專利名稱：壓力傳感器和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓力傳感器和方法，具體地涉及壓力傳感器襯底以及用于提供壓力傳感器襯底的方法。
背景技術(shù)：
壓力傳感器典型地用于測量液體或氣體的壓力并提供隨介質(zhì)壓力變化的輸出信號。傳統(tǒng)的壓力傳感器包括用MEMS技術(shù)(微機(jī)電結(jié)構(gòu))制作的耦合到ASIC的獨(dú)立壓力傳感器膜片(membrane)。那些膜片典型地水平創(chuàng)建于晶片的表面上，這意味著復(fù)雜的制作方法，原因在于需要多個過程步驟以便在半導(dǎo)體襯底的頂部創(chuàng)建自由膜片。一般而言，創(chuàng)建穿過膜片的通氣體積是一項復(fù)雜的工作。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)這里描述的一些方面，創(chuàng)建在襯底內(nèi)部豎直延伸的兩個空腔。兩個空腔也在襯底的主表面下面水平延伸，其中兩個空腔至少部分地在預(yù)定方向上彼此平行地延伸。然而，僅僅第一空腔創(chuàng)建成使得其水平延伸進(jìn)入襯底的通氣區(qū)域。第一空腔然后向襯底的通氣區(qū)域中的環(huán)境開口。因此，第一空腔的體積可以耦合到外部壓力，而第二空腔提供參考壓力。根據(jù)進(jìn)一步方面，提供一種壓力傳感器襯底，其包括第一和第二空腔，該兩個空腔都在襯底內(nèi)部豎直延伸。這兩個空腔在襯底的主表面下也部分地在水平預(yù)定方向上平行地延伸，其中僅僅第一空腔水平延伸進(jìn)入襯底的通氣區(qū)域。第一空腔向通氣區(qū)域中的環(huán)境開


在這里結(jié)合以下附圖描述各種說明性實施例，其中相同的附圖標(biāo)記指代對應(yīng)的或類似的部件，并且其中圖1示出了用于提供壓力傳感器襯底的說明性實施例；圖2示出了用于提供壓力傳感器襯底的進(jìn)一步說明性實施例；圖3示出了壓力傳感器襯底的說明性實施例；圖4示出了用于制作壓力傳感器襯底的進(jìn)一步說明性實施例；圖5示出了壓力傳感器襯底的進(jìn)一步說明性實施例；以及圖6示出了用于制作壓力傳感器襯底的實施例的進(jìn)一步說明性實施例。
具體實施例方式圖1示出了用于提供壓力傳感器襯底4的方法的說明性實施例。在圖1的實施例中，示出了單個壓力傳感器襯底。然而，在可替換的實施例中，在晶片的表面上可以一次制作多個壓力傳感器襯底。
第一空腔2可以創(chuàng)建于襯底4中。如從在圖1的示例的左側(cè)示出的襯底4的截面圖中也顯而易見的，空腔2在襯底內(nèi)部豎直延伸，即在相對于主表面32垂直(或正交)的豎直方向8上延伸。該示意性截面圖是沿著圖1中示出的切割線6而創(chuàng)建的?？涨?創(chuàng)建于襯底4內(nèi)部，即其特別地也在襯底4的主表面32的方向上被襯底材料所包圍。在這方面， 襯底4的主表面32要理解為在圖1中襯底4的正向(face-on)視圖中可見的表面。相比于豎直方向8，水平方向應(yīng)理解為與豎直方向8基本垂直的任何方向，即基本平行于襯底4 的主表面32的任何方向。第一空腔2水平地延伸進(jìn)入襯底的通氣區(qū)域10。在圖1的實施例中，通氣區(qū)域10 是矩形的。然而，不言而喻，通氣區(qū)域10可以在襯底4的表面上具有任何其它期望的幾何形狀。進(jìn)一步，創(chuàng)建在襯底內(nèi)部也豎直延伸的第二空腔12。第二空腔12也在預(yù)定方向 14上與第一空腔2平行地延伸。然而，第二空腔12不延伸進(jìn)入通氣區(qū)域10。第一空腔2開口于通氣區(qū)域10中。因而，開口 16可以在允許壓力進(jìn)入空腔2的通氣區(qū)域10中執(zhí)行。由于第二空腔12是封閉的，參考壓力被維持在第二空腔12內(nèi)部。第一空腔中的變更壓力引起在兩個空腔2和12之間由襯底形成的薄片(lamella) 14的偏轉(zhuǎn)。 然后可以測量和估算薄片的偏轉(zhuǎn)，以便導(dǎo)出第二空腔內(nèi)的壓力，即周圍大氣的壓力。S卩，感測第一和第二空腔之間的襯底的偏轉(zhuǎn)允許導(dǎo)出經(jīng)由第一空腔的開口延伸進(jìn)入襯底的周圍壓力的度量。