Led檢測裝置制造方法
【專利摘要】一種LED檢測裝置，其至少包含具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座以及點(diǎn)測裝置。基座用以承載至少一發(fā)光二極管晶片。點(diǎn)測裝置包含一電源供應(yīng)器及至少二個(gè)導(dǎo)電元件。導(dǎo)電元件的兩端分別電性連接發(fā)光二極管晶片及電源供應(yīng)器，以令發(fā)光二極管晶片發(fā)出光線。發(fā)光二極管晶片發(fā)出的部分光線朝向基座，以使得基座將發(fā)光二極管晶片發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換成一電子信號。
【專利說明】LED檢測裝置
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種檢測裝置，特別是有關(guān)于一種LED檢測裝置。
【【背景技術(shù)】】
[0002]隨著科技進(jìn)步及生活品質(zhì)的提升，現(xiàn)代人對于照明更趨重視。從自古利用物質(zhì)燃燒以進(jìn)行發(fā)光照明的火把、動植物油燈、蠟燭、煤油燈，以電力發(fā)光的白熾燈、熒光燈，抑或是現(xiàn)今常用的發(fā)光二極管(light-emitting diode，LED)，皆顯示照明在人類日常生活中扮演極重要的角色。
[0003]發(fā)光二極管是利用電子電洞結(jié)合以發(fā)出單色光，以達(dá)到照明或警示的作用。發(fā)光二極管相較于傳統(tǒng)光源，具有發(fā)光效率高、使用壽命長、不易破損、反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)。由于近幾年政府大力的提倡及各城市LED路燈規(guī)模的加速擴(kuò)大下，使用LED作為照明用途已隨處可見。
[0004]一般常用點(diǎn)測機(jī)以檢測發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效率。現(xiàn)有的點(diǎn)測機(jī)是利用探針提供發(fā)光二極管晶片發(fā)光的電壓來源，再經(jīng)由點(diǎn)測機(jī)的光感測裝置收集光線，進(jìn)而判斷發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效率。然而，使用者在使用現(xiàn)有的點(diǎn)測機(jī)時(shí)，不僅須選用適當(dāng)?shù)墓飧袦y裝置以感測發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效率，且在實(shí)際操作上，使用者更常為了達(dá)到完整收光的目的，而須調(diào)整光感測裝置與發(fā)光二極管晶片的相對位置，著實(shí)增加使用者于檢測發(fā)光二極管晶片的繁雜度及所需的檢測時(shí)間。又，光線通過載臺至光感測裝置的路徑，易因光線折射造成光量損失，影響檢測發(fā)光二極管晶片發(fā)光效率的準(zhǔn)確度。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0005]有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的其中一目的就是在于提供一種LED檢測裝置，以降低使用者檢測發(fā)光二極管晶片的繁雜度及所需的檢測時(shí)間。
[0006]本發(fā)明的另一目的，在于提出一種LED檢測裝置，以提高檢測發(fā)光二極管晶片的準(zhǔn)確度。
[0007]為達(dá)前述目的，本發(fā)明提出一種LED檢測裝置，至少包含具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座以及點(diǎn)測裝置。基座用以承載至少一發(fā)光二極管晶片。點(diǎn)測裝置包含電源供應(yīng)器及至少二個(gè)導(dǎo)電元件，且導(dǎo)電元件的兩端分別電性連接發(fā)光二極管晶片及電源供應(yīng)器，以令發(fā)光二極管晶片發(fā)出光線。并且，發(fā)光二極管晶片發(fā)出的部分光線朝向基座，以使得基座將發(fā)光二極管晶片發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換成一電子信號。其中，基座為太陽能板或光偵測器陣列(photodetector array),且太陽能板為非晶娃太陽能板或三五族太陽能板,而光偵測器陣列為光電二極管、電荷稱合器件(charge coupled device, CO))、光電阻、量子器件光學(xué)偵測器、光電閘、光電晶體或光導(dǎo)體的 陣列。
