專利名稱：用于確定溶液中離子濃度或物質(zhì)濃度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過(guò)離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器來(lái)確定溶液中離子濃度或物質(zhì)濃度的方法，其中，離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器具有Eis結(jié)構(gòu)，即電解質(zhì)_絕緣體_半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含至少一個(gè)半導(dǎo)體襯底、襯底氧化物層和傳感器層。在襯底氧化物和傳感器層之間的中間區(qū)域，提供了外部接入(accessible)電極。此外，本發(fā)明還涉及一種相應(yīng)的離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器。
背景技術(shù)：
離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器被應(yīng)用于測(cè)量具有不同成分和不同導(dǎo)電率的溶液中的離子濃度，或用于測(cè)量特定物質(zhì)濃度。離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的敏感層幾乎完全由非晶層形成，例如簡(jiǎn)單金屬氧化物， 如Ta205、Al203、Ti02、HfO2，簡(jiǎn)單金屬氮化物或雙金屬氧化物混合物，例如TaAlO和ZrAlO，或兩種不同非晶金屬氧化物層的組合，其往往具有SiO2作為基材。還存在很多另外適合的材料，其可用于ISFET來(lái)執(zhí)行相應(yīng)用途的功能，這已經(jīng)在本申請(qǐng)受讓人的非預(yù)先公布的專利申請(qǐng)中做了描述，即在2009年03月31日提交的德國(guó)專利申請(qǐng)DE 102009002060. 8和2010 年03月15日提交的國(guó)際專利申請(qǐng)PCT/EP2010/053275中做了描述。所有在其中指定的材料成分的選擇方案通過(guò)引用的方式明確納入本專利申請(qǐng)公開(kāi)中。ISFET是良好制作具有EIS結(jié)構(gòu)的傳感器的例子，其中在這里絕緣體構(gòu)成場(chǎng)效應(yīng)晶體管的離子敏柵極絕緣體。在工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)，食品工業(yè)以及生物化學(xué)和醫(yī)療技術(shù)中， ISFET廣泛應(yīng)用于濃度連續(xù)檢測(cè)和環(huán)境監(jiān)測(cè)的pH測(cè)量。ISFET的優(yōu)勢(shì)在于其無(wú)玻璃構(gòu)造， 高度精確的濃度記錄，快速啟動(dòng)，最小長(zhǎng)時(shí)漂移，以及可接受的價(jià)格/功率比。在通過(guò)被調(diào)制的光信號(hào)的方式的，所謂LAPS-光尋址電位傳感器中，在EIS結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生光電子。光電子的產(chǎn)生依賴于電解質(zhì)的特殊屬性。關(guān)于LAPS的基本描述由以下文章給出“Light Addressable Potentiometric Sensor For Biochemical Systems”，Hafeman et al.，Science 240(1988)，pgs. 1182-1185。在自動(dòng)化技術(shù)中，特別是在過(guò)程自動(dòng)化技術(shù)中，經(jīng)常使離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器經(jīng)受有磨損的消毒和/或清洗處理。這里特別提到的是SIP(處理中消毒) 處理和CIP(處理中清洗)處理。例如，為清洗管道系統(tǒng)，在頻繁地應(yīng)用于食品工業(yè)的、并且經(jīng)常也是絕對(duì)必要的CIP處理的情況下，離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器通常暴露于強(qiáng)酸或堿液中約半小時(shí)的一段時(shí)間，所述強(qiáng)酸或堿液具有約85°c的溫度。