專(zhuān)利名稱(chēng)：一種多晶硅塊檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及多晶硅領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅塊檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，在多晶硅鑄錠后，產(chǎn)品內(nèi)部會(huì)出現(xiàn)不合格部分，如氣孔、雜質(zhì)、隱裂等。生產(chǎn)中如果多晶硅錠中有氣孔、雜質(zhì)、隱裂，則該產(chǎn)品為廢品，如果繼續(xù)對(duì)其加工，則浪費(fèi)了大量的勞動(dòng)力和生產(chǎn)成本。為了提高產(chǎn)品利用率，降低生產(chǎn)成本，需要在多晶硅鑄錠后對(duì)其整體進(jìn)行檢測(cè)，測(cè)量出其中不合格部分，從而對(duì)其截?cái)唷?br>
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種檢測(cè)速度快、測(cè)量準(zhǔn)確，能夠自動(dòng)或手動(dòng)對(duì)硅塊前后左右上下各面進(jìn)行全面檢測(cè)并標(biāo)出雜質(zhì)的多晶硅塊檢測(cè)裝置。為了克服背景技術(shù)中存在的缺陷，本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種多晶硅塊檢測(cè)裝置，包括工作臺(tái)，所述工作臺(tái)臺(tái)面上從左往右依次設(shè)置有接收裝置、發(fā)射裝置、成像系統(tǒng)，所述接收裝置、發(fā)射裝置對(duì)應(yīng)設(shè)置，接收裝置、發(fā)射裝置分別與成像系統(tǒng)連接，接收裝置、發(fā)射裝置之間設(shè)置有旋轉(zhuǎn)臺(tái)。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，一種多晶硅塊檢測(cè)裝置進(jìn)一步包括所述發(fā)射裝置為紅外線發(fā)射裝置。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，一種多晶硅塊檢測(cè)裝置進(jìn)一步包括所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)一端連接有單軸伺服電機(jī)。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，一種多晶硅塊檢測(cè)裝置進(jìn)一步包括所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)呈圓形。本實(shí)用新型解決了背景技術(shù)中存在的缺陷，能夠全方位地對(duì)多晶硅塊進(jìn)行檢測(cè)， 成像過(guò)程將自動(dòng)標(biāo)出雜質(zhì)的位置所在，且平均每個(gè)硅塊的檢測(cè)時(shí)間不超過(guò)一分鐘，加快了加工效率，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；其中1、工作臺(tái)，2、發(fā)射裝置，3、接收裝置，4、旋轉(zhuǎn)臺(tái)，5、成像系統(tǒng)，6、多晶硅塊。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。如圖1所示的一種多晶硅塊檢測(cè)裝置，包括工作臺(tái)1，所述工作臺(tái)1臺(tái)面上從左往右依次設(shè)置有接收裝置3、發(fā)射裝置2、成像系統(tǒng)5，所述接收裝置3、發(fā)射裝置2對(duì)應(yīng)設(shè)置， 接收裝置3、發(fā)射裝置2分別與成像系統(tǒng)5連接，接收裝置3、發(fā)射裝置2之間設(shè)置有旋轉(zhuǎn)臺(tái) 4。所述發(fā)射裝置2為紅外線發(fā)射裝置，在特定光源和紅外探測(cè)器的協(xié)助下，紅外線能夠穿透200mm深度的硅塊，純硅料幾乎不吸收這個(gè)波段的波長(zhǎng)，但是如果多晶硅塊里面有微粒、夾雜、隱裂，則這些雜質(zhì)吸收紅外光，因此在成像系統(tǒng)5中將呈現(xiàn)出來(lái)，這些圖像通過(guò)軟件自動(dòng)生成三維模型圖像。其中，所述成像系統(tǒng)5中設(shè)置的參數(shù)包括光照亮度、對(duì)比度、伽馬射線和一體化的時(shí)間設(shè)置、獲取模式選擇以及損壞像素管理。使用時(shí)，將多晶硅塊放在旋轉(zhuǎn)臺(tái)4上，發(fā)射裝置2發(fā)射紅外線，使多晶硅塊6中的雜質(zhì)吸收紅外光，通過(guò)接收裝置3將這些雜質(zhì)在成像系統(tǒng)5中呈現(xiàn)出來(lái)。單軸伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)臺(tái)4旋轉(zhuǎn)，從而使多晶硅塊6的各面都能得到檢測(cè)，成像過(guò)程將自動(dòng)標(biāo)出雜質(zhì)的位置所在，最后放到截?cái)鄼C(jī)上截?cái)嚯s質(zhì)部分。以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示，通過(guò)上述的說(shuō)明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說(shuō)明書(shū)上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來(lái)確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求1.一種多晶硅塊檢測(cè)裝置，其特征在于包括工作臺(tái)(1)，所述工作臺(tái)(1)臺(tái)面上從左往右依次設(shè)置有接收裝置(3)、發(fā)射裝置O)、成像系統(tǒng)(5)，所述接收裝置(3)、發(fā)射裝置 (2)對(duì)應(yīng)設(shè)置，接收裝置C3)、發(fā)射裝置( 分別與成像系統(tǒng)( 連接，接收裝置C3)、發(fā)射裝置⑵之間設(shè)置有旋轉(zhuǎn)臺(tái)⑷。
2.如權(quán)利要求1所述的一種多晶硅塊檢測(cè)裝置，其特征在于所述發(fā)射裝置(2)為紅外線發(fā)射裝置。
3.如權(quán)利要求1所述的一種多晶硅塊檢測(cè)裝置，其特征在于所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)(4)一端連接有單軸伺服電機(jī)。
4.如權(quán)利要求1所述的一種多晶硅塊檢測(cè)裝置，其特征在于所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)呈圓形。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種多晶硅塊檢測(cè)裝置，包括工作臺(tái)，所述工作臺(tái)臺(tái)面上從左往右依次設(shè)置有接收裝置、發(fā)射裝置、成像系統(tǒng)，所述接收裝置、發(fā)射裝置對(duì)應(yīng)設(shè)置，接收裝置、發(fā)射裝置分別與成像系統(tǒng)連接，接收裝置、發(fā)射裝置之間設(shè)置有旋轉(zhuǎn)臺(tái)，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)一端連接有單軸伺服電機(jī)。本實(shí)用新型能夠全方位地對(duì)多晶硅塊進(jìn)行檢測(cè)，成像過(guò)程將自動(dòng)標(biāo)出雜質(zhì)的位置所在，且平均每個(gè)硅塊的檢測(cè)時(shí)間不超過(guò)一分鐘，加快了加工效率，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。
文檔編號(hào)G01N21/88GK202057609SQ20112006874
公開(kāi)日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月16日
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