專利名稱：單片集成正交平衡光探測器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及相干探測領(lǐng)域，具體是一種單片集成的正交平衡光探測器，包括兩個能探測TE、TM偏振的雙平衡偏振光探測器。該單片集成的正交平衡光探測器可以作為正交平衡接收機的核心器件，用來檢測QPSK/DQPSK信號。
背景技術(shù)：
當(dāng)前光通信的接收體制分為兩類一類是光強度調(diào)制/直接探測(IM/DD)；另一類是相干探測。與IM/DD相比，相干探測具有更高的探測靈敏度、更小的收發(fā)天線口徑、更低的功耗、更強的抗干擾能力和更高的速率。因此，相干探測已成為發(fā)展新一代高碼率、小型化和低功耗空間激光通信終端的重要技術(shù)途徑。平衡探測器作為相干探測的核心器件，一直備受關(guān)注，廣泛應(yīng)用于空間激光通信系統(tǒng)。同時，平衡探測器在高速數(shù)字通信系統(tǒng)上的應(yīng)用也逐漸引起了人們的興趣，可以應(yīng)用于基于穩(wěn)定、可靠的鏈路性能的新的調(diào)制碼型技術(shù)，例如差分相移鍵控(QPSK)、差分正交相移鍵控(DQPSK)等。在數(shù)字通信系統(tǒng)中，這種相位敏感的編碼和傳輸技術(shù)將成為一種趨勢， 能夠大幅提高數(shù)據(jù)的傳輸容量，檢測靈敏度和頻譜效率是這種趨勢的關(guān)鍵所在。在相干探測中，要求信號光束與本振激光光束相干并且有相同的偏振方向，才能獲得相干接收所能提供的高靈敏度。因為在這種情況下，只有信號光波電矢量在本振光波電矢量方向上的投影，才真正對混頻產(chǎn)生的中頻信號電流有貢獻。為了充分發(fā)揮相干接收的優(yōu)越性，在相干光通信中應(yīng)采取光波偏振穩(wěn)定措施。主要有如下三種方法一是在接收機前端采用光偏振控制器，但是這是以損失接收信號功率為代價的。二是使光波在傳輸過程中保持光波的偏振態(tài)不變。對于相干光纖通信系統(tǒng)，由于普通的單模光纖會由于光纖的機械振動或溫度變化等因素使光波的偏振態(tài)發(fā)生變化，通常是采用“保偏光纖”來實現(xiàn)傳輸過程中光波的偏振態(tài)不變。然而，“保偏光纖”與單模光纖相比，其損耗比較大，價格比較昂貴， 因而難以應(yīng)用于長距離。對于空間光通信，則難以實現(xiàn)傳輸過程中光波的偏振態(tài)不變。三是使用所謂的正交平衡檢測技術(shù)，即采用普通的單模光纖或空間進行光傳輸，在接收端信號光與本振光混合后首先分成兩路作為平衡接收，對每一路信號又采用偏振分束鏡分成正交偏振的兩路信號分別平衡檢測，最后對兩路平衡接收信號進行判決，選擇較好的一路作為輸出信號。此時的輸出信號已與接收信號的偏振態(tài)無關(guān)，從而消除了信號在傳輸過程中偏振態(tài)的隨機變化。正交平衡檢測技術(shù)的提出使得相干檢測技術(shù)的實用性大大提高。當(dāng)前應(yīng)用于相干檢測技術(shù)的平衡探測器都是基于分立的探測器，具有體積大、穩(wěn)定性低和成本高等缺點。與微電子領(lǐng)域?qū)⒈姸嗑w管大規(guī)模集成以實現(xiàn)復(fù)雜的功能和降低成本類似，集成多種功能的光電子器件也成為發(fā)展趨勢，是降低應(yīng)用系統(tǒng)成本、縮小系統(tǒng)體積和增強系統(tǒng)穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素之一。圖1是一種常見的正交平衡光接收機，由一個90° 光混合器和兩個雙平衡的光探測器組成，光混合器和雙平衡探測器均由分立器件組成，具有體積大和成本高等特點。并且，這種平衡光接收機需要使用到雙折射晶體的偏振分束鏡， 而探測器通常是基于III-V族或者IV族材料，特別不利于集成。因此，我們提出了新的正交
