專利名稱：太陽能硅片表面線痕測試儀的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于太陽能硅片表面線痕測試儀技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前的線痕測試存在的問題1.很多情況并不能直接被測量出。2.自動(dòng)分選儀可 以直接測量出但是價(jià)格昂貴，約RMB —千萬，并且測試原理只是掃瞄規(guī)定部分線痕。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是在線痕測試方面需要投資小，效果明顯的機(jī) 器或測量方法。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種太陽能硅片表面線痕測試 儀，包括驅(qū)動(dòng)器，探針組件，工作臺、數(shù)據(jù)處理器和豎直在工作臺上的立柱，探針組件安裝在 驅(qū)動(dòng)器上，驅(qū)動(dòng)器安裝在立柱上，探針組件的頭端是探針，探針在硅片表面滑動(dòng)，探針組件 將硅片表面的滑動(dòng)曲線輸入數(shù)據(jù)處理器，驅(qū)動(dòng)器響應(yīng)于來自數(shù)據(jù)處理器的指令來移動(dòng)探針 組件或沿著立柱在豎直方向上下移動(dòng)，在工作臺上設(shè)置陶瓷高精密平臺，待測試的硅片放 置在陶瓷高精密平臺上。本實(shí)用新型的有益效果是使用該線痕測試儀可以對制程或供應(yīng)商的管理提供量 化的產(chǎn)品線痕標(biāo)準(zhǔn)，準(zhǔn)確，及時(shí)的實(shí)行線痕SPC控制；在雙方對線痕存在異議時(shí)，可以作為 第三方仲裁。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明；

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；其中1.驅(qū)動(dòng)器，2.探針組件，2-1.探針，3.工作臺，4.數(shù)據(jù)處理器，5.立柱，6.硅 片，7.陶瓷高精密平臺。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，該太陽能硅片表面線痕測試儀包括探針組件2，該探針組件2用來測 量放置于陶瓷高精密平臺7上的硅片6，該探針組件2固定于驅(qū)動(dòng)器1上。探針組件2的頭 端是探針2-1，驅(qū)動(dòng)器1安裝在直立于工作臺3上的立柱5上，并且響應(yīng)于來自數(shù)據(jù)處理器 4的指令來移動(dòng)探針組件2。同樣，整個(gè)驅(qū)動(dòng)器1可以根據(jù)硅片6的高度沿著立柱5在豎直 方向上下移動(dòng)，該豎直方向垂直于工作臺3的表面，在工作臺3上設(shè)置陶瓷高精密平臺7。 一旦探針2-1與硅片6表面保持接觸，驅(qū)動(dòng)器1驅(qū)動(dòng)探針2-1移動(dòng)，則探針2-1將此滑動(dòng)曲 線通過傳感器輸入數(shù)據(jù)處理器4中。線痕測量接觸式測量，通過尖端半徑為2um的探針2-1在硅片6表面滑動(dòng)測量， 并將此滑動(dòng)曲線傳入數(shù)據(jù)處理器4的振幅指示部，在振幅指示部中將曲線圖形顯示出并計(jì)算該曲線的各種相關(guān)數(shù)據(jù)，包括線痕和翹曲。線痕值的確定測量線痕時(shí)，取較小一段約4mm長度測量，所得曲線通過濾波器過 濾硅片本身彎曲后，得到線痕曲線并進(jìn)行計(jì)算，可以得出所選部位線痕值Rt 線痕曲線中 波峰與波谷的最大差值。使用Rt評定線痕的原因在于，Ry只反映小范圍取樣長度(0. 5mm) 的情況，而Rt反映的是評定長度(4mm)內(nèi)的整體情況，電池端刻蝕需求的是整體的情況。電 池端可以根據(jù)Rt體現(xiàn)整體情況，調(diào)整刻蝕深度，為電池的刻蝕提供依據(jù)，而并非小范圍的 取樣長度的情況。例如臺階片，取用Ry則難以體現(xiàn)硅片的臺階性，而取用Rt卻能準(zhǔn)確的反 映評定長度內(nèi)的總體情況，臺階片是指凹凸較多的硅片。翹曲測量測量翹曲時(shí)，需要取較長距離，根據(jù)所捕捉的圖形，可以計(jì)算出所測量 部位硅片的翹曲值圖形中波峰與波谷的最大差值。
權(quán)利要求一種太陽能硅片表面線痕測試儀，其特征是包括驅(qū)動(dòng)器(1)，探針組件(2)，工作臺(3)、數(shù)據(jù)處理器(4)和豎直在工作臺(3)上的立柱(5)，探針組件(2)安裝在驅(qū)動(dòng)器(1)上，驅(qū)動(dòng)器(1)安裝在立柱(5)上，探針組件(2)的頭端是探針(2 1)，探針(2 1)在硅片(6)表面滑動(dòng)，探針組件(2)將硅片(6)表面的滑動(dòng)曲線輸入數(shù)據(jù)處理器(4)，驅(qū)動(dòng)器(1)響應(yīng)于來自數(shù)據(jù)處理器(4)的指令來移動(dòng)探針組件(2)或沿著立柱(5)在豎直方向上下移動(dòng)，在所述的工作臺(3)上設(shè)置陶瓷高精密平臺(7)，硅片(6)放置在陶瓷高精密平臺(7)上。
專利摘要本實(shí)用新型涉及太陽能硅片表面線痕測試儀，包括驅(qū)動(dòng)器，探針組件，工作臺、數(shù)據(jù)處理器和豎直在工作臺上的立柱，探針組件安裝在驅(qū)動(dòng)器上，驅(qū)動(dòng)器安裝在立柱上，探針組件的頭端是探針，探針在硅片表面滑動(dòng)，探針組件將硅片表面的滑動(dòng)曲線輸入數(shù)據(jù)處理器，驅(qū)動(dòng)器響應(yīng)于來自數(shù)據(jù)處理器的指令來移動(dòng)探針組件或沿著立柱在豎直方向上下移動(dòng)，在工作臺上設(shè)置陶瓷高精密平臺，待測試的硅片放置在陶瓷高精密平臺上。使用該線痕測試儀可以對制程或供應(yīng)商的管理提供量化的產(chǎn)品線痕標(biāo)準(zhǔn)，準(zhǔn)確，及時(shí)的實(shí)行線痕SPC控制；在雙方對線痕存在異議時(shí)，可以作為第三方仲裁。
文檔編號G01R1/067GK201716393SQ201020223229
公開日2011年1月19日 申請日期2010年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月10日
發(fā)明者謝錦文, 陳留華 申請人:常州天合光能有限公司