專利名稱：連接基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于放射線檢測器模塊的連接基板。
背景技術(shù)：
專利文獻I中，記載有X射線檢測裝置中的X射線檢測元件搭載用的配線基板。該配線基板包含將多個絕緣層層疊而成的基體、形成于基體上表面的X射線檢測元件的安裝區(qū)域的多個連接墊、以及形成于基體的外表面的多個端子電極。另外，該配線基板包含形成于基體內(nèi)部以將多個連接墊與多個端子電極加以連接的多個內(nèi)部配線。多個內(nèi)部配線包含配置于安裝區(qū)域下方的多個貫通導(dǎo)體。多個貫通導(dǎo)體跨多個絕緣層相對于絕緣層的層疊方向朝不同方向傾斜而形成，在這些全部的貫通導(dǎo)體的向基體上表面的投影區(qū)域內(nèi)含有安裝區(qū)域。該配線基板系由該多個貫通導(dǎo)體屏蔽反射X射線。
現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I :日本專利特開2009-32936號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所欲解決的問題近年來，作為用于X射線檢查裝置等的放射線檢測器，包含具有排列成ニ維狀的多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域的光電ニ極管陣列等的光電轉(zhuǎn)換器件、以及配置于光電轉(zhuǎn)換器件上的閃爍器的裝置已投入實際應(yīng)用。這種放射線檢測器與以往的使用有X射線感光膜的檢測器相比，無需顯影，且可實時確認圖像等方便性高，在數(shù)據(jù)的保存性、處理的容易度方面也卓越。此種放射線檢測器中，在多數(shù)情形時，光電轉(zhuǎn)換器件安裝于基板上。而且，必需放大自光電轉(zhuǎn)換器件輸出的微小信號，故而使用內(nèi)置有與多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域?qū)?yīng)的多個積分電路等的多個讀取電路的集成電路器件。再者，多個讀取電路例如包含積分電路。為了裝置的小型化，該集成電路器件優(yōu)選安裝于基板的背面?zhèn)?。然而，?dāng)在基板的一方的板面上安裝有光電轉(zhuǎn)換器件，在另一方的板面上安裝有集成電路器件時，會產(chǎn)生如下問題。即，入射至閃爍器的放射線的一部分未被閃爍器吸收而透過時，該放射線有可能透過基板而抵達至集成電路器件。集成電路器件的讀取電路中，含有例如運算放大器、電容器、或者開關(guān)用的M0S(Metal-oxide semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管等的容易受到放射線的影響的電路元件。故而，抵達至集成電路器件的放射線有可能使這些電路元件發(fā)生異常。因此，期望由某些對策，保護讀取電路以防放射線。再者，專利文獻I中所記載的裝置中，多個貫通導(dǎo)體跨多個絕緣層朝不同方向傾斜而形成。而且，由將安裝區(qū)域配置成包含于這些貫通導(dǎo)體的向基板面的投影區(qū)域內(nèi)，來屏蔽反射X射線。然而，在這種構(gòu)成中，存在多個貫通導(dǎo)體相互相対，貫通導(dǎo)體相互間的寄生電容增加的問題。本發(fā)明的目的在于提供ー種可保護集成電路器件的讀取電路以防放射線，且抑制寄生電容的増加的放射線檢測器模塊用的連接基板。解決問題的技術(shù)手段本發(fā)明的一個實施方式的連接基板用以將光電轉(zhuǎn)換器件搭載于一個板面上，且將集成電路器件搭載于另ー個板面上，該光電轉(zhuǎn)換器件在排列成ニ維狀的多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域接收來自閃爍器的光，該閃爍器將從規(guī)定方向入射的放射線轉(zhuǎn)換成光，該集成電路器件由多個讀取電路分別讀取自光電轉(zhuǎn)換器件的多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域的各個輸出的電信號；該連接基板包含(a)基材，層疊多個電介質(zhì)層而成；以及(b)金屬制的多個貫通導(dǎo)體，貫通多個電介質(zhì)層中相互鄰接的至少三個電介質(zhì)層而設(shè)置，且成為電信號的路徑的一部分。