專利名稱：太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種太陽能硅片檢測系統(tǒng)，特別涉及一種太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在太陽能光伏產(chǎn)業(yè)工藝鏈中，硅片線痕缺陷是在切片工藝中引進的一種硅片表面不平整的缺陷，包括凹槽(groove),臺階(step),波形(wave)以及這三種缺陷的復(fù)合缺陷等。目前該領(lǐng)域普遍采用線鋸切片工藝，將硅切方切成厚度一定的硅片，該方法具有成本低、產(chǎn)能高等優(yōu)點。但是，線鋸本身的材料會在生產(chǎn)過程中磨損，會產(chǎn)生線鋸粗細不均勻或跳線的情況，由此會在切出的硅片表面留下與線鋸平行的線痕缺陷。線痕缺陷會對娃片的后續(xù)工藝產(chǎn)生一系列影響第一增加工藝過程中的破損率；第二造成PN缺陷，從而降低成片電池片電性能；第三等離子增強化學(xué)氣象沉積·(PEV⑶)工藝后，線痕缺陷處顏色異常，影響成品電池片外觀；第四較大的線痕影響電池片柵線導(dǎo)電。因此硅片線痕檢測是硅片質(zhì)量空管的一個重要項目。目前主要有三類線痕檢測技術(shù)第一種通過高清晰成像辦法,識別線痕缺陷的位置，該方法可同其他硅片的檢測如外觀檢測、尺寸測量等融合在一起測量，但此方法不能實現(xiàn)定量測量，因此不能對檢測出的線痕進行等級劃分。第二種采用高精度激光三角位移傳感器，定量測量出硅片表面的高度信息和硅片的厚度信息，再由軟件算法判別出線痕的寬度、深度(或高度)以及等級劃分，但是，由于普通的激光三角位移傳感器的探測光斑為圓形，對太陽能級硅片表面的粗糙度十分敏感，測量出的線痕高度或深度信息往往會淹沒在硅片表面的粗糙不平的“噪聲信號中”，因此限制了測量精度和等級劃分精度。第三種采用線照明激光和面陣圖像傳感器組成的表面形貌測量儀。該技術(shù)為第二種方法的變形，測量精度同樣受到硅片表面粗糙度的影響。

實用新型內(nèi)容為了彌補以上不足，本實用新型提供了一種太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，該太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)極大地降低了硅片表面的粗糙度對測量線痕的干擾，使得測量只對線痕敏感，有效地提高了線痕測量的精度和準(zhǔn)確度。本實用新型為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，包括硅片傳送機構(gòu)、硅片位置感應(yīng)裝置、檢測模塊、數(shù)據(jù)采集卡和處理器，所述硅片傳送機構(gòu)能夠帶動硅片直線運動，檢測模塊上設(shè)有至少一個激光三角位移傳感器，激光三角位移傳感器將探測光斑投射到硅片表面來對其表面高度信息進行測量，硅片位置感應(yīng)裝置能夠感應(yīng)硅片位于激光三角位移傳感器檢測位置并傳信于數(shù)據(jù)采集卡，數(shù)據(jù)采集卡米集激光三角位移傳感器傳輸?shù)臏y量信息并輸出數(shù)據(jù)給處理器，工作時，娃片傳送機構(gòu)輸送硅片到激光三角位移傳感器的檢測位置，傳感器感應(yīng)到硅片到達該位置時發(fā)送信號到數(shù)據(jù)采集卡，數(shù)據(jù)采集卡接受到該信號后其內(nèi)的多個通道A/D開始并行采集激光三角位移傳感器輸出的數(shù)據(jù)，處理器(一般為數(shù)據(jù)處理軟件)對采集到的硅片表面高度數(shù)據(jù)進行計算，最終統(tǒng)計出每片硅片的線痕數(shù)目、每條線痕的類型、寬度、深度以及根據(jù)這些結(jié)果判斷每個硅片的質(zhì)量等級，所述激光三角位移傳感器的探測光斑為橢圓光斑，該橢圓光斑的長軸方向與娃片線痕方向平行，橢圓光斑的短軸方向與娃片運動方向一致，長條形橢圓探測光斑的長軸方向同線痕方向平行，該長條形測量光斑通過沿線痕方向的積分平均測量，可有效降低樣品表面粗糙度對測量精度的干擾，使得測量只對線痕敏感，橢圓探測光斑的短軸方向同樣品運動方向一致，可使得測量對線痕具有較高的空間分辨率，使得測量出的結(jié)果更穩(wěn)定。