膜對(duì)稱，橋面上的吸收層的壓應(yīng)力(或者張應(yīng)力)和鈍化層的張應(yīng)力(或者壓應(yīng)力)容易實(shí)現(xiàn)平衡。所述的橋面從下到上依次為應(yīng)力緩沖層、吸收層、熱敏感層、保護(hù)層和鈍化層。 所述吸收層的薄膜和鈍化層的薄膜對(duì)稱。所述的熱敏感層的材料為非晶硅(a_S1:H)、非晶鍺硅(a-SiGe)或氧化釩(VOx)。所述的橋腿設(shè)置在橋面相對(duì)應(yīng)的二側(cè)上，且橋腿與橋面分布于同一平面上。所述的橋腿從下到上依次為緩沖層、熱阻層、導(dǎo)電層和鈍化層。所述熱阻層的薄膜和橋退鈍化層的薄膜對(duì)稱。所述的錨柱由金屬組成；或由金屬或半導(dǎo)體填充物和氧化硅組成，從內(nèi)到外依次是填充物和氧化硅材料。所述的橋腿的導(dǎo)電層一邊端部與橋面的熱敏感層電學(xué)相連，另一邊端部通過(guò)錨柱實(shí)現(xiàn)與基底的讀出電路之間的電學(xué)相連。所述的基底表面上反射膜層的材料是鋁、鈦、金、鎳鉻等金屬或金屬合金，在8 14 iim紅外波段的反射率范圍為80% 100%。所述的真空間隙層的厚度為1. 8 2. 5 ii m。所述的微結(jié)構(gòu)作為一個(gè)探測(cè)器單元，是以二維陣列的形式，排列在基底之上。所述的橋面的應(yīng)力緩沖層與保護(hù)層采用同一材料，且為氧化硅；橋面的吸收層與鈍化層采用同一材料，且為氮化硅或氮氧化硅。所述的橋腿的緩沖層材料為氧化硅；橋腿的熱阻層與鈍化層采用同一材料，且為氮化硅或氮氧化硅；橋腿的導(dǎo)電層材料為鈦、氮化鈦或鎳鉻合金等金屬或金屬合金。本實(shí)用新型中，所述的微結(jié)構(gòu)的橋面采用了對(duì)稱的薄膜結(jié)構(gòu)，從下到上依次為應(yīng)力緩沖層、吸收層、熱敏感層、保護(hù)層和鈍化層，應(yīng)力更容易實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償，從而使橋面的結(jié)構(gòu)非常平整和穩(wěn)定，不會(huì)發(fā)生翹曲變形，降低了本實(shí)用新型的工藝實(shí)現(xiàn)難度。

圖1為本實(shí)用新型用于常溫下的紅外探測(cè)器的陣列示意圖；圖2為本實(shí)用新型用于常溫下的紅外陣列探測(cè)器單元的俯視示意圖；圖3為圖2中的A-A剖視圖，表示微結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)；圖4為圖2中的B-B剖視圖，表示微結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)；圖5為本實(shí)用新型中的用于常溫下的紅外探測(cè)器所利用的應(yīng)力平衡原理圖；圖6為本實(shí)用新型中的紅外探測(cè)器非晶硅TCR與NETD之間的關(guān)系圖；圖7為本實(shí)用新型中的紅外探測(cè)器非晶硅電阻率Resistivity與NETD之間的關(guān)系圖；[0031]圖8為本實(shí)用新型的新型錨柱的形成方式圖。圖中附圖標(biāo)記10 :微結(jié)構(gòu)；20 :基底；30 :橋面；31 :應(yīng)力緩沖層；32 :吸收層；33 熱敏感層；34 :保護(hù)層；35 :鈍化層；36 :橋腿的端部導(dǎo)線；40 :橋腿；41 :緩沖層；42 :熱阻層；43 :導(dǎo)電層；44 :鈍化層；50 :真空間隙；60 :發(fā)射膜層；70 :錨柱；71 :半導(dǎo)體填充材料；72 :氧化硅；80 :氧化硅；90 :錨柱的通道；100 :填充物的通道
