專利名稱：犧牲波導(dǎo)測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及光學(xué)芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)，并且具體地，涉及用于測(cè)試仍為晶片形式時(shí)的光學(xué)芯片的光學(xué)功能的犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
光學(xué)芯片(也稱為光子集成電路)是適合于對(duì)一個(gè)或多個(gè)光學(xué)信號(hào)執(zhí)行各種功能的器件。單獨(dú)的光學(xué)芯片通常通過如下方式來制造在半導(dǎo)體晶片基板上構(gòu)造多個(gè)光學(xué)芯片，以及將晶片分成多個(gè)單獨(dú)的光學(xué)芯片。通常，光學(xué)芯片是在較少考慮或不考慮仍為晶片形式時(shí)的芯片之間的關(guān)系的情況下而被設(shè)計(jì)并布置在晶片上的。在許多實(shí)例中，期望針對(duì)單獨(dú)光學(xué)芯片的所預(yù)期的用途或功能來測(cè)試各光學(xué)芯片。通常在已從晶片分開光學(xué)芯片之后執(zhí)行對(duì)單獨(dú)的光學(xué)芯片的測(cè)試。但是，分開的光學(xué)芯片的測(cè)試是耗時(shí)的并且費(fèi)用高。已構(gòu)思出在單獨(dú)的光學(xué)芯片仍為晶片形式時(shí)對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。例如，美國(guó)專利申請(qǐng)公開物No. US2004/0013359討論了使用光學(xué)探針，其在接入點(diǎn)處光學(xué)耦合到光學(xué)芯片。原理上，這樣的測(cè)試實(shí)現(xiàn)了在制造周期中較早地測(cè)試光學(xué)芯片。但是，在光學(xué)芯片的單獨(dú)測(cè)試中利用光學(xué)探針仍需要相當(dāng)長(zhǎng)的對(duì)準(zhǔn)時(shí)間。此外，利用光學(xué)探針連同必要的電探針測(cè)試光學(xué)芯片提供了實(shí)施時(shí)的實(shí)際難度。在一些情況下，可以使用內(nèi)置于光學(xué)芯片的部件來測(cè)試該光學(xué)芯片的功能。例如， 可以使用要在完成的產(chǎn)品中使用的光電二極管來測(cè)試仍為晶片形式時(shí)的光學(xué)芯片的性能。 然而，典型的光學(xué)器件(諸如光學(xué)發(fā)射器或調(diào)制器)產(chǎn)生高功率光學(xué)輸出，并且片上光電二極管將放置在抽頭上。結(jié)果，片上光電二極管僅接收小比例的輸出光。這種板上光電二極管的使用沒有實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片的一整套的光學(xué)測(cè)試(包括全功率測(cè)試)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種晶片，從該晶片可以分開多個(gè)光學(xué)芯片，其中，在該晶片上設(shè)置有用于測(cè)試光學(xué)芯片的光學(xué)功能的犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)。犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)允許同時(shí)測(cè)試仍為晶片形式時(shí)的多個(gè)光學(xué)芯片，并且犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)在從晶片分開光學(xué)芯片時(shí)被停用。給定光學(xué)芯片的犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)可以布置在晶片上，使得它們位于一個(gè)或多個(gè)相鄰的光學(xué)芯片上，或者使得它們位于晶片的可廢棄部分上。本發(fā)明克服了傳統(tǒng)的對(duì)準(zhǔn)時(shí)間問題并且允許在光學(xué)芯片為晶片形式時(shí)在光學(xué)芯片的電路上進(jìn)行一系列的光學(xué)測(cè)試。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種晶片，從該晶片分開多個(gè)光學(xué)芯片，每個(gè)光學(xué)芯片被配置成執(zhí)行相應(yīng)的光學(xué)功能，該晶片包括多個(gè)光學(xué)芯片當(dāng)中的第一光學(xué)芯片；以及犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)，用于測(cè)試第一光學(xué)芯片或晶片上的鄰接光學(xué)芯片的光學(xué)功能，該犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)布置在晶片上，以使得在從晶片分開第一光學(xué)芯片時(shí)犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的至少一部分與第一光學(xué)芯片分離。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的該至少一部分布置在晶片上的該多個(gè)光學(xué)芯片當(dāng)中的第二光學(xué)芯片上。根據(jù)另一實(shí)施例，第二光學(xué)芯片與第一光學(xué)芯片相鄰。