專利名稱：熔絲檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種熔絲檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)今的集成電路中，常利用一種所謂的熔絲來(lái)完成功能選擇或是輸出電壓準(zhǔn)位調(diào)整等功效。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是利用一個(gè)或多個(gè)的熔絲，并通過(guò)燒斷而形成斷路或是未被燒斷而形成短路的狀態(tài)來(lái)產(chǎn)生超過(guò)一種的組合，并通過(guò)這些組合來(lái)設(shè)定所要選用的功能或所要產(chǎn)生的輸出電壓準(zhǔn)位。這種熔絲的狀態(tài)的判斷一旦發(fā)生錯(cuò)誤，就會(huì)使整個(gè)集成電路運(yùn)行不正確而產(chǎn)生無(wú)法彌補(bǔ)的錯(cuò)誤。以下請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為一種現(xiàn)有的熔絲檢測(cè)裝置100。熔絲檢測(cè)裝置100包括作為開關(guān)的晶體管Pl及Ni、用以建構(gòu)鎖存器的晶體管P2、P3、N2及N3以及反向器INVl所組成，用以檢測(cè)熔絲FUSE的短路斷路的狀態(tài)。熔絲檢測(cè)裝置100的動(dòng)作細(xì)節(jié)則請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D 2示出的熔絲檢測(cè)裝置100的波形圖。首先，熔絲檢測(cè)裝置100所接收作為電源的參考電壓 VINT被開啟并逐漸上升至穩(wěn)定狀態(tài)。同時(shí)，控制信號(hào)bFPUP被致能(保持邏輯低準(zhǔn)位)并導(dǎo)通晶體管P1。此時(shí)由晶體管P2、P3、N2及N3建構(gòu)的鎖存器拴鎖其所接收到的等于參考電壓VINT的信號(hào)(邏輯高準(zhǔn)位)，并通過(guò)反向器INVl輸出邏輯低準(zhǔn)位的檢測(cè)信號(hào)bFLATS。 接著，控制信號(hào)bFPUP轉(zhuǎn)態(tài)為邏輯高準(zhǔn)位(禁能)并關(guān)閉晶體管P1，另一控制信號(hào)FPUN則致能(轉(zhuǎn)態(tài)為邏輯高準(zhǔn)位)以導(dǎo)通晶體管m。在熔絲FUSE未被燒斷(短路)的狀態(tài)下，晶體管P2、P3、N2及N3建構(gòu)的鎖存器改拴鎖到接地電壓VSS并使檢測(cè)信號(hào)bFLATS轉(zhuǎn)態(tài)為邏輯高準(zhǔn)位信號(hào)。在此請(qǐng)注意，熔絲檢測(cè)裝置100中的熔絲雖為短路的狀態(tài)，但代表熔絲FUSE狀態(tài)的檢測(cè)信號(hào)bFLATS在時(shí)間點(diǎn)Tl間卻呈現(xiàn)代表熔絲FUSE已被燒斷的斷路狀態(tài)(邏輯準(zhǔn)位)。 也就是說(shuō)，此種現(xiàn)有的熔絲檢測(cè)裝置100是很容易產(chǎn)生誤判斷的狀況的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種熔絲檢測(cè)裝置，有效避免熔絲狀態(tài)判斷錯(cuò)誤發(fā)生的可能。本發(fā)明提出一種熔絲檢測(cè)裝置，包括檢測(cè)器、校正器以及邏輯運(yùn)算單元。檢測(cè)器中包括檢測(cè)開關(guān)模塊以及檢測(cè)鎖存器。檢測(cè)開關(guān)模塊串接第一參考電壓與熔絲間，接收第一及第二控制信號(hào)，并依據(jù)第一及第二控制信號(hào)以及熔絲的短路或斷路狀態(tài)產(chǎn)生初步檢測(cè)結(jié)果。其中，熔絲串接于檢測(cè)開關(guān)模塊與第二參考電壓間。檢測(cè)鎖存器耦接檢測(cè)開關(guān)模塊并接收初步檢測(cè)結(jié)果，依據(jù)初步檢測(cè)結(jié)果來(lái)存儲(chǔ)初步檢測(cè)結(jié)果的電壓值或保持其原來(lái)所存儲(chǔ)的電壓值，檢測(cè)鎖存器并依據(jù)其所存儲(chǔ)的電壓值產(chǎn)生校正前檢測(cè)信號(hào)。