3平衡接收機。在該結(jié)構(gòu)中，我們采用新型結(jié)構(gòu)的偏振光探測器代替普通偏振不靈敏光探測器。因而不需要使用大體積的偏振分束器，90°光混合器可以采用基于半導(dǎo)體材料的2X4 多模干涉儀(MMI)，正交光接收機能夠?qū)崿F(xiàn)集成化，極大減小器件體積、提高器件穩(wěn)定性和降低成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題而做出，其目的在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)集成化、極大減小器件體積且提高器件穩(wěn)定性和降低成本的正交平衡光探測器。為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明涉及的一種正交平衡光探測器，以單片集成方式構(gòu)成，其特征在于，包括2個以上雙平衡正交偏振光探測器，分別由2個TE偏振光探測器或者2個TM偏振光探測器構(gòu)成；以及偏置電路，包括多個片上電容、多個交流隔離電阻和多個負(fù)載電阻。此外，可以優(yōu)選的是，襯底為半絕緣襯底，所有器件材料均在同一襯底上經(jīng)過一次氣相外延或者分子束外延而形成。另外，可以優(yōu)選的是，所述TE偏振光探測器和所述TM偏振光探測器均為面入射探測器。此外，可以優(yōu)選的是，通過在入射表面制作高對比度的亞微米介質(zhì)光柵或者金屬 (金、銀、鋁和鍺等)光柵，實現(xiàn)對探測光的偏振選擇特性。另外，可以優(yōu)選的是，同一雙平衡探測器內(nèi)的探測器光柵設(shè)計參數(shù)相同。此外，可以優(yōu)選的是，高對比度的介質(zhì)光柵和金屬光柵對偏振光具備寬的反射帶寬和偏振選擇性。另外，可以優(yōu)選的是，TM偏振光探測器的光柵方向與TE偏振光探測器的光柵方向垂直。此外，可以優(yōu)選的是，采用介質(zhì)光柵時，探測器對TM、TE光的響應(yīng)度之比大于 20dB。另外，可以優(yōu)選的是，金屬光柵的材料是金、銀、鋁或鍺，探測器對TM、TE光的響應(yīng)度之比大于30dB。此外，可以優(yōu)選的是，金屬光柵與探測器電極的材料相同，在金屬光柵和探測器的表面之間形成用于電隔離的20 50nm的絕緣層。另外，可以優(yōu)選的是，所述片上電容作為偏置旁路電容，該片上電容的結(jié)構(gòu)為金屬-絕緣層-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)，片上電容的電容值大于2pF。此外，可以優(yōu)選的是，所述隔離電阻和負(fù)載電阻使用相同的薄膜電阻。本發(fā)明使用偏振光探測器(為避免混淆，這里所指的偏振探測器是按探測器所能探測的光的偏振態(tài)來分類的，舉例來說，若該探測器僅能探測TE(橫電場波)偏振光，我們稱之為TE偏振光探測器，同樣TM(橫磁場波)偏振光探測器僅能探測TM偏振光作為正交接收機的核心器件，兩個雙平衡探測器分別僅能探測TE、TM偏振信號，在該器件中我們集成了偏置電路，包括片上電容，高頻遏流電阻和負(fù)載電阻。由于該探測器具有光信號偏振選擇性，因而不需要使用偏振分束鏡，能極大的減小光機收機的體積，提高器件的工作速度和可靠性。
關(guān)于TE模和TM模的概念，在自由空間傳播的均勻平面電磁波(空間中沒有自由電荷，沒有傳導(dǎo)電流)，電場和磁場都沒有和波傳播方向平行的分量，都和傳播方向垂直。此時，電矢量E，磁矢量H和傳播方向k兩兩垂直，電磁波為橫波。沿一定途徑(比如說波導(dǎo)) 傳播的電磁波為導(dǎo)行電磁波。根據(jù)麥克斯韋方程，導(dǎo)行電磁波在傳播方向上一般是有E和 H分量的。從光的傳播形態(tài)分類來看根據(jù)傳播方向上有無電場分量或磁場分量，可分為 TEM波、TE波和TM波三類，任何光都可以這三種波的合成形式表示出來。1、TEM波在傳播方向上沒有電場和磁場分量，稱為橫電磁波。實際的激光模式是準(zhǔn)TEM模，即允許fe、Hz分量的存在，但它們必須<<橫向分量，因為較大的fe意味著波矢方向偏離光軸較大，容易溢出腔外，所以損耗大，難于形成振蕩。