用于低電阻接觸層的太陽能電池糊劑的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了糊劑組合物、制備糊劑組合物的方法、太陽能電池和制備太陽能電池接觸層的方法。所述糊劑組合物可包含導(dǎo)電金屬組分、玻璃組分和媒介物。所述玻璃組分可包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約65摩爾％或更少的SiO2和占所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少的一種或多種過渡金屬氧化物。所述過渡金屬氧化物的金屬選自Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ti、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd和Pt。
【專利說明】用于低電阻接觸層的太陽能電池糊劑

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開整體涉及糊劑組合物、制備糊劑組合物的方法、太陽能電池和制備太陽能電池接觸層的方法。
[0002]背景
[0003]太陽能電池通常由將太陽光轉(zhuǎn)化為有用電能的諸如硅(Si)的半導(dǎo)體材料制成。太陽能電池通常由薄的Si晶片制成，在Si晶片中，通過將來自合適磷源的磷(P)擴(kuò)散入P型Si晶片中來形成所需要的PN結(jié)。在硅晶片上太陽光入射的一側(cè)通常涂覆有抗反射涂層(ARC)，以防止入射太陽光的反射損失且因此提高太陽能電池的效率。稱為前接觸層的二維電極柵格圖案連接于硅的N側(cè)，另一側(cè)上的鋁涂層(Al)(背接觸層)連接于硅的P側(cè)。這些接觸層是從PN結(jié)到外部負(fù)載的電出口。
[0004]硅太陽能電池的前接觸層通常通過對(duì)厚膜糊劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷而形成。通常，糊劑包含近乎細(xì)小的銀離子、玻璃和有機(jī)物。在絲網(wǎng)印刷后，通常在約650-1000°C的爐設(shè)定溫度下于空氣中燒制晶片和糊劑。在燒制期間，玻璃軟化、熔融并與抗反射涂層反應(yīng)，蝕刻硅表面，并且促進(jìn)形成緊密的硅-銀接觸層。銀以島的形式沉積在硅上。硅-銀島的形狀、尺寸和數(shù)量決定了電子從硅傳遞至外部電路的效率。
[0005]概述
[0006]下文提供了對(duì)本發(fā)明的簡(jiǎn)單概述以提供對(duì)本發(fā)明某些方面的基本理解。此概述并非是對(duì)本發(fā)明的廣泛概述。其并非旨在標(biāo)識(shí)本發(fā)明的關(guān)鍵或重要要素或界定本發(fā)明的范圍。其唯一的目的是以簡(jiǎn)單的形式提供本發(fā)明的一些概念以作為后文提供的更加詳細(xì)描述的前序。
[0007]本發(fā)明的一個(gè)方面是一種糊劑組合物，其包含:(a)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分，和(b)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)小于約600°C的至少一種玻璃組合物。
[0008]本發(fā)明的另一方面是一種糊劑組合物，其包含:(a)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分，和(b)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含軟化點(diǎn)小于約700°C的至少第一玻璃組合物。
[0009]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案是一種糊劑組合物，其包含:(a)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分；(b)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分,所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含(i)約55摩爾％至約80摩爾％PbO、
(ii)約4摩爾％至約13摩爾％ S12, (iii)約11摩爾％至約22摩爾％ A1203、(iv)約3摩爾％至約10摩爾％ MnO、(V)約0.5摩爾％至約5摩爾％ M2O5，其中M選自P、Ta、As、Sb、V、Nb及其組合，和(vi)約0.1摩爾％至約3摩爾％ MO2，其中M選自T1、Zr和Hf。
[0010]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案是一種糊劑組合物，其包含:(a)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分；(b)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分,所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含(i)約17摩爾％至約51，優(yōu)選約21.1摩爾％至約43.9摩爾％ PbO, (ii)約14摩爾％至約47，優(yōu)選約15.6摩爾％至約39.8摩爾％ ZnO、(iii)約24.3摩爾％至約32.1，優(yōu)選約25.7摩爾％至約31.1摩爾％ S12, (iv)約6.2摩爾％至約13.1，優(yōu)選約6.9摩爾％至約12.2摩爾％ Al2O3和(V)約0.2摩爾％至約4.1，優(yōu)選約0.5摩爾％至約3.7摩爾％ M2O5，其中M選自P、Ta、V、Sb、Nb及其組合。
[0011]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案是一種糊劑組合物，其包含:(a)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分；(b)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分,所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含(i)約5.2摩爾％至約17.1，優(yōu)選約7.2摩爾％至約13.4摩爾％ ZnO, (ii)約37.8摩爾％至約71.2，優(yōu)選約46.2摩爾％至約65.9摩爾％ S12, (iii)約7.7摩爾％至約15.9，優(yōu)選8.2摩爾％至約15.2摩爾％ B203、(iv)約0.3摩爾％至約4.1，優(yōu)選0.7摩爾％至約3.6摩爾％八1203、&)約12.3摩爾％至約21.4，優(yōu)選15.4摩爾％至約20.3摩爾％ M2O,其中M選自L1、Na、K、Rb、Cs及其組合、(V)約0.4摩爾％至約5，優(yōu)選0.6摩爾％至約3.1摩爾％ MO，其中M選自Ca、Mg、Ba和Sr、(vi)約0.03摩爾％至約5，優(yōu)選0.05摩爾％至約0.9摩爾％ Sb2O5和(vii)約1.5摩爾％至約10，優(yōu)選2.1摩爾％至約4.6摩爾％ F。