校正器則包括校正開關(guān)模塊以及校正鎖存器。校正開關(guān)模塊，串接于該第一參考電壓與該第二參考電壓間，接收第一及第二控制信號(hào)，并依據(jù)第一及第二控制信號(hào)產(chǎn)生校正結(jié)果。校正鎖存器耦接校正開關(guān)模塊并接收校正結(jié)果，校正鎖存器存儲(chǔ)校正結(jié)果，并依據(jù)校正結(jié)果的反向以輸出校正信號(hào)。邏輯運(yùn)算單元耦接檢測(cè)器以及校正器，接收并依據(jù)校正前檢測(cè)信號(hào)以及校正信號(hào)以進(jìn)行邏輯運(yùn)算，并借以產(chǎn)生校正后檢測(cè)信號(hào)。本發(fā)明的有益效果在于，綜上所述，本發(fā)明利用校正器來(lái)提供校正信號(hào)以通過(guò)邏輯運(yùn)算單元來(lái)遮罩校正前檢測(cè)信號(hào)所產(chǎn)生可能發(fā)生誤判斷的部分。并且，這個(gè)校正信號(hào)由熔絲檢測(cè)裝置內(nèi)部自行產(chǎn)生，可以有效避免其他信號(hào)的干擾。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為一種現(xiàn)有的熔絲檢測(cè)裝置。圖2為熔絲檢測(cè)裝置的波形圖。圖3為本發(fā)明的一實(shí)施例的熔絲檢測(cè)裝置的示意圖。圖4為本發(fā)明實(shí)施例的熔絲檢測(cè)裝置的一實(shí)施方式。圖5為圖4所示本發(fā)明的熔絲檢測(cè)裝置實(shí)施方式的波形圖。圖6為本發(fā)明的另一實(shí)施例的熔絲檢測(cè)裝置的示意圖。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下100、300、600 熔絲檢測(cè)裝置321 校正開關(guān)模塊322:校正鎖存器330、650 邏輯運(yùn)算單元310,620 檢測(cè)器320、610 校正器330 邏輯運(yùn)算單元311 檢測(cè)開關(guān)模塊312 檢測(cè)鎖存器630 640 擴(kuò)充檢測(cè)器660 670 擴(kuò)充邏輯運(yùn)算單元SIGl 初步檢測(cè)結(jié)果SIG2 校正前檢測(cè)信號(hào)CR 校正結(jié)果CRS 校正信號(hào)Pl P6、N1 N6 晶體管INVl、INV2 反向器bFPUP、FPUN 控制信號(hào)bFLATS 檢測(cè)信號(hào)FUSE、DFUSE 熔絲VSS、VINT 參考電壓NANDl 與非門
具體實(shí)施例方式以下請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3為本發(fā)明的一實(shí)施例的熔絲檢測(cè)裝置300的示意圖。熔絲檢測(cè)裝置300包括檢測(cè)器310、校正器320以及邏輯運(yùn)算單元330。檢測(cè)器310包括檢測(cè)開關(guān)模塊311以及檢測(cè)鎖存器312。檢測(cè)開關(guān)模塊311串接在參考電壓VINT與熔絲FUSE間，接收控制信號(hào)bFPUP以及控制信號(hào)FPUN。檢測(cè)開關(guān)模塊311依據(jù)控制信號(hào)bFPUP、FPUN以及熔絲FUSE的短路或斷路狀態(tài)產(chǎn)生初步檢測(cè)結(jié)果SIG1，其中，熔絲FUSE串接于檢測(cè)開關(guān)模塊311與參考電壓VSS 間。在本實(shí)施例中，檢測(cè)開關(guān)模塊311由晶體管Pl以及m所分別構(gòu)成的檢測(cè)開關(guān)來(lái)實(shí)施， 其中，晶體管Pi的檢測(cè)開關(guān)耦接至參考電壓VINT并受控于控制信號(hào)bFPUP。晶體管m的檢測(cè)開關(guān)串接于熔絲FUSE與晶體管Pl間并受控于控制信號(hào)FPUN。另外，檢測(cè)鎖存器312耦接檢測(cè)開關(guān)模塊311并接收初步檢測(cè)結(jié)果SIG1。檢測(cè)鎖存器312依據(jù)初步檢測(cè)結(jié)果SIGl來(lái)存儲(chǔ)初步檢測(cè)結(jié)果的電壓值SIGl或保持其原來(lái)所存儲(chǔ)的電壓值。檢測(cè)鎖存器312并依據(jù)其所存儲(chǔ)的電壓值產(chǎn)生校正前檢測(cè)信號(hào)SIG2。