該連接基板中，多個放射線屏蔽膜設(shè)置于至少三個電介質(zhì)層中的兩個以上的層間部分。多個放射線屏蔽膜與多個貫通導(dǎo)體的各個形成為一體且相互隔開。而且，由將在ー個層間部分中與一個貫通導(dǎo)體形成為一體的放射線屏蔽膜投影至垂直于規(guī)定方向的假想平面而獲得的區(qū)域、與由將在其他層間部分中與其他貫通導(dǎo)體形成為一體的放射線屏蔽膜投影至假想平面而獲得的區(qū)域相互不重合。
另外，本發(fā)明的另ー實施方式的連接基板用以將光電轉(zhuǎn)換器件搭載于個板面上，且將集成電路器件搭載于另ー個板面上，該光電轉(zhuǎn)換器件在排列成ニ維狀的多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域接收來自閃爍器的光，該閃爍器將放射線轉(zhuǎn)換成光，該集成電路器件由多個讀取電路個別地讀取自光電轉(zhuǎn)換器件的多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域分別輸出的電信號；該連接基板包含(a)基材，層疊多個電介質(zhì)層而成；以及(b)金屬制的多個貫通導(dǎo)體，貫通多個電介質(zhì)層的中相互鄰接的至少三個電介質(zhì)層而設(shè)置，且成為電信號的路徑的一部分。該連接基板中，金屬制的多個放射線屏蔽膜設(shè)置于至少三個電介質(zhì)層中的兩個以上的層間部分。多個放射線屏蔽膜與多個貫通導(dǎo)體各自形成為一體且相互隔開。而且，由將在ー個層間部分中與ー貫通導(dǎo)體形成為一體的放射線屏蔽膜投影至與一個板面平行的假想平面而獲得的區(qū)域、與由將在其他層間部分中與其他貫通導(dǎo)體形成為一體的放射線屏蔽膜投影至假想平面而獲得的區(qū)域相互不重合。上述連接基板上，設(shè)置有貫通至少三個電介質(zhì)層的多個貫通導(dǎo)體、以及與多個貫通導(dǎo)體各自形成為一體的金屬制的多個放射線屏蔽膜。而且，這些多個放射線屏蔽膜設(shè)置于至少三個電介質(zhì)層中的兩個以上的層間部分。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，形成于連接基板的內(nèi)部的多個放射線屏蔽膜保護集成電路器件的讀取電路以防放射線。另外，多個放射線屏蔽膜相互隔開，由將在ー個層間部分中與ー個貫通導(dǎo)體形成為一體的放射線屏蔽膜投影至假想平面而獲得的區(qū)域、與由將在另ー層間部分中與另ー貫通導(dǎo)體形成為一體的放射線屏蔽膜投影至假想平面而獲得的區(qū)域相互不重合。此處，所謂假想平面，是指垂直于放射線入射方向即規(guī)定方向的面，或者當(dāng)放射線入射方向垂直于連接基板的板面時平行于連接基板的一個板面的面。由此，與一貫通導(dǎo)體及另ー貫通導(dǎo)體分別形成為一體的各放射線屏蔽膜相互不相對，因此可降低一個貫通導(dǎo)體與另ー貫通導(dǎo)體之間所產(chǎn)生的寄生電容。如以上說明，根據(jù)上述連接基板，可保護集成電路器件的讀取電路以防放射線，且抑制寄生電容的増加。另外，上述連接基板中，也可在多個電介質(zhì)層中的層間部分中、相對于至少3個電介質(zhì)層位于ー個板面?zhèn)鹊末`個或兩個以上的層間部分，設(shè)置因光電轉(zhuǎn)換器件的電極間距與多個貫通導(dǎo)體的間距的不同而產(chǎn)生的層間配線。另外，上述連接基板中，各放射線屏蔽膜也可在對應(yīng)的各貫通導(dǎo)體的周圍延伸。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可提供ー種能夠保護集成電路器件的讀取電路以防放射線，且抑制寄生電容的増加的放射線檢測器模塊用的連接基板。