[0012]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案是一種太陽能電池，其包含硅晶片和所述硅晶片上的燒制接觸層，所述接觸層在燒制之前包含:(a)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分，和(b)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分,所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物,所述至少第一玻璃組合物包含⑴約55摩爾％至約80摩爾％ PbO、(ii)約4摩爾％至約13摩爾％ S12, (iii)約11摩爾％至約22摩爾％ A1203、(iv)約3摩爾％至約10摩爾％ MnO、(V)約0.5摩爾％至約5摩爾％ M2O5，其中M選自P、Ta、As、Sb、V、Nb及其組合，和(vi)約0.1摩爾％至約3摩爾％ MO2，其中M選自T1、Zr和Hf。
[0013]本發(fā)明的另一方面是一種制備太陽能電池的方法，其包括:(a)提供硅晶片；(b)提供糊劑組合物，其在燒制之前包含(a)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分、(b)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)小于約600°C的至少一種玻璃組合物；(c)將所述糊劑組合物沉積到所述硅晶片的至少一側(cè)；和(d)將所述晶片在足夠的溫度下燒制足夠長的時(shí)間以熔融所述玻璃組分且燒結(jié)所述導(dǎo)電金屬組分。
[0014]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案是一種制備太陽能電池的方法，其包括:(a)提供硅晶片；(b)提供糊劑組合物，其在燒制之前包含(i)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分、(ii)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分,所述玻璃組分包含軟化點(diǎn)小于約700°C的至少一種玻璃組合物；(c)將所述糊劑組合物沉積到所述硅晶片的至少一側(cè)；和(d)將所述晶片在足夠的溫度下燒制足夠長的時(shí)間以熔融所述玻璃組分且燒結(jié)所述導(dǎo)電金屬組分。
[0015]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案是一種制備太陽能電池的方法，其包括:(a)提供硅晶片；(b)提供糊劑組合物，其在燒制之前包含(i)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分、(ii)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含(I)約55摩爾％至約80摩爾％ PbO、(2)約4摩爾％至約13摩爾％ S12, (3)約11摩爾％至約22摩爾％ A1203、⑷約3摩爾％至約10摩爾％ MnO、(5)約0.5摩爾％至約5摩爾％ M2O5，其中M選自P、Ta、As、Sb、V、Nb及其組合，和(6)約0.1摩爾％至約3摩爾％ MO2，其中M選自T1、Zr和Hf ； (c)將所述糊劑組合物沉積到所述硅晶片的至少一側(cè)；和(d)將所述晶片在足夠的溫度下燒制足夠長的時(shí)間以熔融所述玻璃組分且燒結(jié)所述導(dǎo)電金屬組分。
[0016]本發(fā)明的一個(gè)方面是一種太陽能電池，其包含硅晶片和所述硅晶片上的燒制接觸層，所述接觸層在燒制之前包含:(a)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分；(b)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分,所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物,所述至少第一玻璃組合物包含⑴約24摩爾％至約38摩爾％PbO、(ii)約23摩爾％至約37摩爾％ZnO, (iii)約21摩爾％至約37摩爾％ S12, (iv)約5摩爾％至約12摩爾^Al2O3和(V)約0.1摩爾％至約3摩爾％ M2O5，其中M選自Ta、P、V、Sb、Nb及其組合。
[0017]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案是一種制備太陽能電池的方法，其包括:(a)提供硅晶片；(b)提供糊劑組合物，其在燒制之前包含(i)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分、(ii)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含(I)約47摩爾％至約75摩爾％ PbO+ZnO、(2)約24.3摩爾％至約32.1摩爾％ S12, (3)約6.2摩爾％至約13.1摩爾^Al2O3和(4)約0.2摩爾％至約
4.1摩爾％ M2O5，其中M選自P、Ta、V、Sb、Nb及其組合；(c)將所述糊劑組合物沉積到所述硅晶片的至少一側(cè)；和(d)將所述晶片在足夠的溫度下燒制足夠長的時(shí)間以熔融所述玻璃組分且燒結(jié)所述導(dǎo)電金屬組分。
[0018]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案是一種太陽能電池，其包含硅晶片和所述硅晶片上的燒制接觸層，所述接觸層在燒制之前包含(a)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分；(b)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分,所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物,所述至少第一玻璃組合物包含Q)約43.2摩爾％至約67.1摩爾％3102、(^)約6.4摩爾％至約
