本發(fā)明涉及電路板PCB的檢測(cè)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種測(cè)量PCB層間偏移量的方法和PCB在制板。

背景技術(shù)：
多層的PCB在生產(chǎn)制造過(guò)程中，將多張覆蓋有銅箔的絕緣板壓合在一起，構(gòu)成PCB的多層結(jié)構(gòu)。各層之間通過(guò)絕緣板的金屬孔壁實(shí)現(xiàn)電連通。多層PCB在壓合過(guò)程中，在壓力作用下，各層之間會(huì)出現(xiàn)位置偏移。這些位置偏移如果較大，會(huì)降低PCB各層之間的電連通性，甚至出現(xiàn)各層之間斷路或短路，產(chǎn)生PCB次品。因此，需要經(jīng)常檢測(cè)壓合后的PCB的層間偏移量，將偏移量控制在閾值范圍內(nèi)。相關(guān)的技術(shù)檢測(cè)層間偏移量的方式采用縱向切片的方式，將多層的PCB上鉆孔，以探針測(cè)量分析其對(duì)準(zhǔn)度，并需要檢驗(yàn)人員制作切片及肉眼判斷，由于存在檢驗(yàn)人員的主觀判斷性，會(huì)存在誤判的情況。在調(diào)整PCB壓合的精度時(shí)，需要參考PCB相鄰兩層之間的偏移量進(jìn)行調(diào)整。上述的檢測(cè)方式存在無(wú)法檢測(cè)出相鄰兩層之間的偏移量的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明旨在提供一種測(cè)量PCB層間偏移量的方法和PCB在制板，以解決上述技術(shù)無(wú)法檢測(cè)出相鄰兩層之間的偏移量的問(wèn)題。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種測(cè)量PCB層間偏移量的方法，包括：在PCB在制板的底層的金屬層上形成基準(zhǔn)窗口，所述基準(zhǔn)窗口為一組孔徑成等差遞增的圓孔；在所述金屬層上交替壓合介質(zhì)層和金屬層；在壓合的當(dāng)前金屬層上形成量測(cè)圖形和所述基準(zhǔn)窗口，所述量測(cè)圖形為一組圓環(huán)，其內(nèi)徑等于所述底層的金屬層的基準(zhǔn)窗口的最小孔徑、數(shù)量等于相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的數(shù)量與量測(cè)圖形的數(shù)量之和、且中心與相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的中心及量測(cè)圖形的中心對(duì)齊；在各個(gè)介質(zhì)層上形成貫穿的金屬量測(cè)孔，所述量測(cè)孔的內(nèi)徑等于所述最小孔徑，所述量測(cè)孔位于所述介質(zhì)層兩側(cè)的金屬層上中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形之間以及中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形與所述基準(zhǔn)窗口之間，所述量測(cè)孔電導(dǎo)通其兩側(cè)的所述量測(cè)圖形；電導(dǎo)通孔徑最小的基準(zhǔn)窗口的外圍金屬與其對(duì)齊的所述量測(cè)圖形。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種PCB在制板，包括：PCB在制板的底層的金屬層上開(kāi)設(shè)有基準(zhǔn)窗口，所述基準(zhǔn)窗口為一組孔徑成等差遞增的圓孔；在所述底層的金屬層上具有交替壓合介質(zhì)層和金屬層；在每個(gè)壓合的金屬層上形成有量測(cè)圖形和所述基準(zhǔn)窗口，所述量測(cè)圖形為一組圓環(huán)，其內(nèi)徑等于所述底層的金屬層的基準(zhǔn)窗口的最小孔徑、數(shù)量等于相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的數(shù)量與量測(cè)圖形的數(shù)量之和、且中心與相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