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合具體實(shí)例，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案做詳細(xì)說(shuō)明。如圖1，圖2所示，分別為本實(shí)用新型的用于常溫下的紅外探測(cè)器陣列和單元結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。探測(cè)器單元是以二維陣列的形式排列在基底20上的，包括微結(jié)構(gòu)10、基底20。其微結(jié)構(gòu)10包括橋面30、兩個(gè)L形橋腿40和錨柱70，橋腿40的一邊端部36與橋面30連接在一起，另一邊端部43分別通過(guò)兩個(gè)錨柱70連接在基底20上，所述的基底20表面上設(shè)有反射膜層60，橋面30是懸空在基底20的反射膜層60的正上方并與基底20之間形成真空間隙層50，為了對(duì)橋面30進(jìn)行平衡支撐，橋腿40設(shè)置在橋面30的相對(duì)應(yīng)二側(cè)上，且橋腿40與橋面30分布于同一水平面上。本實(shí)施案例中的錨柱70由半導(dǎo)體填充材料71和氧化硅72組成，從內(nèi)到外依次是該填充物71和氧化硅72材料。基底20為硅襯底，通常含有讀出集成電路(ROIC)，在基底20表面上的反射膜層60材料為金屬鋁Al，其在10 U m波段的紅外反射率達(dá)到98%以上，但反射膜層60的材料不局限于Al,在8 14 iim遠(yuǎn)紅外波段具有80% 100%的反射率的金屬或合金材料均是可行的。橋面30位于在反射膜層60的正上方，橋面30與反射層60之間構(gòu)成了真空間隙層50，用作X/4光學(xué)真空諧振腔。針對(duì)8 14um波段的遠(yuǎn)紅外波長(zhǎng)，該真空諧振腔的間隙通常在1. 8 2. 5 ii m范圍內(nèi)。本實(shí)施案例中，真空間隙層50的厚度為2200人。如圖3、圖4所示，分別為本實(shí)用新型的用于常溫下的紅外焦平面陣列探測(cè)器的剖面圖。橋面30從下到上依次包括應(yīng)力緩沖層31、吸收層32、熱敏感層33、保護(hù)層34和鈍化層35 ;橋腿40從下到上依次包括緩沖層41、熱阻層42、導(dǎo)電層43和鈍化層44。本案例實(shí)施中，橋面30上的緩沖層31與保護(hù)層34為氧化硅材料。本實(shí)施案例的橋面30、橋腿40各層的作用緩沖層31的作用是抵償膜層吸收層32的部分應(yīng)力，吸收層32的作用是吸收8 14um的紅外輻射能量，實(shí)現(xiàn)橋面升溫，從而加熱熱敏感層33，熱敏感層33具有溫度電阻特性(TCR)，感受橋面溫度變化，電阻(或電阻率)隨之改變，保護(hù)層34用來(lái)保護(hù)熱敏感層33，鈍化層35用來(lái)加強(qiáng)紅外輻射的吸收，平衡吸收層32的應(yīng)力，緩沖層41用來(lái)抵償膜層熱阻層42的部分應(yīng)力，熱阻層42決定橋腿對(duì)基底20的熱傳導(dǎo)能力，起熱絕緣作用，導(dǎo)電層43實(shí)現(xiàn)熱敏感層33與基底20的電學(xué)連接，鈍化層44保護(hù)導(dǎo)電層43、影響橋腿對(duì)基底20的熱傳導(dǎo)能力以及平衡吸收層32的應(yīng)力。本實(shí)用新型采用了壓應(yīng)力薄膜與張應(yīng)力薄膜相互疊加的方式來(lái)獲得幾近零應(yīng)力的結(jié)構(gòu)，如圖5所示，由于吸收層32與熱阻層42是氮化硅材料，其自身應(yīng)力較大，而且存在熱失匹配的問(wèn)題，所以采用應(yīng)力緩沖層31和緩沖層41來(lái)抵償它們的部分應(yīng)力；吸收層