例如，對(duì)于用于消毒管道系統(tǒng)的SIP處理，安裝的傳感器被加熱到約130°C—定時(shí)間。通過(guò)這些處理，離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器關(guān)于它們測(cè)量的功能性和準(zhǔn)確性不可避免地受影響在 CIP或SIP處理之后，傳感器經(jīng)常處于偏離了傳感器在CIP或SIP處理之前狀態(tài)的狀態(tài)，并且不知道這種變化將會(huì)導(dǎo)致壞的測(cè)量。WO 2005/073706 Al公開(kāi)了一種用于ISFET pH傳感器的改進(jìn)的柵極構(gòu)造。特別地，在這里，氧化鉭敏感層被施加到鋁層上。氧化鉭敏感層保證了高測(cè)量質(zhì)量，同時(shí)鋁層增加了 ISFET pH傳感器的壽命，因?yàn)槠浞乐箿y(cè)量的液體滲透進(jìn)襯底氧化物層。在CIP和SIP處理中的問(wèn)題是改變了離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器的電荷特性。這導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果的波動(dòng)，而其并非由待確定或監(jiān)控的媒介成分的相應(yīng)變化導(dǎo)致。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種確定溶液中離子濃度或物質(zhì)濃度的方法，并且提供一種對(duì)應(yīng)實(shí)施的離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或?qū)?yīng)實(shí)施的離子敏傳感器，其在SIP或CIP處理之后具有與消毒或清洗處理之前相同的狀態(tài)。關(guān)于方法，通過(guò)如下方法步驟實(shí)現(xiàn)所述目的至少在第一測(cè)量階段的預(yù)定時(shí)間點(diǎn)，相對(duì)于參考電位來(lái)感測(cè)位于電極上的電位；在第一測(cè)量階段之后的消毒和/或清洗階段開(kāi)始之前，保存在第一測(cè)量階段期間感測(cè)的最后電壓；在消毒階段之后的第二測(cè)量階段開(kāi)始時(shí)，向電極施加在消毒階段期間保存的電壓。據(jù)以感測(cè)電位的電極可以按任何需要的方式來(lái)實(shí)施。它可以是例如具有連續(xù)擴(kuò)展的晶格結(jié)構(gòu)(lattice structure)的層、具有任意類型的穿孔甚至條帶狀涂層的層。電極的材料原則上可以是具有良好導(dǎo)電率的任意材料。特別有利的情況是材料對(duì)于測(cè)量液體還具有耐受性。本發(fā)明方法的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例提供了在預(yù)定時(shí)間間隔中重復(fù)的第一測(cè)量階段、消毒和/或清洗階段以及第二測(cè)量階段。正如已經(jīng)陳述的，SIP和CIP處理持續(xù)大約30分鐘。此外，設(shè)定用高阻抗來(lái)感測(cè)電極上的電壓。當(dāng)只有微小的電流流過(guò)時(shí)，用本發(fā)明的方法，傳感器測(cè)量的精確性不受影響。本發(fā)明特別有利的是，何時(shí)引入下一個(gè)測(cè)量階段或引入下一個(gè)消毒階段的時(shí)間點(diǎn)是基于溫度曲線和/或基于PH曲線確定的。舉例來(lái)說(shuō)，如果超過(guò)了或低于(下降到之下) 預(yù)定界限值，則將其解釋為對(duì)下一個(gè)SIP或CIP處理的需求的指示。當(dāng)然，也可以連續(xù)地定義溫度曲線。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，本發(fā)明的方法提供機(jī)會(huì)來(lái)基于在一個(gè)接一個(gè)的測(cè)量階段期間、以及直接在消毒階段或清洗階段之前、之中和之后在電極上感測(cè)的電壓執(zhí)行關(guān)于離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器的狀態(tài)或關(guān)于其剩余使用壽命的評(píng)估。根據(jù)本發(fā)明的解決方案，獲得有關(guān)預(yù)測(cè)性維修的信息是可能的。