專利名稱：預(yù)清潔測(cè)試方法及測(cè)試卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是與用以電性檢測(cè)電子組件的前置作業(yè)及設(shè)備有關(guān)，更詳而言之是指一種預(yù)清潔測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體晶粒、集成電路或其它電子電路的信號(hào)承載基板等電子組件的待測(cè)墊的電性檢測(cè)是否確實(shí)，攸關(guān)該電子組件的生產(chǎn)良率、成本與品質(zhì)好壞，由于被檢測(cè)的待測(cè)墊的表面經(jīng)常形成因氧化或污染構(gòu)成的一隔離膜，或者為避免待測(cè)墊表面損傷，制造商會(huì)施加一層隔離膜加以保護(hù)，該隔離膜通常為不良導(dǎo)體，在測(cè)試時(shí)若未加去除或去除不干凈，該隔離膜會(huì)阻礙測(cè)試探針與受測(cè)電子組件中間的接觸通電效果，進(jìn)而影響電性檢測(cè)的精準(zhǔn)度。為此，已知技術(shù)在使用探針卡進(jìn)行通電測(cè)試時(shí)，會(huì)施以較大的接觸壓力令其測(cè)試探針的針尖以刮除方式破壞該隔離膜，以便測(cè)試探針的針尖能確實(shí)地與隔離膜下方的良好導(dǎo)電金屬層接觸通電，據(jù)以進(jìn)行電性檢測(cè)。然而，上述測(cè)試探針既為刮除工具，又為一測(cè)試信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)，隨著測(cè)試時(shí)間增加，其針尖部位將堆積該被刮除的隔離膜碎屑，造成測(cè)試探針與受測(cè)電子組件中間接觸阻抗變動(dòng)與增加，嚴(yán)重者更因高電阻通電發(fā)熱導(dǎo)致碎屑燒熔 (fritting)固著于針尖，使測(cè)試作業(yè)被迫中斷。為此，使用者必須經(jīng)常性的清潔探針針尖， 因而大幅增加測(cè)試時(shí)數(shù)與生產(chǎn)成本；若有碎屑燒熔固著于針尖的情形發(fā)生時(shí)，更需要以研磨方式去除該燒熔物質(zhì)，此時(shí)針尖將會(huì)因此磨耗縮短，造成探針卡使用壽命縮短。為改善上述缺點(diǎn)，中國臺(tái)灣發(fā)明專利公告號(hào)第567313號(hào)“接觸式探針及其制造方法與檢測(cè)裝置和檢測(cè)方法”提供一種改良技術(shù)，請(qǐng)參閱圖1所示，其于每一測(cè)試探針1附近增設(shè)一流動(dòng)路徑管2，各流動(dòng)路徑管2彼此相通且供還原氣體3流通，由預(yù)先控制還原氣體 3吹噴受測(cè)電子組件4表面的氧化物隔離膜如以產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)并達(dá)清潔目的，以便于測(cè)試探針1確實(shí)點(diǎn)觸受測(cè)電子組件4的良好導(dǎo)電金屬表面4b。誠然前述技術(shù)雖無熔塊固著于針尖所帶來的問題與缺點(diǎn)，但實(shí)際執(zhí)行上會(huì)產(chǎn)生下列問題，即配合該技術(shù)的化學(xué)管路結(jié)構(gòu)復(fù)雜且制作不易；其次，于每次通電測(cè)試之前，皆需等待還原氣體3反應(yīng)完畢后方可使用測(cè)試探針1以進(jìn)行測(cè)試，因而拉長(zhǎng)測(cè)試時(shí)間與增加測(cè)試成本；再者，氣體化學(xué)反應(yīng)有均勻性分布與批次問題，測(cè)試環(huán)境溫度也會(huì)影響化學(xué)反應(yīng)速度，因而增加化學(xué)反應(yīng)作業(yè)的變量；又，通電測(cè)試多于高溫環(huán)境下進(jìn)行，檢測(cè)機(jī)內(nèi)部電路長(zhǎng)期暴露在高溫化學(xué)反應(yīng)環(huán)境下容易因此腐蝕損壞，且化學(xué)藥劑也容易堆積在測(cè)試機(jī)內(nèi)。