專利名稱：用于模擬ic芯片熱耗的單盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域，特別是涉及一種用于模擬IC芯片熱耗的單盤。
背景技術(shù)：
隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展，通信設(shè)備的功能不斷增強，高集成度、大功率的IC芯片使用越來越普遍。在實現(xiàn)系統(tǒng)功能的同時，減小設(shè)備體積、降低功耗通常能夠大幅提高產(chǎn)品競爭力，提升用戶體驗，所以設(shè)備節(jié)能、緊湊型設(shè)計是產(chǎn)品開發(fā)很重要的一個方面，其中，主要IC芯片的散熱問題顯得尤為重要。要合理解決IC芯片及系統(tǒng)的散熱問題，就要了解IC芯片的熱耗，按照IC芯片標稱功率進行散熱最大化設(shè)計，能夠解決其散熱問題，但該方式通常會占用較大單盤空間，與系統(tǒng)緊湊型設(shè)計、單盤布局等產(chǎn)生突出的矛盾。

目前的散熱設(shè)計主要依靠軟件仿真、設(shè)計經(jīng)驗等方式來解決，然而，軟件仿真畢竟只能作為一種方案為散熱設(shè)計提供參考，仍然存在一定的誤差。依據(jù)經(jīng)驗進行散熱設(shè)計，選用較大的散熱器，采取風量更大的風扇散熱，雖然一定程度上可以解決系統(tǒng)及IC芯片的散熱問題，但并不能使單盤設(shè)計處于更優(yōu)化狀態(tài)，一旦設(shè)計不合格可能就會導致單盤及系統(tǒng)需要重新規(guī)劃設(shè)計，并且只能依據(jù)軟件仿真，做實驗等方式來嘗試改進，給產(chǎn)品開發(fā)帶來風險
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服上述背景技術(shù)的不足，提供一種用于模擬IC芯片熱耗的單盤，能夠在系統(tǒng)單盤開發(fā)前模擬IC芯片的熱耗值，為IC芯片散熱、單盤設(shè)計及系統(tǒng)散熱設(shè)計提供依據(jù)，降低單盤及整機在開發(fā)過程中僅憑設(shè)計經(jīng)驗及軟件仿真進行散熱設(shè)計而導致的由于散熱問題帶來的風險，使產(chǎn)品設(shè)計更加合理，提高系統(tǒng)開發(fā)的成功率及系統(tǒng)的
可靠性。本發(fā)明提供的用于模擬IC芯片熱耗的單盤，它包括電源模塊、分別與電源模塊相連的熱模擬模塊、穩(wěn)壓模塊和AD轉(zhuǎn)換模塊、與熱模擬模塊相連的測溫儀、分別與穩(wěn)壓模塊相連的串口通信模塊、MCU控制模塊、溫度采集傳感器和功率采集傳感器，MCU控制模塊分別與串口通信模塊、溫度采集傳感器、功率采集傳感器和AD轉(zhuǎn)換模塊連接。在上述技術(shù)方案中，所述熱模擬模塊由若干電阻串聯(lián)而成。在上述技術(shù)方案中，它還包括分別與所述電源模塊相連的輸出電壓調(diào)節(jié)模塊和控制開關(guān)，電源模塊的輸入端分別與系統(tǒng)工作電源、控制開關(guān)連接，電源模塊的輸出端與熱模擬模塊連接，為熱模擬模塊提供工作電壓。在上述技術(shù)方案中，所述控制開關(guān)設(shè)置在本單盤的面板側(cè)，控制電源模塊輸出的開啟或關(guān)斷。在上述技術(shù)方案中，所述電源模塊的輸出端還分別與輸出電壓調(diào)節(jié)模塊、穩(wěn)壓模塊及AD轉(zhuǎn)換模塊連接。在上述技術(shù)方案中，所述輸出電壓調(diào)節(jié)模塊包括兩個設(shè)置于面板側(cè)的電位器，用于分別實現(xiàn)電源模塊輸出電壓的上調(diào)或下調(diào)。在上述技術(shù)方案中，所述穩(wěn)壓模塊的輸出電壓為3. 3V，分別為MCU控制模塊、溫度采集傳感器、功率采集傳感器和串口通信模塊提供工作電壓；所述AD轉(zhuǎn)換模塊用于檢測電壓模塊的輸出電壓，MCU控制模塊計算出各熱模擬模塊的功耗值；所述輸出電壓調(diào)節(jié)模塊實現(xiàn)電源模塊輸出電壓基于3. 