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測(cè)量太陽(yáng)能電池面電阻及接觸電阻的方法及其測(cè)量工具的制作方法

文檔序號(hào):5868676閱讀:698來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:測(cè)量太陽(yáng)能電池面電阻及接觸電阻的方法及其測(cè)量工具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電池和蓄電池技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及硅基薄膜太陽(yáng)能電池工藝中,對(duì)太 陽(yáng)能電池面電阻和接觸電阻的測(cè)量方法及測(cè)量相關(guān)參數(shù)的工具。
背景技術(shù)
在硅基薄膜太陽(yáng)能電池工藝中,激光劃線工藝有著重要的作用,對(duì)激光工藝的控 制程度,決定了硅基薄膜太陽(yáng)能電池的發(fā)電過(guò)程中的效率問(wèn)題,而與激光工藝緊密相關(guān)的 兩個(gè)參數(shù)是接觸電阻(Contact resistance)和面電阻(sheet resistance),這兩個(gè)參數(shù) 對(duì)太陽(yáng)能電池的性能有著非常重要的影響,因此,找到一種恰當(dāng)?shù)臏y(cè)量接觸電阻(Contact resistance)和面電阻(sheet resistance)的方法對(duì)判斷激光工藝的好壞提供了一個(gè)客 觀依據(jù),達(dá)到工藝控制的目的,進(jìn)而可以去優(yōu)化激光劃線工藝。目前的技術(shù)只能測(cè)量太陽(yáng)能電池的總內(nèi)阻,不能分別測(cè)量出接觸電阻和面電阻, 這就造成無(wú)法確定內(nèi)阻的變化到底是由工藝的那些步造成的,無(wú)法找到問(wèn)題的根源,也就 不能對(duì)出現(xiàn)問(wèn)題的工藝進(jìn)行優(yōu)化,太陽(yáng)能電池的性能也不能得到提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處,本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種能 夠測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法,通過(guò)測(cè)得太陽(yáng)能電池的內(nèi)阻值去判斷激光 工藝的好壞,進(jìn)而調(diào)整激光劃線工藝,提高太陽(yáng)能電池的性能。測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法,利用激光劃線工藝制作用于測(cè)量的 太陽(yáng)能電池板,該太陽(yáng)能電池板至少劃分為三部分,分別為第一測(cè)量單元、第二測(cè)量單元及 第三測(cè)量單元,用測(cè)量工具測(cè)量在一特定電流下第一測(cè)量單元與第二測(cè)量單元的第一電阻 值和第一測(cè)量單元與第三測(cè)量單元的第二電阻值,以及籍第一測(cè)量單元與第二測(cè)量單元之 間的距離和第一測(cè)量單元與第三測(cè)量單元之間的距離與面電阻之間的特定關(guān)系式,以及籍 第一電阻值和第二電阻值與面電阻和接觸電阻之間的特定關(guān)系式,以求得太陽(yáng)能電池板的 接觸電阻和面電阻。利用激光劃線工藝制作用于測(cè)量的太陽(yáng)能電池板的過(guò)程為在TCO玻璃上鍍上一 層a-Si薄膜層,然后利用激光劃線工藝將a-Si薄膜層按不等間距劃開(kāi),接著在被劃開(kāi)的 a-Si薄膜層上鍍上金屬層,最后將a-Si薄膜層和金屬層劃開(kāi),形成用于測(cè)量面電阻和接觸 電阻的太陽(yáng)能電池板。本發(fā)明所述的測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法,其特征在于用于測(cè)量 的太陽(yáng)能電池板的a-Si薄膜層與TCO玻璃層具有相同的接觸電阻,即第一測(cè)量單元、第二 測(cè)量單元及第三測(cè)量單元具有相同的接觸電阻。本發(fā)明所述的測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法,其特征在于所述的特 定關(guān)系式為第一電阻值等于2倍的接觸電阻與第一測(cè)量單元和第二測(cè)量單元之間面電阻 的和,第二電阻值等于2倍的接觸電阻與第一測(cè)量單元和第三測(cè)量單元之間面電阻的和,