2、TE波(即是物光里的s波)在傳播方向上有磁場分量但無電場分量，稱為橫電波。在平面光波導(dǎo)(封閉腔結(jié)構(gòu))中，電磁場分量有Ey，HX，HZ，傳播方向為Z方向。3、TM波(即是物光里的ρ波)在傳播方向上有電場分量而無磁場分量，稱為橫磁波。在平面光波導(dǎo)(封閉腔結(jié)構(gòu))中，電磁場分量有辦41』2，傳播方向為2方向。本發(fā)明所提出的正交平衡接收機，其器件等效電路圖如圖2所示，PDl和PD2為相同器件結(jié)構(gòu)的TE偏振光探測器，組成TE偏振雙平衡探測器；PD3和PD4為相同器件結(jié)構(gòu)的 TM偏振光探測，組成TM偏振雙平衡探測器。C為片上電容，R為薄膜電阻(或稱交流隔離電阻)，C和R組成類Bias-T的功能，Rload為100 Ω負(fù)載電阻，Vcc為直流偏置電壓。集成器件結(jié)構(gòu)如圖3所示，光探測器為面入射探測器，信號光垂直入射至光探測器的上表面，該探測器可以是PIN探測器、雪崩探測器(APD)或者單行載流子探測器 (UTC-PD)等。材料結(jié)構(gòu)可以是基于III-V族或IV族材料或者二者的混合，例如hP/ InGaAsP 材料、InP/InGaAlAs 材料、GaAs/AlGaAs、GeSi/Si 和 GaAs/Ge 等。探測器的電極結(jié)構(gòu)為共面條形(CPS)結(jié)構(gòu)，輸入端特征阻抗為50歐姆，器件調(diào)制帶寬大于40GHz。探測器對吸收光具有偏振選擇性，可以通過在器件表面采用了高對比度的亞微米介質(zhì)光柵或者金屬 (金、銀、鋁和鍺等)光柵來實現(xiàn)。通過設(shè)計光柵的周期、高度和占空比等參數(shù)，能夠分別實現(xiàn)TE、TM偏振光靈敏的光探測器。同一雙平衡探測器內(nèi)的探測器光柵設(shè)計參數(shù)相同。片上電容廣泛的應(yīng)用于MMIC(單片微波集成電路)工藝中，具有體積小和半導(dǎo)體工藝兼容等優(yōu)點。在單片集成的正交平衡探測器應(yīng)用中，我們采用其作為偏置旁路電容，其結(jié)構(gòu)和金屬-絕緣層-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)。通過設(shè)計金屬層的面積，絕緣層的厚度和面積，能夠?qū)崿F(xiàn)不同的電容值。集成器件中的交流隔離電阻和負(fù)載電阻都是由與CMOS工藝兼容的薄膜電阻構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為長方形，通過改變長寬比能夠?qū)崿F(xiàn)不同的電阻值。交流隔離電阻的阻值一般大于1000歐姆，用來隔離探測器所探測到的交流電信號對直流偏置電壓源的影響。薄膜電阻的材料為Ta2N或AuCr等，可以采用電子束蒸發(fā)并結(jié)合帶膠剝離(lift-off)等工藝來實現(xiàn)，構(gòu)成薄膜。為避免電串?dāng)_，TE和TM雙平衡探測器之間采用隔離溝進行隔離，如圖7到圖10所示。TE探測器之間以及TM探測器之間則采用隔離溝和絕緣層來實現(xiàn)N電極的隔離，如圖6 至圖10所示。雖然在下文中將結(jié)合一些示例性實施及使用方法來描述本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人
5員應(yīng)當(dāng)理解，并不旨在將本發(fā)明限制于這些實施例。反之，旨在覆蓋包含在所附的權(quán)利要求書所定義的本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)的所有替代品、修正及等效物。本發(fā)明的其他優(yōu)點、目標(biāo)和特征在某種程度上將在隨后的說明書中進行闡述，并且在某種程度上，基于對下文的考察研究對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，或者可以從本發(fā)明的實踐中得到教導(dǎo)。本發(fā)明的目標(biāo)和其他優(yōu)點可以通過下面的說明書，權(quán)利要求書，以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。