(32)的壓應(yīng)力(或張應(yīng)力)來(lái)平衡鈍化層35的張應(yīng)力(或者壓應(yīng)力)；鈍化層44的壓應(yīng)力(或者張應(yīng)力)來(lái)平衡熱阻層42的張應(yīng)力(或者壓應(yīng)力)，從而獲得非常穩(wěn)定和平整的探測(cè)器微結(jié)構(gòu)。橋腿熱阻層42的作用是減少橋面30所吸收的紅外輻射能量向基底20以熱傳導(dǎo)方式的熱流失，起到使得橋面30與基底20之間熱隔離的作用，從而使紅外熱量全部用于加熱橋面30，獲得較大的溫升，藉此使探測(cè)器熱敏感層14的電阻變化足夠大，得到較大的探測(cè)器響應(yīng)率以及較小的NETD值?？梢酝ㄟ^(guò)兩方面的措施來(lái)獲得較大的熱阻選擇熱傳導(dǎo)率較低的材料來(lái)制作橋腿的熱阻層42、鈍化層44 ;在橋腿40的幾何尺寸、形狀設(shè)計(jì)上，確保橋腿40的熱絕緣性滿足探測(cè)器電阻變化以及NETD的要求。例如，熱阻層42可以選擇氮化硅或氧化硅材料；對(duì)于25umX25um的探測(cè)器單元來(lái)說(shuō)，橋腿40的寬度設(shè)置為0. 8 y m，當(dāng)然，根據(jù)制造工藝的能力以及探測(cè)器性能要求，其寬度不局限于0. 8 y m，在0. 5 1. 2 y m范圍內(nèi)均是可行的；而對(duì)于17 ii mX 17 ii m的探測(cè)器單元來(lái)說(shuō)，橋腿40的寬度可以設(shè)置在0. 35 0. 6 y m范圍內(nèi)。微結(jié)構(gòu)10的熱敏感層33是紅外探測(cè)器的核心材料，其性能諸如溫度電阻特性TCR、電阻率以及噪聲等對(duì)NETD影響很大。在本實(shí)施案例中，熱敏感層33材料為非晶硅a-S1:H，這種材料即是摻 氫元素(氫化)的a-Si，其TCR—般在-2% -3%/°C之間，典型值是-2. 5% /°C。而且a-S1:H通常需要摻雜磷、硼或者砷等元素調(diào)節(jié)其電阻率，摻雜較輕的濃度，電阻率越大，而摻雜較重的濃度，電阻率越小。a-S1:H的電阻率的變化會(huì)引起TCR按照一定關(guān)系隨之變化、這種變化因?yàn)閾诫s的種類不同而不同。如圖6、圖7所示，分別為本實(shí)施案例的紅外探測(cè)器材料a-S1:H的TCR、電阻率Resistivity與NETD間的變化關(guān)系。本實(shí)施案例的橋面30、橋腿40、反射膜層60的各層材料、厚度以及通常的制作方法緩沖層31的材料為氧化硅，厚度為300A，吸收層32的材料為氮化硅，厚度為1500A,熱敏感層33的材料為非晶硅，厚度為1000A，保護(hù)層34的材料是氧化硅，厚度為300A，鈍化層35的材料為氮化硅，厚度為1000A，所述氧化硅、氮化硅、非晶硅通常由等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝制備。緩沖層41的材料為氧化硅，厚度為350A，熱阻層42的材料為氮化硅，厚度為1500A，導(dǎo)電層43的材料為鈦Ti，厚度為400A，鈍化層44的材料是氮化硅，厚度為1000A，所述氧化硅、氮化硅通常由等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝制備，所述鈦Ti通常由反應(yīng)離子濺射(Reactive PVD)工藝制備。反射膜層的材料為鋁Al，厚度為1000A，所述鋁Al通常由反應(yīng)離子濺射(ReactivePVD)工藝制各。當(dāng)然，本實(shí)用新型的微結(jié)構(gòu)的各層材料、厚度不局限于表2中所示。緩沖層31、保護(hù)層34以及緩沖層41的厚度范圍可以為150A 500 A;吸收層32、鈍化層35、熱阻層42與鈍化層44材料還可以是氮氧化硅，可選的厚度范圍為800A 1500&熱敏感層33的材料還可以是非晶鍺硅(a-SiGe)、氧化釩(VOx)，可選的厚度范圍為500A 1500A;反射膜層的材料還可以是其它在8 14pm紅外波段具有較高反射率的金屬或金屬合金，可選的厚度范圍為800A以上。如圖8所示，為本實(shí)施案例中真空間隙50和錨柱70的實(shí)現(xiàn)工藝，包括1、在基底上20制備一層厚度為2. 