17.9摩爾％ ZnO、(iii)約7.7摩爾％至約15.9摩爾％ B203、(iv)約0.3摩爾％至約4.1摩爾％ Al2O3' (V)約 12.3 摩爾％至約 21.4 摩爾％ M2O,其中 M 選自 L1、Na、K、Rb 和 Cs、(vi)約0.4摩爾％至約3.7摩爾％ MO，其中M選自Ca、Mg、Ba和Sr、(vii)約0.03摩爾％至約1.2摩爾％ Sb2O5和(viii)約1.5摩爾％至約5.9摩爾％ F。
[0019]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案是一種制備太陽能電池的方法，其包括:(a)提供硅晶片；(b)提供糊劑組合物，其在燒制之前包含(i)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分、
(ii)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含(I)約43.2摩爾％至約67.1摩爾％5102、(2)約6.4摩爾％至約17.9摩爾％ Zn0、(3)約7.7摩爾％至約15.9摩爾％ B203、(4)約0.3摩爾％至約4.1摩爾％ Al2O3' (5)約12.3摩爾％至約21.4摩爾％ M2O,其中M選自L1、Na、K、Rb和Cs、(6)約0.4摩爾％至約3.7摩爾％ MO，其中M選自Ca、Mg、Ba和Sr、(7)約0.03摩爾％至約1.2摩爾％ Sb2O5，和⑶約1.5摩爾％至約5.9摩爾％ F ; (c)將所述糊劑組合物沉積到所述硅晶片的至少一側(cè)；和(d)將所述晶片在足夠的溫度下燒制足夠長的時(shí)間以熔融所述玻璃組分且燒結(jié)所述導(dǎo)電金屬組分。
[0020]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案是一種太陽能電池，其包含硅晶片和所述硅晶片上的燒制接觸層，所述接觸層在燒制之前包含:(a)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分；(b)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分,所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物,所述至少第一玻璃組合物包含⑴約4摩爾％至約17摩爾％ ZnO、⑵約45摩爾％至約64摩爾％ S12, (3)約7摩爾％至約17摩爾％ B2O3> (iv)約0.4摩爾％至約3.9摩爾％ A1203、(V)約0.6摩爾％至約3.2摩爾％ MO，其中M選自Ca、Mg、Sr、Ba及其組合、(vi)約0.03摩爾％至約0.95摩爾％ Sb2O5和(vii)約1.5摩爾％至約5.7摩爾％ F。
[0021]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案是一種制備太陽能電池的方法，其包括:(a)提供硅晶片；(b)提供糊劑組合物，其在燒制之前包含(i)約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分、(?)約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含(I)約4摩爾％至約17摩爾％Zn0、(2)約45摩爾％至約64摩爾％ S12, (3)約7摩爾％至約17摩爾％ B2O3>⑷約0.4摩爾％至約3.9摩爾％ A1203、
(5)約0.6摩爾％至約3.2摩爾％ MO，其中M選自Ca、Mg、Sr、Ba及其組合、(6)約0.03摩爾％至約0.95摩爾％ Sb2O5和(7)約1.5摩爾％至約5.7摩爾％ F ; (c)將所述糊劑組合物沉積到所述硅晶片的至少一側(cè)；和(d)將所述晶片在足夠的溫度下燒制足夠長的時(shí)間以熔融所述玻璃組分且燒結(jié)所述導(dǎo)電金屬組分。
[0022]本發(fā)明的另一方面是一種糊劑組合物，其包含:占所述糊劑組合物的約50重量％或更多以及約95重量％或更少的導(dǎo)電金屬組分；占所述糊劑組合物的約0.5重量％或更多以及約15重量％或更少的玻璃組分，所述玻璃組分包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約65摩爾％或更少的S12和占所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少的一種或多種過渡金屬氧化物，所述過渡金屬氧化物的金屬選自]?11、？6、(:0、附、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd和Pt ;和占所述糊劑組合物的約5重量％或更多以及約20重量％或更少的媒介物。
[0023]根據(jù)一個(gè)方面，提供一種糊劑組合物。更具體地講，根據(jù)此方面，所述糊劑組合物包含導(dǎo)電金屬組分、玻璃組分和媒介物。所述玻璃組分可包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約65摩爾％或更少的S12和占所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少的一種或多種過渡金屬氧化物。所述過渡金屬氧化物的金屬選自Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd 和 Pt。
[0024]根據(jù)另一方面，提供一種太陽能電池。更具體地講，根據(jù)此方面，所述太陽能電池包含硅晶片和所述硅晶片上的接觸層。所述接觸層在燒制之前包含:導(dǎo)電金屬組分、玻璃組分和媒介物。所述玻璃組分可包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約65摩爾％或更少的S12和占所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少的一種或多種過渡金屬氧化物。所述過渡金屬氧化物的金屬選自Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd 和 Pt。