綜合以上缺點(diǎn)，此類檢測(cè)機(jī)必須特別設(shè)計(jì)以避免電性作業(yè)與化學(xué)反應(yīng)二者相互影響與干擾，對(duì)此，檢測(cè)機(jī)結(jié)構(gòu)勢(shì)將更為復(fù)雜與提高制作成本，且不利維護(hù)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種預(yù)清潔測(cè)試方法及測(cè)試卡，其有助于提升測(cè)試效率，及提高測(cè)試裝置的電性測(cè)試穩(wěn)定性。緣以達(dá)成上述目的，本發(fā)明所提供的預(yù)清潔測(cè)試方法包括先以一清潔裝置與一待
3測(cè)電子組件定位與進(jìn)行預(yù)清潔作業(yè)后，再以另一測(cè)試裝置與該待測(cè)電子組件定位與進(jìn)行電性測(cè)試作業(yè)。上述預(yù)清潔測(cè)試方法可以采用清潔作業(yè)在測(cè)試生產(chǎn)線上同步進(jìn)行，或清潔作業(yè)進(jìn)行完畢后再投入測(cè)試生產(chǎn)線進(jìn)行測(cè)試兩種。依據(jù)上述構(gòu)想，該同步作業(yè)模式的裝置結(jié)構(gòu)包括一本體，及附設(shè)于該本體的至少一清潔單元與至少一測(cè)試單元，該清潔單元用以刮除該待測(cè)電子組件的待測(cè)墊表面的隔離膜，并使該待測(cè)墊露出一良好導(dǎo)電表面，再以該測(cè)試單元點(diǎn)觸該良好導(dǎo)電表面進(jìn)行電性測(cè)
試ο進(jìn)一步地，前述同步作業(yè)模式中，該清潔單元可施加較測(cè)試單元更大的壓力于該測(cè)試墊表面，不但使該清潔單元可提供足夠壓力以刮除該隔離膜外，同時(shí)該測(cè)試單元可適當(dāng)輕觸該測(cè)試墊表面，提供良好電性接觸但不會(huì)刮損測(cè)試墊并污染該測(cè)試單元尖端。依據(jù)上述構(gòu)想，本發(fā)明在離線作業(yè)模式方面，其表面預(yù)清潔作業(yè)可選自使用一具有多個(gè)清潔單元的預(yù)清潔裝置去除該待測(cè)電子組件的隔離膜，再將該待測(cè)電子組件投入測(cè)試生產(chǎn)線上，以另一具備多個(gè)測(cè)試單元的測(cè)試裝置進(jìn)行電性測(cè)試。


為能更清楚地說明本發(fā)明，以下列舉較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后，其中圖1為現(xiàn)有接觸式探針的檢測(cè)示意圖。圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的流程圖。圖3㈧至圖3(D)為本發(fā)明上述較佳實(shí)施例使用的預(yù)清潔測(cè)試作業(yè)說明圖標(biāo)。圖4為一立體圖，為本發(fā)明使用的清潔單元結(jié)構(gòu)。圖5為一立體圖，為本發(fā)明使用的另一種清潔單元結(jié)構(gòu)。圖6(A)至圖6(D)說明清潔裝置與測(cè)試裝置的不同配置方式。圖7㈧至圖7(F)說明同步作業(yè)模式的預(yù)清潔測(cè)試實(shí)施方式。圖8為本發(fā)明測(cè)試卡的一種實(shí)施結(jié)構(gòu)。圖9為本發(fā)明測(cè)試卡的另一種實(shí)施結(jié)構(gòu)。圖10(A)至圖10(D)說明離線作業(yè)模式的預(yù)清潔測(cè)試實(shí)施方式。
