一種低功耗可校準(zhǔn)高壓穩(wěn)壓電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種低功耗可校準(zhǔn)高壓穩(wěn)壓電路，它主要應(yīng)用于存在高壓工作情況的非易失存儲(chǔ)器中，例如快閃存儲(chǔ)器Flash Memory、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPR0M等等。
【背景技術(shù)】
[0002]在多數(shù)的非易失存儲(chǔ)器擦寫(xiě)數(shù)據(jù)的時(shí)候需要使用電荷栗產(chǎn)生高壓，高壓的穩(wěn)定是存儲(chǔ)器擦寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)所必須的，而且晶體管被暴露在高壓環(huán)境時(shí)面臨被擊穿損壞的危險(xiǎn)，所以高壓不僅需要保證其幅值具有較小的波動(dòng)幅度，而且不能夠在整個(gè)高壓有效的過(guò)程中產(chǎn)生漂移。而在一些功耗要求比較嚴(yán)格的應(yīng)用環(huán)境中還要利用低功耗方法來(lái)設(shè)計(jì)穩(wěn)壓電路，例如應(yīng)用在無(wú)源RFID標(biāo)簽芯片中的非易失存儲(chǔ)器中的高壓穩(wěn)壓器，它需要從面積和功耗兩個(gè)性能指標(biāo)中進(jìn)行嚴(yán)格的控制。
[0003]目前在一些文獻(xiàn)中也有提出的一些低功耗的高壓穩(wěn)壓方法，但是他們多數(shù)是不能夠進(jìn)行外部校準(zhǔn)，一次性設(shè)計(jì)流片之后產(chǎn)生的高壓幅值不能夠進(jìn)行修正導(dǎo)致流片失敗，并且高壓在長(zhǎng)時(shí)間的工作情況時(shí)產(chǎn)生正向漂移，使高壓變得更高，具有擊穿晶體管的隱患。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提出一種低功耗可校準(zhǔn)的高壓穩(wěn)壓電路，在保證低功耗和不占用太大面積的情況下使高壓電路的設(shè)計(jì)在流片之后可以方便修正高壓幅值，并且利用簡(jiǎn)單的電荷補(bǔ)償方法解決了高壓在工作過(guò)程中存在漂移的情況。
[0005]本發(fā)明具體的技術(shù)方案如下:
[0006]—種低功耗可校準(zhǔn)高壓穩(wěn)壓電路，包括隔離高壓模塊1、電壓復(fù)位模塊一 2、帶校準(zhǔn)電容的分壓模塊3、電壓復(fù)位模塊二 4、電荷補(bǔ)償模塊5和控制模塊6 ;
[0007]所述隔離高壓模塊1由一個(gè)PM0S晶體管Ml構(gòu)成，所述PM0S晶體管Ml的源極連接至電荷栗CP的高壓輸出端口 VPP，柵極連接至電荷栗CP的中壓輸出端口 VMID，其漏極連接至節(jié)點(diǎn)N1 ；
[0008]所述電壓復(fù)位模塊一 2由NM0S晶體管M2?M4構(gòu)成，所述晶體管M2的漏極連接至節(jié)點(diǎn)N1，源極連接至節(jié)點(diǎn)N2，柵極連接至電源VDD ;所述晶體管M3的柵極與源極連接并連接至節(jié)點(diǎn)N2，漏極連接至電源VDD ;所述晶體管M4的漏極連接至節(jié)點(diǎn)N2，源極連接至地端GND，柵極連接至端口 WR_N ；
[0009]所述帶校準(zhǔn)電容的分壓模塊3由若干個(gè)電容和若干個(gè)編碼控制開(kāi)關(guān)構(gòu)成，電容CA連接在節(jié)點(diǎn)N1和N3之間，電容CB連接在節(jié)點(diǎn)N3和地端GND之間，電容C。?C ,的一端連接至節(jié)點(diǎn)N3，另外一端分別與對(duì)應(yīng)的編碼控制開(kāi)關(guān)S〈0>?S〈N>連接，其中，i表示序號(hào)，S〈i>表示第i個(gè)編碼開(kāi)關(guān)，對(duì)應(yīng)電容(；，N表示電容總個(gè)數(shù)；S〈i> = 0表示開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)，S〈i> = 1則表示開(kāi)關(guān)處于閉合狀態(tài)；
[0010]所述電壓復(fù)位模塊二 4由一個(gè)PM0S晶體管M6和一個(gè)NM0S晶體管M7組成，晶體管M6、M7的源極相連之后連接至地端GND，漏極相連之后連接至節(jié)點(diǎn)N3 ;晶體管M6的柵極連接至端口 WR，晶體管M7的柵極連接至端口 WR_N。其中端口 WR的信號(hào)與端口 WR_N的信號(hào)總是反相的。