3V上調(diào)10%及下調(diào)20%，使熱模擬模塊的功率在3. 3V工作電壓基礎(chǔ)上64% 121%范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。在上述技術(shù)方案中，所述測溫儀通過熱電偶線連接到測溫點，測量熱模擬模塊散熱后本單盤多點的溫度。在上述技術(shù)方案中，所述串口通信模塊實現(xiàn)與PC機之間的串口通信，通過串口連接線與本單盤串口連接器及內(nèi)置串口調(diào)試助手的PC機串口連接器相連，測溫儀及溫度采、集傳感器監(jiān)測熱模擬模塊及本單盤的環(huán)境溫度，功率采集傳感器監(jiān)測本單盤的整體功率，所述PC機串口調(diào)試助手顯示單盤溫度、熱模擬模塊功率、單盤總功率及告警信息。在上述技術(shù)方案中，所述MCU控制模塊通過其板內(nèi)I2C通信總線SDA_M/SCL_M與溫度采集傳感器及功率采集傳感器之間通信，實現(xiàn)溫度及功率信息的實時讀??；通過串口通信總線TXD/RXD與串口通信模塊連接，實現(xiàn)單盤與PC機之間的串口通信，將溫度、熱模擬模塊功率、單盤總功率、告警信息上報到PC機串口調(diào)試助手進行顯示；通過告警輸出線LALMl LALM4與溫度采集傳感器連接，用于檢測單盤過溫信息；通過撥碼開關(guān)Kl對單盤地址進行設(shè)置；通過設(shè)置在面板側(cè)的工作指示燈LED_G指示工作狀態(tài)，通過設(shè)置在面板側(cè)告警指示燈LED_R指示告警狀態(tài)；通過C2CK/C2DAT進行程序下載及仿真；通過3V3/E供電。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點如下本發(fā)明能夠在系統(tǒng)單盤開發(fā)前模擬IC芯片的熱耗值。在已有設(shè)備系統(tǒng)中，在一定配置情況下首先對實際單盤進行溫循(-10°C 50°C)測試，統(tǒng)計實際單盤主要溫度監(jiān)測點的溫度測試數(shù)據(jù)；在相同的配置及測試條件下，對模擬IC芯片熱耗的單盤進行測試，統(tǒng)計模擬IC芯片熱耗的熱模擬單盤溫度監(jiān)測點的溫度測試數(shù)據(jù)；兩者進行溫度測試對比，其中要求對比單盤在設(shè)備中所處槽位相同，溫度監(jiān)測點位置要求基本一致。在測試對比中，模擬IC芯片熱耗的單盤需要對熱模擬模塊的功耗進行調(diào)節(jié)(通過輸出電壓調(diào)節(jié)模塊進行調(diào)節(jié))與實際單盤進行溫度匹配，當相同槽位相同溫度點監(jiān)測溫度基本一致時，通過讀取熱模擬模塊的功耗即可判斷IC芯片所對應(yīng)的實際熱耗值，從而找出主要IC芯片的標稱功率與其熱耗之間的對應(yīng)關(guān)系，評估單盤的功率及整體熱耗，為產(chǎn)品開發(fā)散熱設(shè)計(如風扇單元的開發(fā))、散熱器的選型、單盤的布板設(shè)計、整機的散熱能力評估、單盤及整機的結(jié)構(gòu)設(shè)計等提供參考及指導，降低單盤及整機在開發(fā)過程中僅憑軟件仿真及經(jīng)驗設(shè)計由于散熱問題帶來的風險，使產(chǎn)品設(shè)計更加合理，提高系統(tǒng)開發(fā)的成功率及系統(tǒng)的可靠性。同時在該單盤測試中還能夠進行新的散熱器、導熱墊片、導熱膠的選型、新的散熱方案驗證等工作。


圖I是本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)框圖。圖2是本發(fā)明實施例模擬功率為60W的IC芯片時熱模擬模塊的電路圖。圖3是本發(fā)明實施例模擬功率為30W的IC芯片時熱模擬模塊的電路圖。圖4是本發(fā)明實施例中MCU控制模塊的電路圖。