的中心及量測(cè)圖形的中心對(duì)齊；在各個(gè)介質(zhì)層上形成有貫穿的金屬量測(cè)孔，所述量測(cè)孔的內(nèi)徑等于所述最小孔徑，所述量測(cè)孔位于所述介質(zhì)層兩側(cè)的金屬層上中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形之間以及中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形與所述基準(zhǔn)窗口之間，所述量測(cè)孔電導(dǎo)通其兩側(cè)的所述量測(cè)圖形；電導(dǎo)通孔徑最小的基準(zhǔn)窗口的外圍金屬與其對(duì)齊的所述量測(cè)圖形。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種測(cè)量PCB層間偏移量的方法，在PCB在制板的底層的金屬層上形成基準(zhǔn)窗口，所述基準(zhǔn)窗口為一組孔徑成等差遞增的圓孔；在所述金屬層上交替壓合介質(zhì)層和金屬層；在壓合的當(dāng)前金屬層上形成量測(cè)圖形和所述基準(zhǔn)窗口，所述量測(cè)圖形為一組圓環(huán)，其內(nèi)徑小于所述底層的金屬層的基準(zhǔn)窗口的最小孔徑、數(shù)量等于相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的數(shù)量與量測(cè)圖形的數(shù)量之和、且中心與相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的中心及量測(cè)圖形的中心對(duì)齊；在各個(gè)介質(zhì)層上形成貫穿的金屬量測(cè)孔，所述量測(cè)孔的內(nèi)徑小于所述最小孔徑，所述量測(cè)孔位于所述介質(zhì)層兩側(cè)的金屬層上中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形之間以及中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形與所述基準(zhǔn)窗口之間，所述量測(cè)孔電導(dǎo)通其兩側(cè)的所述量測(cè)圖形；電導(dǎo)通一側(cè)其對(duì)齊的所述量測(cè)圖形、與另一側(cè)對(duì)齊的所述基準(zhǔn)窗口斷路；在所述PCB的最外層的金屬層，形成對(duì)應(yīng)每個(gè)內(nèi)層的檢測(cè)圖形，每個(gè)所述檢測(cè)圖形與對(duì)應(yīng)的內(nèi)層電導(dǎo)通、且形狀為環(huán)形。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種PCB在制板，包括：PCB在制板的底層的金屬層上開(kāi)設(shè)有基準(zhǔn)窗口，所述基準(zhǔn)窗口為一組孔徑成等差遞增的圓孔；在所述底層的金屬層上具有交替壓合介質(zhì)層和金屬層；在壓合的每個(gè)金屬層上形成有量測(cè)圖形和所述基準(zhǔn)窗口，所述量測(cè)圖形為一組圓環(huán)，其內(nèi)徑小于所述底層的金屬層的基準(zhǔn)窗口的最小孔徑、數(shù)量等于相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的數(shù)量與量測(cè)圖形的數(shù)量之和、且中心與相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的中心及量測(cè)圖形的中心對(duì)齊；在各個(gè)介質(zhì)層上形成貫穿的金屬量測(cè)孔，所述量測(cè)孔的內(nèi)徑小于所述最小孔徑，所述量測(cè)孔位于所述介質(zhì)層兩側(cè)的金屬層上中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形之間以及中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形與所述基準(zhǔn)窗口之間，所述量測(cè)孔電導(dǎo)通其兩側(cè)的所述量測(cè)圖形；電導(dǎo)通一側(cè)其對(duì)齊的所述量測(cè)圖形、與另一側(cè)對(duì)齊的所述基準(zhǔn)窗口斷路；在所述PCB的最外層的金屬層，形成有對(duì)應(yīng)每個(gè)內(nèi)層的檢測(cè)圖形，每個(gè)所述檢測(cè)圖形與對(duì)應(yīng)的內(nèi)層電導(dǎo)通、且形狀為環(huán)形。