專利名稱：微波晶體管高溫老煉裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電子器件高溫老煉裝置，尤其是一種微波晶體管高溫老煉裝置。
背景技術(shù)：
加速壽命試驗(yàn)是在不改變產(chǎn)品失效機(jī)理的前提下，利用加大應(yīng)力的方法加快產(chǎn)品老化，從而在短時(shí)間內(nèi)獲得產(chǎn)品的失效信息，進(jìn)而預(yù)測(cè)其在正常應(yīng)力下的壽命特征，是快速計(jì)算產(chǎn)品壽命和評(píng)價(jià)長期使用可靠性的有效手段。微波晶體管對(duì)溫度應(yīng)力比較敏感，一般采用以溫度為主要應(yīng)力的加速壽命試驗(yàn)。 硅器件額定結(jié)溫為175°C，而加速壽命試驗(yàn)中的步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)可將結(jié)溫提高至400°C，相應(yīng)的管殼溫度也超過300°C，因此需要能承受超過300°C的高溫老煉夾具。常規(guī)的老煉裝置是將被測(cè)器件裝入尺寸合適的塑料模具中，通過模具將器件的電極引出與PCB上的外圍電路進(jìn)行連接，并將器件進(jìn)行固定。該裝置由于將塑料模具、環(huán)氧板以及元器件整合到一起，而這些材料無法承受高溫，只適用于常溫老煉。因此老煉裝置成為加速壽命試驗(yàn)的瓶頸。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種耐高溫的微波晶體管高溫老煉裝置。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是一種微波晶體管高溫老煉裝置，包括鋁外殼、下陶瓷基板、兩個(gè)L型銅柱和上陶瓷基板；所述鋁外殼的左右兩側(cè)壁上帶有豎向防自激凹槽；所述鋁外殼的前壁上設(shè)有兩個(gè)與所述L型銅柱相適配的方形孔；所述兩個(gè)方孔之間設(shè)有一個(gè)螺紋孔；在所述鋁制外殼的內(nèi)底面設(shè)有一個(gè)向上突出的與微波三極管底座同樣大小的支座；所述下陶瓷基板的上表面設(shè)有與兩個(gè)L型銅柱相適配的相對(duì)排放的兩個(gè)L型第一凹槽；所述第一凹槽短臂之間的位置設(shè)有一個(gè)與支座相適配的第一固定孔；所述上陶瓷基板的下表面設(shè)有分別與所述第一凹槽和所述第一固定孔相對(duì)應(yīng)的第二凹槽和第二固定孔；所述兩個(gè)L型銅柱的長臂端上方分別設(shè)有一個(gè)與外部電路相連接的通孔；所述上陶瓷基板、兩個(gè)L型銅柱和下陶瓷基板由上至下依次放置于鋁制外殼內(nèi)； 所述兩個(gè)L型銅柱放在上陶瓷基板和下陶瓷基板之間的第一凹槽和第二凹槽內(nèi)；所述兩個(gè) L型銅柱的兩個(gè)長臂分別從所述鋁制外殼前壁上的兩個(gè)方形孔中伸出；所述孔是光孔或螺紋孔。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于1、鋁外殼的左右兩側(cè)壁上帶有豎向凹槽，可以防自激。2、整個(gè)設(shè)計(jì)采用的材料全部能耐高溫，可使鋁殼放置于加熱平臺(tái)上，進(jìn)行整體加熱。[0015]3、采用分體結(jié)構(gòu)，采用高溫導(dǎo)線與外圍電路連接，高溫導(dǎo)線通過螺釘固定于銅柱上，避免電路板受熱。4、可進(jìn)行400°C以上的高加速壽命試驗(yàn)。
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)爆炸示意圖。1為鋁外殼2為下陶瓷基板3為L型銅柱 4為上陶瓷基板5為防自激凹槽 6為方形孔7為螺紋孔8為支座9為第一凹槽10為第一固定孔11第二凹槽12 為第二固定孔13通孔。
具體實(shí)施方式