所有先前描述的步驟都可以使用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體處理技術(shù)(例如，CMOS)來實施。因此，空腔和其間的薄片可以制作在與估算薄片14偏轉(zhuǎn)的電路相同的襯底中，使得可以制作緊湊的傳感器。而且，可以避免因單獨(dú)制作傳感器和讀出電路以及后續(xù)將兩個部件封裝成單個封裝而引起的額外成本。通過將空腔中的僅僅一個延伸進(jìn)入通氣區(qū)域10，相應(yīng)空腔可以被開口而不對包括第二空腔12和可能讀出電路的其余襯底區(qū)域做任何進(jìn)一步處理。因此，可以避免由于第一空腔2的所需開口而對其余元件的可能傷害。因此可以使用任何合適的技術(shù)來執(zhí)行開口， 諸如刻蝕、機(jī)械措施(諸如鉆孔、鋸割或切割)、隱形切割(stealth dicing)或其它相關(guān)技術(shù)。開口可以從任何側(cè)執(zhí)行，即從主表面、從側(cè)面或從與主表面相對的背面執(zhí)行?？涨豢梢酝ㄟ^首先在襯底內(nèi)創(chuàng)建溝槽并且通過然后經(jīng)過在襯底的頂部沉積氧化物層來封閉溝槽而創(chuàng)建。當(dāng)?shù)谝豢涨?延伸進(jìn)入通氣區(qū)域10時，可以避免在創(chuàng)建空腔時的深刻蝕以及從背面對處理的襯底4的后續(xù)薄化，這在試圖從襯底4的背面對空腔之一進(jìn)行開口時將是需要的。這將需要把襯底薄化到僅僅數(shù)十個微米，從而承受由于施加到襯底的額外機(jī)械應(yīng)力而破壞傳感器襯底4的風(fēng)險。此外，可以避免額外成本和非標(biāo)準(zhǔn)CMOS過程的處理步驟，例如，從襯底4的背面進(jìn)行的額外光刻。根據(jù)進(jìn)一步實施例，第一空腔可以通過完全移除通氣區(qū)域10而被開口。為了達(dá)到這個目的，通氣區(qū)域10可以以分割(singulation)邊界20為界。襯底4沿著分割邊界20 被分割以便移除通氣區(qū)域。這例如可以通過刻蝕、鋸割、隱形切割或者任意其它化學(xué)或機(jī)械方法來獲得。那些實施例可以具有潛在的優(yōu)點(diǎn)當(dāng)在大晶片的表面上一次處理和創(chuàng)建多個壓力傳感器襯底4時完成晶片處理之后，對各壓力傳感器襯底4分割時，對第一空腔2自動開口。即，開口可以自動獲得，而不必承受任何損壞壓力傳感器襯底的其余區(qū)域的風(fēng)險。
雖然圖1通過示例示出了特定實施例，其中第一空腔2在預(yù)定方向14上延伸超過分割邊界20，該預(yù)定方向是第一和第二空腔2和12彼此平行延伸的方向，但是其它實施例可以包括在任何其它任意方向上延伸進(jìn)入通氣區(qū)域的空腔。例如，第一空腔可以在相對于預(yù)定方向14形成預(yù)定角度的進(jìn)一步方向上延長，以便在該進(jìn)一步方向上進(jìn)入通氣區(qū)域10。圖2示出了根據(jù)用于制作壓力傳感器襯底的方法的進(jìn)一步實施例的說明性配置。根據(jù)圖2的實施例，制作壓力傳感器襯底，其包括彼此相鄰的多個第一和第二空腔以便增加芯片或壓力傳感器襯底的敏感區(qū)域。因而，創(chuàng)建多個薄片14、第一空腔2和第二空腔12。在圖2的實施例中，第一空腔2創(chuàng)建為使得它們延伸超過分割邊界20進(jìn)入通氣區(qū)域10，而在任一側(cè)被第一空腔2包圍的第二空腔12創(chuàng)建為使得它們不延伸超過分割邊界 20。通過移除通氣區(qū)域10的襯底(從晶片分割壓力傳感器襯底)，第一空腔2在襯底 4的側(cè)面開口。即，壓力引導(dǎo)空腔在不需要諸如薄化或進(jìn)一步刻蝕之類的進(jìn)一步處理步驟的情況下被開口。圖3示出了可以由關(guān)于例如圖1和2所介紹的方法創(chuàng)建的壓力傳感器襯底的說明性實施例。在本示例中壓力傳感器襯底4以沿著圖2中指示的切割線30的投影示出。它包括在襯底內(nèi)部相對于主表面32豎直延伸的第一空腔2。壓力傳感器襯底4而且包括也在襯底內(nèi)在豎直方向8上延伸的第二空腔12。在圖3所示的示例中，空腔在主表面32的方向上被氧化物層包圍。