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一種確定粗糙金屬表面二次電子發(fā)射特性的方法

文檔序號(hào):5887015閱讀:210來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種確定粗糙金屬表面二次電子發(fā)射特性的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明公開(kāi)了一種確定粗糙金屬表面二次電子發(fā)射特性的方法,屬于物理電子學(xué)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
電子束與物質(zhì)的相互作用是物理電子學(xué)研究中的一個(gè)非常重要的領(lǐng)域,其中由入射電子激發(fā)的二次電子發(fā)射(也稱為次級(jí)電子發(fā)射)現(xiàn)象在掃描電子顯微鏡、俄歇電子能譜儀以及電子倍增管等現(xiàn)代電子儀器和器件有著重要的應(yīng)用。例如在電子顯微學(xué)和表面電子能譜分析中采用電子束轟擊樣品,在材料內(nèi)通過(guò)電子的散射產(chǎn)生表征材料性質(zhì)的各種特征信號(hào),從而獲得材料的晶體結(jié)構(gòu)、組成成分、電子結(jié)構(gòu)、表面形貌、內(nèi)部缺陷等各種微觀性質(zhì)。 二次電子發(fā)射不僅涉及電子在材料內(nèi)部的散射過(guò)程,而且電子在出射材料后還會(huì)與材料表面發(fā)生相互作用。電子從材料表面出射后的物理過(guò)程對(duì)二次電子發(fā)射特性的影響顯著,這也是許多二次電子發(fā)射特性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與理論結(jié)果無(wú)法吻合的重要原因。目前確定材料的二次電子發(fā)射特性的方法分為兩大類一是通過(guò)實(shí)驗(yàn)擬合出解析公式近似描述二次電子發(fā)射特性;二是通過(guò)蒙特卡羅方法模擬二次電子的發(fā)射過(guò)程,獲得材料的二次電子發(fā)射特性?,F(xiàn)有方案絕大部分只適用于平滑的材料表面,即僅考慮了電子在材料內(nèi)部的物理過(guò)程。而對(duì)于實(shí)際材料,表面并不是理想的光滑平面,它具有一定的粗糙度,即表面的形貌起伏。個(gè)別的處理方法中,采用唯像概率的方法統(tǒng)計(jì)電子的二次電子發(fā)射特性,忽略了二次電子在出射時(shí)與表面的多次相互作用過(guò)程。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足,提供一種確定粗糙金屬表面二次電子發(fā)射特性的方法,該方法考慮了電子出射材料表面時(shí)與粗糙表面的多次相互作用,獲得的二次電子發(fā)射特性與實(shí)驗(yàn)結(jié)果更加吻合。本發(fā)明的上述目的主要是通過(guò)如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的一種確定粗糙金屬表面二次電子發(fā)射特性的方法,包括如下步驟(I)對(duì)材料的粗糙表面形貌進(jìn)行表征,若材料表面形貌規(guī)則,將表面形貌劃分為矩形網(wǎng)格,矩形網(wǎng)格內(nèi)任意一點(diǎn)的起伏高度h采用解析式表示,并確定表面最大的起伏高度hmax;g材料表面為非規(guī)則表面形貌,采用顯微鏡進(jìn)行表面形貌提取,采用矩形網(wǎng)格點(diǎn)的方法進(jìn)行采樣,并建立二維數(shù)值描述表面形貌,得到表面形貌的矩形網(wǎng)格點(diǎn)中任意一點(diǎn)的起伏高度h和表面所有起伏高度h的最大值hmax ;(2)將電子從Ah點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Ai點(diǎn)的直線運(yùn)動(dòng)軌跡的長(zhǎng)度記為將電子WAi點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Ai+1點(diǎn)的直線運(yùn)動(dòng)軌跡的長(zhǎng)度記為ti+1,則ti+1由如下遞推關(guān)系得到,則
權(quán)利要求
1.一種確定粗糙金屬表面二次電子發(fā)射特性的方法,其特征在于包括如下步驟 (1)對(duì)材料的粗糙表面形貌進(jìn)行表征,若材料表面形貌規(guī)則,將表面形貌劃分為矩形網(wǎng)格,矩形網(wǎng)格內(nèi)任意一點(diǎn)的起伏高度h采用解析式表示,并確定表面最大的起伏高度hmax ;若材料表面為非 規(guī)則表面形貌,采用顯微鏡進(jìn)行表面形貌提取,采用矩形網(wǎng)格點(diǎn)的方法進(jìn)行采樣,并建立二維數(shù)值描述表面形貌,得到表面形貌的矩形網(wǎng)格點(diǎn)中任意一點(diǎn)的起伏高度h和表面所有起伏高度h的最大值hmax ; (2)將電子從Ag點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Ai點(diǎn)的直線運(yùn)動(dòng)軌跡的長(zhǎng)度記為將電子WAi點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Ai+1點(diǎn)的直線運(yùn)動(dòng)軌跡的長(zhǎng)度記為ti+1,則ti+1由如下遞推關(guān)系得到,則
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種確定粗糙金屬表面二次電子發(fā)射特性的方法,其特征在于所述步驟(I)中若材料表面為非規(guī)則表面形貌,則表面形貌的矩形網(wǎng)格點(diǎn)中任意一點(diǎn)的起伏高度h采用一階線性插值的方法獲得,即
全文摘要
本發(fā)明涉及一種確定粗糙金屬表面二次電子發(fā)射特性的方法,該方法給出了判斷電子是否入射到材料內(nèi)部的方法,并利用該方法判斷電子從材料內(nèi)部出射后,是否再次入射,從而充分考慮了電子與粗糙金屬表面的多次相互作用,并通過(guò)對(duì)大量電子的統(tǒng)計(jì)分析獲得金屬材料的二次電子發(fā)射特性,本發(fā)明由于充分考慮電子出射材料表面時(shí)與粗糙表面的多次相互作用,獲得的二次電子發(fā)射特性與實(shí)驗(yàn)結(jié)果更加吻合,并且采用本發(fā)明方法可以對(duì)任意表面形貌的二次電子發(fā)射特性進(jìn)行分析,可用于研究表面形貌與二次電子發(fā)射特性的規(guī)律,為探索可抑制二次電子發(fā)射的表面形貌提供理論指導(dǎo)。
文檔編號(hào)G01N23/22GK102680503SQ20121013095
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月27日
發(fā)明者崔萬(wàn)照, 張娜, 張海波, 曹猛 申請(qǐng)人:西安空間無(wú)線電技術(shù)研究所
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