通過(guò)上述步驟，在每層形成有基準(zhǔn)窗口和量測(cè)圖形，量測(cè)圖形之間通過(guò)量測(cè)孔實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通，相鄰層的量測(cè)孔與孔徑最小的基準(zhǔn)窗口導(dǎo)通，與其它的基準(zhǔn)窗口位置對(duì)應(yīng)。由于壓合過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)層偏移，形成的量測(cè)孔可能會(huì)與除孔徑最小的基準(zhǔn)窗口之外的其它基準(zhǔn)窗口導(dǎo)通，通過(guò)導(dǎo)通的基準(zhǔn)窗口的孔徑的等差數(shù)值，判斷出層間的偏移量。附圖說(shuō)明此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：圖1示出了一個(gè)實(shí)施例的流程圖；圖2示出了在PCB的底層的金屬層表面上形成的基準(zhǔn)窗口示意圖；圖3示出了在PCB的一個(gè)壓合后的金屬層表面上形成的基準(zhǔn)窗口和量測(cè)窗口的示意圖；圖4示出了在PCB的另一個(gè)壓合后的金屬層表面上形成的基準(zhǔn)窗口和量測(cè)窗口的示意圖；圖5示出了壓合多層后的PCB的一個(gè)側(cè)面的剖視圖；圖6示出了壓合多層后的PCB的另一個(gè)側(cè)面的剖視圖；圖7示出了通過(guò)蜂鳴器測(cè)量?jī)蓚€(gè)導(dǎo)通的量測(cè)圖形的示意圖；圖8示出了PCB最后壓合的外層表面上具有與最小孔徑的基準(zhǔn)窗口導(dǎo)通的量測(cè)圖形的示意圖；圖9示出了壓合后的PCB的剖視圖；圖10示出了另一個(gè)實(shí)施例的流程圖；圖11示出了在PCB的壓合后的金屬層表面上形成的基準(zhǔn)窗口、檢測(cè)窗口和量測(cè)窗口的示意圖；圖12示出了PCB的側(cè)面剖視圖。具體實(shí)施方式下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例，來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。參見(jiàn)圖1，本發(fā)明的實(shí)施例包括以下步驟：S11：在PCB在制板的底層的金屬層上形成基準(zhǔn)窗口，所述基準(zhǔn)窗口為一組孔徑成等差遞增的圓孔；參見(jiàn)圖2所示出的電路板底層的俯視圖，在底層的金屬層上形成孔徑成等差遞增的圓孔。該底層可以是多層電路板中的任一起始層，例如：可以是基層，也可以是多層電路板結(jié)構(gòu)中最外的一層。S12：在所述金屬層上交替壓合介質(zhì)層和金屬層；S13：在壓合的當(dāng)前金屬層上形成量測(cè)圖形和所述基準(zhǔn)窗口，所述量測(cè)圖形為一組圓環(huán)，其內(nèi)徑等于所述底層的金屬層的基準(zhǔn)窗口的最小孔徑、數(shù)量等于相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的數(shù)量與量測(cè)圖形的數(shù)量之和、且中心與相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的中心及量測(cè)圖形的中心對(duì)齊；參見(jiàn)圖3所示出從底層上壓合的第二層電路板的示意圖，該圖中，具有形狀為圓環(huán)的量測(cè)圖形，在該層上也形成有基準(zhǔn)窗口。不斷地在壓合后的金屬層上形成基準(zhǔn)窗口和量測(cè)圖形，例如，如圖4所示，壓合到第三層的PCB的金屬表面，形成有基準(zhǔn)窗口21和多組量測(cè)圖形22。