此外，在這方面，當(dāng)以定義的時(shí)間間隔向電極施加交流電壓，并且當(dāng)基于在電極上感測(cè)到的響應(yīng)信號(hào)來(lái)確定阻抗譜圖(impedance spectrogram)是特別有利的。以這種方式， 舉例來(lái)說(shuō)，可以識(shí)別傳感器的改變的電氣性能或傳感器中的改變的電荷載流子密度。作為替換，一種選擇是向電極施加預(yù)定的電壓信號(hào)曲線，并且基于電極的響應(yīng)信號(hào)獲得有關(guān)傳感器的相應(yīng)屬性的信息。兩種方法都適合獲得離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器關(guān)于瞬時(shí)狀態(tài)或預(yù)計(jì)剩余使用壽命的信息。此外，本方法提供了基于在清洗和/或消毒階段期間，電極上可測(cè)量的電壓曲線， 來(lái)獲得有關(guān)傳感器的電流狀態(tài)以及其預(yù)計(jì)的使用壽命的信息。關(guān)于所述離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器，通過(guò)包括其中受控電路布置被提供有阻抗變換器和與阻抗變換器串聯(lián)的采樣/保持電路這樣的特征來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。在第一測(cè)量階段中，在阻抗變換器的第一輸入端存在電極電位，而在反相輸入端施加參考電位。參考電位可以是例如接地電位。在消毒階段，采樣/保持電路在存儲(chǔ)元件里保存第一測(cè)量階段中位于電極上的相應(yīng)的最后電壓，并且凍結(jié)(freeze)該值。在消毒階段之后的第二測(cè)量階段開(kāi)始時(shí)，所述保存或凍結(jié)的電壓被施加回電極上。從而，保證之后的測(cè)量條件與之前的測(cè)量情況下所擁有的條件相同。在SIP或CIP處理之前和之后，在傳感器上出現(xiàn)相同的電荷狀態(tài)。原則上，在SIP或CIP處理之前的一個(gè)時(shí)間點(diǎn)上，對(duì)電極上的電荷進(jìn)行測(cè)量就已經(jīng)足夠。然而，優(yōu)選地，在測(cè)量階段中可以對(duì)電荷狀態(tài)進(jìn)行連續(xù)地記錄。本發(fā)明的離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例提供了兩個(gè)可控開(kāi)關(guān)，其中，在測(cè)量階段第一開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，并且其中，在測(cè)量階段第二開(kāi)關(guān)閉合，這樣，采樣/保持電路在每一種情況下，把在電極上感測(cè)到的最后電壓保存于存儲(chǔ)元件之中。此外，設(shè)定在消毒階段，第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，從而在斷開(kāi)第二開(kāi)關(guān)之前，在電極上感測(cè)到的最后電壓保存于存儲(chǔ)元件中，或者被凍結(jié)。此外，關(guān)于離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器，還設(shè)定，在消毒和/或清洗階段之后的第二測(cè)量階段開(kāi)始時(shí)閉合第一開(kāi)關(guān)，并且在第二測(cè)量階段開(kāi)始時(shí)斷開(kāi)第二開(kāi)關(guān)， 從而使得存儲(chǔ)元件中保存的或凍結(jié)的電壓位于電極上。優(yōu)選地，開(kāi)關(guān)為電子開(kāi)關(guān)，其中，電路布置的時(shí)間曲線的控制通過(guò)微處理器執(zhí)行。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)特別有利的是，當(dāng)半導(dǎo)體襯底是硅時(shí)，在這種情況下，襯底氧化物是氧化硅并且傳感器層是氧化鉿或五氧化二鉭。這種傳感器層提供了高測(cè)量質(zhì)量。一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例提供設(shè)定離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器以及電路布置設(shè)置在傳感器芯片上。