根據(jù)另一實(shí)施例，第二光學(xué)芯片從第一光學(xué)芯片橫向偏移。根據(jù)另一實(shí)施例，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的至少另一部分布置在晶片上的該多個(gè)光學(xué)芯片當(dāng)中的第三光學(xué)芯片上。根據(jù)另一實(shí)施例，第三光學(xué)芯片與第一光學(xué)芯片相鄰。根據(jù)另一實(shí)施例，第三光學(xué)芯片從第一光學(xué)芯片橫向偏移。根據(jù)另一實(shí)施例，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的至少另一部分布置在晶片的可廢棄部分上。根據(jù)另一實(shí)施例，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的該至少一部分布置在晶片的可廢棄部分上。根據(jù)另一實(shí)施例，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)的至少一部分。根據(jù)另一實(shí)施例，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)光源。根據(jù)另一實(shí)施例，光源是激光器或波導(dǎo)光柵中的至少一個(gè)。根據(jù)另一實(shí)施例，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)接收器。根據(jù)另一實(shí)施例，接收器是光電二極管、光學(xué)功率監(jiān)視器或波長(zhǎng)監(jiān)視器中的至少一個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種從晶片分出的光學(xué)芯片，從該晶片分出多個(gè)光學(xué)芯片，光學(xué)芯片被配置成執(zhí)行光學(xué)功能，該光學(xué)芯片包括用于執(zhí)行光學(xué)功能的電路；以及犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的至少一部分，該犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)用于在從晶片分出光學(xué)芯片之前測(cè)試該光學(xué)芯片或鄰接光學(xué)芯片的電路的光學(xué)功能。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)包括光源、接收器或波導(dǎo)的分離部分中的至少一個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種用于測(cè)試和處理晶片上的多個(gè)光學(xué)芯片當(dāng)中的第一光學(xué)芯片的方法，每個(gè)光學(xué)芯片被配置成執(zhí)行相應(yīng)的光學(xué)功能，該方法包括接觸犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)，該犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)用于測(cè)試第一光學(xué)芯片或晶片上的鄰接光學(xué)芯片的特性，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)布置在晶片上；控制和監(jiān)視犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)；以及從晶片分開第一光學(xué)芯片，以使得在從晶片分開第一光學(xué)芯片時(shí)犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的至少一部分與第一光學(xué)芯片分離。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的該至少一部分布置在晶片上的多個(gè)光學(xué)芯片當(dāng)中的第二光學(xué)芯片或晶片的可廢棄部分中的至少一個(gè)上。根據(jù)另一實(shí)施例，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)的至少一部分。根據(jù)另一實(shí)施例，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)光源和至少一個(gè)接收器。在下文中參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的前述和其他特征。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的從晶片分出的單獨(dú)光學(xué)芯片的示意圖。圖2A是根據(jù)本發(fā)明的具有多個(gè)光學(xué)芯片的示例性晶片的示意圖。圖2B是根據(jù)本發(fā)明的示例性晶片上的一列光學(xué)芯片的示意圖。圖2C是根據(jù)本發(fā)明的示例性晶片上的一列光學(xué)芯片的示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的具有多個(gè)光學(xué)芯片的示例性晶片的示意圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的具有多個(gè)光學(xué)芯片的示例性晶片的示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的具有多個(gè)光學(xué)芯片的示例性晶片的示意圖。