S14：在各個(gè)介質(zhì)層上形成貫穿的金屬量測(cè)孔，所述量測(cè)孔的內(nèi)徑等于所述最小孔徑，所述量測(cè)孔位于所述介質(zhì)層兩側(cè)的金屬層上中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形之間以及中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形與所述基準(zhǔn)窗口之間，所述量測(cè)孔電導(dǎo)通其兩側(cè)的所述量測(cè)圖形；電導(dǎo)通孔徑最小的基準(zhǔn)窗口的外圍金屬與其對(duì)齊的所述量測(cè)圖形。參見(jiàn)圖5所示出的電路板的剖視圖，各層的量測(cè)圖形22通過(guò)量測(cè)孔23實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通，在電路板的底層，位于圖紙中左側(cè)的孔徑最小的基準(zhǔn)窗口21與量測(cè)孔孔徑相同，相互電導(dǎo)通，而其余的基準(zhǔn)窗口，參見(jiàn)圖6所示出的電路板的另一側(cè)的剖視圖，由于孔徑等差遞增，量測(cè)孔又孔徑相同，則量測(cè)孔23可能在基準(zhǔn)窗口中21中形成內(nèi)含、內(nèi)切或相交的關(guān)系，如果形成內(nèi)切或相交的關(guān)系，則會(huì)出現(xiàn)電導(dǎo)通。通過(guò)上述實(shí)施例的步驟，在每層形成有基準(zhǔn)窗口和量測(cè)圖形，量測(cè)圖形之間通過(guò)量測(cè)孔實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通，相鄰層的量測(cè)孔與孔徑最小的基準(zhǔn)窗口導(dǎo)通，與其它的基準(zhǔn)窗口位置對(duì)應(yīng)。由于壓合過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)層偏移，形成的量測(cè)孔可能會(huì)與除孔徑最小的基準(zhǔn)窗口之外的其它基準(zhǔn)窗口導(dǎo)通，通過(guò)導(dǎo)通的基準(zhǔn)窗口的孔徑的等差數(shù)值，判斷出層間的偏移量。優(yōu)選地，檢測(cè)每個(gè)金屬層上與所述孔徑最小的基準(zhǔn)窗口和所述量測(cè)圖形導(dǎo)通、且孔徑最大的基準(zhǔn)窗口，將所述確定的基準(zhǔn)窗口的孔徑與所述量測(cè)孔的內(nèi)徑的差值作為該內(nèi)層的層間偏移量。優(yōu)選地，參見(jiàn)圖7，各個(gè)基準(zhǔn)窗口的孔徑是等差遞增排列，可采用蜂鳴器測(cè)量金屬層L4對(duì)應(yīng)金屬層L3上的量測(cè)圖形與金屬層L4上最小基準(zhǔn)窗口之間的電導(dǎo)通情況，從而確定出孔徑最大、且導(dǎo)通的基準(zhǔn)窗口，通過(guò)最大的基準(zhǔn)窗口的孔徑與最小基準(zhǔn)窗口孔徑之間的差值，確定出該層的偏移量。例如：最小的基準(zhǔn)窗口的孔徑為12mil，等差遞增的基準(zhǔn)窗口的孔徑依次為12mil+1Pmil，12mil+2Pmil，12mil+3Pmil，12mil+4Pmil，12mil+5Pmil等。將測(cè)量的電路一端的觸點(diǎn)接觸金屬層L3上與金屬層L4上孔徑最小的基準(zhǔn)窗口連通的量測(cè)圖形，將另一端觸點(diǎn)依次接觸金屬層L3 上的各個(gè)量測(cè)圖形，這些量測(cè)圖形可能會(huì)與金屬層L4上其它基準(zhǔn)窗口導(dǎo)通。通過(guò)蜂鳴器的測(cè)量發(fā)現(xiàn)，第二、第三個(gè)基準(zhǔn)窗口對(duì)應(yīng)的量測(cè)圖形均與孔徑最小的基準(zhǔn)窗口電導(dǎo)通，可以確定出由于壓合導(dǎo)致金屬層L3出現(xiàn)了偏移，與金屬層L3上的兩個(gè)量測(cè)圖形導(dǎo)通的兩個(gè)量測(cè)孔分別與第二基準(zhǔn)窗口、第三基準(zhǔn)窗口相切或相交，兩個(gè)量測(cè)孔的孔壁與基準(zhǔn)窗口外的金屬層出現(xiàn)了電連通。