圖1是現(xiàn)有的正交平衡接收機的示意圖，其中BPD為正交平衡探測器；圖2是本發(fā)明涉及的單片集成正交平衡探測器的等效電路圖；圖3是本發(fā)明涉及的單片集成正交平衡探測器的整體結(jié)構(gòu)圖；圖4是本發(fā)明涉及的單片集成正交平衡探測器的整體結(jié)構(gòu)圖，1-6對應(yīng)不同位置；圖5是圖4的位置1處的剖面圖；圖6是圖4的位置2處的剖面圖；圖7是圖4的位置3處的剖面圖；圖8是圖4的位置4處的剖面圖；圖9是圖4的位置5處的剖面圖；圖10是圖4的位置6處的剖面圖；圖11是片上電容的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12是表示衍射光柵的結(jié)構(gòu)和TE/TM偏振的定義的示意圖；圖13是表示InGaAs (n = 3. 4)介質(zhì)光柵的反射透射譜，圖13(a)表示入射光為 TE偏振光的情況，圖13(b)表示入射光為TM偏振光的情況，另外，光柵周期為ρ = 1. Iym, InGaAs 厚度 h = 0. 25 μ m，占空比為 0. 35 ；圖14是表示介質(zhì)光柵的面入射探測器的示意圖，光柵參數(shù)與圖13的情況相同；圖15是表示該探測器的反射透射譜，圖15 (a)表示入射光為TE偏振光的情況，圖 15(b)表示入射光為TM偏振光的情況，在此，設(shè)探測器在整個波段的吸收系數(shù)為0 ；圖16是表示金屬(Au)光柵的面入射探測器的示意圖；圖17是表示計算的該金屬光柵的對TE/TM反射透射譜，其中光柵周期為ρ = 0. 45 μ m，金厚度h = 0. 5 μ m，占空比為0. 35。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實例，并參照附圖，對本發(fā)明做進一步的闡述。圖1是現(xiàn)有的正交平衡接收機的示意圖，由一個90°光混合器和兩個雙平衡的光探測器組成，光混合器和雙平衡探測器均由分立器件組成，具有體積大和成本高等特點。這種平衡光接收機需要使用到雙折射晶體的偏振分束鏡，而探測器通常是基于III-V族或者 IV族材料，特別不利于集成。本發(fā)明中所提出的單片集成的正交平衡光探測器集成了兩個雙平衡正交偏振光探測器及其偏置電路，能夠極大減小正交平衡接收機的體積、提高接收機的穩(wěn)定性和降低其成本。圖3是本發(fā)明涉及的單片集成正交平衡探測器的整體結(jié)構(gòu)圖。該集成器件包括兩個TE偏振光探測器4、兩個TM偏振光探測器6、四個片上電容12、兩個交流隔離電阻9和四個100歐姆的負(fù)載電阻14。其中，1為襯底，包括半絕緣襯底材料和N或P緩沖層，可以是Si、Ge、GaAs或InP等IV族或III-V材料，半絕緣襯底的表面電阻在106-108 Ω . cm之間，半絕緣襯底一般是通過摻狗來實現(xiàn)該阻值，襯底層的厚度在50 600 μ m之間；N或P 型緩沖層和半絕緣襯底材料相同，摻雜濃度一般為1018 1019cm_3，厚度為50nm 2 μ m。 例如，若半絕緣襯底材料為^Ρ，則N或P型緩沖層也為hP。2為TE偏振探測器1的P或 N電極(若襯底上的緩沖層為N型摻雜，則2為TE探測器的P電極；若襯底上的緩沖層為 P型摻雜，則2為TE探測器的N電極?！盎颉弊智昂笞帜阜謩e一一對應(yīng)，以下寫法同)。3為 TE偏振探測器2的N或P電極，4為TE偏振探測器2的P或N電極，5為TM偏振探測器1 的P或N電極，6為T偏振探測器2的P或N電極，7為Si02或SiNx緣層，10為直流偏置電壓電極，11為TM偏振探測器2的N或P電極，12為片上電容，13為TM偏振探測器1的N 或P電極，15為TE偏振探測器1的N或P電極，16直流偏置電壓電極。