在此請(qǐng)注意，當(dāng)檢測(cè)開關(guān)模塊311中的晶體管Pl依據(jù)控制信號(hào)bFPUP導(dǎo)通時(shí)，晶體管m必須被關(guān)閉。并且在此同時(shí)，初步檢測(cè)結(jié)果SIGl會(huì)與參考電壓VINT相同電壓準(zhǔn)位。相對(duì)的，當(dāng)晶體管m依據(jù)控制信號(hào)FPUN導(dǎo)通時(shí)，晶體管Pl必須關(guān)閉。而在此同時(shí)，若熔絲FUSE的狀態(tài)是短路的，則初步檢測(cè)結(jié)果SIGl會(huì)與參考電壓VSS相同電壓準(zhǔn)位?；蛉羰侨劢zFUSE的狀態(tài)是斷路的，則初步檢測(cè)結(jié)果SIGl會(huì)呈現(xiàn)高阻抗(highimpendence)的狀態(tài)。而在當(dāng)檢測(cè)鎖存器312所接收到的初步檢測(cè)結(jié)果SIGl是等于參考電壓VSS或VINT時(shí)，檢測(cè)鎖存器312 會(huì)鎖存初步檢測(cè)結(jié)果SIGl對(duì)應(yīng)的電壓準(zhǔn)位。而若是初步檢測(cè)結(jié)果SIGl呈現(xiàn)高阻抗的狀態(tài)時(shí)，檢測(cè)鎖存器312則保持原來(lái)所存儲(chǔ)的電壓值。在本實(shí)施例中，檢測(cè)鎖存器312包括由晶體管P2、N2、P3及N3所組成的兩個(gè)串接的反向器來(lái)建構(gòu)成的緩沖器，其中，這個(gè)緩沖器的輸出端與輸入端相連接，并在其輸出端產(chǎn)生校正前檢測(cè)信號(hào)SIG2。請(qǐng)注意，上述的緩沖器由兩個(gè)反向器來(lái)建構(gòu)僅只是一個(gè)范例，并不限制本發(fā)明的檢測(cè)鎖存器312中的緩沖器必須僅能使用兩個(gè)反向器來(lái)建構(gòu)。校正器320則包括校正開關(guān)模塊321以及校正鎖存器322。校正開關(guān)模塊321串接于參考電壓VINT與參考電壓VSS間。校正開關(guān)模塊321接收控制信號(hào)bFPUP以及控制信號(hào)FPUN，并依據(jù)控制信號(hào)bFPUP及FPUN產(chǎn)生校正結(jié)果CR。校正鎖存器322則耦接校正開關(guān)模塊321并接收校正結(jié)果CR。校正鎖存器322存儲(chǔ)校正結(jié)果CR并依據(jù)校正結(jié)果CR的反向以輸出校正信號(hào)CRS。其中，校正開關(guān)模塊321依據(jù)控制信號(hào)bFPUP及FPUN所產(chǎn)生校正結(jié)果CR的電壓值會(huì)等于參考電壓VINT及VSS的其中之一。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，當(dāng)控制信號(hào)bFPUP 致能時(shí)，校正結(jié)果CR的電壓值等于參考電壓VINT，相反的，當(dāng)控制信號(hào)FPUN致能時(shí)，校正結(jié)果CR的電壓值等于參考電壓VSS。邏輯運(yùn)算單元330耦接檢測(cè)器310以及校正器320。邏輯運(yùn)算單元330接收并依據(jù)校正前檢測(cè)信號(hào)SIG2以及校正信號(hào)CRS以進(jìn)行邏輯運(yùn)算，并借以產(chǎn)生校正后檢測(cè)信號(hào) bFLATSo以下請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例的熔絲檢測(cè)裝置300的一實(shí)施方式。其中， 校正開關(guān)模塊321包括由晶體管P4及N4分別建構(gòu)的校正開關(guān)。晶體管P4的一端耦接參考電壓VINT，其另一端產(chǎn)生校正結(jié)果CR并受控于控制信號(hào)bFPUP。晶體管N4的一端串接于晶體管P4與參考電壓VSS間，并受控于控制信號(hào)FPUN。另外，校正熔絲DFUSE串接于晶體管N4與參考電壓VSS的耦接路徑間。校正鎖存器322則包括由晶體管P5、N5、P6及N6所建構(gòu)的多個(gè)反向器來(lái)串接而成的緩沖器。此緩沖器的輸出端耦接到輸入端，其輸出端耦接至反向器INV2。