專利名稱：氧傳感器芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及氧化鋯傳感器用集成芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種片狀氧傳感器芯片的 制造方法。
背景技術(shù)：
隨著汽車排放法規(guī)的日益提高，對廢氣排放控制要求也越來越高，為此汽車發(fā)動 機(jī)需要更短的冷啟動時間來滿足要求。同時考慮能源節(jié)省的需要，一種集成度高、體積小、 消耗功率小、啟動速度快的片式氧傳感器成為一種趨勢，以滿足發(fā)動機(jī)電噴系統(tǒng)冷啟動后 盡可能快速進(jìn)入閉環(huán)控制的要求，同時降低氧傳感器的電能消耗。目前已有的片式傳感器結(jié)構(gòu)主要由3層氧化鋯基板和若干功能厚膜層組成，氧化 鋯基板主要通過流延或者軋膜的方法成型，而厚膜功能層主要通過絲網(wǎng)印刷技術(shù)獲得。氧 傳感器的測量電極和參比電極分別形成于基板的內(nèi)外表面上，通過沖壓成型將基板的中部 沖開一道狹長的口子，以便形成參比空氣通道；而由陶瓷絕緣層包裹的鉬加熱元件配置在 底部基板的內(nèi)表面上，還要在基板的末端打兩個通孔將內(nèi)表面的加熱元件同外表面末端的 加熱電極片連接起來，這樣就構(gòu)成了敏感元件和加熱元件集成一體的片式氧傳感器結(jié)構(gòu)。 但該結(jié)構(gòu)厚度厚、體積大、制作工序復(fù)雜，且加熱元件以包裹形式植于傳感器內(nèi)部，穩(wěn)定性 比較差，且容易漏電。雖然專利“03136011. 4”提出了更小的一種結(jié)構(gòu)，但主要是在寬度方 面減少，而且其結(jié)構(gòu)至少也要3層來構(gòu)建，工序也更為復(fù)雜。為了解決上述問題，中國專利號“201010147931. 6”提供了一種集成片式氧傳感器 及其制作方法，其申請日為2010年4月16日，
公開日為2010年8月18日，其制備方法包 括以下步驟第一步，將5%摩爾氧化釔的氧化鋯粉末同PVB、松油醇和鄰苯二甲酸二丁酯 (DBP)以70 86 :6 12 :4 9 :4 9的質(zhì)量比混合球磨制備成漿體，然后通過雙刀口技 術(shù)流延成型，自然干燥后制成氧化鋯生坯帶，再通過模具沖壓成基片坯體，即上層氧化鋯基 板；然后將含有70% 90%鉬粉的電極漿料和導(dǎo)電漿料印刷在上層氧化鋯基板的內(nèi)外表 面，形成測量電極和參比電極；內(nèi)表面電極通過上層氧化鋯基板末端沖壓形成的電極連接 通孔與外表面的內(nèi)電極連接片(19)相連；第二步，將石墨粉、PVB、松油醇和柔軟劑以30 46 20 30 :16 M :10 M的質(zhì)量比混合充分，形成可絲網(wǎng)印刷漿料，并將該漿料印刷 并覆蓋在內(nèi)電極表面上；該參比空氣擴(kuò)散縫隙印刷層寬度要介于上層氧化鋯基板和參比電 極寬度之間，厚度要達(dá)到15到50微米，燒結(jié)后就會形成狹長縫隙；第三步，將5%摩爾氧化 釔的氧化鋯粉末同PVB、松油醇和鄰苯二甲酸二丁酯(DBP)以70 86 :6 12 :4 9 :4 9的質(zhì)量比混合球磨制備成漿體，然后通過雙刀口技術(shù)流延成型，自然干燥后制成氧化鋯生 坯帶，再通過模具沖壓成基片坯體，即下層氧化鋯基板；將含有純度達(dá)到97%以上的氧化 鋁粉末的漿料印刷在下層氧化鋯基板的外表面，制備氧化鋁陶瓷絕緣層；然后將含有鉬粉 的導(dǎo)電漿料印刷在該氧化鋁陶瓷絕緣層上，并一次印刷形成鉬加熱元件和加熱電極片；第 四步，接下來，用含有氧化鋯粉的粘合劑將上層氧化鋯基板和下層氧化鋯基板層疊在一起， 加熱至40 60度同時壓緊密實(shí)，再將測量電極端浸入含有鎂鋁尖晶石的漿料中提拉，形成
3包裹一體的多孔陶瓷保護(hù)層；第五步，合并包裹成一體的生坯在1300 1500度高溫?zé)Y(jié) 1 3個小時，制備出集成片式氧傳感器。但該技術(shù)還存在如下不足一、由于采用低分子 混合劑進(jìn)行混合球磨，所形成的混合物分子結(jié)構(gòu)上空隙率較大，從而使得做出來的鋯體強(qiáng) 度達(dá)不到流延成型所需要的強(qiáng)度需求。二、低分子混合物在做成半成品后，由于致密性達(dá)不 到要求，抗熱震性能相對偏低，嚴(yán)重影響其使用壽命。三、漿體在流延成型過程中，上述操作 溫度在4(Γ60度之間，易形成流狀物難以切割成型。四、涂制電極過程中由于采用709Γ90% 的鉬粉混合物，易使得絲網(wǎng)印刷過程中造成電極中斷，增加廢品率。五、在制作過程中采用 鎂鋁尖晶石提拉，跟氧化鋯粉末所形成的基體是很難共燒結(jié)的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有片式氧傳感器的制作方法存在的上述問題，提供一種 片狀氧傳感器芯片的制造方法，本發(fā)明通過降低氧化鋯基體內(nèi)的孔隙率，從而增加氧化鋯 基體的密度，加強(qiáng)氧化鋯基體的強(qiáng)度和硬度，使氧化鋯芯的響應(yīng)時間加快，并且降低了氧化 鋯芯的能耗。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下