3第一測(cè)量單元和第二測(cè)量單元之間面電阻與第一測(cè)量單元和第三測(cè)量單元之間面電阻與 第一測(cè)量單元和第二測(cè)量單元之間的距離與第一測(cè)量單元和第三測(cè)量單元之間距離成正 比。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種實(shí)現(xiàn)測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的 方法測(cè)量工具,主要用于測(cè)量計(jì)算面電阻和接觸電阻的相關(guān)參數(shù)。本發(fā)明所述的實(shí)現(xiàn)測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法測(cè)量工具,由兩個(gè) 倒“T”型的導(dǎo)電體、帶游標(biāo)的滑桿及萬(wàn)能表組成,其中倒“T”型的導(dǎo)電體的上端有一圓孔, 帶刻度的橫桿的兩端分別插入倒“T”型的導(dǎo)電體的圓孔中,兩個(gè)倒“T”型的導(dǎo)電體用導(dǎo)線 與分別連接萬(wàn)能表的兩端,兩個(gè)倒“T”型的導(dǎo)電體的下端分別安裝有至少帶有彈簧的五個(gè) 探針。說(shuō)明“τ”型的不是導(dǎo)電體,不能是導(dǎo)電體,導(dǎo)電是通過(guò)探針。本發(fā)明所述測(cè)量工具,其特征在于測(cè)電阻時(shí)可通過(guò)給電流衡電流,測(cè)量電壓,從而 得到電阻。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于,提供了一種同時(shí)測(cè)量激光劃線工藝過(guò)程中涉及的接觸電阻和 面電阻的值的方法,該方法制作工藝簡(jiǎn)單,只需利用現(xiàn)成的電池生產(chǎn)線,并且制作工序完全 符合生產(chǎn)線的工藝流程,操作起來(lái)很方便。接觸電阻的大小的確定可以作為激光劃線工藝 控制考量的依據(jù),面電阻的確定可以為硅薄膜對(duì)TCO的影響提供了客觀的評(píng)價(jià)依據(jù),從而 可以達(dá)到對(duì)激光工藝控制及改進(jìn)的目的。同時(shí)提供了一種高精度測(cè)量激光劃線工藝及相關(guān)接觸電阻和面電阻的測(cè)量工具, 該工具可以最大限度的消除測(cè)量帶來(lái)的測(cè)量誤差。該測(cè)量工具的優(yōu)點(diǎn)在于采用多點(diǎn)彈簧式 接觸的方式,可以避免單接觸點(diǎn)引入的測(cè)量誤差;可以通過(guò)自身的重量,來(lái)穩(wěn)定每次測(cè)量時(shí) 的接觸壓力,可以避免人為操作時(shí),接觸力的認(rèn)為改變而引入的測(cè)量誤差;使用了類似游標(biāo) 卡尺的自帶刻度的滑竿涉及,可以準(zhǔn)確定位測(cè)量點(diǎn)之間的距離。


圖1用于測(cè)量面電阻和接觸電阻的太陽(yáng)能電池板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2實(shí)現(xiàn)測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法測(cè)量工具的結(jié)構(gòu)示意中1.帶導(dǎo)線的萬(wàn)能表;2、倒“Τ”型的導(dǎo)電體;3、帶彈簧的探針;4、帶游標(biāo)的滑 桿、5、第一測(cè)量單元;6、第二測(cè)量單元;7、第三測(cè)量單元;8、玻璃;9、TCO ;10、a-Si薄膜層; 11、金屬層;