這兩個(gè)導(dǎo)通的基準(zhǔn)窗口，第三個(gè)基準(zhǔn)窗口的孔徑最大，為12mil+2Pmil，而孔徑最小的基準(zhǔn)窗口的孔徑與量測(cè)孔的孔徑均相同，都是12mil，可確定出金屬層L3與金屬層L4之間出現(xiàn)了2Pmil的偏移。優(yōu)選地，可在同一直線(xiàn)上形成等差遞增的各個(gè)基準(zhǔn)窗口，在最后壓合的金屬層上，可順序確定出與該金屬層的基準(zhǔn)窗口相互導(dǎo)通的量測(cè)圖形的數(shù)量N，確定出層間偏移量為(N-1)A，A為基準(zhǔn)窗口之間孔徑等差的差值，優(yōu)選為5μm～20μm或1Pmil。優(yōu)選地，在同一直線(xiàn)形成的各個(gè)基準(zhǔn)窗口平行電路板的一邊，從而可確定出相鄰層偏移的方向。優(yōu)選地，為快速確定出最后壓合的金屬層上，與每個(gè)金屬層上的孔徑最小的基準(zhǔn)窗口導(dǎo)通的量測(cè)圖形，可在最后壓合的金屬層上，以多邊形形成與每個(gè)金屬層上的孔徑最小的基準(zhǔn)窗口導(dǎo)通的量測(cè)圖形的外緣。例如圖8，以四方形的形狀形成與每個(gè)金屬層上的孔徑最小的基準(zhǔn)窗口導(dǎo)通的量測(cè)圖形的外緣。優(yōu)選地，實(shí)施例中，PCB電路板的底層的金屬層，可以是如圖9所示的L1～L10的多層PCB的基層表面的金屬層，如圖9中的基層的兩個(gè)表面的金屬層L5、金屬層L6，也可以是已經(jīng)在基層上壓 合了若干層、且最后壓合的金屬層的表面。如金屬層L3、金屬層L8。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種PCB在制板，包括：PCB在制板的底層的金屬層上開(kāi)設(shè)有基準(zhǔn)窗口，所述基準(zhǔn)窗口為一組孔徑成等差遞增的圓孔；在所述底層的金屬層上具有交替壓合介質(zhì)層和金屬層；在每個(gè)壓合的金屬層上形成有量測(cè)圖形和所述基準(zhǔn)窗口，所述量測(cè)圖形為一組圓環(huán)，其內(nèi)徑等于所述底層的金屬層的基準(zhǔn)窗口的最小孔徑、數(shù)量等于相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的數(shù)量與量測(cè)圖形的數(shù)量之和、且中心與相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的中心及量測(cè)圖形的中心對(duì)齊；在各個(gè)介質(zhì)層上形成有貫穿的金屬量測(cè)孔，所述量測(cè)孔的內(nèi)徑等于所述最小孔徑，所述量測(cè)孔位于所述介質(zhì)層兩側(cè)的金屬層上中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形之間以及中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形與所述基準(zhǔn)窗口之間，所述量測(cè)孔電導(dǎo)通其兩側(cè)的所述量測(cè)圖形；電導(dǎo)通孔徑最小的基準(zhǔn)窗口的外圍金屬與其對(duì)齊的所述量測(cè)圖形。通過(guò)該實(shí)施例中的PCB在制板上的量測(cè)圖形之間的導(dǎo)通關(guān)系，可檢測(cè)出電路板之間各層的層間偏移。優(yōu)選地，上述作為底層的金屬層可以是PCB的基層或在基層上壓合的一個(gè)金屬層。優(yōu)選地，上述每個(gè)金屬層上的基準(zhǔn)窗口在同一直線(xiàn)上，且平行電路板的一邊；基準(zhǔn)窗口之間孔徑的等差值為5μm～20μm或1Pmil。優(yōu)選地，所述PCB在制板最后壓合的金屬層上，與所述孔徑最小的基準(zhǔn)窗口電導(dǎo)通的量測(cè)圖形的外緣為多邊形。本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例還提供一種測(cè)量PCB層間偏移量的方法。