這是由于如下事實根據(jù)一些實施例，通過首先在襯底內(nèi)創(chuàng)建溝槽并且通過然后例如通過在襯底的頂部沉積氧化物層來封閉這些溝槽，創(chuàng)建空腔。氧化物可以由諸如電介質(zhì)之類的任何合適的材料代替。第一和第二空腔也在襯底內(nèi)在預(yù)定方向14上水平延伸。不言而喻，襯底可以是諸如硅、鍺或其它之類的任何合適的半導(dǎo)體襯底。第一空腔2和與它鄰近的第二空腔12的豎直側(cè)壁定義薄片14，該薄片14因第一空腔2和第二空腔12中的壓力之間的壓力差而變形或偏轉(zhuǎn)。為了定義參考壓力，可以是當(dāng)從晶片分割壓力傳感器襯底4時僅僅對第一空腔2開口。薄片14的偏轉(zhuǎn)可以被測量并且壓力值可以從這個偏轉(zhuǎn)測量中導(dǎo)出。根據(jù)一個特定示例，第二空腔12的兩個豎直側(cè)壁之間的電容14可以被導(dǎo)出作為包圍第二空腔12a的兩個薄片14的偏轉(zhuǎn)的度量。為此，接觸焊盤4 和42b可以從襯底4的主表面32連接到薄片，以便能夠測量兩個薄片Ha和14b之間的電容。不言而喻，圖3中示出的接觸焊盤4 和42b僅僅是示例，其將允許測量電容。在進(jìn)一步實施例中，薄片14a和14b可以通過在處理半導(dǎo)體襯底的過程中創(chuàng)建的內(nèi)部結(jié)構(gòu)而連接到讀出電路。為了提供電容，可以接近空腔14的底部創(chuàng)建ρ/η邊界，以便避免通過襯底的電流流動。為此，可以執(zhí)行深P注入，接著是較低能量的η注入，如圖3所示，反之亦然。換句話說，創(chuàng)建壓力傳感器襯底的過程可以包括創(chuàng)建對第一和第二空腔之間的襯底內(nèi)部的偏轉(zhuǎn)敏感的區(qū)域。這可以包括例如創(chuàng)建第二空腔12a的兩個豎直側(cè)壁之間的電容。根據(jù)進(jìn)一步實施例，可以創(chuàng)建對薄片14的偏轉(zhuǎn)敏感的其它元件，諸如壓電電阻器、應(yīng)力敏感晶體管等等。雖然圖2和圖3的實施例示出了在水平方向上具有不同寬度的空腔，但是可以創(chuàng)建其中空腔2和12具有等同寬度的其它實施例。這是可行的，原因在于兩個空腔2和12也可以創(chuàng)建為具有相同的豎直延伸，即在豎直方向8上具有相同的深度。通過將空腔中的一個延伸進(jìn)入通氣區(qū)域10以及將空腔12開口于通氣區(qū)域中，這進(jìn)而是可行的。具有相等寬度的空腔可以便于用圖3中示出的氧化物層來封閉空腔。圖4示出了用于提供壓力傳感器襯底的方法的進(jìn)一步說明性實施例，其適于產(chǎn)生差動壓力傳感器。根據(jù)圖4所示的方法，第一空腔不延伸超過分割邊界30，而第二空腔12延伸超過分割邊界30。相比于圖3和4的實施例，第一空腔2具有比第二空腔12更小的寬度。然而，這只是示例?？涨坏膶挾纫部梢韵嗟?，或者第一空腔2可以比第二空腔12更寬。根據(jù)圖4所示的實施例，當(dāng)(例如通過在分割邊界30切割或分割壓力傳感器襯底)將第一空腔 2開口于通氣區(qū)域中時，可以創(chuàng)建差動壓力傳感器。根據(jù)更進(jìn)一步實施例，其中一個實施例通過圖5中的示例示出，可以容易地創(chuàng)建差動壓力傳感器，即比較兩個不同儲存器之間的壓力的傳感器。為此，也可以對在圖2和3 的實施例中被完全包圍的第二空腔12開口。這例如可以如圖5所示的那樣獲得。第一空腔2經(jīng)由通氣區(qū)域10開口。而且，第二空腔12也可以例如從背面開口，如圖5所示。因而，可以容易地實施差動壓力傳感器，其直接測量第一空腔2和第二空腔12內(nèi)的壓力差。可以如圖3的實施例中先前示出的那樣， 即通過感測電容、電阻變化等等，來執(zhí)行該感測。根據(jù)進(jìn)一步實施例，也可以通過將第二空腔12額外地延伸進(jìn)入第二通氣區(qū)域40 并且通過然后將第二空腔12開口于第二通氣區(qū)域40中，提供差動壓力傳感器襯底。即，兩個空腔可以在襯底的不同側(cè)開口，而不會對其余襯底造成任何損壞，使得可以容易地實施差動壓力傳感器。壓力開口自動提供在襯底4的不同側(cè)，使得如此創(chuàng)建的壓力傳感器襯底4 的實施方式(即對壓力傳感器襯底施加壓力)是簡單的，原因在于僅僅一個分別必須連接到第一和第二空腔的幾何分離的壓力開口。