[0025]根據(jù)另一方面，提供一種制備糊劑組合物的方法。更具體地講，根據(jù)此方面，所述方法包括組合導(dǎo)電金屬組分、玻璃組分和媒介物，和將所述導(dǎo)電金屬組分與玻璃組分分散在所述媒介物中。所述玻璃組分可包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約65摩爾％或更少的S12和占所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少的一種或多種過渡金屬氧化物。所述過渡金屬氧化物的金屬選自Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd 和 Pt。
[0026]根據(jù)另一方面，提供一種形成太陽能電池接觸層的方法。更具體地講，根據(jù)此方面，所述方法包括提供硅基底，將糊劑組合物施加到所述基底的前側(cè)，和加熱糊劑以燒結(jié)導(dǎo)電金屬組分和熔融玻璃。所述糊劑包含導(dǎo)電金屬組分、玻璃組分和媒介物。所述玻璃組分可包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約65摩爾％或更少的S12和占所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少的一種或多種過渡金屬氧化物。所述過渡金屬氧化物的金屬選自 Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd
和Pt。
[0027]為了實(shí)現(xiàn)上述及相關(guān)目的，本發(fā)明包括在下文中充分描述并在權(quán)利要求中特別指出的特征。以下描述和附圖詳細(xì)闡述了本發(fā)明的某些示例性實(shí)施方案。然而，這些實(shí)施方案僅指示其中可采用本發(fā)明原理的各種方式中的幾種。當(dāng)結(jié)合附圖時(shí)，本發(fā)明的其它目的、優(yōu)點(diǎn)和新穎特征將從本發(fā)明的以下詳細(xì)描述中變得明顯。
[0028]附圖簡(jiǎn)述
[0029]圖1-5提供示意性地示出制造半導(dǎo)體器件的工藝流程圖。下面解釋圖1-5中示出的圖標(biāo)號(hào)。
[0030]100:p型硅基底
[0031]200:n型擴(kuò)散層
[0032]300:前側(cè)鈍化層/抗反射涂層(例如，SiNx, T12, S12膜)
[0033]400:形成于前側(cè)上的主題糊劑
[0034]402:形成于背側(cè)上的銀或銀/鋁背面糊劑
[0035]404:形成于背側(cè)上的鋁糊劑
[0036]500:燒制后的主題前電極
[0037]502:p+ 層(背面場(chǎng)，BSF)
[0038]504:銀或銀/鋁背電極(通過燒制銀或銀/鋁背面糊劑獲得)
[0039]506:鋁背電極(通過燒制鋁背面糊劑獲得)
[0040]詳細(xì)描述
[0041]本發(fā)明提供包含導(dǎo)電金屬組分、玻璃組分和媒介物的糊劑組合物。所述玻璃組分包含選自以下的過渡金屬的一種或多種氧化物:Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd和Pt。所述糊劑組合物可用于形成太陽能電池中的接觸層以及其它有關(guān)組分。可通過將糊劑組合物施加到硅基底上并且加熱糊劑以燒結(jié)導(dǎo)電金屬和熔融玻璃料來形成接觸層。
[0042]由于玻璃為引發(fā)硅反應(yīng)、導(dǎo)電金屬(如銀)燒結(jié)以及電觸點(diǎn)形成的主相，因此其溫度的任何增加和其局部溫度的任何增加將使得這些反應(yīng)在極快的太陽能電池?zé)品植贾羞M(jìn)行得更快和更早。將IR吸收性氧化物和顏料作為添加劑加入糊劑可增加局部晶片溫度。當(dāng)將這些氧化物加入常規(guī)糊劑中時(shí)，盡管可改善電性質(zhì)，但由于熱量從這些粒子到玻璃的非均勻傳導(dǎo)使得可重復(fù)性較差。在本發(fā)明中，為了改善傳遞效率，將IR吸收性過渡金屬氧化物摻入糊劑的石英玻璃組分中。據(jù)信這有助于可重復(fù)且可靠地改善電性質(zhì)。
[0043]因此，所述糊劑組合物可為所得太陽能電池提供一種或多種以下優(yōu)點(diǎn):1)低接觸電阻、2)高Voc、3)高填充因子、4)高電池效率，例如對(duì)于70歐姆/方塊晶片為約16.5%或更多，和5)寬燒制窗口，例如約50°C或更大的燒制窗口。不受理論的束縛，據(jù)信將IR吸收性過渡金屬氧化物摻入玻璃料中會(huì)改善局部燒制溫度。這可產(chǎn)生糊劑組合物與硅的更加均勻的燒結(jié)和反應(yīng)性，從而導(dǎo)致較低的接觸電阻。
[0044]在一個(gè)實(shí)施方案中，所述糊劑組合物可用于制備硅基太陽能電池的前接觸層，以收集通過光暴露產(chǎn)生的電流。在另一個(gè)實(shí)施方案中，所述糊劑組合物可用于制備硅基太陽能電池的背接觸層。雖然糊劑通常通過絲網(wǎng)印刷進(jìn)行施加，但也可使用本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員認(rèn)可的方法，例如擠出、移印、模版印刷、噴墨印刷、熱熔印刷或任何合適的微沉積/直寫技術(shù)。將具有絲網(wǎng)印刷的前接觸層的太陽能電池?zé)浦凛^低的溫度(550°C至850°C的晶片溫度；650°C至1000°C的爐設(shè)定溫度)以在磷摻雜硅晶片的N側(cè)與糊劑之間形成低電阻接觸層。本文也設(shè)想了制備太陽能電池的制備方法。
[0045]在另一個(gè)實(shí)施方案中，本文中的糊劑用于形成除太陽能電池之外且采用其它基底(例如玻璃、陶瓷、搪瓷、礬土和金屬芯基底)的應(yīng)用中的導(dǎo)體。例如，所述糊劑用于包括MCS加熱器、LED燈、厚膜混合電路、燃料電池系統(tǒng)、汽車用電子設(shè)備和汽車擋風(fēng)玻璃匯流條在內(nèi)的器件中。
[0046]所述糊劑或可通過將各個(gè)組分(即金屬、玻璃料和媒介物)混合來制備。廣義的理解是，本發(fā)明糊劑包含含有至少銀的導(dǎo)電金屬、含有過渡金屬氧化物的玻璃和媒介物。下文對(duì)每種成分進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0047]導(dǎo)電金屬組分