具體實(shí)施例方式圖2為本發(fā)明的預(yù)清潔測(cè)試方法步驟，請(qǐng)?jiān)倥浜蠄D3(A)至圖3(D)，其中步驟a、定位待測(cè)電子組件與清潔單元令一待測(cè)電子組件20與一清潔裝置10相互定位，如圖3(A)所示，使該待測(cè)電子組件20的多個(gè)待測(cè)墊22對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的清潔單元10a。該待測(cè)墊22的表面具有一因氧化或污染所形成的隔離膜24，或是為保護(hù)待測(cè)墊22所刻意施作的隔離膜M，對(duì)電性測(cè)試需求而言，該隔離膜M的導(dǎo)電性不佳。于本實(shí)施例中，該清潔裝置10設(shè)置有多根清潔單元IOa各別與一待測(cè)墊22對(duì)應(yīng)，但是實(shí)務(wù)上亦可以同一清潔單元IOa同時(shí)對(duì)應(yīng)多個(gè)待測(cè)墊22進(jìn)行清潔作業(yè)。步驟b、去除待測(cè)墊表面的隔離膜以露出良好導(dǎo)電表面圖3 (B)揭示本實(shí)施例的清潔單元IOa接觸待測(cè)墊22表面，并施以一定的接觸壓力F，造成該清潔針尖IOa往前推刮待測(cè)墊22表面的隔離膜24，使得隔離膜M下方的良好導(dǎo)電表面22a顯露于外，此前置作業(yè)目的在于去除阻礙電性接觸的隔離膜24，以便后續(xù)的通電測(cè)試能順利進(jìn)行。步驟C、定位待測(cè)電子組件與測(cè)試單元如圖3(C)所示，令該待測(cè)電子組件20與一測(cè)試裝置11相互定位，使該測(cè)試裝置 11上的測(cè)試單元Ila各別與相應(yīng)的待測(cè)墊22表面對(duì)準(zhǔn)；更進(jìn)一步地，該測(cè)試單元Ila必須與該良好導(dǎo)電表面2 對(duì)準(zhǔn)，以便進(jìn)行下一步驟的電性測(cè)試，該測(cè)試裝置可為已知常用的測(cè)試探針卡。步驟d、點(diǎn)測(cè)良好導(dǎo)電表面進(jìn)行電性測(cè)試如圖3(D)所示，令該測(cè)試裝置11與該待測(cè)電子組件20接觸，使測(cè)試單元Ila以適當(dāng)壓力輕觸待測(cè)墊22的良好導(dǎo)電表面22a以進(jìn)行電性測(cè)試，以判別該待測(cè)電子組件20 是否功能正常。以上即為本發(fā)明較佳實(shí)施例的預(yù)清潔測(cè)試方法及其結(jié)構(gòu)說明，以下再歸納該方法的優(yōu)點(diǎn)如下1.測(cè)試單元1 Ia不需進(jìn)行隔離膜M清潔作業(yè)，可輕壓接觸該良好導(dǎo)電表面2 即可完成電性測(cè)試，故該測(cè)試單元Ila不易沾粘因刮除隔離膜M所產(chǎn)生的碎屑，可避免測(cè)試單元Ila與待測(cè)墊22中間的接觸阻抗不穩(wěn)定影響電性測(cè)試品質(zhì)，并可避免碎屑燒融問題； 更進(jìn)一步的，該測(cè)試單元Ila的清潔頻率降低，亦可延長(zhǎng)測(cè)試裝置11的使用壽命。2.清潔裝置10可單獨(dú)地被清潔或更換，以便有效維持良好的清潔與測(cè)試效果，同時(shí)避免測(cè)試裝置11在劇烈的清潔過程中(例如砂紙研磨)受損。上述實(shí)施例中，該清潔單元不限定以一對(duì)一方式各別針對(duì)單一待測(cè)墊進(jìn)行清潔作業(yè)，如圖4所示，本發(fā)明使用的清潔單元具有一撓性身部30，該撓性身部30 —端固定于清潔裝置上(圖中未示)，另一端則設(shè)置有多個(gè)清潔尖端3 各別對(duì)應(yīng)待測(cè)電子組件34的多個(gè)待測(cè)墊33，對(duì)于微針距的測(cè)試需求而言，簡(jiǎn)化撓性身部30的制作可節(jié)省制作生產(chǎn)成本；更進(jìn)一步地，該撓性身部30并不限定為懸臂梁形式，凡具備彈性的微結(jié)構(gòu)體均可作為撓性身部30，例如彈簧、多折式彈性結(jié)構(gòu)、垂直式微探針部件等。