校正鎖存器 322接收并鎖存校正結(jié)果CR，并通過(guò)反向器INV2的輸出端來(lái)產(chǎn)生與校正結(jié)果CR反向的校正信號(hào)CRS。邏輯運(yùn)算單元330則為與非門NAND1。與非門NANDl的兩輸入端分別接收校正信號(hào)CRS以及校正前檢測(cè)信號(hào)SIG2，并在其輸出端產(chǎn)生校正后檢測(cè)信號(hào)bFLATS。在整體的工作原理方面，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4以及圖5，其中圖5為圖4所示本發(fā)明的熔絲檢測(cè)裝置300實(shí)施方式的波形圖。在當(dāng)作為電源的參考電壓VINT被啟動(dòng)并逐漸上升至穩(wěn)定狀態(tài)的同時(shí)，控制信號(hào)bFPUP維持在邏輯低準(zhǔn)位并導(dǎo)通晶體管Pl以及P4，并使得校正結(jié)果CR以及校正前檢測(cè)信號(hào)SIG2同樣等于邏輯高準(zhǔn)位(等于參考電壓VINT的電壓準(zhǔn)位)。而此時(shí)，校正信號(hào)CRS則呈現(xiàn)與校正結(jié)果CR反向的邏輯低準(zhǔn)位。并且因?yàn)樾Ｕ盘?hào) CRS為邏輯低準(zhǔn)位，為與非門NANDl的邏輯運(yùn)算單元330則對(duì)應(yīng)產(chǎn)生邏輯高準(zhǔn)位的校正后檢測(cè)信號(hào)bFLATS。接著，控制信號(hào)bFPUP轉(zhuǎn)態(tài)為邏輯高準(zhǔn)位后，控制信號(hào)FPUN對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)態(tài)為邏輯高準(zhǔn)位并導(dǎo)通晶體管m及N4。由于校正熔絲DFUSE永遠(yuǎn)保持在短路狀態(tài)，所以在此時(shí)的校正結(jié)果CR等于參考電壓VSS并呈現(xiàn)邏輯低準(zhǔn)位，校正信號(hào)CRS則為邏輯高準(zhǔn)位。而與非門 NANDl的邏輯運(yùn)算單元330則維持其所產(chǎn)生的邏輯高準(zhǔn)位的校正后檢測(cè)信號(hào)bFLATS。由上述的說(shuō)明及圖5所示可以得知，在本實(shí)施方式中，不論控制信號(hào)bFPUP及FPUN 如何的動(dòng)作，都不至于會(huì)產(chǎn)生會(huì)導(dǎo)致誤判的邏輯低準(zhǔn)位的校正后檢測(cè)信號(hào)bFLATS。也就是說(shuō)，熔絲檢測(cè)裝置300有效的解決了現(xiàn)有的熔絲檢測(cè)裝置的誤判現(xiàn)象。附帶一提的，由于校正熔絲DFUSE永遠(yuǎn)保持短路，因此也可以不必要存在。也就是說(shuō)，晶體管N4可以直接連接到參考電壓VSS。并且，在圖4所示的邏輯運(yùn)算單元330是利用與非門NANDl來(lái)建構(gòu)，這個(gè)與非門 NANDl也可以置換成為例如是與門的邏輯電路來(lái)建構(gòu)。當(dāng)然，在邏輯運(yùn)算單元330利用與門來(lái)建構(gòu)的情況下，校正后檢測(cè)信號(hào)bFLATS的邏輯準(zhǔn)位所代表的熔絲FUSE的狀態(tài)的意義將會(huì)與利用與非門NANDl來(lái)建構(gòu)的邏輯運(yùn)算單元330所產(chǎn)生的校正后檢測(cè)信號(hào)bFLATS相反。另外，值得注意的是，控制信號(hào)bFPUP及FPUN傳送到校正器320的時(shí)間點(diǎn)需早于控制信號(hào)bFPUP及FPUN傳送到檢測(cè)器310的時(shí)間點(diǎn)，以確定校正信號(hào)CRS的產(chǎn)生時(shí)間可以有效的早于校正前檢測(cè)信號(hào)SIG2并遮罩校正前檢測(cè)信號(hào)SIG2所可能產(chǎn)生錯(cuò)誤的部分。請(qǐng)參照?qǐng)D6，圖6為本發(fā)明的另一實(shí)施例的熔絲檢測(cè)裝置600的示意圖。其中，熔絲檢測(cè)裝置600除了包括檢測(cè)器620、校正器610以及邏輯運(yùn)算單元650外，還包括多個(gè)擴(kuò)充檢測(cè)器630 640以及多個(gè)擴(kuò)充邏輯運(yùn)算單元660 670。