[0008]此外，基座的面積實(shí)質(zhì)上大于發(fā)光二極管晶片或其陣列的分布面積。較佳地，基座的面積大于〔L+2H tan( Θ /2)〕X〔W+2H tan( Θ /2)〕，其中L為發(fā)光二極管晶片的長度，W為發(fā)光二極管晶片的寬度，H為發(fā)光二極管晶片的高度，Θ為發(fā)光二極管晶片面向基座的最大出光角。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的LED檢測裝置的第一較佳實(shí)施例，導(dǎo)電元件為探針。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的LED檢測裝置的第二較佳實(shí)施例，導(dǎo)電元件為導(dǎo)電薄膜，且導(dǎo)電薄膜設(shè)置于基座與發(fā)光二極管晶片之間。其中，導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)為氧化銦錫(indium t inoxide, ITO)或氧化銦鋒(indiumzinc oxide, IZ0)。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的LED檢測裝置的第三較佳實(shí)施例，導(dǎo)電元件為導(dǎo)電薄膜，且導(dǎo)電薄膜設(shè)置于基座與發(fā)光二極管晶片之上。其中，導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)為氧化銦錫(indium tinoxide, ITO)或氧化銦鋒(indiumzinc oxide, IZ0)。
[0012]在本發(fā)明的LED檢測裝置的第一及第三較佳實(shí)施例中，基座與發(fā)光二極管晶片之間設(shè)有具黏性的膜材，且膜材上還設(shè)置一擴(kuò)張環(huán)(gripring)，用以拉撐膜材。
[0013]此外，在本發(fā)明的LED檢測裝置的第一、第二、第三較佳實(shí)施例中，發(fā)光二極管晶片背向基座的一側(cè)可裝設(shè)反射膜，以反射發(fā)光二極管晶片的背向基座的一面的出光或側(cè)向出光。其中，反射膜為于300nm~700nm的光波長區(qū)域的反射率為90%以上的薄膜。較佳地，反射膜為于430nm~475nm的可見藍(lán)光區(qū)域的反射率為90%以上的薄膜。
[0014]承上所述，本發(fā)明的LED檢測裝置，其可具有一或多個(gè)下述優(yōu)點(diǎn):
[0015](I)本發(fā)明的LED檢測裝置，利用具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座承載發(fā)光二極管晶片并檢測其發(fā)光效率，以減低使用者操作檢測裝置的繁雜度以及所需的檢測時(shí)間。
[0016](2)本發(fā)明的LED檢測裝置，利用具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座，可降低傳遞路徑中的光損失，以提高檢測發(fā)光二極管晶片的準(zhǔn)確度。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0017]圖1為本發(fā)明的LED 檢測裝置的第一較佳實(shí)施例的剖面示意圖。
[0018]圖2A為發(fā)光二極管晶片的立體圖。
[0019]圖2B為發(fā)光二極管晶片沿圖2A剖面線A-A’所得的剖面示意圖。
[0020]圖2C為發(fā)光二極管晶片沿圖2A剖面線B-B’所得的剖面示意圖。
[0021]圖3為本發(fā)明的LED檢測裝置的第二較佳實(shí)施例的剖面示意圖。
[0022]圖4為本發(fā)明的LED檢測裝置的第三較佳實(shí)施例的剖面示意圖。