圖5進(jìn)一步揭示本發(fā)明使用的另一清潔單元是以同一清潔尖端32b同時(shí)對(duì)多個(gè)待測(cè)墊33進(jìn)行清潔作業(yè)，對(duì)于微針距的測(cè)試需求而言，可以更進(jìn)一步簡(jiǎn)化清潔單元的結(jié)構(gòu)復(fù)雜度，以降低制作成本。根據(jù)上述本發(fā)明的預(yù)清潔測(cè)試方法，依據(jù)測(cè)試生產(chǎn)線需求有兩種
具體實(shí)施例方式
同步作業(yè)模式與離線模式。前述的同步作業(yè)模式乃指在同一測(cè)試機(jī)內(nèi)，針對(duì)不同待測(cè)電子組件，可同時(shí)間進(jìn)行去除隔離膜與電性測(cè)試作業(yè)；而離線模式則是指去除隔離膜的清潔作業(yè)在測(cè)試機(jī)外部進(jìn)行后，再將待測(cè)電子組件送入測(cè)試機(jī)進(jìn)行電性測(cè)試作業(yè)。圖6 (A)為上述同步作業(yè)模式的一測(cè)試卡18的上視圖，該測(cè)試卡18設(shè)置有多個(gè)清潔裝置14與多個(gè)測(cè)試裝置16，又該清潔裝置14具備有多個(gè)清潔單元14a，該測(cè)試裝置16 具備有多個(gè)測(cè)試單元16a。必須說明的是，圖6(A)的清潔裝置14與測(cè)試裝置16以并排配置的型態(tài)并非唯一的排列方式，也可使用如圖6(B)所示的交錯(cuò)排列，即測(cè)試卡18’的所述清潔單元14a’與測(cè)試單元16a’彼此呈交錯(cuò)安置，又如圖6 (C)、(D)所示的測(cè)試卡18”是包括有多排清潔裝置14”與測(cè)試裝置16”。前述僅為例示，惟不以此為限，其配置方式端視測(cè)試需要而設(shè)計(jì)，需說明的是，待測(cè)電子組件17是被固定不動(dòng)，而測(cè)試卡18則受操控變換位置，以達(dá)成清潔與測(cè)試作業(yè)。當(dāng)然，改以將測(cè)試卡固定不動(dòng)，而改變操控待測(cè)電子組件相對(duì)測(cè)試卡于兩個(gè)位置中間移動(dòng)時(shí)，亦得完成清潔與測(cè)試作業(yè)。此外，上述實(shí)施例中的清潔單元 14a圖標(biāo)采用單一探針型態(tài)作為說明，但實(shí)際運(yùn)用上不受此限制，亦可使用本發(fā)明中所提到所有其它形式的清潔單元。接下來將具體說明上述兩種作業(yè)模式的實(shí)施方式。圖7(A)_(F)為本發(fā)明預(yù)清潔測(cè)試方法的步驟a_d在同步作業(yè)模式下的實(shí)施例，以下選以圖6(A)所示測(cè)試卡18為例，其中圖7(A)揭示先將清潔單元Ha與待測(cè)電子組件17A定位，此步驟對(duì)應(yīng)圖2所示的步驟a;至于圖2所示步驟b則對(duì)應(yīng)圖7(B)、(C)，其中圖7(B)揭示待測(cè)電子組件17A上移使該清潔單元Ha得以接觸并刮除該待測(cè)墊13表面的隔離膜15，圖7 (C)則揭示經(jīng)過刮除的待測(cè)墊13表面露出良好導(dǎo)電表面13a，并移動(dòng)該待測(cè)電子組件17A至下一作業(yè)位置；圖2所示步驟c對(duì)應(yīng)圖7(D)描繪的動(dòng)作，即揭示完成清潔作業(yè)的待測(cè)電子組件 