一種片狀氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步驟 Α、將氧化鋯粉末在12(Γ180度下加入松油醇、石蠟混合形成固體狀態(tài)的氧化鋯混合 料，氧化鋯粉末、松油醇和石蠟的摩爾配比為7(T80 :10^20 20^30 ；
B、再將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料壓制成薄片狀氧化鋯胚體；
C、將氧化鋯胚體切割成所需要的片狀氧化鋯基體，自然冷卻成型；
D、在冷卻后的氧化鋯基體兩側(cè)分別均勻涂制加熱棒用鉬漿層和機(jī)體外電極用鉬漿層， 再壓制成整體的片狀基體；
E、將片狀基體放入氧化鋯粉末混合料中形成所需的毛坯，自然冷卻后去除電極部分處 的氧化鋯粉末；
F、再將毛坯脫脂、燒結(jié)成型氧傳感器芯片。所述A步驟中，固體狀態(tài)的氧化鋯混合料的硬度HRA>30。所述A步驟中，氧化鋯粉末中含有3 — 8mo 1氧化釔。所述B步驟中，將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料反復(fù)3飛次壓制成薄片狀氧化鋯胚體。所述B步驟中采用沖壓的方式進(jìn)行壓制，壓力為廣2噸。所述B步驟中薄片狀氧化鋯胚體的厚度應(yīng)保持在1毫米以內(nèi)。所述C步驟中，將氧化鋯胚體是通過模具切割成所需要的片狀氧化鋯基體，切割 壓力為120—180噸。所述D步驟中的加熱棒用鉬漿層和機(jī)體外電極用鉬漿層的電阻值為8 —10歐姆。所述D步驟中的壓力為廣2噸。所述F步驟中，在溫度為30(T145(TC進(jìn)行脫脂、燒結(jié)。所述F步驟中，脫脂、燒結(jié)是在保護(hù)氣環(huán)境中進(jìn)行的。采用本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于
一、本發(fā)明可以降低氧化鋯基體內(nèi)的孔隙率，從而增加氧化鋯基體的密度，加強(qiáng)氧化鋯 基體的強(qiáng)度和硬度，使氧化鋯芯的響應(yīng)時間加快，并且降低了氧化鋯芯的能耗，提高了氧化鋯芯片的使用壽命，本發(fā)明的工藝有效的降低了生產(chǎn)成本，簡化制作工藝，適于批量生產(chǎn)。二、采用本發(fā)明制備的氧傳感器芯片，可以降低汽車尾氣的排放污染，增加電噴發(fā) 動機(jī)內(nèi)氣氛的燃燒程度，節(jié)約了汽油的燃燒成本，氧傳感器芯片具有結(jié)構(gòu)簡單，響應(yīng)時間短 (少于10秒)，測量范圍寬(從ppm到百分含量)，使用溫度高(350 800°C )，運(yùn)行可靠， 安裝方便，維護(hù)量小等優(yōu)點(diǎn)，因此在汽車上得到廣泛的應(yīng)用。三、本發(fā)明中，將含有3—Smol氧化釔成分的氧化鋯粉末混合料在12(Γ180溫度下 通過配比適當(dāng)?shù)恼澈蟿┬纬晒腆w狀態(tài)的氧化鋯混合料，固體狀態(tài)的氧化鋯混合料具有一定 的硬度，適于生產(chǎn)陶瓷基體用。四、本發(fā)明中，將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料壓制成薄片狀氧化鋯胚體，使得制作出 的氧化鋯胚體具備很高的強(qiáng)度和硬度，解決了傳統(tǒng)工藝中流延成型工藝產(chǎn)生的胚體強(qiáng)度、 硬度不夠，所產(chǎn)生的加工難度。五、本發(fā)明中，將氧化鋯胚體切割成所需要的片狀氧化鋯基體，自然冷卻成型，解 決了傳統(tǒng)工藝中漿料的風(fēng)干冷卻存在的不足，使氧化鋯料具有一定的強(qiáng)度，減少了制作工 藝步驟，降低生產(chǎn)成本，方便操作。六、本發(fā)明中，在冷卻后的氧化鋯基體兩側(cè)分別均勻涂制加熱棒用鉬漿層和機(jī)體 外電極用鉬漿層，再壓制成整體的片狀基體，將鉬漿均勻涂制在氧化鋯胚料上，將加熱片電 極與探頭電極分開壓制，杜絕了雙片式氧化鋯芯加熱片電極對內(nèi)外電極信號的影響，并解 決了管式氧化鋯芯存在的啟動相應(yīng)時間長，反應(yīng)速度慢等一系列問題。七、本發(fā)明中，將片狀基體放入氧化鋯粉末混合料中，提拉成所需的毛坯，自然冷 卻后去除電極部分處的氧化鋯粉末，由于采用與氧化鋯基體同等的原材料，使得氧化鋯片 更易于共燒結(jié)，解決了其他工藝共燒結(jié)片基體與邊料燒結(jié)剝離產(chǎn)生空隙的問題。八、本發(fā)明中，進(jìn)行脫脂、燒結(jié)成型氧傳感器芯片，將脫脂、燒結(jié)工藝結(jié)合在一起， 增加了燒結(jié)成型的成品率，達(dá)到批量生產(chǎn)要求。


圖1為本發(fā)明工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1
一種片狀氧傳感器芯片的制造方法，包括如下步驟