[0023]10、A:發(fā)光二極管晶片
[0024]100:點(diǎn)測裝置
[0025]12:探針
[0026]13:電源供應(yīng)器
[0027]15:電子裝置
[0028]L1:光線
[0029]200:基座
[0030]14:導(dǎo)電薄膜
[0031]30:膜材
[0032]32:擴(kuò)張環(huán)
[0033]40:反射膜
[0034]L:發(fā)光二極管晶片長度[0035]W:發(fā)光二極管晶片寬度
[0036]H:發(fā)光二極管晶片高度
[0037]A-A，、B-B’:剖面線
【【具體實(shí)施方式】】
[0038]本發(fā)明的LED檢測裝置至少包含具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座以及點(diǎn)測裝置。其中，點(diǎn)測裝置包含電源供應(yīng)器及至少兩個(gè)導(dǎo)電元件。在本發(fā)明的實(shí)施例中，導(dǎo)電元件可例如為探針或?qū)щ姳∧?。使用者可視?shí)際需求選用探針或?qū)щ姳∧ひ噪娦越佑|并施予發(fā)光二極管晶片電壓。然而，在本發(fā)明的LED檢測裝置中，導(dǎo)電元件并不限于上述的探針或?qū)щ姳∧ぃ魏文芴峁┌l(fā)光二極管晶片電壓，使得發(fā)光二極管晶片得以發(fā)出光線的導(dǎo)電元件，皆屬于本發(fā)明所申請保護(hù)的范圍。
[0039]請參閱圖1，其為本發(fā)明的LED檢測裝置的第一較佳實(shí)施例的剖面示意圖。如圖1所示，本發(fā)明的LED檢測裝置的第一較佳實(shí)施例包含具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座200以及點(diǎn)測裝置100?；?00用以承載所欲檢測的發(fā)光二極管晶片10。點(diǎn)測裝置100包含電源供應(yīng)器13及至少兩個(gè)導(dǎo)電元件。在本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例中，導(dǎo)電元件為探針12，且探針12的兩端分別電性連接發(fā)光二極管晶片A及電源供應(yīng)器13，以令發(fā)光二極管晶片A的兩電極接收不同電壓而發(fā)出數(shù)道光線LI。并且，如圖1所示，發(fā)光二極管晶片A發(fā)出的數(shù)道光線LI朝向基座200，以使得基座200將發(fā)光二極管晶片A發(fā)出的數(shù)道光線LI轉(zhuǎn)換成一電子信號。此外，為了較完整地收集發(fā)光二極管晶片各方向的出光，進(jìn)而提高檢測效率，可在發(fā)光二極管晶片A的背光面加裝一反射膜40，用以反射發(fā)光二極管晶片A其他方向的出光，例如背向基座的一面的出光或側(cè)向出光。其他方向的出光經(jīng)反射膜40作用后以與LI相同的方向射向基座200，使得基座200收集反射光后轉(zhuǎn)換成電子信號。
[0040]由于本發(fā)明是利用具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座以檢測發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效率，故基座200的面積實(shí)質(zhì)上大于發(fā)光二極管晶片10的陣列分布面積，以達(dá)到較完整地收集發(fā)光二極管晶片所發(fā)出的光線的目的。請參閱圖2A，此為發(fā)光二極管晶片10的立體圖，在圖2A中，發(fā)光二極管晶片10的長度為L，寬度為W，高度為H。圖2B為發(fā)光二極管晶片10沿著圖2A剖面線A-A’所得的剖面示意圖，圖2C為發(fā)光二極管晶片10沿著圖2A剖面線B-B’所得的剖面示意圖。請參閱圖2B，發(fā)光二極管晶片10面向基座200的最大出光角為Θ，0〈 Θ〈180，為達(dá)到較完整地收集發(fā)光二極管晶片10發(fā)出的數(shù)道光線LI的目的，基座200的長度應(yīng)大于L+2Htan ( Θ /2)。請接續(xù)參閱圖2C，發(fā)光二極管晶片10面向基座200的最大出光角為Θ，0〈 Θ〈180，基座200的寬度應(yīng)大于W+2Htan(0/2)，因此基座200之面積應(yīng)大于[L+2Htan( Θ /2) ] X [W+2Htan( Θ /2)]，以達(dá)到較完整地收集發(fā)光二極管晶片所發(fā)出的光線的目的。