具體實(shí)施例方式在以下描述中，類似的部件被給予相同的參考數(shù)字，而不管它們是否在不同的實(shí)施例中示出。為了以清楚且簡(jiǎn)明的方式說明本發(fā)明的實(shí)施例，附圖不一定是按比例的并且可以以某種示意形式示出某些特征。關(guān)于一個(gè)實(shí)施例所描述和/或示出的特征在一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施例中可以以相同的方式或以相似的方式來使用，和/或與其他實(shí)施例的特征組合使用或者取代其他實(shí)施例的特征來使用?，F(xiàn)在詳細(xì)地參照附圖并且首先參照?qǐng)D1，從晶片分出的單獨(dú)光學(xué)芯片的示意圖總體上以10示出。光學(xué)芯片10 (以及由其形成光學(xué)芯片的晶片)的基板12可以由磷化銦構(gòu)成。磷化銦在此用作示例性材料，因?yàn)樗窃试S容易地在其上構(gòu)造和集成一系列光學(xué)器件(諸如激光器、光電二極管、耦合器、調(diào)制器等)的半導(dǎo)體材料。但是，晶片和芯片基板12也可以由任何其他適當(dāng)?shù)幕宀牧?諸如，砷化鎵、銦鎵砷、銦鎵砷磷等)構(gòu)成。光學(xué)芯片10包括設(shè)計(jì)用于執(zhí)行光學(xué)芯片10的預(yù)期功能的電路14。在該示例性實(shí)施例中，電路14起馬赫-曾德爾(Mach-Zehnder)調(diào)制器的作用，并且適合用在例如光學(xué)遠(yuǎn)程通信中。盡管在該上下文中將主要描述電路14的部件，但是應(yīng)理解，電路14的設(shè)計(jì)可以是任何其他適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)，并且電路14可以執(zhí)行任何適當(dāng)?shù)钠谕δ?。在其最廣的意義上來說，光學(xué)芯片10的特定功能與本發(fā)明不是密切相關(guān)的。光學(xué)芯片10當(dāng)為其分開形式時(shí)包括用于將光輸入到電路14的輸入16以及用于輸出來自電路14的光的輸出18。輸入16經(jīng)由波導(dǎo)20耦合到電路14，并且輸出18經(jīng)由波導(dǎo)22耦合到電路14。如此處所使用的，波導(dǎo)是用于引導(dǎo)波(在該情況下為光學(xué)波(信號(hào))) 的結(jié)構(gòu)。波導(dǎo)可以使用本領(lǐng)域公知的任何方法而形成在光學(xué)芯片10上。例如，波導(dǎo)可以通過外延生長(zhǎng)和半導(dǎo)體蝕刻的公知方法來制造。馬赫-曾德爾調(diào)制器電路14的基本結(jié)構(gòu)包括多模干擾(MMI)耦合器M和34。匪I 耦合器對(duì)和34具有標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)并且在本領(lǐng)域已知的現(xiàn)有工藝設(shè)計(jì)規(guī)則內(nèi)實(shí)現(xiàn)。如在該示例性實(shí)施例中所使用的，匪I耦合器對(duì)和；34是2X2匪I耦合器。匪I耦合器對(duì)包括輸入沈和28以及輸出30和32。匪I耦合器；34包括輸入36和38以及輸出40和42。匪I耦合器 24的輸入沈經(jīng)由波導(dǎo)20耦合到輸入16，而輸入28未使用。然而，波導(dǎo)20可以替代地耦合到輸入28，而輸入沈可以不使用。匪I耦合器M的輸出30和32相應(yīng)地耦合到匪I耦合器；34的輸入36和38。更具體地，輸出30經(jīng)由波導(dǎo)44耦合到輸入36，并且輸出32經(jīng)由波導(dǎo)46耦合到輸入38。匪I耦合器34的輸出40經(jīng)由波導(dǎo)22耦合到輸出18。匪I耦合器 34的輸出42經(jīng)由波導(dǎo)50耦合到全吸收光檢測(cè)器48。全吸收光檢測(cè)器48也被稱為補(bǔ)充輸出，并且可以用在馬赫-曾德爾調(diào)制器電路14的測(cè)試中。這樣的測(cè)試可以在光學(xué)芯片10 仍為晶片形式時(shí)執(zhí)行，或者在光學(xué)芯片10從晶片分出之后執(zhí)行?？蛇x抽頭檢測(cè)器(tap detector)52,54和56分別沿波導(dǎo)20、22和50設(shè)置。每個(gè)抽頭檢測(cè)器5254和56能夠?qū)碜愿鱾€(gè)波導(dǎo)的光的小比例進(jìn)行分接和檢測(cè)。抽頭檢測(cè)器 56也可以稱為補(bǔ)充抽頭，因?yàn)樗c補(bǔ)充輸出相關(guān)聯(lián)。抽頭檢測(cè)器可以例如在光學(xué)遠(yuǎn)程通信中與光學(xué)芯片10的使用結(jié)合地使用。參照?qǐng)D2A，晶片100被示為包括以列和行布置的多個(gè)預(yù)分開的光學(xué)芯片10(例如， 10a、10b、IOc等)，其中，芯片10的列和行通過交叉的垂直分開線102和水平分開線104來限定。圖2的分開線102和104在晶片100上形成三列和六行的光學(xué)芯片，但是根據(jù)本發(fā)明的晶片不限于該特定數(shù)量的列和行。即，所示出的晶片100可以是、但是僅是整個(gè)晶片的示例性部分。替換地，根據(jù)本發(fā)明的晶片可以包括比圖2A所示少的列和/或行。包括在晶片100上的預(yù)分開的光學(xué)芯片每個(gè)均擁有相同的配置(即，圖1所示的配置)。然而，晶片100上的光學(xué)芯片可以彼此不同。例如，第一列中的光學(xué)芯片可以具有與第二列中的那些芯片不同的配置。