[0048]導(dǎo)電金屬組分可包含呈任何合適形式的任何合適的導(dǎo)電金屬。導(dǎo)電金屬的實(shí)例包括銀和鎳。導(dǎo)電金屬組分中的銀源可為銀金屬的一種或多種細(xì)?；蚣?xì)粉，或銀合金。銀的一部分可以氧化銀(Ag2O)或銀鹽例如AgN03、Ag00CCH3(醋酸銀)、丙烯酸Ag或甲基丙烯酸Ag的形式添加。銀粒子的具體實(shí)例包括球形銀粉Ag3000-1、解聚銀粉SFCGED、片狀銀粉SF-23、納米銀粉Ag7000-35和膠體銀RDAGC0LB，其均可商購自FerroCorporat1n, Cleveland, Oh1。
[0049]導(dǎo)電金屬組分中的鎳源可為鎳金屬的一種或多種細(xì)粒或細(xì)粉，或鎳合金。鎳的一部分可以有機(jī)鎳的形式添加。具體的有機(jī)鎳實(shí)例為乙?；徭嚭偷米設(shè)MG的鎳HEX-CEM。也想到以本文別處所公開的針對(duì)有機(jī)金屬化合物的比例來使用基于下列金屬中至少一種的其它有機(jī)金屬化合物:鋅、釩、錳、鈷、鎳和鐵。
[0050]本文中的所有金屬均可以一種或多種物理和化學(xué)形式提供。廣義而言，金屬粉末、薄片、鹽類、氧化物、玻璃、膠體和有機(jī)金屬均為合適的。導(dǎo)電金屬組分可具有任何合適的形式。導(dǎo)電金屬組分的粒子可為球形的、薄片狀的、膠體狀的、無定形的、不規(guī)則形狀的或其組合。在一個(gè)實(shí)施方案中，導(dǎo)電金屬組分可涂覆有諸如磷的各種材料?；蛘?，導(dǎo)電金屬組分可涂覆在玻璃上。氧化銀可在玻璃熔融/制造過程中溶解在玻璃中。
[0051]在一個(gè)實(shí)施方案中，金屬組分包括其它導(dǎo)電金屬，例如銅、鎳、鈀、鉬、金及其組合。還可使用其它合金，例如Ag-Pd、Pt-Au> Ag-Pt0
[0052]導(dǎo)電金屬組分可具有任何合適的尺寸。一般來講，導(dǎo)電金屬組分的尺寸(D50)為約0.01至約20微米，優(yōu)選約0.05至約10微米。在一個(gè)實(shí)施方案中，銀和/或鎳粒子的尺寸通常為約0.05至約10微米，優(yōu)選約0.05至約5微米，更優(yōu)選約0.05至3微米。在另一個(gè)實(shí)施方案中，其它金屬粒子為約0.01至約20微米，更優(yōu)選約0.05至約10微米。
[0053]在另一個(gè)實(shí)施方案中，粒子的表面積為約0.01至10m2/g。在另一個(gè)實(shí)施方案中，粒子的比表面積為約0.1至8m2/g。在另一個(gè)實(shí)施方案中，粒子的比表面積為約0.2至6m2/go在另一個(gè)實(shí)施方案中，粒子的比表面積為約0.2至5.5m2/g。在另一個(gè)實(shí)施方案中，糊劑中不同類型的(不規(guī)則的、球形的、薄片狀的、亞微米或納米的)銀粉的混合物的粒度分布可為單峰分布或其它類型的分布，例如雙峰分布或三峰分布。
[0054]在一個(gè)實(shí)施方案中，金屬組分可以目標(biāo)金屬的離子鹽形式提供，例如碳酸鹽、氫氧化物、磷酸鹽和硝酸鹽。可使用任意金屬的有機(jī)金屬化合物，包括醋酸鹽、丙烯酸鹽、甲基丙烯酸鹽、甲酸鹽、羧酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、間苯二酸鹽、對(duì)苯二酸鹽、延胡索酸鹽、水楊酸鹽、酒石酸鹽、葡糖酸鹽或螯合物，例如與乙二胺或乙二胺四乙酸(EDTA)的螯合物。其它適當(dāng)?shù)陌辽僖环N金屬的粉末、鹽、氧化物、玻璃、膠體和有機(jī)金屬對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是顯而易見的。一般來講，銀和/或其它金屬以金屬粉末或薄片的形式提供。
[0055]在一個(gè)實(shí)施方案中，金屬組分包括約75重量％至約100重量％的不規(guī)則形狀或球形金屬粒子或可選擇的約I重量％至約100重量％的金屬粒子和約I重量％至約100重量％的金屬薄片。在另一個(gè)實(shí)施方案中，金屬組分包括約75重量％至約99重量％的金屬薄片或粒子以及約I重量％至約25重量％的膠態(tài)金屬。上述金屬的粒子、薄片和膠體形式的上述組合并非意圖進(jìn)行限制，其中本領(lǐng)域技術(shù)人員將知道可存在其它組合。
[0056]糊劑組合物可包含上述任意導(dǎo)電金屬組分。在一個(gè)實(shí)施方案中，導(dǎo)電金屬組分包含占所述導(dǎo)電金屬組分的約75重量％或更多以及約100重量％或更少的金屬粒子和占所述導(dǎo)電金屬組分的高達(dá)約25重量％或更少的金屬薄片。在另一個(gè)實(shí)施方案中，導(dǎo)電金屬組分包含占所述導(dǎo)電金屬組分的約75重量％或更多以及約99重量％或更少的金屬薄片和占所述導(dǎo)電金屬組分的約I重量％或更多以及約25重量％或更少的膠態(tài)金屬。在另一個(gè)實(shí)施方案中，導(dǎo)電金屬組分包含占所述導(dǎo)電金屬組分的約75重量％或更多以及約99重量％或更少的金屬粒子和占所述導(dǎo)電金屬組分的約I重量％或更多以及約25重量％或更少的膠態(tài)金屬。在另一個(gè)實(shí)施方案中，導(dǎo)電金屬組分包含占所述導(dǎo)電金屬組分的約75重量％或更多以及約99重量％或更少的金屬粒子、占所述導(dǎo)電金屬組分的約0.1重量％或更多至約25重量％或更少的金屬薄片和占所述導(dǎo)電金屬組分的約I重量％或更多以及約10重量％或更少的膠態(tài)金屬。糊劑組合物通常包含導(dǎo)電金屬組分，所述導(dǎo)電金屬組分可具有任何合適的量，只要糊劑可提供導(dǎo)電性即可。在一個(gè)實(shí)施方案中，糊劑組合物包含占所述糊劑組合物的約50重量％或更多以及約95重量％或更少的導(dǎo)電金屬組分。在另一個(gè)實(shí)施方案中，糊劑組合物包含占所述糊劑組合物的約70重量％或更多以及約92重量％或更少的導(dǎo)電金屬組分。在另一個(gè)實(shí)施方案中，糊劑組合物包含占所述糊劑組合物的約75重量％或更多以及約90重量％或更少的導(dǎo)電金屬組分。
[0057]糊劑玻璃
[0058]玻璃組分可在燒制之前包含含有過渡金屬氧化物的石英玻璃。在一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約65摩爾％或更少的S12。在另一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分包含占所述玻璃組分的約5摩爾％或更多以及約40摩爾％或更少的S12。在另一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約32摩爾％或更少的S12。在另一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約20摩爾％或更少的S12。在另一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約15摩爾％或更少的S12。在另一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約10摩爾％或更少的S12。