作為實用新型的進一步改進，所述硅片傳送機構(gòu)采用非抗振動型傳送機構(gòu)，激光三角位移傳感器縱向上呈對稱狀態(tài)分布于硅片上下兩側(cè)并與硅片位置正對，激光三角位移傳感器用于測量硅片上、下表面的高度數(shù)據(jù)，設(shè)激光三角儀所在的測量坐標(biāo)系為(x，y)，上、下激光三角儀測得的硅片上、下表面高度信息為yup(x)和ydOTn(x);設(shè)傳送帶上表面所在的局部坐標(biāo)系為(x’，y’)，硅片上、下表面相對于此坐標(biāo)系的高度信息為y’up(x)和y’dMtn(x)； 設(shè)傳送帶局部坐標(biāo)相對于激光三角儀測量坐標(biāo)的振動為yup(x)。各個數(shù)值存在如下關(guān)系th(x) = y，up(x)_y，down(x)yup (X) = yvib (x) +y ’ up (x)Ydown (x) = yvib(x)+y，d_(X)其中th(x)為硅片厚度信息，由第二式減第三式，并參照第一式，可得到th (X) = yup (X) -yd_ (x)上式說明通過上、下激光三角儀測得的硅片上、下表面高度信息為yup(x)、Ydown(X)，經(jīng)運算后可消除振動對測量的影響。作為實用新型的進一步改進，所述硅片傳送機構(gòu)采用抗振動型傳送機構(gòu)，激光三角位移傳感器正對于娃片背向娃片傳送機構(gòu)的一側(cè)。作為實用新型的進一步改進，所述硅片傳送機構(gòu)采用非抗振動型傳送機構(gòu)和抗振動型傳送機構(gòu)結(jié)合的方式，抗振動型傳送機構(gòu)能夠從非抗振動型傳送機構(gòu)上抓取娃片，然后通過激光三角位移傳感器的測量，再放回非抗振動型傳送機構(gòu)上進行繼續(xù)傳輸，非抗振型運送機構(gòu)將硅片運送到激光三角位移傳感器附近，抗振動型傳送機構(gòu)帶吸盤的機械手用吸盤抓取硅片，然后平穩(wěn)地將硅片運送到激光三角位移傳感器的檢測區(qū)；硅片通過激光三角位移傳感器的檢測區(qū)檢測完成后，機械手將硅片放置在下一道非抗振型運送機構(gòu)上運送到下道工序。作為實用新型的進一步改進，若干激光三角位移傳感器沿垂直于硅片運動方向呈等間隔排列狀態(tài)分布，該種結(jié)構(gòu)組成多通道測量方式，一般線痕的深度在硅片上并不相同，某些線痕在硅片兩側(cè)比較深，某些線痕可能只會出現(xiàn)在硅片的一側(cè)，某些線痕可能一側(cè)深而另一側(cè)淺。采用多通道并行測量方式可有效降低漏檢、誤檢、錯檢等情況，極大提高檢測準(zhǔn)確度。作為實用新型的進一步改進，檢測模塊上還設(shè)有橫向調(diào)整機構(gòu)和高度調(diào)整裝置，其中橫向調(diào)整機構(gòu)包括旋鈕、螺桿和固定底座，螺桿軸向與硅片運動方向垂直，旋鈕帶動螺桿旋轉(zhuǎn)，螺桿與固定底固連，螺桿推動固定座橫向移動，高度調(diào)整裝置包括橫梁和橫梁支撐架，橫梁定位于橫梁支撐架上，橫梁支撐架相對于硅片傳送機構(gòu)的縱向高度能夠調(diào)節(jié)，激光三角位移傳感器固定位于橫梁上，通過調(diào)整橫向調(diào)整機構(gòu)，可變化激光三角位移傳感器的橫向間距，以兼容不同尺寸硅片的測量；通過調(diào)整高度調(diào)整裝置的高度，可使得各個激光三角位移傳感器工作在量程中點附近。作為實用新型的進一步改進，還設(shè)有滑塊和限位角，所述橫梁上設(shè)有沿硅片運動方向的導(dǎo)軌，該滑塊配合套設(shè)于導(dǎo)軌上，激光三角位移傳感器的定位架固設(shè)于滑塊上，限位角與橫向調(diào)整機構(gòu)的固定座固連，分別用于激光三角位移傳感器橫向位置調(diào)整時起導(dǎo)向作用和限位作用。作為實用新型的進一步改進，檢測模塊上還設(shè)有微調(diào)裝置，微調(diào)裝置固設(shè)于滑塊