2 ii m的犧牲層80 ；[0050]2、利用半導(dǎo)體工藝中蝕刻(Etch)的方式，有選擇性的去除部分犧牲層80材料，形成錨柱70所占據(jù)的通道90;3、PECVD沉積氧化硅層，填充2)中所形成的通道90，形成半導(dǎo)體填充物所占據(jù)的通道100 ；4、CVD半導(dǎo)體填充材料，填充3)中所形成的通道100，完成了錨柱40的制作工藝，在此之后就是利用傳統(tǒng)的工藝制作探測(cè)器的橋面30、橋腿40結(jié)構(gòu)，這些制作完畢后就是在02環(huán)境中釋放犧牲層80，得到真空間隙50以及懸空的微結(jié)構(gòu)10。在第3步驟工藝中，氧化硅71的作用是保護(hù)半導(dǎo)體填充材料72不致予從基底20表面上脫落；在第4步驟工藝中，填充通道100的材料不限于各種導(dǎo)電的半導(dǎo)體材料，還可以是金屬或金屬合金等導(dǎo)電材料。通常會(huì)采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)來(lái)打磨犧牲層材料80的表面，這樣也會(huì)使得犧牲層80表面更加平整。本實(shí)施案例的特殊情況，就是橋面30結(jié)構(gòu)上只有吸收層32、熱敏感層33、保護(hù)層34以及鈍化層35，應(yīng)力緩沖層31的厚度為零；相應(yīng)橋腿40上只有熱阻層42、導(dǎo)電層43以及鈍化層44，緩沖層41的厚度為零。本實(shí)施案例的特利中，對(duì)于不同的熱敏感層33的選擇，例如對(duì)于非晶硅a-Si來(lái)說(shuō)，橋面30甚至不需要保護(hù)層34。該特例雖然在應(yīng)力控制上不夠精細(xì)，但并不失為制作一種簡(jiǎn)單紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)的選擇。本實(shí)施案例的探測(cè)機(jī)理是目標(biāo)發(fā)出含有自身溫度信息的紅外光波熱輻射能量，被紅外焦平面陣列探測(cè)器的吸收層32所吸收，由于橋腿40的熱絕緣作用，熱量就在橋面30上累積從而加熱其中的熱敏感層33，并導(dǎo)致其溫度上升，進(jìn)而引起熱敏感層33諸如非晶硅或者氧化釩等材料的電阻值(或者電阻率)發(fā)生變化，這種變化對(duì)應(yīng)紅外輻射量的信息，經(jīng)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)后，就利用基底20上的集成電路依次順序讀出。上述過(guò)程可簡(jiǎn)單總結(jié)為“吸收紅外輻射-熱敏感層溫度變化-電阻值變化-電路讀出”。以上所述的具體實(shí)施案例，是對(duì)本實(shí)用新型的目的以及技術(shù)方案進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，有必要聲明的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施案例，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的的精神和范圍之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種高應(yīng)力平衡的紅外探測(cè)器，包括微結(jié)構(gòu)(10)和基底(20)，其中微結(jié)構(gòu)(10)包括橋面(30)，設(shè)置在橋面相對(duì)側(cè)方向的兩只橋腿(40)和錨柱(70)，微結(jié)構(gòu)(10)的橋腿(40) 