圖中1-輸出電壓調(diào)節(jié)模塊，2-電源模塊，3-熱模擬模塊，4-測溫儀，5-控制開關(guān)，6-穩(wěn)壓模塊，7-PC機串口調(diào)試助手，8-串口通信模塊，9-MCU控制模塊，10-溫度采集傳感器，11-功率采集傳感器，12-AD轉(zhuǎn)換模塊。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖及具體實施例對本發(fā)明作進一步的詳細描述。參見圖I所示，本發(fā)明實施例提供一種用于模擬IC芯片熱耗的單盤(下文簡稱“本單盤”)，本單盤包括電源模塊2、分別與電源模塊2相連的熱模擬模塊3、穩(wěn)壓模塊6和AD轉(zhuǎn)換模塊12、與熱模擬模塊3相連的測溫儀4、分別與穩(wěn)壓模塊6相連的串口通信模塊8、MCU控制模塊9、溫度采集傳感器10和功率采集傳感器11，MCU控制模塊9分別與串口通信模塊8、溫度采集傳感器10、功率采集傳感器11和AD轉(zhuǎn)換模塊12連接。電源模塊2還連接有輸出電壓調(diào)節(jié)模塊I和控制開關(guān)5，電源模塊2的輸入端分別 與系統(tǒng)工作電源、控制開關(guān)5連接。系統(tǒng)工作電源為-48V，控制開關(guān)5設(shè)置在本單盤的面板側(cè)，控制電源模塊2輸出開啟或關(guān)斷。電源模塊2的輸出端與熱模擬模塊3連接，為熱模擬模塊3提供工作電壓，通過控制開關(guān)5選擇需要工作的電源模塊2開啟或關(guān)斷，從而控制相應(yīng)的熱模擬模塊3工作。電源模塊2的輸出端還分別與輸出電壓調(diào)節(jié)模塊I、穩(wěn)壓模塊6和AD轉(zhuǎn)換模塊12連接，穩(wěn)壓模塊6的輸出電壓為3. 3V，分別為MCU控制模塊9、溫度采集傳感器10、功率采集傳感器11和串口通信模塊8提供工作電壓；AD轉(zhuǎn)換模塊12用于檢測電壓模塊2的輸出電壓，MCU控制模塊9計算出各熱模擬模塊3的功耗值；輸出電壓調(diào)節(jié)模塊I包括兩個設(shè)置于面板側(cè)的調(diào)節(jié)電阻(即電位器)，分別實現(xiàn)電源模塊2輸出電壓的上調(diào)或下調(diào)，能夠?qū)崿F(xiàn)電源模塊2輸出電壓基于3. 3V上調(diào)10%及下調(diào)20%，以實現(xiàn)熱模擬模塊3的功率在3. 3V工作電壓基礎(chǔ)上64% 121%范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，在低壓供電情況下，易對熱模擬模塊3的功耗進行調(diào)節(jié)控制。MCU控制模塊9分別與溫度采集傳感器10、功率采集傳感器11和串口通信模塊8連接，測溫儀4通過熱電偶線連接到IC芯片散熱器及其它需要測量溫度的溫度監(jiān)測點，測量熱模擬模塊3散熱后單盤多點溫度。測溫儀4及溫度采集傳感器10用于監(jiān)測熱模擬模塊3及本單盤的環(huán)境溫度；功率采集傳感器11用于監(jiān)測本單盤的整體功率；串口通信模塊8實現(xiàn)與PC機之間的串口通信，通過串口連接線與本單盤串口連接器及內(nèi)置串口調(diào)試助手7的PC機串口連接器相連，通過PC機串口調(diào)試助手7顯示單盤溫度、熱模擬模塊3功率、單盤總功率及告警信息。AD轉(zhuǎn)換模塊12分別與電源模塊2輸出端及MCU控制模塊9連接，其用于采集電源模塊的輸出電壓，并送到MCU控制模塊9進行處理，MCU控制模塊9通過電壓值及各熱模擬模塊3的阻抗，按照公式P = U2ZR計算出熱模擬模塊3的功耗(MCU控制軟件處理)，其中，P表示熱模擬模塊3的功率，U表示熱模擬模塊的工作電壓(由電源模塊2輸出提供)，R表示熱模擬模塊3的阻抗。本發(fā)明實施例的核心模塊為熱模擬模塊3，其它模塊為常規(guī)輔助模塊，下面詳細介紹熱模擬模塊3的實現(xiàn)。