Α、將氧化鋯粉末在120度下加入松油醇、石蠟混合形成固體狀態(tài)的氧化鋯混合料，氧 化鋯粉末、松油醇和石蠟的摩爾配比為70 10 20 ；
B、再將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料壓制成薄片狀氧化鋯胚體；
C、將氧化鋯胚體切割成所需要的片狀氧化鋯基體，自然冷卻成型；
D、在冷卻后的氧化鋯基體兩側(cè)分別均勻涂制加熱棒用鉬漿層和機(jī)體外電極用鉬漿層， 再壓制成整體的片狀基體；
Ε、將片狀基體放入氧化鋯粉末混合料中形成所需的毛坯，自然冷卻后去除電極部分處 的氧化鋯粉末；
F、再將毛坯進(jìn)行脫脂、燒結(jié)成型氧傳感器芯片。
本發(fā)明的優(yōu)選方式為，A步驟中，固體狀態(tài)的氧化鋯混合料的硬度HRA>30。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，A步驟中，氧化鋯粉末中含有3mol氧化釔。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，B步驟中，將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料反復(fù)3次壓制成薄片 狀氧化鋯胚體。通過反復(fù)壓制達(dá)到相應(yīng)的厚度要求，并減少固體混合料內(nèi)氣孔的數(shù)量。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，B步驟中采用沖壓的方式進(jìn)行壓制，壓力為1噸。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，B步驟中薄片狀氧化鋯胚體的厚度應(yīng)保持在1毫米以內(nèi)。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，C步驟中，將氧化鋯胚體是通過模具切割成所需要的片狀氧 化鋯基體，切割壓力為120噸。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，D步驟中的加熱棒用鉬漿層和機(jī)體外電極用鉬漿層的電阻 值為8歐姆。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，D步驟中的壓力為1噸。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，F(xiàn)步驟中，在溫度為300°C進(jìn)行脫脂、燒結(jié)，脫脂、燒結(jié)工藝 與現(xiàn)有技術(shù)相同。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，F(xiàn)步驟中，脫脂、燒結(jié)是在保護(hù)氣環(huán)境中進(jìn)行的。實(shí)施例2
一種片狀氧傳感器芯片的制造方法，包括如下步驟
A、將氧化鋯粉末在180度下加入松油醇、石蠟混合形成固體狀態(tài)的氧化鋯混合料，氧 化鋯粉末、松油醇和石蠟的摩爾配比為80 20 30 ；
B、再將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料壓制成薄片狀氧化鋯胚體；
C、將氧化鋯胚體切割成所需要的片狀氧化鋯基體，自然冷卻成型；
D、在冷卻后的氧化鋯基體兩側(cè)分別均勻涂制加熱棒用鉬漿層和機(jī)體外電極用鉬漿層， 再壓制成整體的片狀基體；
E、將片狀基體放入氧化鋯粉末混合料中形成所需的毛坯，自然冷卻后去除電極部分處 的氧化鋯粉末；
F、再將毛坯脫脂、燒結(jié)成型氧傳感器芯片。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，A步驟中，固體狀態(tài)的氧化鋯混合料的硬度HRA>30。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，A步驟中，氧化鋯粉末中含有Smol氧化釔。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，B步驟中，將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料反復(fù)5次壓制成薄片 狀氧化鋯胚體。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，B步驟中采用沖壓的方式進(jìn)行壓制，壓力為2噸。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，B步驟中薄片狀氧化鋯胚體的厚度應(yīng)保持在1毫米以內(nèi)。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，C步驟中，將氧化鋯胚體是通過模具切割成所需要的片狀氧 化鋯基體，切割壓力為180噸。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，D步驟中的加熱棒用鉬漿層和機(jī)體外電極用鉬漿層的電阻 值為10歐姆。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，D步驟中的壓力為2噸。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，F(xiàn)步驟中，在溫度為1450°C進(jìn)行脫脂、燒結(jié)。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，F(xiàn)步驟中，脫脂、燒結(jié)是在保護(hù)氣環(huán)境中進(jìn)行的。實(shí)施例3一種片狀氧傳感器芯片的制造方法，包括如下步驟