在圖6所示的特定實施例中，第二空腔12在預(yù)定第二方向42上延伸進(jìn)入第二通氣區(qū)域40，穿過第二分割邊界44。當(dāng)?shù)诙涨?2開口于第二通氣區(qū)域40中時，可以實施差動壓力傳感器，其包括從襯底的不同側(cè)通氣的空腔。當(dāng)壓力傳感器襯底沿著分割邊界30 和44被分割時，在壓力傳感器襯底的側(cè)表面執(zhí)行空腔的通氣。在圖6的實施例中，預(yù)定方向14和第二預(yù)定方向42彼此垂直。然而，這僅僅是任意可能幾何形狀的示例。例如，第一和第二預(yù)定方向14和42可以相對于彼此包圍這樣的角度，使得第二空腔也延伸進(jìn)入第一通氣區(qū)域10。根據(jù)進(jìn)一步實施例，第二空腔12與預(yù)定方向14相反地延伸到壓力傳感器襯底的另一端，使得第一和第二空腔僅僅沿著一個共同方向彼此平行地延伸。根據(jù)這些實施例，將在壓力傳感器襯底的相對側(cè)表面提供通氣。先前討論的實施例可以潛在地允許差動壓力傳感器的高效實施方式?？梢酝ㄟ^任何合適的技術(shù)，諸如通過切割、鋸割、刻蝕或隱形切割，執(zhí)行傳感器的分割。在隱形切割中， 激光破壞在襯底的預(yù)定深度中的晶體結(jié)構(gòu)，使得襯底可以被分割(例如通過折斷襯底)以便襯底的空腔可以可靠地開口和通氣。可替換地或額外地，也可以通過刻蝕溝槽來定義由分割過程創(chuàng)建的側(cè)表面(邊緣)。該溝槽的刻蝕也可以與形成空腔的溝槽的刻蝕同時執(zhí)行，使得不需要額外處理步驟。如先前指示的，這里描述的各種說明性實施例提供一種壓力傳感器襯底，其中空腔在有源芯片區(qū)域的側(cè)表面通氣，使得它們在分割各壓力傳感器襯底之后形成壓力通道 (允許壓力進(jìn)入襯底的空腔)。根據(jù)進(jìn)一步實施例，可以是僅僅第一空腔通過壓力傳感器襯底的側(cè)表面通氣，而第二空腔從壓力傳感器襯底的主表面或與主表面相對的背表面開先前討論的實施例可能潛在地提供創(chuàng)建壓力傳感器方面的靈活性，原因在于空腔的通氣可以在壓力傳感器的有源區(qū)域外部的專用通氣區(qū)域中執(zhí)行。這可能潛在地允許在一個單個芯片上也實施讀出電路的壓力傳感器的制作。而且，專用通氣區(qū)域中的通氣可以潛在地允許增加或甚至最大化在選擇傳感器的薄片和空腔的參數(shù)方面的靈活性。特別地，其兩者都可以通氣且同時具有相同寬度和深度的第一和第二空腔是可行的。根據(jù)一些說明性實施例，空腔的寬度可以在例如5納米到10微米的范圍內(nèi)，5納米和 10微米也包括在內(nèi)。根據(jù)進(jìn)一步說明性實施例，空腔的寬度可以在例如5納米到150納米的范圍內(nèi)，5納米和150納米也包括在內(nèi)。根據(jù)進(jìn)一步說明性實施例，空腔的寬度可以在例如50納米到1微米的范圍內(nèi)，50納米和1微米也包括在內(nèi)。然而，這些范圍僅僅是示例，并且可以提供其它的空腔寬度。根據(jù)一些說明性實施例，薄片的寬度，即在第一和第二空腔的平行部分之間的襯底區(qū)域的寬度，可以在例如5納米到10微米的范圍內(nèi)，5納米和10微米也包括在內(nèi)。根據(jù)進(jìn)一步說明性實施例，薄片的寬度可以在例如5納米到150納米的范圍內(nèi)，5納米和150納米也包括在內(nèi)。根據(jù)進(jìn)一步說明性實施例，薄片的寬度可以在例如50納米到1微米的范圍內(nèi)，50納米和1微米也包括在內(nèi)。然而，這些范圍僅僅是示例，并且可以提供其它的薄片寬度。
權(quán)利要求