[0059]玻璃組分包含一種或多種過渡金屬氧化物，其中所述過渡金屬氧化物的金屬選自Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd 和 Pt。玻璃組分包含過渡金屬氧化物，所述過渡金屬氧化物具有任何合適的量，只要所得接觸層具有低電阻即可。在一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分包含占所述玻璃組分的約0.01摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少的過渡金屬氧化物。在另一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分包含占所述玻璃組分的約0.5摩爾％或更多以及約20摩爾％或更少的過渡金屬氧化物；在另一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分包含占所述玻璃組分的約0.5摩爾％或更多以及約15摩爾％或更少的過渡金屬氧化物。在另一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分包含占所述玻璃組分的約0.5摩爾％或更多以及約10摩爾％或更少的過渡金屬氧化物。
[0060]在一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分僅包含一種過渡金屬氧化物，其中所述過渡金屬氧化物的金屬選自 Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd 和 Pt。在另一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分僅包含兩種過渡金屬氧化物，其中所述兩種過渡金屬氧化物的金屬選自 Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd 和 Pt。在另一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分包含選自以下的過渡金屬的三種或更多種氧化物:Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd和Pt。在一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分僅包含具有選自 Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd 和 Pt 的金屬的過渡金屬氧化物作為過渡金屬氧化物，并且不含任何其它過渡金屬氧化物。在另一個(gè)實(shí)施方案中，玻璃組分僅包含 ZnO 和選自以下 Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Mo、Zr、Rh、Ru、Pd和Pt的過渡金屬的氧化物作為過渡金屬氧化物。
[0061]下表I示出過渡金屬氧化物的一些示例性組合。實(shí)施方案的氧化物組分的量未必限于單列例如1-1至1-12中的量。可對(duì)來自該表中不同列的氧化物范圍進(jìn)行組合，只要這些范圍的總和合計(jì)達(dá)到玻璃組分的0.1-25摩爾％、0.5-20摩爾％、0.5-15摩爾％或0.5-10摩爾％即可。在說明書和權(quán)利要求通篇中，在所有情況下，對(duì)于所有的表和所有的實(shí)施方案而言，當(dāng)指示由零限定的范圍時(shí)，其提供對(duì)由處于下端的0.01或0.1所限定的同一范圍的支持。
[0062]本文的玻璃組合物通常以玻璃料或粉末的形式提供，所述玻璃料或粉末的D5tl粒度的范圍為約0.1至約25微米，優(yōu)選約0.1至約10微米，更優(yōu)選約0.1至約4微米，更優(yōu)選約0.1至約2.5微米，甚至更優(yōu)選約0.1至約1.2微米，更優(yōu)選約0.1至約1.0微米，更優(yōu)選約0.1至約0.5微米，最優(yōu)選約0.3至約1.0微米。當(dāng)使用不止一種玻璃組合物時(shí)，它們具有可在或可不在同一范圍內(nèi)的D5tl粒度。
[0063]本文使用的玻璃組合物具有特定的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。例如，Tg可落在可更加連續(xù)優(yōu)選的范圍內(nèi):(a)小于約600°C、(b)約250°C至約600°C、(c)約300°C至約600°C、(d)約400°C至約600°C、(e)約400°C至500°C。當(dāng)使用不止一種玻璃組合物時(shí)，它們具有可在或可不在同一范圍內(nèi)的Tg值。
[0064]本文使用的玻璃組合物具有特定的軟化點(diǎn)。例如，軟化點(diǎn)可落在可更加連續(xù)優(yōu)選的范圍內(nèi):(a)小于約 700°C、(b)約 350°C至約 600°C、(c)約 375°C至約 600°C、(d)約 375°C至約550°C。當(dāng)使用不止一種玻璃組合物時(shí)，它們具有可在或可不在同一范圍內(nèi)的軟化點(diǎn)值。
[0065]

【權(quán)利要求】