17A被移動(dòng)至測(cè)試單元16a下方，另一待測(cè)電子組件17B同時(shí)被移動(dòng)至清潔單元14a，此時(shí)完成該清潔單元14a、該測(cè)試單元16a與待測(cè)電子組件17A、17B中間的定位；圖2所示步驟d則對(duì)應(yīng)圖7(E)所描繪的狀態(tài)，其揭示再次上移待測(cè)電子組件17A、 17B，同時(shí)利用測(cè)試單元16a的針尖以點(diǎn)觸方式進(jìn)行待測(cè)電子組件17A的電性測(cè)試作業(yè)，以及待測(cè)電子組件17B的預(yù)清潔作業(yè)(隔離膜去除)；圖7(F)即顯示待測(cè)電子組件17A已完成完整的預(yù)清潔測(cè)試作業(yè)，且待測(cè)電子組件17B亦完成清潔作業(yè)并將進(jìn)行測(cè)試作業(yè)。依上述圖7(A)_(F)的操作原則可持續(xù)進(jìn)行多個(gè)待測(cè)電子組件的同步作業(yè)模式； 利用此一同步作業(yè)模式，預(yù)清潔作業(yè)并不會(huì)占用額外的生產(chǎn)作業(yè)時(shí)間，對(duì)既有的測(cè)試作業(yè)不會(huì)造成額外負(fù)擔(dān)；更進(jìn)一步地，清潔作業(yè)階段至測(cè)試作業(yè)階段中間的切換時(shí)間極短，于待測(cè)墊13表面氧化物大幅生成之前即已完成通電測(cè)試，有助于提高測(cè)試卡的測(cè)試穩(wěn)定性。另外，在圖2步驟d中，上述實(shí)施例的清潔單元更可進(jìn)一步分別設(shè)定清潔單元與測(cè)試單元接觸待測(cè)電子組件的壓力，使清潔單元有足夠的能力完成預(yù)清潔作業(yè)(刮除隔離膜)，同時(shí)避免測(cè)試單元(探針)施加過大壓力再次刮損待測(cè)墊并污染該測(cè)試單元尖端(探針針尖)；由此，將以下列兩種設(shè)計(jì)方式達(dá)成上述目的。如圖8所示，本發(fā)明的清潔單元與測(cè)試單元的進(jìn)一步實(shí)施說明，圖中顯示一可實(shí)施同步作業(yè)模式的一測(cè)試卡33，該測(cè)試卡33具備一本體21與一基準(zhǔn)面21c，該本體21表面配置有多個(gè)清潔單元25與測(cè)試單元23，該清潔單元25的尖端2 至該基準(zhǔn)面21c為一第一距離Li，該測(cè)試單元23尖端23a至該基準(zhǔn)面21c為一第二距離L2，該第一距離Ll大于該第二距離L2，當(dāng)該待測(cè)電子組件27上移使該清潔單元25與該測(cè)試單元23皆與其下方的待測(cè)墊四接觸時(shí)，該清潔單元25相較于該測(cè)試單元23將至少被額外壓縮L1-L2的距離，此時(shí)該清潔單元25將可更容易提供相較該測(cè)試單元23更大的壓力與其尖端側(cè)向滑移量給該待測(cè)墊四，使該隔離膜31可收刮除確實(shí)的效，而此時(shí)該測(cè)試單元23仍以輕壓方式接觸待測(cè)墊四的良好導(dǎo)電表面四⑴使該測(cè)試單元23不易再度沾粘污染。此外，圖8結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于以該基準(zhǔn)面21c為準(zhǔn)，由于該清潔單元25的尖端突出于該測(cè)試單元23的尖端，因此在進(jìn)行該清潔單元25的清潔維護(hù)時(shí)，可以使現(xiàn)有的具沾粘性或研磨性的清針墊僅接觸該清潔單元25的尖端進(jìn)行清理，而較低下的該測(cè)試單元23的尖端不會(huì)被碰觸或刮傷，造成清潔維護(hù)前后的測(cè)試品質(zhì)差異。