在此，擴(kuò)充檢測(cè)器與擴(kuò)充運(yùn)算單元的個(gè)數(shù)必須相等(相同等于N，N為正整數(shù))。并且，各擴(kuò)充檢測(cè)器630 640的內(nèi)部電路都與檢測(cè)器620的內(nèi)部電路相同，且各邏輯運(yùn)算單元660 670的內(nèi)部電路都與邏輯運(yùn)算單元650的內(nèi)部電路相同。在本實(shí)施例中，檢測(cè)器620以及擴(kuò)充檢測(cè)器630 640通過(guò)利用共用的校正器 610，再配合邏輯運(yùn)算單元650以及擴(kuò)充邏輯運(yùn)算單元660 670進(jìn)行邏輯運(yùn)算，便可以得到多個(gè)校正后檢測(cè)信號(hào)bFLATSl bFLATS3，并借以獲知多個(gè)熔絲的短路或斷路的狀態(tài)。而附帶一提的，控制信號(hào)bFPUP及FPUN傳送到校正器610的時(shí)間點(diǎn)需早于控制信號(hào)bFPUP及 FPUN傳送到檢測(cè)器620以及擴(kuò)充檢測(cè)器630 640的時(shí)間點(diǎn)。綜上所述，本發(fā)明利用校正器來(lái)提供校正信號(hào)以通過(guò)邏輯運(yùn)算單元來(lái)遮罩校正前檢測(cè)信號(hào)所產(chǎn)生可能發(fā)生誤判斷的部分。并且，這個(gè)校正信號(hào)由熔絲檢測(cè)裝置內(nèi)部自行產(chǎn)生，可以有效避免其他信號(hào)的干擾。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種熔絲檢測(cè)裝置，包括 一檢測(cè)器，包括一檢測(cè)開關(guān)模塊，串接于一第一參考電壓與該熔絲間，接收一第一控制信號(hào)以及一第二控制信號(hào)，依據(jù)該第一及第二控制信號(hào)以及該熔絲的短路或斷路狀態(tài)產(chǎn)生一初步檢測(cè)結(jié)果，其中該熔絲串接于該檢測(cè)開關(guān)模塊與一第二參考電壓間；以及一檢測(cè)鎖存器，耦接該檢測(cè)開關(guān)模塊并接收該初步檢測(cè)結(jié)果，依據(jù)該初步檢測(cè)結(jié)果來(lái)存儲(chǔ)該初步檢測(cè)結(jié)果的電壓值或保持其原來(lái)所存儲(chǔ)的電壓值，該檢測(cè)鎖存器并依據(jù)其所存儲(chǔ)的電壓值產(chǎn)生一校正前檢測(cè)信號(hào)； 一校正器，包括一校正開關(guān)模塊，串接于該第一參考電壓與該第二參考電壓間，接收該第一控制信號(hào)以及該第二控制信號(hào)，并依據(jù)該第一及第二控制信號(hào)產(chǎn)生一校正結(jié)果；以及一校正鎖存器，耦接該校正開關(guān)模塊并接收該校正結(jié)果，該校正鎖存器存儲(chǔ)該校正結(jié)果，并依據(jù)該校正結(jié)果的反向以輸出一校正信號(hào)；以及一邏輯運(yùn)算單元，耦接該檢測(cè)器以及該校正器，接收并依據(jù)該校正前檢測(cè)信號(hào)以及該校正信號(hào)以進(jìn)行邏輯運(yùn)算，并借以產(chǎn)生一校正后檢測(cè)信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，該檢測(cè)開關(guān)模塊在當(dāng)該第一控制信號(hào)致能且該第二控制信號(hào)禁能時(shí)，該初步檢測(cè)結(jié)果等于該第一參考電壓，在當(dāng)該第二控制信號(hào)致能且該第一控制信號(hào)禁能且在當(dāng)該熔絲短路時(shí)，該初步檢測(cè)結(jié)果等于該第二參考電壓，在當(dāng)該第二控制信號(hào)致能且該第一控制信號(hào)禁能且當(dāng)該熔絲斷路時(shí)，該初步檢測(cè)結(jié)果等于高阻抗。
3.如權(quán)利要求2所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，當(dāng)該初步檢測(cè)結(jié)果等于該第一或第二參考電壓時(shí)，該檢測(cè)鎖存器對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)該第一或第二參考電壓，當(dāng)該初步檢測(cè)結(jié)果等于高阻抗時(shí)，該檢測(cè)鎖存器保持其原來(lái)所存儲(chǔ)的電壓值。