圖I是表示包含ー實施方式的連接基板的放射線檢測器模塊的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖2是表示連接基板以及集成電路器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖3是表示自放射線的入射方向觀察的集成電路的各構(gòu)成要素的配置。 圖4是表示讀取電路的構(gòu)成例的等效電路圖。圖5是表示將放射線屏蔽膜及単位電路區(qū)域投影至假想平面的情況的圖。
具體實施例方式以下，一面參照附圖，一面詳細說明本發(fā)明的連接基板的實施方式。再者，在

中對于相同要素標附相同符號，且省略重復(fù)說明。圖I是表示包含ー實施方式的連接基板的放射線檢測器模塊的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖I所示的放射線檢測器模塊IOA包含閃爍器11、光電ニ極管陣列12、連接基板13及集成電路器件14。閃爍器11用以將自規(guī)定方向入射的放射線R轉(zhuǎn)換成光的板狀構(gòu)件。放射線R是例如X射線。閃爍器11被分割成排列成M行N列的多個像素，配置于ニ維光電ニ極管陣列12的光入射面上。再者，N、M均為2以上的整數(shù)。閃爍器11對應(yīng)于所入射的放射線R產(chǎn)生閃爍光并將放射線像轉(zhuǎn)換成光像，將該光像輸出至ニ維光電ニ極管陣列12。閃爍器11例如由CsI構(gòu)成。閃爍器11可設(shè)置成覆蓋ニ維光電ニ極管陣列12，或者可由蒸鍍而設(shè)置于ニ維光電ニ極管陣列12上。ニ維光電ニ極管陣列12是本實施方式中的光電轉(zhuǎn)換器件。ニ維光電ニ極管陣列12包含排列成M行N列的ニ維狀的作為多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域的多個光電ニ極管，將來自閃爍器11的光接收至多個光電ニ極管。ニ維光電ニ極管陣列12在與光入射面為相反側(cè)的背面上具有用于所謂倒裝芯片安裝的導(dǎo)電性接合材料即多個凸塊電極12a，這些多個凸塊電極12a在ニ維光電ニ極管陣列12的背面上排列成M行N列的ニ維狀。ニ維光電ニ極管陣列12的平面尺寸為例如20mmX35mm。連接基板13是將ニ維光電ニ極管陣列12搭載于一個板面13a上，將后述集成電路器件14搭載于另ー個板面13b上。連接基板13由多個電介質(zhì)層層疊而成，且含有用以將ニ維光電ニ極管陣列12與集成電路器件14電連接的內(nèi)部配線。另外，在連接基板13的一個板面13a上，將用以安裝ニ維光電ニ極管陣列12的多個焊盤狀配線排列成M行N列的ニ維狀，在另ー個板面13b上，將用以安裝集成電路器件14的多個焊盤狀配線排列成ニ維狀。集成電路器件14由個別地檢測自ニ維光電ニ極管陣列12的多個光電ニ極管各自輸出的光電流等的電信號，來讀取這些電信號。集成電路器件14具有將對應(yīng)于ニ維光電ニ極管陣列12的多個光電ニ極管的多個讀取電路ー并封入ー個芯片的構(gòu)造。此外，成為對這些多個讀取電路的輸入端子的作為導(dǎo)電性接合材料的多個凸塊電極14a，在與連接基板13相対的集成電路器件14的面上排列成ニ維狀。另外，放射線檢測器模塊IOA進而包括用以將自集成電路器件14輸出的電信號輸出至外部的可撓性印刷基板15?？蓳闲杂∷⒒?5的一端電連接于連接基板13的另一方的板面13b上。另外，放射線檢測器模塊IOA進而包括用以冷卻集成電路器件14的散熱器16。散熱器16連接于集成電路器件14的與連接基板13相対的面的相反側(cè)的面，具有多個翼片向外側(cè)突出的形狀。圖2表示連接基板13及集成電路器件14的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖面圖。再者，該圖中圖標有ニ維光電ニ極管陣列12，但省略了閃爍器11及散熱器16的圖示。如圖2所示，集成電路器件14包含多個單位電路區(qū)域14b及多個電路區(qū)域14c。多個單位電路區(qū)域14b中，作為多個讀取電路，分別包含多個前級放大器。這些多個讀取電路分別對應(yīng)于ニ維光電ニ極管陣列12的多個光電ニ極管，分別自所對應(yīng)的光電ニ極管接收光電流等的電信號。再者，在電路區(qū)域14c中，設(shè)置后級放大器，作為用以進ー步放大自單位電路區(qū)域14b的讀取電路所輸出的信號的放大電路。