上，三角位移傳感器固定于微調(diào)裝置上，微調(diào)裝置可以通過調(diào)整螺栓來實現(xiàn)，微調(diào)裝置使得上下激光三角位移傳感器的光斑對準(zhǔn)。作為實用新型的進一步改進，硅片傳送機構(gòu)上還設(shè)有寬度能夠調(diào)整的導(dǎo)流槽，硅片恰能夠沿導(dǎo)流槽長度方向通過，所述導(dǎo)流槽沿硅片運動方向的進口端呈喇叭口狀，硅片經(jīng)導(dǎo)流槽后位置得到校正，其寬度能夠調(diào)整可適應(yīng)不同尺寸的硅片，所述的硅片對齊裝置作用為對硅片位置進行校正，但不限于該形式。作為實用新型的進一步改進，所述三角位移傳感器為帶動控制器類和不帶控制器類中的一種，激光三角位移傳感器選擇不帶處理器的結(jié)構(gòu)，每個激光三角位移傳感器均帶單獨的數(shù)據(jù)傳輸功能，可簡化系統(tǒng)和降低系統(tǒng)成本；三角位移傳感器帶高速數(shù)字通信方式，可有效消除D/A和A/D過程中產(chǎn)生的噪聲影響；三角位移傳感器帶可同步功能，使得各個探測頭可同步探測硅片表面高度信息；所述數(shù)據(jù)采集卡帶同步采集功能。本實用新型的有益技術(shù)效果是本實用新型采用具有橢圓探測光斑的激光三角位移傳感器，長條形橢圓探測光斑的長軸方向同線痕方向平行可有效降低樣品表面粗糙度對測量精度的干擾，橢圓探測光斑的短軸方向同樣品運動方向一致可使得測量對線痕具有較高的空間分辨率；該檢測系統(tǒng)極大地降低了硅片表面的粗糙度對測量線痕的干擾，使得測量只對線痕敏感，有效地提高了線痕測量的精度和準(zhǔn)確度，實現(xiàn)了硅片線痕測量的高速檢測。

圖I為本實用新型的檢測模塊結(jié)構(gòu)原理主視圖；圖2為本實用新型的檢測模塊結(jié)構(gòu)原理立體圖；圖3為實用新型的立體示意圖；圖4為本實用新型的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)原理圖；圖5為現(xiàn)有技術(shù)采用圓形探測光斑測量出的線痕凹槽缺陷數(shù)據(jù)；圖6為本采用單側(cè)橢圓形探測光斑測量出的線痕凹槽缺陷數(shù)據(jù)；圖7為本采用非抗振動型傳送機構(gòu)和選擇激光三角位移傳感器對稱分布于待測量硅片兩側(cè)結(jié)構(gòu)時測量出的硅片厚度數(shù)據(jù)；圖8為本實用新型采用抗振傳送機構(gòu)時激光三角位移傳感器單側(cè)測量主視圖；圖9為本實用新型采用抗振傳送機構(gòu)時激光三角位移傳感器單側(cè)測量俯視圖圖10為本實用新型采用抗振傳送機構(gòu)時激光三角位移傳感器單側(cè)測量數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)；[0033]圖11為本實用新型采用非抗振動型傳送機構(gòu)和抗振動型傳送機構(gòu)結(jié)合的方式的示意圖。
具體實施方式
實施例一種太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，包括硅片傳送機構(gòu)I、硅片位置感應(yīng)裝置2、檢測模塊、數(shù)據(jù)采集卡17和處理器18，所述硅片傳送機構(gòu)I能夠帶動硅片直線運動，檢測模塊上設(shè)有至少一個激光三角位移傳感器3，激光三角位移傳感器3將探測光斑投射到硅片表面來對其表面高度信息進行測量，硅片位置感應(yīng)裝置2能夠感應(yīng)硅片位于激光三角位移傳感器3檢測位置并傳信于數(shù)據(jù)采集卡17，數(shù)據(jù)采集卡17采集激光三角位移傳感器3傳輸?shù)臏y量信息并輸出數(shù)據(jù)給處理器18,工作時,娃片傳送機構(gòu)I輸送娃片到激光三角位移傳感器3的檢測位置，傳感器感應(yīng)到硅片4到達該位置時發(fā)送信號到數(shù)據(jù)采集卡17，數(shù)據(jù)采集卡17接受到該信號后其內(nèi)的多個通道A/D開始并行采集激光三角位移傳感器3輸出的數(shù)據(jù)，處理器18 ( 一般為數(shù)據(jù)處理軟件)對采集到的硅片表面高度數(shù)據(jù)進行計算，最終統(tǒng)計出每片硅片的線痕數(shù)目、每條線痕的類型、寬度、深度以及根據(jù)這些結(jié)果判斷每個硅片的質(zhì)量等級，所述激光三角位移傳感器3的探測光斑為橢圓光斑31，該橢圓光斑31的長軸·方向與娃片線痕方向平行，橢圓光斑31的短軸方向與娃片運動方向一致,長條形橢圓探測光斑的長軸方向同線痕方向平行，該長條形測量光斑通過沿線痕方向的積分平均測量，可有效降低樣品表面粗糙度對測量精度的干擾，使得測量只對線痕敏感，橢圓探測光斑的短軸方向同樣品運動方向一致，可使得測量對線痕具有較高的空間分辨率，使得測量出的結(jié)果更穩(wěn)定。所述硅片傳送機構(gòu)I采用非抗振動型傳送機構(gòu)，激光三角位移傳感器3縱向上呈對稱狀態(tài)分布于硅片上下兩側(cè)并與硅片位置正對，激光三角位移傳感器3用于測量硅片上、下表面的高度數(shù)據(jù)，設(shè)激光三角儀所在的測量坐標(biāo)系為(x，y)，上、下激光三角儀測得的硅片上、下表面高度信息為yup(x)和ydOTn(x);設(shè)傳送帶上表面所在的局部坐標(biāo)系為U’，y’)，硅片上、下表面相對于此坐標(biāo)系的高度信息為y’ up(x)和y’ down(x);設(shè)傳送帶局部坐標(biāo)相對于激光三角儀測量坐標(biāo)的振動為yup(x)，各個數(shù)值存在如下關(guān)系th(x) = y，up(x)_y，d_(x)yup(x) = yvib(x)+y，up(x)Ydown (X) = yvib (X) +y，d_ (X)其中th(x)為硅片厚度信息，由第二式減第三式，并參照第一式，可得到th (X) = yup (X) -yd_ (x)上式說明通過上、下激光三角儀測得的硅片上、下表面高度信息為yup(x)、Ydown(X)，經(jīng)運算后可消除振動對測量的影響。所述娃片傳送機構(gòu)I米用抗振動型傳送機構(gòu)，激光三角位移傳感器3正對于娃片背向娃片傳送機構(gòu)I的一側(cè)。所述娃片傳送機構(gòu)I米用非抗振動型傳送機構(gòu)和抗振動型傳送機構(gòu)結(jié)合的方式，抗振動型傳送機構(gòu)能夠從非抗振動型傳送機構(gòu)上抓取硅片并使其通過激光三角位移傳感器的測量后再放回非抗振動型傳送機構(gòu)上進行繼續(xù)傳輸，非抗振型運送機構(gòu)將硅片運送到激光三角位移傳感器3附近，抗振動型傳送機構(gòu)帶吸盤的機械手用吸盤抓取硅片，然后平穩(wěn)地將硅片運送到激光三角位移傳感器3的檢測區(qū)；硅片通過激光三角位移傳感器3的檢測區(qū)檢測完成后，機械手將硅片放置在下一道非抗振型運送機構(gòu)上運送到下道工序。所述若干激光三角位移傳感器3沿垂直于硅片運動方向呈等間隔排列狀態(tài)分布，該種結(jié)構(gòu)組成多通道測量方式，一般線痕的深度在硅片上并不相同，某些線痕在硅片兩側(cè)比較深，某些線痕可能只會出現(xiàn)在硅片的一側(cè)，某些線痕可能一側(cè)深而另一側(cè)淺。采用多通道并行測量方式可有效降低漏檢、誤檢、錯檢等情況，極大提高檢測準(zhǔn)確度。所述檢測模塊上還設(shè)有橫向調(diào)整機構(gòu)和高度調(diào)整裝置，其中橫向調(diào)整機構(gòu)包括旋鈕5、螺桿6和固定底座7，螺桿6軸向與硅片運動方向垂直，旋鈕5帶動螺桿6旋轉(zhuǎn)，螺桿6固連固定底座7，螺桿推動固定底座橫向移動，高度調(diào)整裝置包括橫梁8和橫梁支撐架9，橫梁8定位于橫梁支撐架9上，橫梁支撐架9相對于硅片傳送機構(gòu)I的縱向高度能夠調(diào)節(jié)，激光三角位移傳感器3固定位于橫梁8上，通過調(diào)整橫向調(diào)整機構(gòu)，可變化激光三角位移傳感器3的橫向間距，以兼容不同尺寸硅片的測量；通過調(diào)整高度調(diào)整裝置的高度，可使得各個激光三角位移傳感器3工作在量程中點附近。