A、將氧化鋯粉末在150度下加入松油醇、石蠟混合形成固體狀態(tài)的氧化鋯混合料，氧 化鋯粉末、松油醇和石蠟的摩爾配比為75 15 25 ；
B、再將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料壓制成薄片狀氧化鋯胚體；
C、將氧化鋯胚體切割成所需要的片狀氧化鋯基體，自然冷卻成型；
D、在冷卻后的氧化鋯基體兩側(cè)分別均勻涂制加熱棒用鉬漿層和機(jī)體外電極用鉬漿層， 再壓制成整體的片狀基體；
E、將片狀基體放入氧化鋯粉末混合料中形成所需的毛坯，自然冷卻后去除電極部分處 的氧化鋯粉末；
F、再將毛坯脫脂、燒結(jié)成型氧傳感器芯片。所述A步驟中，固體狀態(tài)的氧化鋯混合料的硬度HRA>30。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，A步驟中，氧化鋯粉末中含有5mol氧化釔。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，B步驟中，將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料反復(fù)4次壓制成薄片 狀氧化鋯胚體。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，B步驟中采用沖壓的方式進(jìn)行壓制，壓力為1. 5噸。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，B步驟中薄片狀氧化鋯胚體的厚度應(yīng)保持在1毫米以內(nèi)。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，C步驟中，將氧化鋯胚體是通過模具切割成所需要的片狀氧 化鋯基體，切割壓力為150噸。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，D步驟中的加熱棒用鉬漿層和機(jī)體外電極用鉬漿層的電阻 值為9歐姆。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，D步驟中的壓力為1. 2噸。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，F(xiàn)步驟中，在溫度為1000°C進(jìn)行脫脂、燒結(jié)。本發(fā)明的優(yōu)選方式為，F(xiàn)步驟中，脫脂、燒結(jié)是在保護(hù)氣環(huán)境中進(jìn)行的。實(shí)施例4
一種片狀氧傳感器芯片的制造方法，包括如下步驟
A、將含有6mol氧化釔的氧化鋯粉末在160度下加入松油醇、石蠟混合形成固體狀態(tài)的 氧化鋯混合料，氧化鋯粉末、松油醇和石蠟的摩爾配比為76 16 26 ；
B、再將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料壓制成薄片狀氧化鋯胚體，壓力應(yīng)該保證均勻，壓力 在2噸，并以沖壓的方式進(jìn)行壓制，薄片厚度應(yīng)保持在1毫米以內(nèi)；
C、將氧化鋯胚體切割成所需要的片狀氧化鋯基體，自然冷卻成型；
D、在冷卻后的氧化鋯基體兩側(cè)分別均勻涂制加熱棒用鉬漿層和機(jī)體外電極用鉬漿層， 且使加熱棒用鉬漿層和機(jī)體外電極用鉬漿層的電阻值達(dá)到8—10歐姆以內(nèi)，再在2噸壓力 下壓制成整體的片狀基體；
E、將片狀基體放入氧化鋯粉末混合料中形成所需的毛坯，既使片狀基體包裹在含有 3-8mol氧化釔的氧化鋯粉末混合料中，自然冷卻后去除電極部分處的氧化鋯粉末；
F、再進(jìn)行脫脂、燒結(jié)成型氧傳感器芯片，在持續(xù)升溫30(Tl45(rC進(jìn)行脫脂、燒結(jié)。在A步驟中，固體狀態(tài)的氧化鋯混合料的硬度為HRA>30。在B步驟中，將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料反復(fù)4次壓制成薄片狀氧化鋯胚體。通 過反復(fù)壓制達(dá)到相應(yīng)的厚度要求，并減少固體混合料內(nèi)氣孔的數(shù)量。
在C步驟中，將氧化鋯胚體在通過模具切割下切割成所需要的片狀氧化鋯基體。 在F步驟中，脫脂、燒結(jié)是在保護(hù)氣環(huán)境中進(jìn)行的。