此處，圖3(a)是表示集成電路器件14的構(gòu)成例的圖。圖3 (a)表示自放射線R的入射方向觀察的集成電路器件14的各構(gòu)成要素的配置。另外，圖3 (b)是放大表示集成電路器件14所含有的ー個單位電路區(qū)域14b的圖。該集成電路器件14具有例如9mmX Ilmm等的大小。如圖3(a)所示，單位電路區(qū)域14b在集成電路器件14的內(nèi)部排列成J行K列的ニ維狀。再者，J及K為2以上的整數(shù)。各単位電路區(qū)域14b中，如圖3 (b)所示設(shè)置有輸入墊He。于該輸入墊14e上，設(shè)置圖I所示的凸塊電極14a。另外，這些單位電路區(qū)域14b相互隔開，在ー個單位電路區(qū)域14b與另ー單位電路區(qū)域14b之間，不存在晶體管或電容器等的電路元件的區(qū)域朝行方向及列方向延伸。但是，在該區(qū)域，也可存在用以將電路元件相互連接的金屬配線。ー個單位電路區(qū)域14b的尺寸例如為行方向O. 5mm,列方向O. 5mm,相鄰的單位電路區(qū)域14b彼此之間隙的間隔例如為O. 16_。電路區(qū)域14c對應(yīng)于単位電路區(qū)域14b的各列配置有K個。這些電路區(qū)域14c沿行方向井列配置，各輸入端分別與所對應(yīng)的列的単位電路區(qū)域14b電連接。在單位電路區(qū)域14b中所含的作為讀取電路的前級放大器、及電路區(qū)域14c中所含的作為放大電路的后級放大器中，分別設(shè)置開關(guān)。繼而，可通過使用単位電路區(qū)域14b的讀取電路的開關(guān)指定要讀取的行，且可通過使用電路區(qū)域14c的放大電路的開關(guān)指定要讀取的列。K個電路區(qū)域14c的輸出端與A/D轉(zhuǎn)換器14d電連接。A/D轉(zhuǎn)換器14d將自各電路區(qū)域14c輸出的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號。自A/D轉(zhuǎn)換器14d輸出的數(shù)字信號經(jīng)由沿集成電路器件14的邊緣排列的多個輸入輸出墊14f中的一個輸出至集成電路器件14的外部。再者，其他輸入輸出墊Hf用于電源電壓輸入、接地電位等的基準電位的輸入、時鐘輸入等。圖4是表示各單位電路區(qū)域14b中所含的讀取電路的構(gòu)成例的等效電路。該等效電路中，讀取電路140由積分電路構(gòu)成，包含運算放大器141、作為反饋電容的電容器142及重置開關(guān)143。運算放大器141的非反相輸入端子連接于基準電壓Vref，運算放大器141的反相輸入端子連接于圖I所示的ニ維光電ニ極管陣列12所包含的一個光電ニ極管12b的陽極。再者，光電ニ極管12b的陰極連接于基準電壓Vref，對光電ニ極管12b施加逆向偏壓。電容器142連接于運算放大器141的反相輸入端子與輸出端子之間。電容器142中，儲存自光電ニ極管12b輸出的光電流所產(chǎn)生的電荷。重置開關(guān)143相對于電容器142并聯(lián)連接，重置電容器142中所儲存的電荷。重置開關(guān)143可由例如MOS晶體管而適當(dāng)實現(xiàn)。
再次參照圖2，詳細說明連接基板13。本實施方式的連接基板13包含多個電介質(zhì)層130a 130f層疊而成的基材130。圖2中，表示有六層電介質(zhì)層130a 130f?；?30的電介質(zhì)層130a 130f例如由以氧化鋁等的陶瓷材料為主原料的陶瓷基板構(gòu)成。各電介質(zhì)層130a 130f的厚度例如為100 μ m以上200 μ m以下。另外，連接基板13具有多個貫通導(dǎo)體20。貫通導(dǎo)體20貫通電介質(zhì)層130a 130f的中相互鄰接的至少3個電介質(zhì)層130c 130f而設(shè)置。例如，貫通導(dǎo)體20貫通4個電介質(zhì)層130(Tl30f而設(shè)置。多個貫通導(dǎo)體20分別與ニ維光電ニ極管陣列12的多個光電ニ極管的各個對應(yīng)，成為自光電ニ極管輸出的光電流的路徑的一部分。貫通導(dǎo)體20由例如鎢等的金屬材料構(gòu)成，通過將金屬材料埋入于形成于電介質(zhì)層130(Γ 30 ·的貫通孔中而形成。