[0011]所述電荷補(bǔ)償模塊5由一個(gè)PM0S晶體管M5構(gòu)成，它的柵極與其源極均與電源VDD相連接，漏極連接至節(jié)點(diǎn)N3 ；
[0012]所述控制模塊6為一個(gè)差分輸入、單端輸出的比較器C0MP構(gòu)成，反相輸入端連接至節(jié)點(diǎn)N3，其正向輸入端連接至端口 REF，輸出端連接到節(jié)點(diǎn)N4。
[0013]為進(jìn)一步理解本發(fā)明，將各模塊功能說(shuō)明如下，隔離高壓模塊負(fù)責(zé)隔離由電荷栗CP產(chǎn)生的高壓VPP外部掛載的電容對(duì)分壓電容CA、CB造成的影響；電壓復(fù)位模塊一 2為節(jié)點(diǎn)N1電壓復(fù)位模塊，負(fù)責(zé)在寫(xiě)信號(hào)無(wú)效時(shí)即端口 WR_N = 1時(shí)將節(jié)點(diǎn)N1電位置為初始電位0V ;帶校準(zhǔn)電容的分壓模塊負(fù)責(zé)將節(jié)點(diǎn)N1的，電位經(jīng)過(guò)電容的分壓在節(jié)點(diǎn)N3處得到分壓；電壓復(fù)位模塊二為節(jié)點(diǎn)N3電壓復(fù)位模塊，負(fù)責(zé)在寫(xiě)信號(hào)無(wú)效時(shí)即端口 WR = 0、WR_N = 1時(shí)將節(jié)點(diǎn)N3的電位置為初始電位0V ;電荷補(bǔ)償模塊是為節(jié)點(diǎn)N3進(jìn)行電荷補(bǔ)償?shù)哪K；控制模塊負(fù)責(zé)產(chǎn)生電荷栗工作使能信號(hào)并輸出到節(jié)點(diǎn)N4。
[0014]采用本發(fā)明取得的技術(shù)效果:本發(fā)明提出一種能夠方便調(diào)整高壓幅值的高壓穩(wěn)壓結(jié)構(gòu)，容易使流片后廣生的尚壓穩(wěn)定在要求的幅值，提尚流片后的芯片良率；本發(fā)明中提供了一種簡(jiǎn)潔的電荷補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，能夠很有效的解決高壓正向漂移的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本發(fā)明的低功耗可校準(zhǔn)高壓穩(wěn)壓電路結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。
[0017]如圖1所述，一種低功耗可校準(zhǔn)高壓穩(wěn)壓電路，包括隔離高壓模塊1、電壓復(fù)位模塊一 2、帶校準(zhǔn)電容的分壓模塊3、電壓復(fù)位模塊二 4、電荷補(bǔ)償模塊5、控制模塊6 ;
[0018]所述隔離高壓模塊1由一個(gè)PM0S晶體管Ml構(gòu)成，所述PM0S晶體管Ml的源極連接至電荷栗CP的高壓輸出端口 VPP，柵極連接至電荷栗CP的中壓輸出端口 VMID，其漏極連接至節(jié)點(diǎn)N1 ;這樣可以有效的解除高壓輸出端口外加電容負(fù)載對(duì)節(jié)點(diǎn)N1的影響，從而確保模塊3在節(jié)點(diǎn)N3處能夠得到可靠正確的分壓。電荷栗CP是高壓產(chǎn)生電路，采用現(xiàn)有技術(shù)中的產(chǎn)品即可實(shí)現(xiàn)高壓輸出。
[0019]所述電壓復(fù)位模塊一 2由NM0S晶體管M2?M4構(gòu)成，所述晶體管M2的漏極連接至節(jié)點(diǎn)N1，源極連接至節(jié)點(diǎn)N2，柵極連接至電源VDD ;所述晶體管M3的柵極與源極連接并連接至節(jié)點(diǎn)N2，漏極連接至電源VDD ;所述晶體管M4的漏極連接至節(jié)點(diǎn)N2，源極連接至地端GND，柵極連接至端口 WR_N ；
[0020]所述帶校準(zhǔn)電容的分壓模塊3由若干個(gè)電容和若干個(gè)編碼控制開(kāi)關(guān)構(gòu)成，電容CA連接在節(jié)點(diǎn)N1和N3之間，電容CB連接在節(jié)點(diǎn)N3和地端GND之間，電容C。?C ,的一端連接至節(jié)點(diǎn)N3，另外一端分別與對(duì)應(yīng)的編碼控制開(kāi)關(guān)S〈0>?S〈N>連接，其中，i表示序號(hào)，S〈i>表示第i個(gè)編碼開(kāi)關(guān)，對(duì)應(yīng)電容(；，N表示電容總個(gè)數(shù)；S〈i> = 0表示開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)，S〈i> = 1則表示開(kāi)關(guān)處于閉