1.一種用于提供壓力傳感器襯底的方法，包括創(chuàng)建第一空腔，所述第一空腔在襯底內(nèi)部在與襯底的主表面垂直的第一方向上延伸并且在襯底內(nèi)部在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸進(jìn)入襯底的第一通氣區(qū)域；創(chuàng)建第二空腔，所述第二空腔在襯底內(nèi)部在所述第一方向上延伸，在所述第二方向上平行于所述第一空腔延伸，并且不延伸進(jìn)入所述第一通氣區(qū)域；以及將所述第一空腔開口于所述第一通氣區(qū)域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中創(chuàng)建第一和第二空腔包括 創(chuàng)建在所述第一方向上延伸進(jìn)入所述襯底的第一溝槽； 創(chuàng)建在所述第一方向上延伸進(jìn)入所述襯底的第二溝槽；以及封閉所述第一溝槽和所述第二溝槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中封閉包括在襯底上沉積電介質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中創(chuàng)建所述第一空腔使得所述第一空腔在所述第二方向上延伸超過分割邊界，所述分割邊界是第一通氣區(qū)域的邊界，以及其中所述第二空腔在第二方向上不延伸超過所述分割邊界。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，進(jìn)一步包括在所述分割邊界處執(zhí)行襯底的分割。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中執(zhí)行分割包括下列中的至少一個在所述分割邊界處的鋸割、切割、磨邊和隱形切割。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一和第二空腔創(chuàng)建為在所述第二方向上具有相同的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一和第二空腔創(chuàng)建為使得它們在所述第一方向上以相同的深度延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一和第二空腔的平行部分創(chuàng)建為相對于彼此具有在 5納米到10微米的范圍內(nèi)的距離，5納米和10微米也包括在內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一和第二空腔創(chuàng)建為具有在5納米到10微米的范圍內(nèi)的寬度，5納米和10微米也包括在內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述壓力傳感器襯底配置為使得平行于第一空腔延伸的第二空腔的部分的兩個平行側(cè)壁之間的電容響應(yīng)于在第一和第二空腔之間且在襯底內(nèi)部的偏轉(zhuǎn)而變化。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第二空腔創(chuàng)建為使得其而且延伸進(jìn)入第二通氣區(qū)域，其中所述第一空腔創(chuàng)建為使得其不延伸進(jìn)入所述第二通氣區(qū)域，所述方法進(jìn)一步方括將第二空腔開口于所述第二通氣區(qū)域中。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，進(jìn)一步包括在第二分割邊界處執(zhí)行襯底的分割，所述第二分割邊界是第二通氣區(qū)域的邊界。
14.一種壓力傳感器襯底，包括 襯底的第一通氣區(qū)域；第一空腔，在襯底內(nèi)部在與襯底的主表面垂直的第一方向上延伸，所述第一空腔也在襯底內(nèi)部在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸進(jìn)入所述襯底的第一通氣區(qū)域；以及第二空腔，在襯底內(nèi)部在第一方向上延伸，所述第二空腔也在第二方向上平行于第一空腔延伸，所述第二空腔不延伸進(jìn)入第一通氣區(qū)域，其中所述第一空腔通過所述第一通氣區(qū)域而向壓力傳感器襯底外部的周圍環(huán)境開口。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的壓力傳感器襯底，其中所述第一空腔在第二方向上延伸直到所述壓力傳感器襯底的側(cè)表面，并且其中所述第二空腔在第二方向上不延伸到所述壓力傳感器襯底的側(cè)表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的壓力傳感器襯底，其中第一和第二空腔在第二方向上具有相同的寬度。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的壓力傳感器襯底，其中第一和第二空腔在第一方向上以相同的深度延伸。
