專利名稱：一種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測方法，尤其涉及一種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路工藝的發(fā)展以及按比例尺寸縮小，一些新的材料和工藝都會被引入到集成電路的工藝中來滿足整體功能的要求。例如前段的金屬硅化物生長工藝方面，為了滿足更小電阻的要求，金屬鎳就被引入作為與接觸孔聯(lián)接的材料。如圖IA至ID所示，是表示金屬鎳硅化物形成的工藝示意圖，由圖IA可見，為器件柵極形成后表面生長氮化物，由圖IB可見，在器件所需要生長金屬硅化物的地方進(jìn)行刻蝕，由圖IC可見，對器件上表面的鎳金屬的生長，由圖ID可見，對多余的鎳金屬進(jìn)行移除，如圖IE所示，在進(jìn)行退火的時候會發(fā)生鎳金屬異常生長。
由于鎳的活性較高而發(fā)生的異常生長，造成器件性能的失效。如圖5E所示，表示金屬異常生成造成器件的柵極和源極連通從而導(dǎo)致整個器件的失效，由此可見，能否測試并控制好鎳金屬硅化物在平面內(nèi)的生長就顯得十分的重要。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明公開了一種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法。用以解決現(xiàn)有技術(shù)中器件在退火時鎳金屬會發(fā)生異常生長，由于這種情況的發(fā)生致使在檢測的時候不能有效的檢測出鎳金屬生長長度的問題。為實現(xiàn)上述目的，發(fā)明采用的技術(shù)方案是
一種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其中，包括以下的工藝步驟步驟一，在器件的有源區(qū)中形成N型井和P型井；步驟二，在所述N型井和P型井中相互相向的位置刻蝕出鎳金屬填充區(qū)域；步驟三，在鎳金屬填充區(qū)域進(jìn)行鎳金屬硅化物的填充；
步驟四，在所述有源區(qū)以及所述N型井和P型井的上表面淀積介質(zhì)層；
步驟五，在位于所述N型井和P型井的鎳金屬硅化物的上表面，刻蝕介質(zhì)層并形成兩接觸孔；
步驟六，在所述兩接觸孔中進(jìn)行鎢的填充；
步驟七，對器件進(jìn)行退火；
步驟八，使用電子顯微鏡直接檢測觀察鎳金屬硅化物在器件的平面里所生長的長度。上述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其中，所填充的所述鎢與所述鎳金屬硅化物接觸連接。上述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其中，在所述步驟八中，在電場下連接所述P型井的所述接觸孔在電子顯微鏡下為暗光。上述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其中，在所述步驟八中，在電場下連接所述N型井的所述接觸孔在電子顯微鏡下為亮光。上述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其中，在所述步驟八中，當(dāng)N型井中鎳金屬硅化物與P型井中鎳金屬硅化物相互生長并接觸的時候，在電場下連接所述P型井的所述接觸孔在電子顯微鏡下為亮光。上述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其中，所述N型井和P型井之間的距離為ー固定值，(并有一系列不同距離的相同結(jié)構(gòu))。 上述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其中，所述N型井和P型井中鎳金屬硅化物受退火影響所生長的方向為相向生長。上述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其中，所述N型井和P型井中鎳金屬硅化物受退火影響所生長的生長長度一致。本發(fā)明中ー種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，采用了如上方案具有以下效果
1、有效地通過電子顯微鏡觀察P型井與N型井中間不同尺寸的接觸孔的亮光與暗光的 變化，可以計算出得出鎳金屬硅化物在器件的平面內(nèi)所生長的長度；
2、同時能夠很好的控制該エ藝的質(zhì)量。


通過閱讀參照如下附圖對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，發(fā)明的其它特征，目的和優(yōu)點將會變得更明顯。圖IA至1D，是表示普通金屬鎳硅化物形成的エ藝示意 圖IE為普通金屬鎳硅化物在進(jìn)行退火的時候會發(fā)生鎳金屬異常生長的示意 圖2A至2D為本發(fā)明的ー種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法的示意 圖3A、3B為本發(fā)明的ー種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法的鎳金屬硅化物生長在一起的示意圖。圖4為本發(fā)明的ー種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法的晶硅示意圖。如圖序號為N型井I、P型井2、鎳金屬填充區(qū)域3、鎳金屬硅化物4、有源區(qū)5、介質(zhì)層6、接觸孔7、鎢8。