一邊端部與橋面(30)連接在一起，另一邊端部通過(guò)錨柱(70)連接在基底(20)上，所述的基底(20)為讀出集成電路襯底，表面上設(shè)有反射膜層(60);所述的微結(jié)構(gòu)(10)的橋面(30)是懸空在基底(20)的上方，并與之上的反射膜層(60)形成真空間隙層，其特征在于所述微結(jié)構(gòu)的橋面薄膜對(duì)稱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高應(yīng)力平衡的紅外探測(cè)器，其特征在于所述的橋面(30)從下到上依次為應(yīng)力緩沖層(31)、吸收層(32)、熱敏感層(33)、保護(hù)層(34)和鈍化層(35)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高應(yīng)力平衡的紅外探測(cè)器，其特征在于吸收層(32)的薄膜和鈍化層(35)的薄膜對(duì)稱。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高應(yīng)力平衡的紅外探測(cè)器，其特征在于所述的橋面(30)的應(yīng)力緩沖層(31)與保護(hù)層(34)采用同一材料，且為氧化硅；橋面(30)的吸收層(32)與鈍化層(35)采用同一材料，且為氮化硅或氮氧化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高應(yīng)力平衡的紅外探測(cè)器，其特征在于所述的橋腿從下到上依次為緩沖層(41)、熱阻層(42)、導(dǎo)電層(43)和鈍化層(44)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高應(yīng)力平衡的紅外探測(cè)器，其特征在于熱阻層(42)的薄膜和鈍化層(44)的薄膜對(duì)稱。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高應(yīng)力平衡的紅外探測(cè)器，其特征在于所述的橋腿(40)的緩沖層(41)材料為氧化硅；橋腿(40)的熱阻層(42)與鈍化層(44)采用同一材料，且為氮化硅或氮氧化硅；橋腿(40)的導(dǎo)電層(43)材料為鈦、氮化鈦或鎳鉻合金。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述高應(yīng)力平衡的紅外探測(cè)器，其特征在于所述的錨柱(70)由金屬組成；或由金屬或半導(dǎo)體填充物(71)和氧化硅(72)組成，從內(nèi)到外依次是半導(dǎo)體填充物(71)和氧化硅(72)材料。
專利摘要本實(shí)用新型涉及紅外成像技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種高應(yīng)力平衡的紅外探測(cè)器，包括基底和微結(jié)構(gòu)，微結(jié)構(gòu)包括橋面、設(shè)置在橋面相對(duì)側(cè)方向的兩只橋腿和錨柱，橋腿的一邊端部與橋面連接在一起，另一邊端部通過(guò)錨柱連接在基底上，基底表面上設(shè)有反射膜層，橋面是懸空在該反射膜層的正上方，并與之形成真空間隙層，所述微結(jié)構(gòu)的橋面采用了對(duì)稱的薄膜結(jié)構(gòu)，從下到上依次為應(yīng)力緩沖層、吸收層、熱敏感層、保護(hù)層和鈍化層，應(yīng)力更容易實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償，從而使橋面的結(jié)構(gòu)非常平整和穩(wěn)定，不會(huì)發(fā)生翹曲變形，降低了本實(shí)用新型的工藝實(shí)現(xiàn)難度。
文檔編號(hào)G01J5/02GK202869656SQ201220263490
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月6日
發(fā)明者黃立, 王大甲 申請(qǐng)人:武漢高德紅外股份有限公司