本發(fā)明現(xiàn)在將基于附圖做更詳細(xì)的描述，其中的圖如下所示圖la、Ib和Ic依次圖示了單獨(dú)的方法步驟，其闡述了本發(fā)明方法實(shí)施例的優(yōu)選方式。此外，所述附圖展示了離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器1的優(yōu)選實(shí)施例，其用于確定溶液中離子濃度或物質(zhì)濃度。
具體實(shí)施例方式離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器1具有EIS結(jié)構(gòu)，即電解質(zhì)_絕緣體_半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在圖示的情況中，傳感器1具有最低要求的層結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體襯底2、襯底氧化物層3以及傳感器層4。通常，半導(dǎo)體襯底2是硅，襯底氧化物3是氧化硅，并且傳感器層4是五氧化二鉭和/或氧化鉿。本發(fā)明可使用多個(gè)傳感器層4。有些已經(jīng)在發(fā)明內(nèi)容部分中明確提及。當(dāng)然，發(fā)明內(nèi)容部分所列并不是排他的。此外，傳感器1的層結(jié)構(gòu)也能以任何已知的類型和方式實(shí)施。根據(jù)本發(fā)明，在襯底氧化物3和傳感器層4之間的中間區(qū)域設(shè)置了外部接入電極 5。電極5可以以任何方式形成和實(shí)施。它用于在傳感器層4與傳感器1的在相對(duì)側(cè)鄰接電極5的層之間保持預(yù)定的恒定值的電位。附圖通過(guò)示例的方式展示了本發(fā)明方法的各個(gè)方法步驟如何被執(zhí)行。為此，使用了電路布置6，其基本上由阻抗變換器7和采樣/保持電路8構(gòu)成。位于阻抗變換器7的第一輸入端上的是電極5的電位，并且位于阻抗變換器7的反相輸入端上的是參考電位。例如，所述參考電位是接地電位。與阻抗變換器7串聯(lián)的是采樣/保持電路8。此外，電路布置6包含兩個(gè)開(kāi)關(guān)Si、S2，電容器C和兩個(gè)電阻器Rl、R2。電路布置6由微處理器控制(沒(méi)有單獨(dú)在圖中示出)，從而在每一種情況下，其在存儲(chǔ)元件或電容器C中保存在之前測(cè)量階段的電極5上的最后電壓。在清洗或消毒階段之后的測(cè)量階段開(kāi)始的時(shí)候，保存的電壓被施加回電極5上。圖Ia展示了第一方法步驟，這樣，當(dāng)在第一測(cè)量階段中的預(yù)定時(shí)間點(diǎn)，位于電極5 上的電壓相對(duì)于參考電位被感測(cè)。為此，在第一測(cè)量階段中第一開(kāi)關(guān)Si斷開(kāi)，在第一測(cè)量階段中第二開(kāi)關(guān)S2閉合。從而，在每一種情況下，采樣/保持電路8在存儲(chǔ)元件C中保存在電極5上感測(cè)到的最后電壓。圖Ib展示了接下來(lái)的第二方法步驟。在第一測(cè)量階段之后的消毒和/或清洗階段開(kāi)始之前，在第一測(cè)量階段中感測(cè)的最后電壓被保存。為此，第一開(kāi)關(guān)Sl和第二開(kāi)關(guān)S2 斷開(kāi)，從而在第二開(kāi)關(guān)S2斷開(kāi)之前在電極5上感測(cè)的最后電壓被保存或凍結(jié)在存儲(chǔ)元件C 中。第三方法步驟在圖Ic中展示。在隨后的第二測(cè)量階段開(kāi)始時(shí)，清洗或消毒階段中保存的電壓被施加到電極5。為此，在清洗或消毒階段之后的第二測(cè)量階段開(kāi)始時(shí)，閉合第一開(kāi)關(guān)Si，同時(shí)在第二測(cè)量階段開(kāi)始時(shí)斷開(kāi)第二開(kāi)關(guān)S2，從而在使存儲(chǔ)元件C中凍結(jié)的電壓位于電極5上。開(kāi)關(guān)S1、S2各自的切換時(shí)間點(diǎn)由微處理器確定，例如，基于溫度曲線和/或基于與傳感器1接觸的溶液的PH值曲線。所述溫度必須由溫度傳感器確定。同樣地，一種選擇是當(dāng)微處理器輸出或接收用于引入測(cè)量和清洗/消毒階段的控制信號(hào)時(shí)，微處理器相應(yīng)地開(kāi)關(guān)所述開(kāi)關(guān)Si、S2。參考標(biāo)記列表1離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器2半導(dǎo)體襯底3半導(dǎo)體氧化物4敏感層5 電極6電路布置7阻抗變換器8采樣/保持電路Sl第一開(kāi)關(guān)S2第二開(kāi)關(guān)C電容器