此外，如圖1及圖2B至圖2C所示，在本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例中，基座200與發(fā)光二極管晶片10之間還可設(shè)有具黏性的膜材30，以粘固發(fā)光二極管晶片10于基座200上。其中，膜材30可例如為白膜、藍(lán)膜或其他具黏性的膜材，但不限于此。任何可用以粘固發(fā)光二極管晶片于基座上的膜材，皆為本發(fā)明所請求保護(hù)的范圍。此外，如圖1所示，膜材30上還可設(shè)置擴(kuò)張環(huán)32，用以拉撐膜材30而使得發(fā)光二極管晶片10穩(wěn)固地排列于基座200上。
[0041]如圖1所示，本發(fā)明的LED檢測裝置的第一較佳實(shí)施例適用于檢測發(fā)光二極管晶片10的發(fā)光效率，其檢測過程如下所述:以基座200承載發(fā)光二極管晶片10 ;利用點(diǎn)測裝置100進(jìn)行檢測，其中點(diǎn)測裝置100的電源供應(yīng)器13是經(jīng)由探針12提供發(fā)光二極管晶片A的電壓來源，以令此發(fā)光二極管晶片A發(fā)出數(shù)道光線LI。其中，發(fā)光二極管晶片A發(fā)出的數(shù)道光線LI朝向基座200，使得具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座200可接收發(fā)光二極管晶片A發(fā)出的數(shù)道光線LI并將其轉(zhuǎn)換成電子信號。位于發(fā)光二極管晶片A背向基座的一側(cè)可設(shè)置一反射膜40,以反射發(fā)光二極管晶片A的其他方向的出光,利用反射膜40將發(fā)光二極管晶片A的其他方向的出光導(dǎo)至基座200，并由基座200轉(zhuǎn)換成電子信號。接著，再利用電子裝置15接收所有電子信號后呈現(xiàn)發(fā)光二極管晶片A的發(fā)光效率。
[0042]在本發(fā)明的LED檢測裝置中，反射膜40可例如為由聚合物層組成的光學(xué)反射膜，或是金屬反射膜，亦或是涂布含有金屬化合物如硫酸鋇的膜片。反射膜40為于300nm?700nm的光波長區(qū)域反射率為90%以上的薄膜。其中，反射膜40的較佳反射區(qū)域?yàn)椴ㄩL在430nm?475nm的可見藍(lán)光區(qū)域。本發(fā)明雖僅在圖1中繪示反射膜，但依此類推，在下述第二與第三較佳實(shí)施例中，也可裝設(shè)反射膜40以提高發(fā)光二極管晶片的檢測效率。
[0043]在本發(fā)明的LED檢測裝置中，基座200可例如為太陽能板或光偵測器陣列，且太陽能板例如為非晶硅太陽能板或三五族太陽能板，而光偵測器陣列例如為光電二極管、電荷耦合器件、光電阻、量子器件光學(xué)偵測器、光電閘、光電晶體或光導(dǎo)體的陣列。然而，本發(fā)明的具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座200并不限于上述的太陽能板或光偵測器陣列，任何不脫離本發(fā)明申請專利范圍的精神與范疇下進(jìn)行修改的基座，皆屬于本發(fā)明所申請保護(hù)的范圍。
[0044]在本發(fā)明的LED檢測裝置中，導(dǎo)電元件還可為導(dǎo)電薄膜。如圖3所示，其為本發(fā)明的LED檢測裝置的第二較佳實(shí)施例的剖面示意圖。在本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例中，導(dǎo)電薄膜14可設(shè)置于基座200與發(fā)光二極管晶片10之間，且每一導(dǎo)電薄膜14與相鄰的導(dǎo)電薄膜14電性絕緣，使得電性接觸兩導(dǎo)電薄膜14的發(fā)光二極管晶片10得以接收不同的電壓而發(fā)出光線。其中，導(dǎo)電薄膜14的材質(zhì)可例如為氧化銦錫或氧化銦鋅等透明導(dǎo)電材料，但不限于此。
[0045]此外，導(dǎo)電薄膜14可利用沉積或蝕刻等制備方法制得，但不限于此。使用者可利用將氧化銦錫或氧化銦鋅等導(dǎo)電材料沉積于膜材上，以形成圖案化的導(dǎo)電薄膜14?；蛘?，使用者可利用蝕刻氧化銦錫或氧化銦鋅等導(dǎo)電材料，以形成圖案化的導(dǎo)電薄膜14。