還可能的是，存在于一個(gè)光學(xué)芯片上的一個(gè)或多個(gè)元件可以從晶片100上的其他光學(xué)芯片中的一個(gè)或多個(gè)中省略。在從晶片分出之前，給定光學(xué)芯片10與一個(gè)或多個(gè)其他光學(xué)芯片10鄰接。例如， 光學(xué)芯片IOa分別在其橫向端與光學(xué)芯片IOb和IOc鄰接，并且在其縱向端與光學(xué)芯片IOd 和IOe鄰接。用于測(cè)試光學(xué)芯片的電路的一個(gè)或多個(gè)犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)被包括在晶片上。在圖2A 所示的實(shí)施例中，用于測(cè)試給定光學(xué)芯片10 (例如，光學(xué)芯片IOa)的犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)布置在晶片上，以使得當(dāng)為晶片形式時(shí)它們被包括在一個(gè)或多個(gè)相鄰的光學(xué)芯片(例如，光學(xué)芯片 IOb和IOc)上。一旦從晶片分出光學(xué)芯片10，如圖1所示，用于分出的光學(xué)芯片10的犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)就被停用。犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)可以包括用于將光輸出到相鄰光學(xué)芯片的電路14的光源58。在一個(gè)實(shí)施例中，光源58可以是激光器。在另一實(shí)施例中，光源58可以是用于接收片外光源的波導(dǎo)光柵。光源58被示出為將光提供到單個(gè)相鄰光學(xué)芯片的電路14。然而，光源58還可以使用一系列分光器和波導(dǎo)(未示出)將光提供到多于一個(gè)光學(xué)芯片的電路14。光源58經(jīng)由相鄰光學(xué)芯片的波導(dǎo)20耦合到相鄰光學(xué)芯片的電路14。更具體地， 當(dāng)為晶片形式時(shí)，波導(dǎo)20包括犧牲部分20a，犧牲部分20a是犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的一部分并且耦合到光源58。S卩，在從晶片10分開光學(xué)芯片之前，犧牲波導(dǎo)20a實(shí)際上構(gòu)成相鄰芯片的波導(dǎo)20的一部分，該波導(dǎo)跨越垂直分開線102連續(xù)地延伸。當(dāng)從晶片100分開光學(xué)芯片時(shí)， 犧牲部分20a與波導(dǎo)20分離，從而將光源58與相鄰光學(xué)芯片的電路14解耦。犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)還可以包括一個(gè)或多個(gè)接收器62，接收器62用于接收、監(jiān)視和/或測(cè)量從測(cè)試中的相鄰光學(xué)芯片的電路14輸出的光。在一個(gè)實(shí)施例中，接收器62是光電二極管、光學(xué)功率監(jiān)視器和/或波長(zhǎng)監(jiān)視器。接收器62經(jīng)由相鄰光學(xué)芯片的波導(dǎo)22耦合到相鄰光學(xué)芯片的電路14。當(dāng)為晶片形式時(shí)，波導(dǎo)22包括犧牲部分22a，犧牲部分2 是犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的一部分并且耦合到接收器62。即，在從晶片100分開光學(xué)芯片之前，犧牲波導(dǎo)2 實(shí)際上形成跨越垂直分開線102 連續(xù)地延伸的波導(dǎo)22的一部分。當(dāng)從晶片100分開光學(xué)芯片時(shí)，犧牲部分22a與波導(dǎo)22 分離，從而將接收器62與相鄰光學(xué)芯片的電路14解耦。犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的布置不旨在限于圖1和2A所示的實(shí)施例。犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)可以以如下任何適當(dāng)?shù)姆绞絹聿贾闷湓试S使用晶片100上延伸超過給定預(yù)分開的光學(xué)芯片的邊界的元件來對(duì)該光學(xué)芯片進(jìn)行片上測(cè)試。例如，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)可以位于相鄰的或鄰接的光學(xué)芯片上，以使得波導(dǎo)20或22的犧牲部分20a或2 可以穿過分開線104。波導(dǎo)20或22
7的犧牲部分20a或2 還可以穿過多于一條分開線102或104。另外，盡管犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)以上被描述為經(jīng)由相鄰光學(xué)芯片的波導(dǎo)20的22而耦合到相鄰光學(xué)芯片的電路14，但是還應(yīng)想到，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)可以經(jīng)由與波導(dǎo)20和22無關(guān)的一個(gè)或多個(gè)犧牲波導(dǎo)(未示出)而耦合到相鄰光學(xué)芯片10的電路14的一個(gè)或多個(gè)部件。在從晶片分開光學(xué)芯片時(shí)，犧牲測(cè)試特征的一部分(即，犧牲波導(dǎo)的一部分)將留在相鄰光學(xué)芯片上。