還設(shè)有滑塊12和限位角13，所述橫梁8上設(shè)有沿硅片運動方向的導(dǎo)軌，該滑塊12配合套設(shè)于導(dǎo)軌上，激光三角位移傳感器3的定位架固設(shè)于滑塊12上，限位角13與橫向調(diào)整機構(gòu)的固定座固連，分別用于激光三角位移傳感器3橫向位置調(diào)整時起導(dǎo)向作用和限位作用。所述檢測模塊上還設(shè)有微調(diào)裝置，微調(diào)裝置固設(shè)于滑塊12上，三角位移傳感器固定于微調(diào)裝置上，微調(diào)裝置可以通過調(diào)整螺栓來實現(xiàn)，微調(diào)裝置使得上下激光三角位移傳感器3的光斑對準(zhǔn)。所述硅片傳送機構(gòu)I上還設(shè)有寬度能夠調(diào)整的導(dǎo)流槽15，硅片恰能夠沿導(dǎo)流槽15長度方向通過，所述導(dǎo)流槽15沿硅片運動方向的進口端呈喇叭口狀，硅片經(jīng)導(dǎo)流槽15后位置得到校正，其寬度能夠調(diào)整可適應(yīng)不同尺寸的硅片，所述的硅片對齊裝置作用為對硅片位置進行校正，但不限于該形式。所述三角位移傳感器為帶動控制器類和不帶控制器類中的一種，激光三角位移傳感器3選擇不帶處理器18的結(jié)構(gòu)，每個激光三角位移傳感器3均帶單獨的數(shù)據(jù)傳輸功能，可簡化系統(tǒng)和降低系統(tǒng)成本；三角位移傳感器帶高速數(shù)字通信方式，可有效消除D/A和A/D過程中產(chǎn)生的噪聲影響；三角位移傳感器帶可同步功能，使得各個探測頭可同步探測硅片表面高度信息；所述數(shù)據(jù)采集卡17帶同步采集功能。
權(quán)利要求1.一種太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，包括硅片傳送機構(gòu)(I)、硅片位置感應(yīng)裝置(2)、檢測模塊、數(shù)據(jù)采集卡(17)和處理器(18)，所述硅片傳送機構(gòu)(I)能夠帶動硅片直線運動，檢測模塊上設(shè)有至少一個激光三角位移傳感器(3)，激光三角位移傳感器(3)將探測光斑投射到硅片表面來對其表面高度信息進行測量，硅片位置感應(yīng)裝置(2)能夠感應(yīng)硅片位于激光三角位移傳感器(3)檢測位置并傳信于數(shù)據(jù)采集卡(17)，數(shù)據(jù)采集卡(17)采集激光三角位移傳感器(3)傳輸?shù)臏y量信息并輸出數(shù)據(jù)給處理器(18)，其特征是所述激光三角位移傳感器(3)的探測光斑為橢圓光斑(31)，該橢圓光斑(31)的長軸方向與硅片線痕方向平行，橢圓光斑(31)的短軸方向與娃片運動方向一致。
2.如權(quán)利要求I所述的太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，其特征是所述硅片傳送機構(gòu)(I)采用非抗振動型傳送機構(gòu)，激光三角位移傳感器(3)縱向上呈對稱狀態(tài)分布于硅片上下兩側(cè)并與硅片位置正對。
3.如權(quán)利要求I所述的太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，其特征是所述硅片傳送機構(gòu)(I)米用抗振動型傳送機構(gòu)，激光三角位移傳感器(3)正對于娃片背向娃片傳送機構(gòu)(I)的一側(cè)。
4.如權(quán)利要求I所述的太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，其特征是所述硅片傳送機構(gòu)(I)采用非抗振動型傳送機構(gòu)和抗振動型傳送機構(gòu)結(jié)合的方式，抗振動型傳送機構(gòu)能夠從非抗振動型傳送機構(gòu)上抓取硅片再放回非抗振動型傳送機構(gòu)上進行繼續(xù)傳輸。