具體實施例方式為了使發(fā)明實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)造特征、達(dá)成目的和功效易于明白了解，下結(jié)合具體圖示，進(jìn)ー步闡述本發(fā)明。如圖2A-2D所示，ー種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其中，包括以下的エ藝步驟步驟一，在器件的有源區(qū)中形成N型井I和P型井2 ;步驟ニ，在N型井I和P型井2中相互相向的位置刻蝕出鎳金屬填充區(qū)域3 ;步驟三，在鎳金屬填充區(qū)域3進(jìn)行鎳金屬硅化物4的填充；步驟四，在有源區(qū)5以及N型井I和P型井2的上表面淀積介質(zhì)層6 ；步驟五，在位于N型井I和P型井2的鎳金屬硅化物4的上表面，刻蝕介質(zhì)層6并形成兩接觸孔7 ;步驟六，在兩接觸孔7中進(jìn)行鎢8的填充；步驟七，對器件進(jìn)行退火；步驟八，使用電子顯微鏡直接檢測觀察鎳金屬硅化物4在器件的平面里所生長的長度。在本發(fā)明的具體實施例中，所填充的鎢8與鎳金屬硅化物4接觸連接。 在本發(fā)明的具體實施例中，在步驟八中，在電場下連接P型井2的接觸孔在電子顯微鏡下為暗光。
在本發(fā)明的具體實施例中，在步驟八中，在電場下連接N型井I的接觸孔7在電子顯微鏡下為亮光。在本發(fā)明的具體實施例中，在步驟八中，當(dāng)N型井I中鎳金屬硅化物4與P型井2中鎳金屬硅化物4相互生長并接觸的時候，在電場下連接P型井2的接觸孔7在電子顯微鏡下為亮光。在本發(fā)明的具體實施例中，N型井I和P型井2之間的距離為ー固定值。在本發(fā)明的具體實施例中，N型井I和P型井2中鎳金屬硅化物4受退火影響所生長的方向為相向生長。在本發(fā)明的具體實施例中，N型井I和P型井2中鎳金屬硅化物4受退火影響所生長的生長長度一致。如圖3A、3B所示，在本發(fā)明的具體實施方式
中，在當(dāng)器件成型后，在電場連接下使 用電子顯微鏡對器件中N型井I與P型井2上的鎢8接觸孔7進(jìn)行觀察，當(dāng)P型井2的接觸孔7與N型井I的接觸孔7在電子顯微鏡下均為亮光時，可以確定鎳金屬硅化物4相向生長并相互接觸，在通過P型井2與N型井I之間的固定距離L/2可以得到鎳金屬硅化物4所生長的長度,如圖4所示晶娃示意圖。綜上所述，本發(fā)明ー種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，有效地通過電子顯微鏡觀察P型井與N型井中間不同尺寸的接觸孔的亮光與暗光的變化，可以計算出得出鎳金屬硅化物在器件的平面內(nèi)所生長的長度，同時能夠很好的控制該エ藝的質(zhì)量。以上對發(fā)明的具體實施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實施；本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其特征在于，包括以下的工藝步驟步驟一，在器件的有源區(qū)中形成N型井和P型井；步驟二，在所述N型井和P型井中相互相向的位置刻蝕出鎳金屬填充區(qū)域；步驟三，在鎳金屬填充區(qū)域進(jìn)行鎳金屬硅化物的填充； 步驟四，在所述有源區(qū)以及所述N型井和P型井的上表面淀積介質(zhì)層； 步驟五，在位于所述N型井和P型井的鎳金屬硅化物的上表面，刻蝕介質(zhì)層并形成兩接觸孔； 步驟六，在所述兩接觸孔中進(jìn)行鎢的填充； 步驟七，對器件進(jìn)行退火； 步驟八，使用電子顯微鏡直接檢測觀察鎳金屬硅化物在器件的平面里所生長的長度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其特征在于，所填充的所述鎢與所述鎳金屬硅化物接觸連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其特征在于，在所述步驟八中，在電場下連接所述P型井的所述接觸孔在電子顯微鏡下為暗光。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其特征在于，在所述步驟八中，在電場下連接所述N型井的所述接觸孔在電子顯微鏡下為亮光。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其特征在于，在所述步驟八中，當(dāng)N型井中鎳金屬硅化物與P型井中鎳金屬硅化物相互生長并接觸的時候，在電場下連接所述P型井的所述接觸孔在電子顯微鏡下為亮光。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其特征在于，所述N型井和P型井之間的距離為一固定值。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其特征在于，所述N型井和P型井中鎳金屬硅化物受退火影響所生長的方向為相向生長。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其特征在于，所述N型井和P型井中鎳金屬硅化物受退火影響所生長的生長長度一致。
全文摘要
本發(fā)明一種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，其中，包括以下的工藝步驟在器件的有源區(qū)中形成N型井和P型井；在N型井和P型井中刻蝕出鎳金屬填充區(qū)域；在鎳金屬填充區(qū)域進(jìn)行鎳金屬硅化物的填充；在有源區(qū)以及N型井和P型井的上表面淀積介質(zhì)層；在位于N型井和P型井的鎳金屬硅化物的上表面，刻蝕介質(zhì)層并形成兩接觸孔；在兩接觸孔中進(jìn)行鎢的填充；對器件進(jìn)行退火；使用電子顯微鏡檢測鎳金屬硅化物在器件的平面里所生長的長度。通過使用本發(fā)明一種檢測鎳金屬硅化物在平面內(nèi)生長長度的方法，有效地通過電子顯微鏡觀察P型井與N型井中間不同尺寸的接觸孔的亮光與暗光的變化，可以計算出得出鎳金屬硅化物在器件的平面內(nèi)所生長的長度，同時能夠很好的控制該工藝的質(zhì)量。
文檔編號G01B11/02GK102832150SQ201210157809
公開日2012年12月19日 申請日期2012年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月21日
發(fā)明者倪棋梁, 陳宏璘, 王洲男, 龍吟, 郭明升 申請人:上海華力微電子有限公司