繼續(xù)參照?qǐng)D1和2A，此處描述光學(xué)芯片IOa的電路14的測(cè)試過程。該測(cè)試過程允許同時(shí)對(duì)晶片上的一些或所有光學(xué)芯片執(zhí)行測(cè)試。在一個(gè)實(shí)施例中，光學(xué)芯片的測(cè)試是同時(shí)的。在測(cè)試過程中，可以使用測(cè)試設(shè)備(未示出)來測(cè)試預(yù)分開的光學(xué)芯片。測(cè)試設(shè)備的一個(gè)或多個(gè)電極可以與光學(xué)芯片IOb的光源58接觸，并且光源58可以由測(cè)試設(shè)備來激勵(lì)和/或控制。光源58產(chǎn)生的光可以經(jīng)由波導(dǎo)20a和20而傳到相鄰光學(xué)芯片IOa的電路。 光從光學(xué)芯片IOa的電路14經(jīng)由波導(dǎo)22和2 輸出到相鄰光學(xué)芯片IOc的接收器62。接收器62還可以與測(cè)試設(shè)備的一個(gè)或多個(gè)電極接觸，并且測(cè)試設(shè)備可以監(jiān)視和記錄在測(cè)試期間接收器62所接收的光學(xué)信號(hào)。在電路14形成馬赫-曾德爾調(diào)制器的情況下，如同在該示例性實(shí)施例中，從電路14輸出的光還可以經(jīng)由波導(dǎo)50被光學(xué)芯片IOa上的全吸收光檢測(cè)器48接收。全吸收光檢測(cè)器48還可以與測(cè)試設(shè)備接觸，并且所接收的光可以被監(jiān)視。晶片上測(cè)試仍可以在在其兩個(gè)橫向端不包括相鄰光學(xué)芯片的那些芯片上執(zhí)行。例如，圖2A中與光學(xué)芯片IOb位于同一列中的光學(xué)芯片可以位于晶片100的末端，并且因此不具有與其靠近波導(dǎo)20的橫向端相鄰的一列光學(xué)芯片。類似地，位于與光學(xué)芯片IOc同一列中的光學(xué)芯片也可以位于晶片100的末端，并且因此不具有與其靠近波導(dǎo)22的橫向端相鄰的一列光學(xué)芯片。在這樣的情形下，晶片100可以包括具有一個(gè)或多個(gè)犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的可廢棄部分。圖2B示出了晶片100的可廢棄部分106包括光源58和波導(dǎo)20的犧牲部分 20a的實(shí)施例。圖2C示出了晶片100的可廢棄部分108包括接收器62和波導(dǎo)22的犧牲部分22a的實(shí)施例。此外，如該實(shí)施例所示，接收器62和犧牲部分2 可以從光學(xué)芯片IOb 省略，并且光源58和犧牲部分20a可以從光學(xué)芯片IOc省略，因?yàn)檫@些犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)將不耦合到相鄰光學(xué)芯片。測(cè)試可以以與上述類似的方式來進(jìn)行。繼續(xù)參照?qǐng)D2A，在測(cè)試光學(xué)芯片之后，可以沿分開線102和104分開晶片100，并且可以根據(jù)由晶片上測(cè)試得到的性能而容易地對(duì)芯片分類。作為該過程的結(jié)果，可以在分開時(shí)識(shí)別并丟棄有缺陷的芯片。分開光學(xué)芯片還將犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)與相鄰光學(xué)芯片的相應(yīng)波導(dǎo)20和22分隔開，由此停用犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)。因此，例如如圖1所示，用于諸如光學(xué)發(fā)射器、 調(diào)制器或接收器的應(yīng)用的光學(xué)芯片可以在其上具有用于在光學(xué)芯片是晶片100的一部分時(shí)測(cè)試相鄰芯片的電路14的犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的全部或一部分。在圖1和2A-C的實(shí)施例中，光學(xué)芯片的電路14以與光學(xué)芯片的緯度方向相對(duì)平行的定向來布置。但是，光學(xué)芯片的電路14可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞絹聿贾?。例如，圖3示出了晶片100，其中，光學(xué)芯片的電路14在對(duì)角線定向上布置在芯片上。相對(duì)于芯片對(duì)角地定向電路14提供了更高效地使用光學(xué)芯片的所占據(jù)的面積(即，“不動(dòng)產(chǎn)”)。這樣的定向還最小化或消除了波導(dǎo)彎曲的使用。光學(xué)芯片本身還可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞讲贾迷诰?00上。例如，圖4示出了示例性晶片100布置，其中光學(xué)芯片列相對(duì)于彼此偏移。將晶片上的芯片偏移芯片寬度的一定比例允許與光學(xué)芯片的緯度方向相對(duì)平行地定向電路14，同時(shí)還最小化或消除了波導(dǎo)中的彎曲。上述實(shí)施例包括將犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)布置在晶片上，以使得分出的光學(xué)芯片可以包括停用的犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的全部或一部分。但是，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)可以替代地以與關(guān)于圖2B和2C 所描述的方式類似的方式，位于在分開之后被廢棄的晶片部分上。