權(quán)利要求
1.一種利用離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1)或離子敏傳感器(1)確定溶液中離子濃度或物質(zhì)濃度的方法，所述離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1)或離子敏傳感器(1)具有Eis結(jié)構(gòu)，即電解質(zhì)-絕緣體_半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含至少一個(gè)半導(dǎo)體襯底(2)、襯底氧化物層(3)和傳感器層(4)，其中，至少在所述襯底氧化物(3)和所述傳感器層(4)之間的中間區(qū)域提供外部接入電極(5)，其中，所述方法包含如下步驟至少在第一測(cè)量階段的預(yù)定時(shí)間點(diǎn)，相對(duì)于參考電位感測(cè)位于所述電極(5)上的電位；在所述第一測(cè)量階段之后的消毒和/或清洗階段開(kāi)始之前，保存在所述第一測(cè)量階段期間感測(cè)的最后電壓；在所述消毒和/或清洗階段之后的第二測(cè)量階段開(kāi)始時(shí)，向所述電極(5)施加所述消毒階段期間保存的電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一測(cè)量階段、所述消毒和/或清洗階段和所述第二測(cè)量階段以預(yù)定的時(shí)間間隔重復(fù)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述電極(5)上的電壓用高的阻抗來(lái)感測(cè)。
4.如之前權(quán)利要求的一個(gè)或多個(gè)所述的方法，其中，基于在一個(gè)接一個(gè)的測(cè)量階段期間在所述電極(5)上感測(cè)的各電壓，執(zhí)行關(guān)于所述離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1)或所述離子敏傳感器(1)的狀態(tài)或剩余使用壽命的評(píng)估。
5.如權(quán)利要求1-4的一個(gè)或多個(gè)所述的方法，其中，基于溫度曲線和/或基于pH值曲線確定用來(lái)引入下一個(gè)測(cè)量階段或用于引入下一個(gè)消毒階段的時(shí)間點(diǎn)。
6.如之前權(quán)利要求的一個(gè)或多個(gè)所述的方法，其中，以定義的時(shí)間間隔，向所述電極 (5)施加交流電壓，并且其中，基于在所述電極(5)上感測(cè)到的響應(yīng)信號(hào)來(lái)確定阻抗譜圖。
7.如之前權(quán)利要求的一個(gè)或多個(gè)所述的方法，其中，將預(yù)定的電壓信號(hào)曲線施加到所述電極(5)，并且其中，基于所述電極(5)的響應(yīng)信號(hào)，獲得關(guān)于離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1) 或離子敏傳感器(1)的瞬時(shí)狀態(tài)或剩余使用壽命的信息。
8.如之前權(quán)利要求的一個(gè)或多個(gè)所述的方法，其中，在所述消毒和/或清洗階段停止之后，在所述消毒階段期間保存的電壓被施加到所述電極(5)之前，相對(duì)于參考電位感測(cè)位于所述電極(5)上的電壓，并且其中，所述測(cè)量的電壓被考慮用于確定所述離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1)或所述離子敏傳感器(1)的狀態(tài)和/或剩余使用壽命。
9.如之前權(quán)利要求的一個(gè)或多個(gè)所述的方法，其中，在所述消毒和/或清洗階段期間， 在至少一個(gè)時(shí)間點(diǎn)上，相對(duì)于參考電位感測(cè)位于所述電極(5)上的電壓，并且其中，基于至少一個(gè)確定的電壓，在給定的情況下，通過(guò)與在之前的消毒和/或清洗階段中確定的電壓值作比較，獲得關(guān)于所述離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1)或所述離子敏傳感器(1)的狀態(tài)和/ 或剩余使用壽命的信息。