再者，本實施方式中，相鄰的貫通導(dǎo)體20彼此的間距與集成電路器件14的単位電路區(qū)域14b間的間距相等，各貫通導(dǎo)體20位于所對應(yīng)的單位電路區(qū)域14b的正上方。相鄰的貫通導(dǎo)體20彼此的間距例如為500 μ m。另外，貫通導(dǎo)體20的直徑例如為100 μ m。另外，連接基板13具有設(shè)置于至少3層的電介質(zhì)層130(Tl30f中的兩個以上的層間部分的多個放射線屏蔽膜群23。圖2中，多個放射線屏蔽膜群23設(shè)置于4層電介質(zhì)層130(Γ 30 ·中的3處層間部分。具體而言，放射線屏蔽膜群21設(shè)置于電介質(zhì)層130c及130d的層間部分，放射線屏蔽膜群22設(shè)置于電介質(zhì)層130d及130e的層間部分，放射線屏蔽膜群23設(shè)置于電介質(zhì)層130e及130f的層間部分。放射線屏蔽膜群2廣23分別包含與貫通導(dǎo)體20的個數(shù)對應(yīng)的金屬制的多個放射線屏蔽膜。即，放射線屏蔽膜群21包含與貫通導(dǎo)體20同等數(shù)量的放射線屏蔽膜21a，放射線屏蔽膜群22包含與貫通導(dǎo)體20同等數(shù)量的放射線屏蔽膜22a，放射線屏蔽膜群23包含與貫通導(dǎo)體20同等數(shù)量的放射線屏蔽膜23a。這些放射線屏蔽膜21a 23a與所對應(yīng)的貫通導(dǎo)體20形成為一體,且在該貫通導(dǎo)體20的周圍延伸。各放射線屏蔽膜群2f23中，放射線屏蔽膜彼此相互隔開。即，多個放射線屏蔽膜21a在一個層間部分中相互間隔而設(shè)置，多個放射線屏蔽膜22a在其他層間部分中相互間隔而設(shè)置，多個放射線屏蔽膜23a進而在其他層間部分上相互間隔而設(shè)置。由此，貫通導(dǎo)體20彼此的電性分離得以實現(xiàn)。放射線屏蔽膜21a的平面形狀例如為400 μ m見方的正方形。另外，相鄰的放射線屏蔽膜21a彼此的間隔例如為100 μ m，放射線屏蔽膜21a的厚度例如為10 μ m。這些形狀尺寸對放射線屏蔽膜22a、23a而言也相同。作為放射線屏蔽膜21a 23a的構(gòu)成材料，例如優(yōu)選為鎢。放射線屏蔽膜21a 23a可由與在電介質(zhì)層130:13(^的層間部分上形成所謂貫通焊盤(via land)的方法同樣的方法而容易地形成。另外，連接基板13進而具有多個層間配線24。層間配線24是因ニ維光電ニ極管陣列12的電極間距與多個貫通導(dǎo)體20的間距的不同而產(chǎn)生的配線。層間配線24設(shè)置于多個電介質(zhì)層130a 130f中的層間部分中相對于設(shè)有放射線屏蔽膜21a 23a的電介質(zhì)層130(Tl30f位于ー個板面13a側(cè)的ー個或兩個以上的層間部分。圖2中，層間配線24設(shè)置于電介質(zhì)層130a與電介質(zhì)層130b的層間部分、以及電介質(zhì)層130b與電介質(zhì)層130c的層間部分。此處，說明連接基板13的放射線屏蔽膜21a、22a及23a與集成電路器件14的多個單位電路區(qū)域14b的相對位置關(guān)系。為作該說明，導(dǎo)入用以投影放射線屏蔽膜及單位電路區(qū)域的假想平面的概念。假想平面定義為與圖I所示的放射線R的入射方向即規(guī)定方向垂直的面?；蛘?，在該入射方向大致垂直于連接基板13的板面13a、13b的情形時，假想平面也可定義為與板面13a或13b平行的面。 圖5表示將連接基板13的多個放射線屏蔽膜21a 23a與集成電路器件14的多個單位電路區(qū)域14b投影至假想平面VP的情況。圖5中，PRl表示由將多個放射線屏蔽膜21a、22a及23a投影至假想平面VP而獲得的區(qū)域。另外，PR2表示由將多個単位電路區(qū)域14b投影至假想平面VP而獲得的區(qū)域。另外，PR3表示由將多個貫通導(dǎo)體20投影至假想平面VP而獲得的區(qū)域。如圖5所示，多個區(qū)域PRl相互隔開，而相互不重合。這些區(qū)域PRl是對放射線屏蔽膜21a 23a而言共通的投影區(qū)域。