[0046]如圖3所示，本發(fā)明第二較佳實(shí)施例與第一較佳實(shí)施例差異之處僅在于，第二較佳實(shí)施例的導(dǎo)電元件為導(dǎo)電薄膜14。本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的檢測過程如下所述:于基座200上設(shè)置導(dǎo)電薄膜14 ;以導(dǎo)電薄膜14承載發(fā)光二極管晶片10 ;利用點(diǎn)測裝置100進(jìn)行檢測，其中點(diǎn)測裝置100的電源供應(yīng)器13 (為使圖面簡潔，圖3中未繪出電源供應(yīng)器13)經(jīng)由導(dǎo)電薄膜14提供發(fā)光二極管晶片A的電壓來源，以令此發(fā)光二極管晶片A發(fā)出數(shù)道光線LI。其中，發(fā)光二極管晶片A發(fā)出的數(shù)道光線LI朝向基座200，使得具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座200可接收發(fā)光二極管晶片A發(fā)出的數(shù)道光線LI并將其轉(zhuǎn)換成電子信號。此外，發(fā)光二極管晶片A的其他方向的出光，則可經(jīng)反射膜40 (為使圖面簡潔，圖3中未繪出反射膜40)反射后射向基座200，基座200接收后再將其轉(zhuǎn)換成電子信號。接著，再利用電子裝置15接收所有電子信號以呈現(xiàn)發(fā)光二極管晶片A的發(fā)光效率。
[0047]請參閱圖4，其為本發(fā)明的LED檢測裝置的第三較佳實(shí)施例的剖面示意圖。如圖4所示，其導(dǎo)電元件為導(dǎo)電薄膜。在本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例中，導(dǎo)電薄膜14設(shè)置于發(fā)光二極管晶片10之上，且每一導(dǎo)電薄膜14與相鄰的導(dǎo)電薄膜14電性絕緣，使得電性接觸兩導(dǎo)電薄膜14的發(fā)光二極管晶片10得以接收不同的電壓而發(fā)出光線。其中，導(dǎo)電薄膜14的材質(zhì)可例如為氧化銦錫或氧化銦鋅等透明導(dǎo)電材料，但不限于此。此外，如圖4所示，在本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例中，基座200與發(fā)光二極管晶片10之間還可設(shè)有具黏性的膜材30，以粘固發(fā)光二極管晶片10于基座200上。其中，膜材30可例如為白膜、藍(lán)膜或其他具粘性的膜材，但不限于此。任何可用以粘固發(fā)光二極管晶片于基座上的膜材，皆為本發(fā)明所請求保護(hù)的范圍。此外，膜材30上還可設(shè)置擴(kuò)張環(huán)32 (為求圖面簡潔，圖4中未繪出擴(kuò)張環(huán)32)，用以拉撐膜材30而使得發(fā)光二極管晶片10穩(wěn)固地排列于基座200上。
[0048]如圖4所示，本發(fā)明第三較佳實(shí)施例與第二較佳實(shí)施例差異之處僅在于，導(dǎo)電薄膜14擺放位置的不同。本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的檢測過程如下所述:以基座200承載發(fā)光二極管晶片10 ;于發(fā)光二極管晶片10上設(shè)置導(dǎo)電薄膜14 ;利用點(diǎn)測裝置100進(jìn)行檢測，其中點(diǎn)測裝置100的電源供應(yīng)器13 (為使圖面簡潔，圖4中未繪出電源供應(yīng)器13)經(jīng)由導(dǎo)電薄膜14提供發(fā)光二極管晶片A的電壓來源，以令此發(fā)光二極管晶片A發(fā)出數(shù)道光線LI。其中，發(fā)光二極管晶片A發(fā)出的數(shù)道光線LI朝向基座200，使得具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座200可接收發(fā)光二極管晶片A發(fā)出的數(shù)道光線LI并將其轉(zhuǎn)換成電子信號。此外，發(fā)光二極管晶片A的其他方向的出光，則可經(jīng)反射膜40 (為使圖面簡潔，圖4中未繪出反射膜40)反射后射向基座200，基座200接收后再將其轉(zhuǎn)換成電子信號。接著，再利用電子裝置15接收所有電子信號以呈現(xiàn)發(fā)光二極管晶片A的發(fā)光效率。