具體實(shí)施例方式如圖1所示,測(cè)量面電阻和接觸電阻的太陽(yáng)能電池板是在鍍有TCO 9的玻璃8上 鍍上一層a-Si薄膜層10,然后利用激光劃線工藝將a-Si薄膜層10按間距dl和d2劃開(kāi), 接著在被劃開(kāi)的a-Si薄膜層10上鍍上金屬層11,最后將a-Si薄膜層10和金屬層11劃 開(kāi),形成用于測(cè)量面電阻和接觸電阻的太陽(yáng)能電池板。并形成第一測(cè)量單元5、第二測(cè)量單 元6及第三測(cè)量單元7。如圖2所示,實(shí)現(xiàn)測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法測(cè)量工具,由兩個(gè) 倒“T”型的導(dǎo)電體2、帶游標(biāo)的滑桿4及帶導(dǎo)線的萬(wàn)能表1組成,其中倒“T”型的導(dǎo)電體2 的上端有一圓孔,帶游標(biāo)的滑桿4的兩端分別插入倒“T”型的導(dǎo)電體2的圓孔中,兩個(gè)倒
4“T”型的導(dǎo)電體2與帶導(dǎo)線的萬(wàn)能表1相連,考慮到電池板的接觸面較長(zhǎng),最好兩個(gè)倒“T” 型的導(dǎo)電體2的下端分別安裝有至少帶有彈簧的八個(gè)探針3。為更詳細(xì)的表述本發(fā)明,列舉具體實(shí)施方式
如下首先利用激光劃線工藝制造出測(cè)量面電阻和接觸電阻的太陽(yáng)能電池板,步驟如 下1.在TCO玻璃上鍍上一層a-Si薄膜層。2.利用激光劃線工藝中的532nm激光器將a_Si薄膜層按間距dl和d2劃開(kāi)。3.接著步驟2在被劃開(kāi)的a-Si薄膜層上鍍上金屬層。4.利用激光劃線工藝中的532nm激光器將a_Si薄膜層和金屬層劃開(kāi),如圖1所
7J\ ο其次,利用測(cè)量工具測(cè)量在一特定電流下第一測(cè)量單元與第二測(cè)量單元的第一電 阻值和第一測(cè)量單元與第三測(cè)量單元的第二電阻值,利用特定關(guān)系式,即第一電阻值等于2 倍的接觸電阻與第一測(cè)量單元和第二測(cè)量單元之間面電阻的和,第二電阻值等于2倍的接 觸電阻與第一測(cè)量單元和第三測(cè)量單元之間面電阻的和,第一測(cè)量單元和第二測(cè)量單元之 間面電阻與第一測(cè)量單元和第三測(cè)量單元之間面電阻與第一測(cè)量單元和第二測(cè)量單元之 間的距離與第一測(cè)量單元和第三測(cè)量單元之間距離成正比,來(lái)求出接觸電阻和面電阻。設(shè)定第一測(cè)量單元與第二測(cè)量單元的第一電阻值為Rl,第一測(cè)量單元與第三測(cè)量 單元的第二電阻值為R2,第一測(cè)量單元與第二測(cè)量單元之間的面電阻為Rsl,第一測(cè)量單元 與第三測(cè)量單元面電阻為Rs2,接觸電阻為R。,則可得到如下關(guān)系式Rl = 2Rc+Rsl.........①R2 = 2Rc+Rs2.........②Rsl/Rs2 = dl/d2.........③假設(shè)dl/d2之比為1\2,Rl為20歐姆,R2為25歐姆,帶入上述①、②、③,可以計(jì) 算出接觸電阻為10歐姆,面電阻為5歐姆。
權(quán)利要求
測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法,其特征在于,利用激光劃線工藝制作用于測(cè)量的太陽(yáng)能電池板,該太陽(yáng)能電池板劃分為三部分,分別為第一測(cè)量單元、第二測(cè)量單元及第三測(cè)量單元,用測(cè)量工具測(cè)量在一特定電流下第一測(cè)量單元與第二測(cè)量單元的第一電阻值和第一測(cè)量單元與第三測(cè)量單元的第二電阻值,以及籍第一測(cè)量單元與第二測(cè)量單元之間的距離和第一測(cè)量單元與第三測(cè)量單元之間的距離與面電阻之間的特定關(guān)系式,以及籍第一電阻值和第二電阻值與面電阻和接觸電阻之間的特定關(guān)系式,以求得太陽(yáng)能電池板的接觸電阻和面電阻。