參見(jiàn)圖10，本發(fā)明的實(shí)施例包括以下步驟：S41：在PCB在制板的底層的金屬層上形成基準(zhǔn)窗口，所述基準(zhǔn)窗口為一組孔徑成等差遞增的圓孔；該底層可以是多層電路板中的任一起始層，例如：可以是基層，也可以是多層電路板結(jié)構(gòu)中最外的一層。S42：在所述金屬層上交替壓合介質(zhì)層和金屬層；S43：在壓合的當(dāng)前金屬層上形成量測(cè)圖形和所述基準(zhǔn)窗口，所述量測(cè)圖形為一組圓環(huán)，其內(nèi)徑小于所述底層的金屬層的基準(zhǔn)窗口的最小孔徑、數(shù)量等于相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的數(shù)量與量測(cè)圖形的數(shù)量之和、且中心與相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的中心及量測(cè)圖形的中心對(duì)齊；S44：在各個(gè)介質(zhì)層上形成貫穿的金屬量測(cè)孔，所述量測(cè)孔的內(nèi)徑小于所述最小孔徑，所述量測(cè)孔位于所述介質(zhì)層兩側(cè)的金屬層上中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形之間以及中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形與所述基準(zhǔn)窗口之間，所述量測(cè)孔電導(dǎo)通其兩側(cè)的所述量測(cè)圖形；電導(dǎo)通一側(cè)其對(duì)齊的所述量測(cè)圖形、與另一側(cè)對(duì)齊的所述基準(zhǔn)窗口斷路；S45：在所述PCB的最外層的金屬層，形成對(duì)應(yīng)每個(gè)內(nèi)層的檢測(cè)圖形，每個(gè)所述檢測(cè)圖形與對(duì)應(yīng)的內(nèi)層電導(dǎo)通、且形狀為環(huán)形。通過(guò)上述實(shí)施例的步驟，在每層形成有基準(zhǔn)窗口和量測(cè)圖形，量測(cè)圖形之間通過(guò)量測(cè)孔實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通，相鄰層的量測(cè)孔的孔徑小于最小的基準(zhǔn)窗口的孔徑，與其它的基準(zhǔn)窗口位置對(duì)應(yīng)。在最后壓合的最外層的金屬層上，形成有多個(gè)檢測(cè)圖形，每個(gè)檢測(cè)圖形與一個(gè)內(nèi)層導(dǎo)通。由于壓合過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)層偏移，可能會(huì)出現(xiàn)量測(cè)孔與基準(zhǔn)窗口電導(dǎo)通的情況，而基準(zhǔn)窗口所在的金屬層又與檢測(cè)圖形電導(dǎo)通，通過(guò)導(dǎo)通的基準(zhǔn)窗口的孔徑的等差數(shù)值，判斷出層間的偏移量。參見(jiàn)圖11所示出的實(shí)施例中一個(gè)壓合后的金屬層，形成有等差遞增的基準(zhǔn)窗口31，為環(huán)形的量測(cè)圖形32、檢測(cè)圖形34。兩個(gè)檢測(cè)圖形34分別與兩個(gè)金屬層電導(dǎo)通。優(yōu)選地，為區(qū)別檢測(cè)圖形、量測(cè)圖形，檢測(cè)圖形34外緣的形狀為多邊形，例如，采用圖11中所示出的四邊形，量測(cè)圖形32外緣為圓環(huán)形。參見(jiàn)圖12所示出的一個(gè)壓合后的PCB的側(cè)面剖視圖，在金屬層L5上，形成多個(gè)基準(zhǔn)窗口31，位于圖中的最左側(cè)的檢測(cè)圖形34，通過(guò)金屬孔與金屬層L5導(dǎo)通，其它的量測(cè)圖形32通過(guò)各個(gè)量測(cè)孔33相互電導(dǎo)通，與量測(cè)圖形32導(dǎo)通的量測(cè)孔33與金屬層L5上的基準(zhǔn)窗口31之間的位置關(guān)系可能是內(nèi)含、內(nèi)切或相交。如果是內(nèi)切或相交，則會(huì)出現(xiàn)電導(dǎo)通。