即，在一個層間部分中與ー個貫通導(dǎo)體20形成為一體的放射線屏蔽膜21a的相關(guān)區(qū)域PR1、與在其他層間部分中與其他貫通導(dǎo)體20形成為一體的放射線屏蔽膜21b或21c的相關(guān)區(qū)域PRl相互不重合。另外，在一個層間部分中與ー個貫通導(dǎo)體20形成為一體的放射線屏蔽膜21b的相關(guān)區(qū)域PR1、與在其他層間部分中與其他貫通導(dǎo)體20形成為一體的放射線屏蔽膜21c的相關(guān)區(qū)域PRl相互不重合。由此，與ー個貫通導(dǎo)體20形成為一體的放射線屏蔽膜21a 23a、和與其他貫通導(dǎo)體20形成為一體的放射線屏蔽膜21a 23a相互不相対，因此可降低多個貫通導(dǎo)體20之間所產(chǎn)生的寄生電容。因此，可降低自ニ維光電ニ極管陣列12的多個光電ニ極管所輸出的光電流等的電信號上所重疊的噪聲。另外，在本實施方式的連接基板13中，由多個放射線屏蔽膜21a 23a的各個保護所對應(yīng)的各単位電路區(qū)域14b以防放射線。另外，通過多個放射線屏蔽膜21a 23a的間隙的放射線R可抵達至集成電路器件14，但在其抵達部位并不存在単位電路區(qū)域14b，從而放射線R所引起的影響變得輕微。如此，根據(jù)本實施方式的連接基板13，可保護集成電路器件14的讀取電路以防放射線，且抑制寄生電容的增加。另外，在本實施方式的連接基板13中，多個放射線屏蔽膜21a的各個與所對應(yīng)的貫通導(dǎo)體20形成為一體。就多個放射線屏蔽膜22a及23a而言也相同。如此，與貫通導(dǎo)體20形成為一體的放射線屏蔽膜21a 23a不會妨礙貫通導(dǎo)體20的配置，因此無需形成繞過放射線屏蔽材料的復(fù)雜配線。另外，如圖5所示，在本實施方式的連接基板13中，由將多個放射線屏蔽膜21a^23a投影至假想平面VP而獲得的多個區(qū)域PRl各個，分別包含由將多個単位電路區(qū)域14b投影至假想平面VP而獲得的多個區(qū)域PR2。換而言的，若自放射線R的入射方向或垂直于板面13a的方向觀察，則多個単位電路區(qū)域14b被多個放射線屏蔽膜21a完全覆蓋。關(guān)于多個放射線屏蔽膜22a及多個放射線屏蔽膜23a也相同。連接基板13的放射線屏蔽膜21a 23a也可如上所述配置，由此可更有效地保護集成電路器件14的讀取電路以防放射線。另外，如上述實施方式那樣，放射線屏蔽膜21a 23a也可在所對應(yīng)的貫通導(dǎo)體20的周圍延伸。由此，放射線屏蔽膜21a 23a分別可較佳地保護所對應(yīng)的各単位電路區(qū)域14b以防放射線。本發(fā)明的連接基板并不限定于上述實施方式，此外也可進行各種變形。例如，在上述實施方式中，將放射線屏蔽膜21a 23a設(shè)置于4個電介質(zhì)層130:13(^中的3個層間部分，但通過放射線屏蔽膜設(shè)置于至少3個電介質(zhì)層中的兩個以上的層間部分，可獲得與上述實施方式同樣的效果。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明可用作能夠保護集成電路器件的讀取電路以防放射線，且抑制寄生電容的増加的放射線檢測器模塊用的連接基板。符號說明IOA放射線檢測器模塊11 閃爍器12 ニ維光電ニ極管陣列12a凸塊電極12b光電ニ極管13 連接基板13a、13b 板面14 集成電路器件14a凸塊電極14b單位電路區(qū)域14c 電路區(qū)域14d A/D 轉(zhuǎn)換器14e輸入墊14f輸入輸出墊15 可撓性印刷基板16 散熱器20 貫通導(dǎo)體21、22、23放射線屏蔽膜群21a、22a、23a放射線屏蔽膜24 層間配線130 基材130a"l30f 電介質(zhì)層140讀取電路
141運算放大器142 電容器
143重置開關(guān)
權(quán)利要求