整個器件的材料結(jié)構(gòu)可以通過單次MOVPE或者MBE材料獲得。圖5至圖10分別是圖4中的位置1到6處的剖面圖。圖11是片上電容的示意圖， 包含金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)，金屬可以為探測器的N電極或者P電極，中間的絕緣層材料為Si02、SiNx, BCB, polymide等。絕緣性好，介電常數(shù)大的材料有利于形成高電容值的片上電容。對于我們的集成器件，電容值一般大于2pF。若半絕緣襯底為InP或GaAs材料，則 N電極可以是AuGeNi合金、AuTi合金、AuPtTi合金或者AuPdTi合金等，P電極可以是AuSi 合金、AuCr合金、AuTi合金、AuPtTi合金或者AuPdTi合金等。當(dāng)電極面積為6*10_9m2，絕緣層為Si02，其厚度不大于IOOnm時，片上電容的電容值大于2pF。探測器對吸收光具有偏振選擇性，可以通過在器件表面采用了高對比度的亞微米介質(zhì)光柵或者金屬(金、銀、鋁和鍺等)光柵來實現(xiàn)，亞微米介質(zhì)光柵或者金屬光柵具有高的偏振相關(guān)性，寬的反射帶寬。如圖12是衍射光柵的示意圖，TE或TM偏振定義如圖所示， 所謂高對比度是指光柵材料和光柵周圍填充材料材料折射率差相差較大，圖12所示的光柵周圍填充材料為空氣。圖13是計算的InGaAs (n = 3. 4，h = 0. 25)介質(zhì)光柵的反射和透射譜，該光柵周圍為空氣，周期為1. Iy m，占空比為0.35。從圖中可以看到，該光柵在整個通信波長C波段，對TE偏振光反射率接近100 %，而TM偏振光反射率則接近0，具備很高的偏振選擇性，可以應(yīng)用于TM偏振探測器。下面，我們以InP材料為例具體說明一下TM偏振探測器器件的的結(jié)構(gòu)圖。如圖14 所示，材料ι為P型摻雜InGaAs，既是探測器的接觸層，也是光柵層，材料2為^P限制層，也作為光柵的犧牲層，可采用選擇性腐蝕液進行釋放，InP的厚度約為350nm。3為探測器的剩余材料結(jié)構(gòu)(P_I_N或者I-N)，以單行載流子探測器為例， 其結(jié)構(gòu)從上之下依次為P-InGaAs、MnGaAsP和N_hP。將圖13中的光柵參數(shù)應(yīng)用到我們的器件中，我們獲得了如圖15所示的TE、TM偏振光反射透射譜。計算中，我們假設(shè)探測器對整個光是透明的，可以看到在整個通信波長C波段，對TE偏振光透射率接近100 %，而TM 偏振光透射率則大于60%，具備很高的偏振選擇性。若探測器的吸收吸收為lOOcm-1，探測器對TM、TE光響應(yīng)度之比大于20dB。對于TE偏振探測器，我們可以通過調(diào)整光柵周期和占空比來實現(xiàn)。一種簡單的辦法是，我們采用如前所述TM偏振探測器的光柵設(shè)計參數(shù)，所不同的是，光柵方向順時針或逆時針旋轉(zhuǎn)了 90°。對于金屬光柵，其結(jié)構(gòu)如圖16所示，金屬光柵位于探測器表面，為了防止電串?dāng)_， 可以在半導(dǎo)體表面先淀積一層SiO2或SiNx絕緣層，再沉積金屬光柵。金屬光柵的材料可以是金、銀、鋁和鍺等。圖17為計算的金(h = 0. 5)光柵透射譜，該光柵周期為0. 45 μ m，占空比為0. 35。從圖中可以看到，該光柵在整個通信波長C波段，對TM和TE偏振光的透射率相差30dB以上，可以應(yīng)用于TM偏振探測器。對于TE偏振探測器，也可以采用如前介質(zhì)光柵所述方法。為避免電串?dāng)_，TE和TM雙平衡探測器之間采用隔離溝進行隔離，如圖7到圖10所示。TE探測器之間以及TM探測器之間則采用隔離溝和絕緣層來實現(xiàn)N電極的隔離，如圖6 至圖10所示。