1.一種糊劑組合物，其包含: a.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分 b.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)小于約600°C的至少一種玻璃組合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的糊劑組合物，其中所述第一玻璃組合物的所述Tg為約250°C至約600 °C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的糊劑組合物，其中所述第一玻璃組合物的所述Tg為約300°C至約600 °C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的糊劑組合物，其中所述第一玻璃組合物的所述Tg為約400°C至約600 °C。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的糊劑組合物，其中所述第一玻璃組合物的所述Tg為約400°C至約500 °C。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的糊劑，其還包含Tg范圍選自(a)小于約600°C、(b)約 250°C 至約 600。。、(c)約 300°C 至約 600。。、(d)約 400°C 至約 600。。、(e)約 400。。至500°C及其組合的第二玻璃組合物，其中所述第一玻璃組合物和第二玻璃組合物并不相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的糊劑，其還包含Tg范圍選自(a)小于約600°C、(b)約250°C至約 600°C、(c)約 300°C至約 600°C、(d)約 400°C至約 600°C、(e)約 400°C至 500°C及其組合的第三玻璃組合物，其中所述第一玻璃組合物、第二玻璃組合物和第三玻璃組合物并不相同。
8.一種糊劑組合物，其包含: a.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分 b.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分,所述玻璃組分包含軟化點(diǎn)小于約700°C的至少第一玻璃組合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的糊劑組合物，其中所述至少一種玻璃組合物的所述軟化點(diǎn)為約 350°C至約 650°C。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的糊劑組合物，其中所述至少一種玻璃組合物的所述軟化點(diǎn)為約350°C至約600°C。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的糊劑組合物，其中所述至少一種玻璃組合物的所述軟化點(diǎn)為約375°C至約600°C。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的糊劑組合物，其中所述至少一種玻璃組合物的所述軟化點(diǎn)為約375°C至約550°C。
13.根據(jù)權(quán)利要求8至12中任一項(xiàng)所述的糊劑，其還包含軟化點(diǎn)Tg范圍選自(a)小于約 700°C、(b)約 350°C至約 600°C、(c)約 375°C至約 600°C、(d)約 375°C至約 550°C及其組合的第二玻璃組合物，其中所述第一玻璃組合物和第二玻璃組合物并不相同。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的糊劑，其還包含軟化點(diǎn)Tg范圍選自(a)小于約700°C、(b)約350°C至約600°C、(c)約375°C至約600°C、(d)約375°C至約550°C及其組合的第三玻璃組合物，其中所述第一玻璃組合物、第二玻璃組合物和第三玻璃組合物并不相同。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的糊劑，其中所述第一玻璃組合物包含D5tl尺寸為約0.1至約25微米的粒子。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的糊劑，其中所述第一玻璃組合物包含D5tl尺寸為約0.1至約10微米的粒子。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項(xiàng)所述的糊劑，其中所述第一玻璃組合物包含D5tl尺寸為約0.1至約4微米的粒子。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項(xiàng)所述的糊劑，其中所述第一玻璃組合物包含D5tl尺寸為約0.1至2.5微米的粒子。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至18中任一項(xiàng)所述的糊劑，其中所述第一玻璃組合物包含D5tl尺寸為約0.1至約1.2微米的粒子。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項(xiàng)所述的糊劑，其中所述第一玻璃組合物包含D5tl尺寸為約0.1至約1.0微米的粒子。
21.根據(jù)權(quán)利要求1至20中任一項(xiàng)所述的糊劑，其中所述第一玻璃組合物包含D5tl尺寸為約0.1至約0.5微米的粒子。
22.根據(jù)權(quán)利要求1至21中任一項(xiàng)所述的糊劑，其中所述第一玻璃組合物包含D5tl尺寸為約0.3至約1.0微米的粒子。
23.根據(jù)權(quán)利要求6或權(quán)利要求13所述的糊劑，其中所述第二玻璃組合物包含D5tl尺寸范圍選自(a)約0.1至約25微米、(b)約0.1至約10微米、約0.1至約4微米、(c)約0.1至約2.5微米、(d)約0.1至約1.2微米、(e)約0.1至約1.0微米、(f)約0.1至約0.5微米、(g)約0.3至約1.0微米的粒子，其中所述第一玻璃和第二玻璃并不相同。
24.根據(jù)權(quán)利要求7或權(quán)利要求14所述的糊劑，其中所述第三玻璃組合物包含D5tl尺寸范圍選自(a)約0.1至約25微米、(b)約0.1至約10微米、約0.1至約4微米、(c)約0.1至約2.5微米、(d)約0.1至約1.2微米、(e)約0.1至約1.0微米、(f)約0.1至約0.5微米、(g)約0.3至約1.0微米的粒子，其中所述第一玻璃、第二玻璃和第三玻璃并不相同。