利用類似圖8結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理，圖9結(jié)構(gòu)則設(shè)計(jì)一清潔單元35的彈性常數(shù)大于一測(cè)試單元37，意即當(dāng)該待測(cè)電子組件39與該清潔單元35與測(cè)試單元37接觸時(shí)，該清潔單元35將可提供相較該測(cè)試單元37更大的壓力給該待測(cè)墊36，使該隔離膜38可收刮除確實(shí)之效，且該測(cè)試單元37仍以輕壓方式接觸待測(cè)墊36，使該測(cè)試單元37不易再度沾粘污染。上述各實(shí)施例皆在說明本發(fā)明的預(yù)清潔測(cè)試方法的同步作業(yè)模式，以下實(shí)施例將另行說明本發(fā)明的預(yù)清潔測(cè)試方法的另一作業(yè)模式離線作業(yè)模式。如圖IO(A)-(D)所示，離線作業(yè)模式包括兩部分，其一為預(yù)清潔作業(yè)，其二為電性測(cè)試作業(yè)，換言之，亦即在電性測(cè)試作業(yè)環(huán)境外先行將待測(cè)電子組件表面的隔離膜去除后， 馬上進(jìn)入測(cè)試生產(chǎn)線進(jìn)行測(cè)試。依據(jù)圖2所示的預(yù)清潔測(cè)試方法流程，其中步驟a對(duì)應(yīng)圖10(A)所描繪結(jié)構(gòu)，其顯示待測(cè)電子組件42與一僅具備一清潔單元41的一預(yù)清潔裝置40定位；步驟b對(duì)應(yīng)圖10(B)描繪的狀態(tài)，即，控制預(yù)清潔裝置40下移，造成清潔單元41 的針尖部位接觸并刮除待測(cè)電子組件42的待測(cè)墊4 表面的隔離膜43 ；步驟c對(duì)應(yīng)圖10 (C)描繪的狀態(tài)，即，已刮除隔離膜43的待測(cè)電子組件42被一輸送帶輸送至測(cè)試生產(chǎn)線，并完成測(cè)試裝置50的測(cè)試單元51與待測(cè)電子組件42的定位動(dòng)作；步驟d對(duì)應(yīng)圖10(D)描繪的狀態(tài)，即，控制測(cè)試裝置50的測(cè)試單元51下移，并令測(cè)試單元51的尖端點(diǎn)觸該待測(cè)墊4 表面，據(jù)以進(jìn)行電性測(cè)試，并于完成電性測(cè)試再控制該測(cè)試裝置50上移即告完成。此外，本發(fā)明中所提及的各類清潔單元皆可適用于本實(shí)施例使用，并不限定為圖中所示的探針形式。以上所述僅為本發(fā)明較佳可行實(shí)施例而已，凡是應(yīng)用本發(fā)明說明書及申請(qǐng)專利范圍所為的等效結(jié)構(gòu)及制作方法變化，理應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種預(yù)清潔測(cè)試方法，包含下列步驟定位一清潔單元與一待測(cè)電子組件，該待測(cè)電子組件具備一待測(cè)墊，且該待測(cè)墊表面形成一隔離膜；利用該清潔單元以接觸方式去除該隔離膜，使該待測(cè)墊露出一良好導(dǎo)電表面；定位該待測(cè)電子組件與一測(cè)試單元，使該待測(cè)墊的良好導(dǎo)電表面與該測(cè)試單元對(duì)準(zhǔn)；以該測(cè)試單元點(diǎn)觸待測(cè)墊的良好導(dǎo)電表面，據(jù)以構(gòu)成電性連接，并進(jìn)行電性測(cè)試。
2.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清潔測(cè)試方法，其中該測(cè)試單元電性連接一測(cè)試機(jī)電路。
3.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清潔測(cè)試方法，其中該清潔單元具有至少一清潔尖端以側(cè)向滑移方式刮除待測(cè)墊的隔離膜。
4.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清潔測(cè)試方法，其中該測(cè)試單元點(diǎn)觸待測(cè)墊的良好導(dǎo)電表面的方式為移動(dòng)測(cè)試單元接近該待測(cè)電子組件。