熱模擬模塊3由封裝小、精度高的大功率電阻串聯(lián)而成，電源模塊2輸出電壓給串聯(lián)電阻進行供電發(fā)熱，從而實現(xiàn)純阻抗發(fā)熱，串聯(lián)電阻根據(jù)熱模擬模塊3的熱耗需求采取不同阻抗的電阻進行匹配。熱模擬模塊3的PCB (Printed Circuit Board,印刷電路板)布板面積不大于相應(yīng)IC芯片的封裝面積，不同阻抗的電阻要求交叉混排(混排順序沒有絕對的要求)，從而可以實現(xiàn)熱模擬模塊3不同點發(fā)熱不同的狀態(tài)，可更有效地模擬IC芯片發(fā)熱。由于IC芯片所使用的散熱器導熱性能較好，能夠很快地吸收IC芯片散發(fā)的熱量并均勻地散布，所以熱模擬模塊3能夠等效地模擬IC芯片的散熱。在相同的配置及測試條件下，本單盤通過調(diào)節(jié)熱模擬模塊的功率使其監(jiān)測點溫度與實際單盤相同監(jiān)測點溫度進行匹配，以確定IC芯片熱耗占其標稱功率的比例或比例范圍。熱模擬模塊3設(shè)計的關(guān)鍵在于電阻的選型及控制方式。為實現(xiàn)熱模擬模塊3發(fā)熱功率及有效地控制，本單盤采用電源模塊2輸出3. 3V(在輸出電壓無調(diào)節(jié)情況下)對熱模擬模塊3進行控制，電源模塊2輸出電壓能夠通過面板側(cè)電位器基于3. 3V實現(xiàn)上調(diào)10%及下調(diào)20%范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)熱模擬模塊3發(fā)熱功率在3. 3V工作電壓基礎(chǔ)上64% 121%范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。由于IC芯片熱耗小于其標稱功率，而熱模擬模塊3發(fā)熱功率可基于3. 3V工作電壓的功率進行上調(diào)，因此，熱模擬模塊3基于3. 3V工作電壓的功率設(shè)計可在IC芯片標稱功率基礎(chǔ)上進行一定的折扣。本單盤熱模擬模塊3基于3. 3V電壓供電，功率按照相應(yīng)IC芯片標稱功率80%進行設(shè)計，通過調(diào)節(jié)電源模塊2的輸出電壓能夠?qū)崿F(xiàn)熱模擬模塊3功耗在相應(yīng)IC芯片標稱功率51. 2% 97%范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。一個電源模塊2可控制一個熱模擬模塊3或多個熱模擬模塊3，主要取決于對熱模擬模塊3的獨立關(guān)斷需求及其功率。為實際模擬IC芯片的形狀、發(fā)熱效果等，本單盤的熱模擬模塊3選用的電阻具有阻抗低、功率大、封裝小、精度高的特點。根據(jù)不同熱模擬模塊3功率的需求，采用2πιΩ、5mΩ、IOmΩ、15mΩ、20mΩ、25mΩ、30mΩ、50mΩ、IOOmΩ等電阻進行匹配設(shè)計。單個電阻的功率為2W 3W，封裝為C2512或C2010，通過電阻的合理配置，能夠?qū)崿F(xiàn)4W 80W不同功率IC芯片的熱模擬。例如，本發(fā)明實施例所設(shè)計的單盤選用的電源模塊2額定功率為66W，其能夠控制單個功率為60W的IC芯片，亦能夠同時控制兩個功率為30W的IC芯片。下面分別以模擬標稱功率為60W和30W的IC芯片為例，說明熱模擬模塊3的電路實現(xiàn)。參見圖2所示，模擬標稱功率為60W的IC芯片時，熱模擬模塊3由電阻Rl R25串聯(lián)組成，熱模擬模塊3與電源模塊2輸出端連接。為模擬標稱功率為60W的IC芯片的熱耗，按照上述提到的設(shè)計原則，熱模擬模塊3基于3. 3V工作電壓的功率設(shè)計為48W。熱模擬模塊3中各器件的選型見下表表I、模擬標稱功率為60W的IC芯片時熱模擬模塊的元件表
序號I名稱I 位號規(guī)格和型號I數(shù)量 Rl R4 R6 R9I 電阻 R11 R14C2512/3W/10mQ 20
R16 R19