一種微波晶體管高溫老煉裝置，其特征在于包括鋁外殼1、下陶瓷基板2、兩個(gè)L 型銅柱3和上陶瓷基板4 ；所述鋁外殼1的左右兩側(cè)壁上帶有豎向防自激凹槽5 ；所述鋁外殼1的前壁上設(shè)有兩個(gè)與所述L型銅柱3相適配的方形孔6 ；所述兩個(gè)方形孔6之間設(shè)有一個(gè)螺紋孔7 ；在所述鋁制外殼的內(nèi)底面設(shè)有一個(gè)向上突出的與微波三極管底座同樣大小的支座8 ；所述下陶瓷基板2的上表面設(shè)有與兩個(gè)L型銅柱3相適配的相對(duì)排放的兩個(gè)L型第一凹槽11 ；所述第一凹槽11短臂之間的位置設(shè)有一個(gè)與支座8相適配的第一固定孔10 ；所述上陶瓷基板4的下表面設(shè)有分別與所述第一凹槽9和所述第一固定孔10相對(duì)應(yīng)的第二凹槽11和第二固定孔12 ；所述兩個(gè)L型銅柱3的長臂端上方分別設(shè)有一個(gè)與外部電路相連接的通孔13 ；所述上陶瓷基板4、兩個(gè)L型銅柱3和下陶瓷基板2由上至下依次放置于鋁制外殼1內(nèi)；所述兩個(gè)L型銅柱3放在上陶瓷基板4和下陶瓷基板2之間的第一凹槽9和第二凹槽11內(nèi)；所述兩個(gè)L型銅柱3的兩個(gè)長臂分別從所述鋁制外殼前壁上的兩個(gè)方形孔6中伸出。
權(quán)利要求1.一種微波晶體管高溫老煉裝置，其特征在于包括鋁外殼(1)、下陶瓷基板(2)、兩個(gè) L型銅柱(3)和上陶瓷基板(4)；所述鋁外殼(1)的左右兩側(cè)壁上帶有豎向防自激凹槽(5)； 所述鋁外殼(1)的前壁上設(shè)有兩個(gè)與所述L型銅柱(3)相適配的方形孔(6);所述兩個(gè)方形孔之間設(shè)有一個(gè)螺紋孔(7);在所述鋁外殼(1)的內(nèi)底面設(shè)有一個(gè)向上突出的與微波三極管底座同樣大小的支座(8)；所述下陶瓷基板(2)的上表面設(shè)有與兩個(gè)L型銅柱(3)相適配的相對(duì)排放的兩個(gè)L型第一凹槽(9);所述第一凹槽(9)短臂之間的位置設(shè)有一個(gè)與支座(8)相適配的第一固定孔 (10)；所述上陶瓷基板(4)的下表面設(shè)有分別與所述第一凹槽(9)和所述第一固定孔(10)相對(duì)應(yīng)的第二凹槽(11)和第二固定孔(12);所述兩個(gè)L型銅柱(3)的長臂端上方分別設(shè)有一個(gè)與外部電路相連接的通孔(13)；所述上陶瓷基板(4)、兩個(gè)L型銅柱(3)和下陶瓷基板(2)由上至下依次放置于鋁制外殼(1)內(nèi)；所述兩個(gè)L型銅柱(3)放在上陶瓷基板(4)和下陶瓷基板(2)之間的第一凹槽 (9)和第二凹槽(11)內(nèi)；所述兩個(gè)L型銅柱(3)的兩個(gè)長臂分別從所述鋁制外殼(1)前壁上的兩個(gè)方形孔(6)中伸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波晶體管高溫老煉裝置，其特征在于所述孔(7)是光孔或螺紋孔。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種微波晶體管高溫老煉裝置，包括鋁制外殼、下陶瓷基板、兩個(gè)L型銅柱和上陶瓷基板。所述上陶瓷基板、兩個(gè)L型銅柱和下陶瓷基板由上至下依次放置于鋁制外殼內(nèi)；所述兩個(gè)L型銅柱放在上陶瓷基板和下陶瓷基板之間的凹槽內(nèi)；所述兩個(gè)L型銅柱的兩個(gè)長臂分別從所述鋁制外殼前壁上的兩個(gè)方形孔中伸出，用作晶體管引出電極。整個(gè)設(shè)計(jì)采用的材料全部能耐高溫，采用高溫導(dǎo)線與外圍電路連接，避免電路板受熱，可進(jìn)行400℃以上的高加速壽命試驗(yàn)。
文檔編號(hào)G01R31/26GK202119875SQ20112019814
公開日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2011年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月14日
發(fā)明者張艷杰, 彭浩, 童亮, 高金環(huán), 黃杰 申請(qǐng)人:中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所