4.如權(quán)利要求1所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，該校正開關(guān)模塊在當(dāng)該第一控制信號(hào)致能且該第二控制信號(hào)禁能時(shí)，該校正信號(hào)等于該第一參考電壓，在當(dāng)該第二控制信號(hào)致能且該第一控制信號(hào)禁時(shí)，該校正信號(hào)等于該第二參考電壓。
5.如權(quán)利要求1所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，該校正開關(guān)模塊包括一第一校正開關(guān)，其一端耦接該第一參考電壓，其另一端產(chǎn)生該校正結(jié)果，該第一校正開關(guān)受控于該第一控制信號(hào)；一第二校正開關(guān)，串接于該第一校正開關(guān)的另一端與該第二參考電壓間，該第二檢測(cè)開關(guān)受控于該第二控制信號(hào)；以及一校正熔絲，串接于該第二校正開關(guān)耦接該第二參考電壓的路徑間，其中該校正熔絲保持在短路狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求1所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，該校正鎖存器包括一緩沖器，具有輸出端以及輸入端，其輸入端耦接至其輸出端，且其輸入端耦接該校正開關(guān)模塊以接收該校正結(jié)果；以及一反向器，其輸入端耦接該緩沖器的輸出端，其輸出端產(chǎn)生該校正信號(hào)。
7.如權(quán)利要求1所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，該邏輯運(yùn)算單元為與門或與非門。
8.如權(quán)利要求1所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，該熔絲檢測(cè)裝置還包括N個(gè)擴(kuò)充檢測(cè)器，其中N為正整數(shù)，各該擴(kuò)充檢測(cè)器包括一擴(kuò)充檢測(cè)開關(guān)模塊，串接于一第一參考電壓與該熔絲間，接收一第一控制信號(hào)以及一第二控制信號(hào)，依據(jù)該第一及第二控制信號(hào)以及該熔絲的短路或斷路狀態(tài)產(chǎn)生一擴(kuò)充初步檢測(cè)結(jié)果，其中該熔絲串接于該檢測(cè)開關(guān)模塊與一第二參考電壓間；以及一擴(kuò)充檢測(cè)鎖存器，耦接該檢測(cè)開關(guān)模塊并接收該擴(kuò)充初步檢測(cè)結(jié)果，依據(jù)該擴(kuò)充初步檢測(cè)結(jié)果來(lái)存儲(chǔ)該擴(kuò)充初步檢測(cè)結(jié)果的電壓值或保持其原來(lái)所存儲(chǔ)的電壓值，各該擴(kuò)充檢測(cè)鎖存器并依據(jù)其所存儲(chǔ)的電壓值產(chǎn)生一擴(kuò)充校正前檢測(cè)信號(hào)；以及N個(gè)擴(kuò)充邏輯運(yùn)算單元，分別耦接各該擴(kuò)充檢測(cè)器并共同耦接該校正器，所述擴(kuò)充邏輯運(yùn)算單元分別接收所述擴(kuò)充校正前檢測(cè)信號(hào)以及該校正信號(hào)以產(chǎn)生所述擴(kuò)充校正后檢測(cè)信號(hào)。
9.如權(quán)利要求8所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，該擴(kuò)充檢測(cè)開關(guān)模塊在當(dāng)該第一控制信號(hào)致能且該第二控制信號(hào)禁能時(shí)，該擴(kuò)充初步檢測(cè)結(jié)果等于該第一參考電壓，在當(dāng)該第二控制信號(hào)致能且該該第一控制信號(hào)禁能且當(dāng)該熔絲短路時(shí)，該擴(kuò)充初步檢測(cè)結(jié)果等于該第二參考電壓，在當(dāng)該第二控制信號(hào)致能且該第一控制信號(hào)禁能且當(dāng)該熔絲斷路時(shí)， 該擴(kuò)充初步檢測(cè)結(jié)果等于高阻抗。