___R21 R24___
~T 電阻 R5,R10，R15，R20,R25C2512/3W/5mO 5—根據(jù)標稱功率為60W的IC芯片的尺寸，同時滿足其使用的散熱器的尺寸要求，熱、模擬模塊3選擇使用25個封裝為C2512、單顆電阻功率為3W的電阻匹配使用。根據(jù)上表中選擇的電阻串聯(lián)連接，在單盤PCB布局中盡可能將不同阻值的電阻交叉混排(混排順序沒有絕對的要求)，以更貼近地模擬IC芯片不同部位發(fā)熱量不盡相同的現(xiàn)象，由于IC芯片發(fā)熱經(jīng)散熱器吸收熱量后可較為均勻地分布到散熱器各點，所以通過電阻組成的熱模擬模塊3可以有效地模擬IC芯片的熱耗。本熱模擬模塊3的阻抗為O. 225 Ω，電源模塊2輸出電壓不調(diào)節(jié)的情況下為3. 3V,熱模擬模塊3的功率為48. 4W，通過面板側(cè)電位器將電源模塊2輸出電壓基于3. 3V上調(diào)10%，即3. 63V，熱模擬模塊3的功率為58. 6W ;通過面板側(cè)電位器將電源模塊2輸出電壓基于3. 3V下調(diào)20%，即2. 64V，熱模擬模塊3的功率為30. Iff ;通過面板電位器調(diào)節(jié)輸出電壓的值，本熱模擬模塊3能夠在30. Iff 58. 6W范圍內(nèi)模擬標稱功率為60W的IC芯片的熱耗。對實際單盤進行溫循測試，統(tǒng)計各監(jiān)測點溫度信息，在相同條件下，對本單盤熱模擬模塊功耗進行調(diào)節(jié)，使其監(jiān)測點溫度與實際單盤相同監(jiān)測點溫度一致，通過PC機串口調(diào)試助手7讀取熱模擬模塊3的功率即可確定IC芯片所對應(yīng)的熱耗，在確定IC芯片熱耗的情況下可依據(jù)測試結(jié)果對其散熱進行改進設(shè)計。例如嘗試新的散熱器及導熱材料的選型，改進設(shè)備的風道及風扇單元的設(shè)計方案等。 參加圖3所示，模擬標稱功率為30W的IC芯片時，熱模擬模塊3由電阻R26 R43串聯(lián)組成，熱模擬模塊3與電源模塊2輸出端連接。為模擬標稱功率為30W的IC芯片熱耗，同上設(shè)計原理，熱模擬模塊3基于3. 3V工作電壓的功率設(shè)計為24W。熱模擬模塊3中各器件的選型見下表表2、模擬標稱功率為30W的IC芯片時熱模擬模塊的元件表
權(quán)利要求
1.一種用于模擬IC芯片熱耗的單盤，其特征在于它包括電源模塊(2)、分別與電源模塊(2)相連的熱模擬模塊(3)、穩(wěn)壓模塊(6)和AD轉(zhuǎn)換模塊(12)、與熱模擬模塊(3)相連的測溫儀(4)、分別與穩(wěn)壓模塊(6)相連的串口通信模塊(8)、MCU控制模塊(9)、溫度采集傳感器(10)和功率采集傳感器(11)，MCU控制模塊(9)分別與串口通信模塊(8)、溫度采集傳感器(10)、功率采集傳感器(11)和AD轉(zhuǎn)換模塊(12)連接。
2.如權(quán)利要求I所述的用于模擬IC芯片熱耗的單盤，其特征在于所述熱模擬模塊(3)由若干電阻串聯(lián)而成。
3.如權(quán)利要求I所述的用于模擬IC芯片熱耗的單盤，其特征在于它還包括分別與所述電源模塊⑵相連的輸出電壓調(diào)節(jié)模塊⑴和控制開關(guān)(5)，電源模塊⑵的輸入端分別與系統(tǒng)工作電源、控制開關(guān)(5)連接，電源模塊(2)的輸出端與熱模擬模塊(3)連接，為熱模擬模塊(3)提供工作電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的用于模擬IC芯片熱耗的單盤，其特征在于所述控制開關(guān)(5)設(shè)置在本單盤的面板側(cè)，控制電源模塊(2)輸出的開啟或關(guān)斷。
5.如權(quán)利要求3所述的用于模擬IC芯片熱耗的單盤，其特征在于所述電源模塊(2)的輸出端還分別與輸出電壓調(diào)節(jié)模塊(I)、穩(wěn)壓模塊(6)、AD轉(zhuǎn)換模塊(12)連接。