10.用于執(zhí)行權(quán)利要求1-7中至少一個(gè)所述方法的離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器，包含受控電路布置(6)，該受控電路布置具有阻抗變換器(7)，所述阻抗變換器(7) 的第一輸入端在第一測(cè)量階段期間被施加電極電位，并且在所述變換器(7)的反相輸入端施加參考電位，并且所述受控電路布置(6)還具有與所述阻抗變換器(7)串聯(lián)的采樣/保持電路(8)，用于在所述清洗和/或消毒階段期間，在存儲(chǔ)元件(C)中保存和凍結(jié)所述第一測(cè)量階段中施加在所述電極(5)上的最后電壓，以及用于在所述消毒階段之后的第二測(cè)量階段開(kāi)始時(shí)，向所述電極(5)施加所保存、凍結(jié)的電壓。
11.如權(quán)利要求10所述的離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器，其中，提供有兩個(gè)可控開(kāi)關(guān)(S1，S2)，其中，第一開(kāi)關(guān)(Si)在所述測(cè)量階段斷開(kāi)而第二開(kāi)關(guān)(S2)在所述測(cè)量階段閉合，從而所述采樣/保持電路(8)在每一種情況下都把在所述電極(5)上感測(cè)到的最后電壓保存于所述存儲(chǔ)元件(C)中。
12.如權(quán)利要求10和11中一個(gè)或多個(gè)所述的離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器， 其中，所述第一開(kāi)關(guān)(Si)和所述第二開(kāi)關(guān)(S2)在所述消毒階段斷開(kāi)，從而在斷開(kāi)所述第二開(kāi)關(guān)(S2)之前，在所述電極(5)上感測(cè)到的最后電壓被保存或凍結(jié)于所述存儲(chǔ)元件(C) 中。
13.如權(quán)利要求10-12中一個(gè)或多個(gè)所述的離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器， 其中，在所述消毒階段之后的所述第二測(cè)量階段開(kāi)始時(shí)，閉合第一開(kāi)關(guān)(Si)，并且其中，在所述第二測(cè)量階段開(kāi)始時(shí)斷開(kāi)所述第二開(kāi)關(guān)(S2)，從而凍結(jié)在所述存儲(chǔ)元件(C)中的電壓被施加到所述電極(5)上。
14.如之前權(quán)利要求的一個(gè)或多個(gè)所述的離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器，其中，所述半導(dǎo)體襯底(2)是硅，在這個(gè)情況下，所述襯底氧化物是氧化硅(3)，并且所述傳感器層(4)是氧化鉿或五氧化二鉭。
15.如之前權(quán)利要求的一個(gè)或多個(gè)所述的離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器，其中，提供了一種微處理器，其控制所述電路布置作為時(shí)間的函數(shù)。
16.如之前權(quán)利要求的一個(gè)或多個(gè)所述的離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管或離子敏傳感器，其中，所述離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述電路布置被設(shè)置在傳感器芯片上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種通過(guò)具有EIS結(jié)構(gòu)的離子選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1)或離子敏傳感器(1)來(lái)確定溶液中離子濃度或物質(zhì)濃度的方法，其中所述方法包含如下步驟至少在第一測(cè)量階段的預(yù)定時(shí)間點(diǎn)，相對(duì)于參考電位感測(cè)位于電極(5)上的電位；在第一測(cè)量階段之后的消毒和/或清洗階段開(kāi)始之前，保存在第一測(cè)量階段期間感測(cè)的最后電壓；在消毒和/或清洗階段之后的第二測(cè)量階段開(kāi)始時(shí)，向電極(5)施加消毒階段期間保存的電壓。
文檔編號(hào)G01N27/414GK102384935SQ20111029000
公開(kāi)日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者德特勒夫·維特默, 曼弗雷德·亞杰拉 申請(qǐng)人:恩德萊斯和豪瑟爾測(cè)量及調(diào)節(jié)技術(shù)分析儀表兩合公司