最后應(yīng)說明的是，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種正交平衡光探測器，以單片集成方式構(gòu)成，其特征在于，包括2個以上雙平衡正交偏振光探測器，分別由2個TE偏振光探測器或者2個TM偏振光探測器構(gòu)成；以及偏置電路，包括多個片上電容、多個交流隔離電阻和多個負(fù)載電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正交集成平衡光探測器，其特征在于，襯底為半絕緣襯底，所有器件材料均在同一襯底上經(jīng)過一次氣相外延或者分子束外延而形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正交集成平衡光探測器，其特征在于，所述TE偏振光探測器和所述TM偏振光探測器均為面入射探測器。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的正交集成平衡光探測器，其特征在于，通過在入射表面制作高對比度的亞微米介質(zhì)光柵或者金屬(金、銀、鋁和鍺等)光柵，實現(xiàn)對探測光的偏振選擇特性。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的正交集成平衡光探測器，其特征在于，同一雙平衡探測器內(nèi)的探測器光柵設(shè)計參數(shù)相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的正交集成平衡光探測器，其特征在于，高對比度的介質(zhì)光柵和金屬光柵對偏振光具備寬的反射帶寬和偏振選擇性。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的正交集成平衡光探測器，其特征在于，TM偏振光探測器的光柵方向與TE偏振光探測器的光柵方向垂直。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的正交集成平衡光探測器，其特征在于，采用介質(zhì)光柵時，探測器對TM、TE光的響應(yīng)度之比大于20dB。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的正交集成平衡光探測器，其特征在于，金屬光柵的材料是金、 銀、鋁或鍺，探測器對TM、TE光的響應(yīng)度之比大于30dB。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的正交集成平衡光探測器，其特征在于，金屬光柵與探測器電極的材料相同，在金屬光柵和探測器的表面之間形成用于電隔離的20 50nm的絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正交集成平衡光探測器，其特征在于，所述片上電容作為偏置旁路電容，該片上電容的結(jié)構(gòu)為金屬-絕緣層-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)，片上電容的電容值大于 2pF。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正交集成平衡光探測器，其特征在于，所述隔離電阻和負(fù)載電阻使用相同的薄膜電阻。
全文摘要
本發(fā)明提供一種單片集成的正交平衡光探測器，包括兩個能探測TE、TM偏振光的雙平衡偏振光探測器及其偏置電路。該正交平衡光探測器可以作為正交平衡接收機的核心器件來檢測QPSK/DQPSK信號。在該器件中還集成了包括片上電容、高頻遏流電阻和負(fù)載電阻的偏置電路。由于該探測器具有光信號偏振選擇性，因而不需要使用偏振分束鏡，能極大地減小光接收機的體積，提高器件的工作速度和可靠性。
文檔編號G01J1/42GK102519584SQ20111035586
公開日2012年6月27日 申請日期2011年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月10日
發(fā)明者伍劍, 姚辰, 林金桐, 程遠(yuǎn)兵 申請人:北京郵電大學(xué)