18.根據(jù)權(quán)利要求14的壓力傳感器襯底，其中在第一和第二空腔的第二方向上延伸的平行部分相對于彼此具有在5納米到10微米的范圍內(nèi)的距離，5納米和10微米也包括在內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求14的壓力傳感器襯底，其中第一和第二空腔每個在第二方向上具有在5納米到10微米的范圍內(nèi)的寬度，5納米和10微米也包括在內(nèi)。
20.根據(jù)權(quán)利要求14的壓力傳感器襯底，其中所述壓力傳感器襯底配置為使得平行于第一空腔延伸的第二空腔的部分的兩個平行側(cè)壁之間的電容響應(yīng)于在第一和第二空腔之間且在襯底內(nèi)部的偏轉(zhuǎn)而變化。
21.根據(jù)權(quán)利要求14的壓力傳感器襯底，其中所述第二空腔而且在第二方向上延伸進(jìn)入第二通氣區(qū)域，其中所述第一空腔不延伸進(jìn)入所述第二通氣區(qū)域，并且其中將所述第二空腔開口進(jìn)入所述第二通氣區(qū)域。
22.一種用于提供壓力傳感器襯底的方法，包括創(chuàng)建第一空腔，所述第一空腔在襯底內(nèi)部在與襯底的主表面垂直的第一方向上延伸并且在襯底內(nèi)部在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸通過第一分割邊界；創(chuàng)建第二空腔，所述第二空腔在襯底內(nèi)部在第一方向上延伸，在第二方向上平行于第一空腔延伸，并且不延伸通過所述第一分割邊界；以及在所述第一分割邊界處執(zhí)行襯底的分割。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中所述第二空腔在與所述第一方向垂直的第三方向上延伸通過第二分割邊界，其中所述第一空腔不延伸通過所述第二分割邊界，并且其中所述方法進(jìn)一步包括在所述第二分割邊界處執(zhí)行壓力傳感器襯底的分割。
24.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，進(jìn)一步包括將所述第二空腔向與所述襯底的主表面相對的襯底的表面開口。
25.一種壓力傳感器襯底，包括第一空腔，所述第一空腔在襯底內(nèi)部在與襯底的主表面垂直的第一方向上延伸，所述第一空腔也在襯底內(nèi)部在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸直到所述壓力傳感器襯底的側(cè)表面；以及第二空腔，所述第二空腔在襯底內(nèi)部在第一方向上延伸，所述第二空腔也在所述第二方向上平行于所述第一空腔延伸，所述第二空腔在所述第二方向上不延伸直到所述壓力襯底的側(cè)表面。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的壓力傳感器襯底，其中所述第二空腔在與所述第一方向垂直的第三方向上延伸直到所述壓力傳感器襯底的側(cè)表面。
全文摘要
一種用于提供壓力傳感器襯底的方法包括創(chuàng)建第一空腔，所述第一空腔在襯底內(nèi)部在與襯底的主表面垂直的第一方向上延伸并且在襯底內(nèi)部在與第一方向垂直的第二方向上延伸進(jìn)入襯底的第一通氣區(qū)域；創(chuàng)建第二空腔，所述第二空腔在襯底內(nèi)部在第一方向上延伸，在第二方向上平行于第一空腔延伸，并且不延伸進(jìn)入第一通氣區(qū)域；以及將第一空腔開口于第一通氣區(qū)域中。
文檔編號G01L9/12GK102183334SQ201110039698
公開日2011年9月14日 申請日期2011年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月4日
發(fā)明者B·羅薩姆, D·梅因霍爾德, K·埃利安, M·米勒, S·科爾布, T·考奇 申請人:英飛凌科技股份有限公司