優(yōu)選地，檢測(cè)每個(gè)金屬層上與所述檢測(cè)圖形和所述量測(cè)圖形導(dǎo)通、且孔徑最大的基準(zhǔn)窗口，將所述確定的基準(zhǔn)窗口的孔徑與所述量測(cè)孔的內(nèi)徑的差值作為該內(nèi)層的層間偏移量。將測(cè)量的電路一端的觸點(diǎn)接觸在圖12的檢測(cè)圖形34上，將另一端觸點(diǎn)依次接觸在各個(gè)量測(cè)圖形32上，如果金屬層L4與金屬層 L5之間出現(xiàn)層間偏移，則金屬層L4與金屬層L5之間的量測(cè)孔可能會(huì)與金屬層L5上的基準(zhǔn)窗口電導(dǎo)通。通過(guò)蜂鳴器的測(cè)量發(fā)現(xiàn)，第二個(gè)基準(zhǔn)窗口、第三個(gè)基準(zhǔn)窗口對(duì)應(yīng)的量測(cè)圖形均與檢測(cè)圖形電導(dǎo)通，可以確定出由于壓合導(dǎo)致金屬層L4出現(xiàn)了偏移。由于基準(zhǔn)窗口等差遞增，第三個(gè)基準(zhǔn)窗口最大，將第三個(gè)基準(zhǔn)窗口的孔徑與量測(cè)孔的內(nèi)徑的差值作為金屬層L4的層間偏移量。優(yōu)選地，可在同一直線(xiàn)上形成等差遞增的各個(gè)基準(zhǔn)窗口，在最后壓合的金屬層上，可順序確定出與該金屬層的基準(zhǔn)窗口相互導(dǎo)通的量測(cè)圖形的數(shù)量N，確定出層間偏移量為NA，A為基準(zhǔn)窗口之間孔徑等差的差值，優(yōu)選為5μm～20μm或1Pmil。優(yōu)選地，在同一直線(xiàn)形成的各個(gè)基準(zhǔn)窗口平行電路板的一邊，從而可確定出相鄰層偏移的方向。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種PCB在制板，包括：PCB在制板的底層的金屬層上開(kāi)設(shè)有基準(zhǔn)窗口，所述基準(zhǔn)窗口為一組孔徑成等差遞增的圓孔；在所述底層的金屬層上具有交替壓合介質(zhì)層和金屬層；在壓合的每個(gè)金屬層上形成有量測(cè)圖形和所述基準(zhǔn)窗口，所述量測(cè)圖形為一組圓環(huán)，其內(nèi)徑小于所述底層的金屬層的基準(zhǔn)窗口的最小孔徑、數(shù)量等于相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的數(shù)量與量測(cè)圖形的數(shù)量之和、且中心與相鄰金屬層的基準(zhǔn)窗口的中心及量測(cè)圖形的中心對(duì)齊；在各個(gè)介質(zhì)層上形成貫穿的金屬量測(cè)孔，所述量測(cè)孔的內(nèi)徑小于所述最小孔徑，所述量測(cè)孔位于所述介質(zhì)層兩側(cè)的金屬層上中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形之間以及中心對(duì)齊的所述量測(cè)圖形與所述基準(zhǔn)窗口之間，所述量測(cè)孔電導(dǎo)通其兩側(cè)的所述量測(cè)圖形；電導(dǎo)通一側(cè)其對(duì)齊的所述量測(cè)圖形、與另一側(cè)對(duì)齊的所述基準(zhǔn)窗口斷路；在所述PCB的最外層的金屬層，形成有對(duì)應(yīng)每個(gè)內(nèi)層的檢測(cè)圖形，每個(gè)所述檢測(cè)圖形與對(duì)應(yīng)的內(nèi)層電導(dǎo)通、且形狀為環(huán)形。通過(guò)該實(shí)施例中的PCB在制板上的量測(cè)圖形與檢測(cè)圖形之間的導(dǎo)通關(guān)系，可檢測(cè)出電路板之間各層的層間偏移。優(yōu)選地，上述作為底層的金屬層可以是PCB的基層或在基層上壓合的一個(gè)金屬層。優(yōu)選地，上述每個(gè)金屬層上的基準(zhǔn)窗口在同一直線(xiàn)上，且平行電路板的一邊，這樣設(shè)置可確定出層間偏移的方向；基準(zhǔn)窗口之間孔徑的等差值為5μm～20μm或1Pmil。優(yōu)選地，所述PCB在制板最后壓合的金屬層上，與所述孔徑最小的基準(zhǔn)窗口電導(dǎo)通的量測(cè)圖形的外緣為多邊形，優(yōu)選四邊形。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。