圖5示出了示例性晶片 100布置，其中光源58、接收器62以及波導(dǎo)20和22的犧牲部分20a和2 位于晶片的可廢棄部分110上。在該實(shí)施例中，可廢棄部分110使光學(xué)芯片列分隔開。然而，可廢棄部分 110可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞讲贾迷诰?。例如，可廢棄部分110可以替代地布置在晶片上，使得其使光學(xué)芯片行分隔開。通過將犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)置在可廢棄部分110中，犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)不占用分出的光學(xué)芯片上的不動(dòng)產(chǎn)。當(dāng)然，關(guān)于圖3和4所討論的光學(xué)芯片和電路的定向也可以在圖5所示的實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。在圖3-5的實(shí)施例中，可以如關(guān)于圖1和2A-C描述的那樣進(jìn)行光學(xué)芯片的晶片上測(cè)試。晶片還可以沿線102和104被分開。鑒于上述，應(yīng)理解，本發(fā)明的特征提供了在為晶片形式時(shí)對(duì)光學(xué)芯片的光學(xué)功能的同時(shí)測(cè)試。本發(fā)明的特征最小化了與光學(xué)芯片的測(cè)試相關(guān)聯(lián)的對(duì)準(zhǔn)時(shí)間，同時(shí)還允許在為晶片形式時(shí)對(duì)光學(xué)芯片的電路進(jìn)行一系列的光學(xué)測(cè)試。盡管關(guān)于一個(gè)或多個(gè)特定實(shí)施例示出和描述了本發(fā)明，但是對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明顯的是，在閱讀并理解了本說明書和附圖后，可進(jìn)行等同的變更和修改。特別地，關(guān)于上述元件(部件、組件、設(shè)備、組成等)所執(zhí)行的各種功能，用于描述這樣的元件的術(shù)語(包括對(duì)“裝置”的引用)旨在對(duì)應(yīng)于(除非另外指出)執(zhí)行所描述的元件的指定功能的任何元件 (即，其是功能上等同的)，即使結(jié)構(gòu)上與此處示出的本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例中執(zhí)行功能的所公開的結(jié)構(gòu)不等同。另外，盡管以上已僅關(guān)于多個(gè)所示實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)描述了本發(fā)明的特定特征，但是這樣的特征可以與其他實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)其他的特征組合，這對(duì)于任何給定或特定應(yīng)用可以是所期望的和有利的。
權(quán)利要求
1.一種晶片，從所述晶片分開多個(gè)光學(xué)芯片，每個(gè)光學(xué)芯片被配置成執(zhí)行相應(yīng)的光學(xué)功能，所述晶片包括所述多個(gè)光學(xué)芯片當(dāng)中的第一光學(xué)芯片；以及犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)，用于測(cè)試所述第一光學(xué)芯片或所述晶片上的鄰接光學(xué)芯片的光學(xué)功能，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)布置在所述晶片上，使得在從所述晶片分開所述第一光學(xué)芯片時(shí)，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的至少一部分與所述第一光學(xué)芯片分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的所述至少一部分布置在所述晶片上的所述多個(gè)光學(xué)芯片當(dāng)中的第二光學(xué)芯片上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片，其中，所述第二光學(xué)芯片與所述第一光學(xué)芯片相鄰。
4.根據(jù)權(quán)利要求2和3中任一項(xiàng)所述的晶片，其中，所述第二光學(xué)芯片與所述第一光學(xué)芯片橫向偏移。
5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的晶片，其中，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的至少另一部分布置在所述晶片上的所述多個(gè)光學(xué)芯片當(dāng)中的第三光學(xué)芯片上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片，其中，所述第三光學(xué)芯片與所述第一光學(xué)芯片相鄰。
7.根據(jù)權(quán)利要求5和6中任一項(xiàng)所述的晶片，其中，所述第三光學(xué)芯片與所述第一光學(xué)芯片橫向偏移。