5.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清潔測(cè)試方法，其中該測(cè)試單元點(diǎn)觸待測(cè)墊的良好導(dǎo)電表面的方式為移動(dòng)待測(cè)電子組件接近該測(cè)試單元。
6.一種預(yù)清潔測(cè)試方法，包含下列步驟定位一測(cè)試卡與一待測(cè)電子組件，該測(cè)試卡具有清潔裝置與測(cè)試裝置，該待測(cè)電子組件具備一待測(cè)墊，且該待測(cè)墊表面形成一隔離膜；利用該測(cè)試卡的清潔裝置以接觸方式預(yù)先去除部分待測(cè)墊上的隔離膜；利用該測(cè)試卡的測(cè)試裝置以點(diǎn)觸方式接觸該已去除隔離膜的待測(cè)墊的良好導(dǎo)電表面以進(jìn)行電性測(cè)試，同時(shí)該測(cè)試卡的清潔裝置以接觸方式繼續(xù)去除其它待測(cè)墊上的隔離膜。
7.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清潔測(cè)試方法，其中該測(cè)試卡電性連接一測(cè)試機(jī)電路。
8 如權(quán)利要求1所述的預(yù)清潔測(cè)試方法，是移動(dòng)該測(cè)試卡接近該待測(cè)電子組件以進(jìn)行清潔與電性測(cè)試。
9.如權(quán)利要求1所述的預(yù)清潔測(cè)試方法，是移動(dòng)該待測(cè)電子組件接近該測(cè)試卡以進(jìn)行清潔與電性測(cè)試。
10.一種測(cè)試卡，用以對(duì)表面形成一隔離膜的待測(cè)電子組件進(jìn)行清潔與檢測(cè)，該測(cè)試卡包含一本體；一清潔單元，附設(shè)于該本體且包括至少一清潔針尖，該清潔針尖用以刮除該待測(cè)電子組件表面的隔離膜；以及一測(cè)試單元，附設(shè)于該本體且包括至少一針尖，該針尖用以點(diǎn)觸該已刮除隔離膜的待測(cè)電子組件的表面。
11.如權(quán)利要求10所述的測(cè)試卡，其中該本體具有一基準(zhǔn)面，該基準(zhǔn)面至該清潔單元的清潔針尖頂緣為一第一距離，該基準(zhǔn)面至該測(cè)試單元的針尖頂緣為一第二距離，其中該第一距離大于該第二距離。
12.如權(quán)利要求10所述的測(cè)試卡，其中該清潔單元具有一撓性身部，該撓性身部一端連接于該本體，另一端設(shè)置有該清潔針尖。
全文摘要
一種預(yù)清潔測(cè)試方法及測(cè)試卡，是用于確保探針卡在長(zhǎng)時(shí)間電性測(cè)試期間與待測(cè)電子組件維持良好電性接觸，不因探針針尖累積污染物造成電性測(cè)試不穩(wěn)定，該預(yù)清潔測(cè)試方法是于進(jìn)行電性測(cè)試前先以一清潔裝置刮除待測(cè)電子組件的待測(cè)墊表面的不良導(dǎo)電的隔離膜，使之露出一良好導(dǎo)電表面后，在良好導(dǎo)電表面嚴(yán)重氧化或受到污染之前，再以另一測(cè)試裝置點(diǎn)測(cè)該良好導(dǎo)電表面進(jìn)行電性測(cè)試，以維持測(cè)試裝置的潔凈與測(cè)試穩(wěn)定度；以測(cè)試生產(chǎn)線作為區(qū)分基準(zhǔn)，該預(yù)清潔測(cè)試方法實(shí)施方式分為同步作業(yè)模式與離線作業(yè)模式兩種。
文檔編號(hào)G01R31/00GK102486501SQ20101057776
公開日2012年6月6日 申請(qǐng)日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月3日
發(fā)明者陳志忠 申請(qǐng)人:旺矽科技股份有限公司