6.如權(quán)利要求5所述的用于模擬IC芯片熱耗的單盤，其特征在于所述輸出電壓調(diào)節(jié)模塊(I)包括兩個設(shè)置于面板側(cè)的電位器，用于分別實現(xiàn)電源模塊(2)輸出電壓的上調(diào)或下調(diào)。
7.如權(quán)利要求6所述的用于模擬IC芯片熱耗的單盤，其特征在于所述穩(wěn)壓模塊(6)的輸出電壓為3. 3V，分別為MCU控制模塊(9)、溫度采集傳感器(10)、功率采集傳感器(11)和串口通信模塊(8)提供工作電壓；所述AD轉(zhuǎn)換模塊(12)用于檢測電壓模塊(2)的輸出電壓，MCU控制模塊(9)計算出各熱模擬模塊(3)的功耗值；所述輸出電壓調(diào)節(jié)模塊(I)實現(xiàn)電源模塊(2)輸出電壓基于3. 3V上調(diào)10%及下調(diào)20%，使熱模擬模塊(3)的功率在3. 3V工作電壓基礎(chǔ)上64% 121%范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。
8.如權(quán)利要求I所述的用于模擬IC芯片熱耗的單盤，其特征在于所述測溫儀⑷通過熱電偶線連接到測溫點，測量熱模擬模塊(3)散熱后本單盤多點的溫度。
9.如權(quán)利要求8所述的用于模擬IC芯片熱耗的單盤，其特征在于所述串口通信模塊(8)實現(xiàn)與PC機之間的串口通信，通過串口連接線與本單盤串口連接器及內(nèi)置串口調(diào)試助手(7)的PC機串口連接器相連，測溫儀(4)及溫度采集傳感器(10)監(jiān)測熱模擬模塊(3)及本單盤的環(huán)境溫度，功率采集傳感器(11)監(jiān)測本單盤的整體功率，所述PC機串口調(diào)試助手(7)顯示單盤溫度、熱模擬模塊(3)功率、單盤總功率及告警信息。
10.如權(quán)利要求9所述的用于模擬IC芯片熱耗的單盤，其特征在于所述MCU控制模塊(9)通過其板內(nèi)12C通信總線SDA_M/SCL_M與溫度采集傳感器(10)及功率采集傳感器(11)之間通信，實現(xiàn)溫度及功率信息的實時讀??；通過串口通信總線TXD/RXD與串口通信模塊(8)連接，實現(xiàn)單盤與PC機之間的串口通信，將溫度、熱模擬模塊(3)功率、單盤總功率、告警信息上報到PC機串口調(diào)試助手(7)進行顯示；通過告警輸出線LALMl LALM4與溫度采集傳感器(10)連接，用于檢測單盤過溫信息；通過撥碼開關(guān)Kl對單盤地址進行設(shè)置；通過設(shè)置在面板側(cè)的工作指示燈LED_G指示工作狀態(tài)，通過設(shè)置在面板側(cè)的告警指示燈LED_R指示告警狀態(tài)；通過C2CK/C2DAT進行程序下載及仿真；通過3V3/E供電。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于模擬IC芯片熱耗的單盤，涉及通信領(lǐng)域，它包括電源模塊、分別與電源模塊相連的熱模擬模塊、穩(wěn)壓模塊和AD轉(zhuǎn)換模塊、與熱模擬模塊相連的測溫儀、分別與穩(wěn)壓模塊相連的串口通信模塊、MCU控制模塊、溫度采集傳感器和功率采集傳感器，MCU控制模塊分別與串口通信模塊、溫度采集傳感器、功率采集傳感器和AD轉(zhuǎn)換模塊連接。本發(fā)明能夠在系統(tǒng)單盤開發(fā)前模擬IC芯片的熱耗值，為IC芯片散熱、單盤設(shè)計及系統(tǒng)散熱設(shè)計提供依據(jù)，降低單盤及整機在開發(fā)過程中僅憑軟件仿真及經(jīng)驗設(shè)計帶來的散熱設(shè)計風險，使產(chǎn)品設(shè)計更加合理，提高系統(tǒng)開發(fā)的成功率及系統(tǒng)的可靠性。
文檔編號G01D21/00GK102706386SQ20121016056
公開日2012年10月3日 申請日期2012年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月23日
發(fā)明者姬生欽, 王志勇, 甘曉明, 黃杰 申請人:烽火通信科技股份有限公司