8.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的晶片，其中，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的至少另一部分布置在所述晶片的可廢棄部分上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的所述至少一部分布置在所述晶片的可廢棄部分上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的晶片，其中，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)的至少一部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的晶片，其中，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)光源。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片，其中，所述光源是激光器或波導(dǎo)光柵中的至少一個(gè)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的晶片，其中，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)接收器。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片，其中，所述接收器是光電二極管、光學(xué)功率監(jiān)視器或波長(zhǎng)監(jiān)視器中的至少一個(gè)。
15.一種從晶片分出的光學(xué)芯片，其中從所述晶片分出多個(gè)光學(xué)芯片，所述光學(xué)芯片被配置成執(zhí)行光學(xué)功能并且包括用于執(zhí)行所述光學(xué)功能的電路；以及犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的至少一部分，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)用于測(cè)試在從所述晶片分出所述光學(xué)芯片之前，所述光學(xué)芯片或鄰接光學(xué)芯片的所述電路的光學(xué)功能。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)芯片，其中，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)包括光源、接收器或波導(dǎo)的分離部分中的至少一個(gè)。
17.一種用于測(cè)試和處理晶片上的多個(gè)光學(xué)芯片當(dāng)中的第一光學(xué)芯片的方法，每個(gè)光學(xué)芯片被配置成執(zhí)行相應(yīng)的光學(xué)功能，所述方法包括接觸犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)用于測(cè)試所述晶片上的所述第一光學(xué)芯片或鄰接光學(xué)芯片的特性，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)布置在所述晶片上； 控制和監(jiān)視所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)；以及從所述晶片分開所述第一光學(xué)芯片，使得在從所述晶片分開所述第一光學(xué)芯片時(shí)，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的至少一部分與所述第一光學(xué)芯片分離。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片，其中，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)的所述至少一部分布置在所述晶片上的所述多個(gè)光學(xué)芯片當(dāng)中的第二光學(xué)芯片或所述晶片的可廢棄部分中的至少一個(gè)上。
19.根據(jù)權(quán)利要求17-18中任一項(xiàng)所述的晶片，其中，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)的至少一部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求17-19中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述犧牲測(cè)試結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)光源和至少一個(gè)接收器。
全文摘要
犧牲光學(xué)測(cè)試結(jié)構(gòu)被構(gòu)造在預(yù)分開的光學(xué)芯片(10)的晶片(100)上，用于測(cè)試預(yù)分開的光學(xué)芯片(10)的光學(xué)功能。犧牲光學(xué)結(jié)構(gòu)在從晶片(100)分開光學(xué)芯片(10)時(shí)被停用，并且被分開的光學(xué)芯片(10)可以用于它們期望的端功能。測(cè)試結(jié)構(gòu)可以留在分開的光學(xué)芯片(10)上或者它們可以被丟棄。
文檔編號(hào)G01M11/00GK102449456SQ201080023998
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2010年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月1日
發(fā)明者C. 卡特 A., N. 朗利 L., D. 懷特布里德 N. 申請(qǐng)人:奧蘭若技術(shù)有限公司