[0049]本發(fā)明利用具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座以減低使用者操作檢測裝置的繁雜度以及所需的檢測時(shí)間，然而，在本發(fā)明的LED檢測裝置中，上述第一、第二、第三較佳實(shí)施例的圖式并不用以限定本發(fā)明的基座。
[0050]綜上所述，本發(fā)明的LED檢測裝置利用具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座承載發(fā)光二極管晶片并檢測其發(fā)光效率，以減低使用者操作檢測裝置的繁雜度以及所需的檢測時(shí)間，進(jìn)而提聞發(fā)光二極管晶片的檢測效率。
[0051]以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于權(quán)利要求中。
【權(quán)利要求】
1.一種LED檢測裝置，至少包含: 一具有光電轉(zhuǎn)換功能的基座，用以承載至少一發(fā)光二極管晶片； 以及 一點(diǎn)測裝置，該點(diǎn)測裝置包含一電源供應(yīng)器及至少兩個(gè)導(dǎo)電元件，這些導(dǎo)電元件的兩端分別電性連接該發(fā)光二極管晶片及該電源供應(yīng)器，以令該發(fā)光二極管晶片發(fā)出光線， 其中該發(fā)光二極管晶片發(fā)出的部分光線朝向該基座，以使得該基座將該發(fā)光二極管晶片發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換成一電子信號。
2.如權(quán)利要求1所述的LED檢測裝置，其中該基座的面積實(shí)質(zhì)上大于該發(fā)光二極管晶片的陣列分布面積。
3.如權(quán)利要求2所述的LED檢測裝置，其中該基座的面積大于〔L+2Htan(Θ /2)) X〔W+2Htan(9 /2)〕，其中L為該發(fā)光二極管晶片的長度，W為該發(fā)光二極管晶片的寬度，H為該發(fā)光二極管晶片的高度，Θ為該發(fā)光二極管晶片面向該基座的最大出光角。
4.如權(quán)利要求1所述的LED檢測裝置，其中還包含一反射膜，該反射膜設(shè)置于該發(fā)光二極管晶片背向該基座的一側(cè)。
5.如權(quán)利要求4所述的LED檢測裝置，其中該反射膜為于300nm?700nm的光波長區(qū)域的反射率為90%以上的薄膜。
6.如權(quán)利要求5所述的LED檢測裝置,其中該反射膜為于430nm?475nm的可見藍(lán)光區(qū)域的反射率為90%以上的薄膜。
7.如權(quán)利要求1所述的LED檢測裝置，其中這些導(dǎo)電元件為探針或?qū)щ姳∧ぁ?br> 8.如權(quán)利要求7所述的LED檢測裝置，其中該導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)為氧化銦錫或氧化銦鋅。
9.如權(quán)利要求7所述的LED檢測裝置，其中該導(dǎo)電薄膜設(shè)置于該基座與該發(fā)光二極管晶片之間。
10.如權(quán)利要求7所述的LED檢測裝置，其中該導(dǎo)電薄膜設(shè)置于該基座與該發(fā)光二極管晶片之上。
11.如權(quán)利要求1所述的LED檢測裝置，其中該基座為太陽能板或光偵測器陣列。
12.如權(quán)利要求11所述的LED檢測裝置，其中該光偵測器陣列為光電二極管、電荷耦合器件、量子器件光學(xué)偵測器、光電閘、光電阻、光電晶體或光導(dǎo)體的陣列。
13.如權(quán)利要求1所述的LED檢測裝置，其中該基座與該發(fā)光二極管晶片之間設(shè)有具黏性的膜材，且該膜材上還設(shè)置一擴(kuò)張環(huán)，用以拉撐該膜材。
【文檔編號】G01R31/26GK103884974SQ201210562684
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月21日
【發(fā)明者】吳岱緯, 蔡泰成, 林信宏, 蔡秉宗, 黃佩怡, 許國君, 許壽文, 李允立 申請人:新世紀(jì)光電股份有限公司