1.一種連接基板，其特征在干， 是用于將光電轉(zhuǎn)換器件搭載于一個板面上，且將集成電路器件搭載于另ー個板面上的連接基板，該光電轉(zhuǎn)換器件在排列成ニ維狀的多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域接收來自閃爍器的光，該閃爍器將從規(guī)定方向入射的放射線轉(zhuǎn)換成光，該集成電路器件由多個讀取電路分別讀取自所述光電轉(zhuǎn)換器件的所述多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域的各個輸出的電信號， 具備 基材，層疊多個電介質(zhì)層而成；以及 金屬制的多個貫通導(dǎo)體，貫通所述多個電介質(zhì)層中相互鄰接的至少三個所述電介質(zhì)層而設(shè)置，且成為所述電信號的路徑的一部分， 與所述多個貫通導(dǎo)體的各個形成為一體且相互隔開的金屬制的多個放射線屏蔽膜，設(shè)置于所述至少三個電介質(zhì)層中的兩個以上的層間部分， 將在ー個所述層間部分中與一個所述貫通導(dǎo)體形成為一體的所述放射線屏蔽膜投影至垂直于所述規(guī)定方向的假想平面的區(qū)域、與將在其他所述層間部分中與其他所述貫通導(dǎo)體形成為一體的所述放射線屏蔽膜投影至所述假想平面的區(qū)域相互不重合。
2.一種連接基板，其特征在干， 是用于將光電轉(zhuǎn)換器件搭載于一個板面上，將集成電路器件搭載于另ー個板面上的連接基板，該光電轉(zhuǎn)換器件在排列成ニ維狀的多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域接收來自閃爍器的光，該閃爍器將放射線轉(zhuǎn)換成光，該集成電路器件由多個讀取電路分別讀取自所述光電轉(zhuǎn)換器件的所述多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域的各個輸出的電信號， 具備 基材，層疊多個電介質(zhì)層而成；以及 金屬制的多個貫通導(dǎo)體，貫通所述多個電介質(zhì)層中相互鄰接的至少三個所述電介質(zhì)層而設(shè)置，且成為所述電信號的路徑的一部分， 與所述多個貫通導(dǎo)體的各個形成為一體且相互隔開的金屬制的多個放射線屏蔽膜，設(shè)置于所述至少三個電介質(zhì)層中的兩個以上的層間部分； 將在ー個所述層間部分中與一個所述貫通導(dǎo)體形成為一體的所述放射線屏蔽膜投影至平行于所述一個板面的假想平面的區(qū)域、與將在其他所述層間部分中與其他所述貫通導(dǎo)體形成為一體的所述放射線屏蔽膜投影至所述假想平面的區(qū)域相互不重合。
3.如權(quán)利要求I或2所述的連接基板，其特征在于， 在所述多個電介質(zhì)層的層間部分中相對于所述至少三個電介質(zhì)層位于所述一個板面?zhèn)鹊末`個或兩個以上的所述層間部分，設(shè)置有因所述光電轉(zhuǎn)換器件的電極間距與所述多個貫通導(dǎo)體的間距的不同而產(chǎn)生的層間配線。
4.如權(quán)利要求I至3中任一項所述的連接基板，其特征在干， 各放射線屏蔽膜在對應(yīng)的各貫通導(dǎo)體的周圍延伸。
全文摘要
本發(fā)明的連接基板(13)具備由多個電介質(zhì)層(130a~130f)層疊而成的基材(130)、以及貫通相互鄰接的電介質(zhì)層(130c~130f)而設(shè)置的多個貫通導(dǎo)體(20)。與多個貫通導(dǎo)體(20)各自形成為一體且相互隔開的多個放射線屏蔽膜(21a~23a)，設(shè)置于電介質(zhì)層(130c~130f)中的兩個以上的層間部分。將在一個層間部分中與一貫通導(dǎo)體(20)形成為一體的放射線屏蔽膜(21a(21b))投影至垂直于規(guī)定方向的假想平面而獲得的區(qū)域(PR1)、與將在其他層間部分中與其他貫通導(dǎo)體(20)形成為一體的放射線屏蔽膜(22b)或(22c(22c))投影至假想平面而獲得的區(qū)域相互不重合。由此，可保護集成電路器件的讀取電路以防放射線，且抑制寄生電容的增加。
文檔編號G01T1/20GK102870006SQ20118001915
公開日2013年1月9日 申請日期2011年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月15日
發(fā)明者十倉史行, 杉谷光俊, 鈴木滋, 富部隆志 申請人:浜松光子學(xué)株式會社