2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法,其特征在于利用 激光劃線工藝制作用于測(cè)量的太陽(yáng)能電池板的過(guò)程為在TCO玻璃上鍍上一層a-Si薄膜 層,然后利用激光劃線工藝將a-Si薄膜層按不等間距劃開(kāi),接著在被劃開(kāi)的a-Si薄膜層上 鍍上金屬層,最后將a-Si薄膜層和金屬層劃開(kāi),形成用于測(cè)量面電阻和接觸電阻的太陽(yáng)能 電池板。
3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法,其特征在于用于 測(cè)量的太陽(yáng)能電池板的a-Si薄膜層與TCO玻璃層具有相同的接觸電阻,即第一測(cè)量單元、 第二測(cè)量單元及第三測(cè)量單元具有相同的接觸電阻。
4.如權(quán)利要求4所述的測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法,其特征在于所述 的特定關(guān)系式為第一電阻值等于2倍的接觸電阻與第一測(cè)量單元和第二測(cè)量單元之間面 電阻的和,第二電阻值等于2倍的接觸電阻與第一測(cè)量單元和第三測(cè)量單元之間面電阻的 和,第一測(cè)量單元和第二測(cè)量單元之間面電阻與第一測(cè)量單元和第三測(cè)量單元之間面電阻 與第一測(cè)量單元和第二測(cè)量單元之間的距離與第一測(cè)量單元和第三測(cè)量單元之間距離成 正比。
5.實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1所述的測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法的測(cè)量工具, 由兩個(gè)倒“T”型的導(dǎo)電體、帶游標(biāo)的滑桿及萬(wàn)能表組成,其中倒“T”型的導(dǎo)電體的上端有一 圓孔,帶刻度的橫桿的兩端分別插入倒“T”型的導(dǎo)電體的圓孔中,兩個(gè)倒“T”型的導(dǎo)電體用 導(dǎo)線與分別連接萬(wàn)能表的兩端,兩個(gè)倒“T”型的導(dǎo)電體的下端分別安裝有至少五個(gè)帶有彈 簧的探針。
6.如權(quán)利要求5所述的測(cè)量工具,其特征在于其特征在于測(cè)電阻時(shí)可通過(guò)給電流衡電 流,測(cè)量電壓,從而得到電阻。
全文摘要
測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法及其測(cè)量工具,利用激光劃線工藝制作用于測(cè)量的太陽(yáng)能電池板,該太陽(yáng)能電池板至少劃分為三部分,分別為第一測(cè)量單元、第二測(cè)量單元及第三測(cè)量單元,用測(cè)量工具測(cè)量在一特定電流下第一測(cè)量單元與第二測(cè)量單元的第一電阻值和第一測(cè)量單元與第三測(cè)量單元的第二電阻值,以及籍第一測(cè)量單元與第二測(cè)量單元之間的距離和第一測(cè)量單元與第三測(cè)量單元之間的距離與面電阻之間的特定關(guān)系式,以及籍第一電阻值和第二電阻值與面電阻和接觸電阻之間的特定關(guān)系式,以求得太陽(yáng)能電池板的接觸電阻和面電阻。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于能夠測(cè)量太陽(yáng)能電池的面電阻和接觸電阻的方法,通過(guò)測(cè)得太陽(yáng)能電池的內(nèi)阻值去判斷激光工藝的好壞,進(jìn)而調(diào)整激光劃線工藝,提高太陽(yáng)能電池的性能。
文檔編號(hào)G01R27/02GK101900785SQ20101012305
公開(kāi)日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2010年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月28日
發(fā)明者張樹(shù)旺, 李寶勝, 李渭清, 羅小平 申請(qǐng)人:新奧光伏能源有限公司
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