權(quán)利要求
1.一種片狀氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步驟A、將氧化鋯粉末在12(Γ180度下加入松油醇、石蠟混合形成固體狀態(tài)的氧化鋯混合 料，氧化鋯粉末、松油醇和石蠟的摩爾配比為7(T80 :10^20 20^30 ；B、再將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料壓制成薄片狀氧化鋯胚體；C、將氧化鋯胚體切割成所需要的片狀氧化鋯基體，自然冷卻成型；D、在冷卻后的氧化鋯基體兩側(cè)分別均勻涂制加熱棒用鉬漿層和機(jī)體外電極用鉬漿層， 再壓制成整體的片狀基體；E、將片狀基體放入氧化鋯粉末混合料中形成所需的毛坯，自然冷卻后去除電極部分處 的氧化鋯粉末；F、再將毛坯脫脂、燒結(jié)成型氧傳感器芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片狀氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所述A步驟中， 固體狀態(tài)的氧化鋯混合料的硬度HRA>30。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的片狀氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所述A步 驟的氧化鋯粉末中含有3 — Smol氧化釔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的片狀氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所述B步驟中， 將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料反復(fù)3飛次壓制成薄片狀氧化鋯胚體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的片狀氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所述B步驟中 采用沖壓的方式進(jìn)行壓制，壓力為廣2噸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的片狀氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所述B步驟中 薄片狀氧化鋯胚體的厚度應(yīng)保持在1毫米以內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、5或6所述的片狀氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所 述C步驟中，將氧化鋯胚體是通過模具切割成所需要的片狀氧化鋯基體，切割壓力為120— 180 噸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的片狀氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所述D步驟中 的加熱棒用鉬漿層和機(jī)體外電極用鉬漿層的電阻值為8—10歐姆。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的片狀氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所述D步驟中 的壓力為1 2噸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的片狀氧傳感器芯片的制造方法，其特征在于所述F步驟 中，在溫度為30(T145(TC進(jìn)行脫脂、燒結(jié)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種片狀氧傳感器芯片的制造方法，包括如下步驟在氧化鋯粉末中加入松油醇、石蠟混合形成固體狀態(tài)的氧化鋯混合料；再將固體狀態(tài)的氧化鋯混合料壓制成薄片狀氧化鋯胚體；將氧化鋯胚體切割成所需要的片狀氧化鋯基體，自然冷卻成型；在冷卻后的氧化鋯基體兩側(cè)分別均勻涂制加熱棒用鉑漿層和機(jī)體外電極用鉑漿層，再壓制成整體的片狀基體；將片狀基體放入氧化鋯粉末混合料中形成所需的毛坯，自然冷卻后去除電極部分處的氧化鋯粉末；再將毛坯脫脂、燒結(jié)成型氧傳感器芯片。本發(fā)明通過降低氧化鋯基體內(nèi)的孔隙率，從而增加氧化鋯基體的密度，加強(qiáng)氧化鋯基體的強(qiáng)度和硬度，使氧化鋯芯的響應(yīng)時間加快，并且降低了氧化鋯芯的能耗。
文檔編號G01N27/00GK102140953SQ20101061499
公開日2011年8月3日 申請日期2010年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月30日
發(fā)明者楊勇 申請人:西藏瑞陽科技發(fā)展有限公司