5.如權(quán)利要求2、3或4所述的太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，其特征是若干激光三角位移傳感器(3)沿垂直于硅片運動方向呈等間隔排列狀態(tài)分布。
6.如權(quán)利要求5所述的太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，其特征是檢測模塊上還設(shè)有橫向調(diào)整機構(gòu)和高度調(diào)整裝置，其中橫向調(diào)整機構(gòu)包括旋鈕(5)、螺桿(6)和固定底座(7),螺桿(6)軸向與娃片運動方向垂直,旋鈕(5)帶動螺桿(6)旋轉(zhuǎn),螺桿(6)與固定底座(7)固連，高度調(diào)整裝置包括橫梁(8)和橫梁支撐架(9)，橫梁(8)定位于橫梁支撐架(9)上，橫梁支撐架(9)相對于硅片傳送機構(gòu)(I)的縱向高度能夠調(diào)節(jié)，激光三角位移傳感器(3)固定位于橫梁(8)上。
7.如權(quán)利要求6所述的太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，其特征是還設(shè)有滑塊(12)和限位角(13)，所述橫梁(8)上設(shè)有沿硅片運動方向的導(dǎo)軌，該滑塊(12)配合套設(shè)于導(dǎo)軌上，激光三角位移傳感器(3)的定位架固設(shè)于滑塊(12)上，限位角(13)與橫向調(diào)整機構(gòu)的固定座固連。
8.如權(quán)利要求7所述的太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，其特征是檢測模塊上還設(shè)有微調(diào)裝置，微調(diào)裝置固設(shè)于滑塊(12)上，激光三角位移傳感器固定于微調(diào)裝置上。
9.如權(quán)利要求I所述的太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，其特征是硅片傳送機構(gòu)(I)上還設(shè)有寬度能夠調(diào)整的導(dǎo)流槽(15)，硅片恰能夠沿導(dǎo)流槽(15)長度方向通過，所述導(dǎo)流槽(15)沿硅片運動方向的進口端呈喇叭口狀。
10.如利要求I所述的太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，其特征是所述三角位移傳感器為帶動控制器類和不帶控制器類中的一種；三角位移傳感器帶高速數(shù)字通信方式；三角位移傳感器帶可同步功能；所述數(shù)據(jù)采集卡(17)帶同步采集功能。
專利摘要本實用新型公開了一種太陽能硅片線痕高精度檢測系統(tǒng)，硅片傳送機構(gòu)帶動硅片運動，激光三角位移傳感器將探測光斑投射到硅片表面來對其表面高度信息進行測量，硅片位置感應(yīng)裝置能夠感應(yīng)硅片位于激光三角位移傳感器檢測位置并傳信于數(shù)據(jù)采集卡，數(shù)據(jù)采集卡采集激光三角位移傳感器傳輸?shù)臏y量信息并輸出數(shù)據(jù)給處理器，激光三角位移傳感器的探測光斑為長軸方向與硅片線痕方向平行且短軸方向與硅片運動方向一致的橢圓光斑，本實用新型極大地降低了硅片表面的粗糙度對測量線痕的干擾，使得測量只對線痕敏感，有效地提高了線痕測量的精度和準(zhǔn)確度，實現(xiàn)了硅片線痕測量的高速檢測。
文檔編號G01N21/956GK202494648SQ201220104389
公開日2012年10月17日 申請日期2012年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月20日
發(fā)明者惠施, 李波, 裴世鈾, 陳利平 申請人:蘇州中導(dǎo)光電設(shè)備有限公司