10.如權(quán)利要求9所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，當(dāng)該擴(kuò)充初步檢測(cè)結(jié)果等于該第一或第二參考電壓時(shí)，該擴(kuò)充檢測(cè)鎖存器對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)該第一或第二參考電壓，當(dāng)該擴(kuò)充初步檢測(cè)結(jié)果等于高阻抗時(shí)，該擴(kuò)充檢測(cè)鎖存器保持其原來(lái)所存儲(chǔ)的電壓值。
11.如權(quán)利要求8所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，該擴(kuò)充檢測(cè)開關(guān)模塊包括一第一擴(kuò)充檢測(cè)開關(guān)，其一端耦接該第一參考電壓，其另一端產(chǎn)生該擴(kuò)充初步檢測(cè)結(jié)果，該第一擴(kuò)充檢測(cè)開關(guān)受控于該第一控制信號(hào)；以及一第二擴(kuò)充檢測(cè)開關(guān)，其一端耦接該第一擴(kuò)充檢測(cè)開關(guān)的另一端，該第二擴(kuò)充檢測(cè)開關(guān)受控于該第二控制信號(hào)，其中該熔絲串接在該第二擴(kuò)充檢測(cè)開關(guān)的另一端與該第二參考電壓間。
12.如權(quán)利要求8所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，該擴(kuò)充檢測(cè)鎖存器包括一緩沖器，具有輸出端以及輸入端，其輸入端耦接至其輸出端，且其輸入端耦接該擴(kuò)充檢測(cè)開關(guān)模塊以接收該擴(kuò)充初步檢測(cè)結(jié)果，其輸出端產(chǎn)生該擴(kuò)充校正前檢測(cè)信號(hào)。
13.如權(quán)利要求8所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，所述擴(kuò)充邏輯運(yùn)算單元為與門或與非門。
14.如權(quán)利要求8所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，該校正開關(guān)模塊接收該第一及第二控制信號(hào)的時(shí)間早于所述擴(kuò)充檢測(cè)開關(guān)模塊接收該第一及第二控制信號(hào)的時(shí)間。
15.如權(quán)利要求1所述的熔絲檢測(cè)裝置，其特征在于，該校正開關(guān)模塊接收該第一及第二控制信號(hào)的時(shí)間早于該檢測(cè)開關(guān)模塊接收該第一及第二控制信號(hào)的時(shí)間。
全文摘要
一種熔絲檢測(cè)裝置，包括檢測(cè)器、校正器以及邏輯運(yùn)算單元。檢測(cè)器包括檢測(cè)開關(guān)模塊以及檢測(cè)鎖存器。檢測(cè)開關(guān)模塊依據(jù)第一及第二控制信號(hào)以及熔絲的狀態(tài)產(chǎn)生初步檢測(cè)結(jié)果。檢測(cè)鎖存器依據(jù)初步檢測(cè)結(jié)果來(lái)存儲(chǔ)初步檢測(cè)結(jié)果的電壓值或保持其原來(lái)所存儲(chǔ)的電壓值。檢測(cè)鎖存器并依據(jù)其所存儲(chǔ)的電壓值產(chǎn)生校正前檢測(cè)信號(hào)。校正器則包括校正開關(guān)模塊以及校正鎖存器。校正開關(guān)模塊依據(jù)第一及第二控制信號(hào)產(chǎn)生校正結(jié)果。校正鎖存器存儲(chǔ)校正結(jié)果并輸出校正信號(hào)。邏輯運(yùn)算單元依據(jù)校正前檢測(cè)信號(hào)以及校正信號(hào)以產(chǎn)生校正后檢測(cè)信號(hào)。本發(fā)明的熔絲檢測(cè)裝置有效避免了熔絲狀態(tài)判斷錯(cuò)誤發(fā)生的可能。
文檔編號(hào)G01R31/02GK102445625SQ20101050186
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2010年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者林哲民 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司