25.根據(jù)權(quán)利要求1至24中任一項(xiàng)所述的糊劑組合物，其中所述第一玻璃組合物包含: 1.約55摩爾％至約80摩爾％PbO ; i1.約4摩爾％至約13摩爾％S12 ； ii1.約11摩爾％至約22摩爾％Al2O3 ； iv.約3摩爾％至約10摩爾％MnO ； V.約0.5摩爾％至約5摩爾％ M2O5，其中M選自P、Ta、As、Sb、V、Nb及其組合；和 v1.約0.1摩爾％至約3摩爾％ MO2，其中M選自T1、Zr和Hf。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的糊劑，其中所述至少第一玻璃組合物包含: a.約57摩爾％至約77摩爾％PbO ； b.約5摩爾％至約11摩爾％S12 ; c.約13摩爾％至約20摩爾％Al2O3 ； d.約4摩爾％至約9摩爾％MnO ； e.約0.8摩爾％至約4摩爾％M2O5，其中M選自P、Ta、As、Sb、V、Nb及其組合；和 f.約0.5摩爾％至約2.2摩爾％ MO2，其中M選自T1、Zr和Hf。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的糊劑，其中所述至少第一玻璃組合物包含: a.約59摩爾％至約71摩爾％ PbO ； b.約6摩爾％至約10摩爾％S12 ； c.約14摩爾％至約19摩爾％Al2O3 ； d.約4.5摩爾％至約7.8摩爾％ MnO ；e.約I摩爾％至約3.5摩爾％ M2O5，其中M選自P、Ta、As、Sb、V、Nb及其組合；和 f.約0.7摩爾％至約1.9摩爾％ MO2，其中M選自T1、Zr和Hf。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的糊劑，其中所述玻璃組分還包含第二玻璃組合物，所述第二玻璃組合物包含: a.約24摩爾％至約38摩爾％PbO ； b.約23摩爾％至約37摩爾％ZnO ； c.約21摩爾％至約37摩爾％S12 ； d.約5摩爾％至約12摩爾％Al2O3 ;和 e.約0.1摩爾％至約3摩爾％ M2O5，其中M選自Ta、P、V、Sb、Nb及其組合。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的糊劑，其中所述第二玻璃組合物包含: a.約27摩爾％至約36摩爾％PbO ； b.約24.5摩爾％至約34.2摩爾％ ZnO ； c.約22.3摩爾％至約33.9摩爾％ S12 ； d.約6.1摩爾％至約10.7摩爾％ Al2O3 ;和 e.約0.3摩爾％至約2.5摩爾％ M2O5，其中M選自Ta、P、V、Sb、Nb及其組合。
30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的糊劑，其中所述玻璃組分還包含第二玻璃組合物，所述第二玻璃組合物包含: a.約5摩爾％至約14摩爾％ZnO ； b.約41摩爾％至約66摩爾％S12 ； c.約7摩爾％至約15.2摩爾％ B2O3 ； d.約0.5摩爾%至約4.2摩爾% Al2O3 ； e.約11摩爾％至約23摩爾％M2O,其中M選自L1、Na、K、Rb、Cs及其組合； f.約0.01摩爾％至約5摩爾％ Sb2O5 ;和 g.約I摩爾％至約10摩爾％F。
31.根據(jù)權(quán)利要求25所述的糊劑，其中所述第二玻璃組合物包含: a.約6.2摩爾％至約12.6摩爾％ ZnO ； b.約47.3摩爾％至約58.1摩爾％ S12 ； c.約8.4摩爾％至約13.8摩爾％ B2O3 ; d.約1.1摩爾％至約2.9摩爾％ Al2O3 ； e.約14.2摩爾％至約21.7摩爾％ M2O,其中M選自L1、Na、K、Rb、Cs及其組合； f.約0.05摩爾％至約I摩爾％ Sb2O5和 g.約1.7摩爾％至約7摩爾％ F。
32.—種糊劑組合物，其包含: a.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分 b.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含 1.約55摩爾％至約80摩爾％PbO ; i1.約4摩爾％至約13摩爾％S12 ; ii1.約11摩爾％至約22摩爾％Al2O3 ； iv.約3摩爾％至約10摩爾％MnO ； V.約0.5摩爾％至約5摩爾％ M2O5，其中M選自P、Ta、As、Sb、V、Nb及其組合；和 v1.約0.1摩爾％至約3摩爾％ MO2，其中M選自T1、Zr和Hf。
33.一種糊劑組合物，其包含: a.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分 b.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含 1.約17摩爾％至約51摩爾％PbO i1.約14摩爾％至約47摩爾％ZnO ; ii1.約24.3摩爾％至約32.1摩爾％ S12 ； iv.約6.2摩爾％至約13.1摩爾％ Al2O3 ;和 V.約0.2摩爾％至約4.1摩爾％ M2O5，其中M選自P、Ta、V、As、Sb、Nb及其組合。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的糊劑組合物，其中所述玻璃組合物包含: a.約21.1摩爾％至約43.9摩爾％ PbO ； b.約15.6摩爾％至約39.8摩爾％ ZnO ； c.約25.7摩爾％至約31.1摩爾％ S12 ； d.約6.9摩爾％至約12.2摩爾％ Al2O3 ;和e.約0.5摩爾％至約3.7摩爾％ M2O5，其中M選自P、Ta、V、As、Sb、Nb及其組合。
35.一種糊劑組合物，其包含: a.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分 b.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含: 1.約5.2摩爾％至約17.1摩爾％ ZnO ； i1.約37.8摩爾％至約71.2摩爾％ S12 ； ii1.約7.7摩爾％至約15.9摩爾％ B2O3 ； iv.約0.3摩爾％至約4.1摩爾％ Al2O3 ； V.約12.3摩爾％至約21.4摩爾％ M2O,其中M選自L1、Na K、Rb、Cs及其組合； v1.約0.4摩爾％至約5摩爾％ MO，其中M選自Ca、Mg、Ba和Sr ； vi1.約0.03摩爾％至約5摩爾％ Sb2O5 ;和 vii1.約1.5摩爾％至約10摩爾％ F。
36.根據(jù)權(quán)利要求33所述的糊劑組合物，其還包含第二玻璃組合物，所述第二玻璃組合物包含: 1.約7.2摩爾％至約13.4摩爾％ ZnO ； i1.約46.2摩爾％至約65.9摩爾％ S12 ； ii1.約8.2摩爾％至約15.2摩爾％ B2O3 ； iv.約0.7摩爾％至約3.6摩爾％ Al2O3 ； V.約15.4摩爾％至約20.3摩爾％M20，其中M選自L1、Na、K、Rb、Cs及其組合； v1.約0.6摩爾％至約3.1摩爾％ MO，其中M選自Ca、Mg、Ba和Sr ； vi1.約0.05摩爾％至約0.9摩爾％ Sb2O5 ;和 vii1.約2.1摩爾％至約4.6摩爾％ F。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的糊劑組合物，其還包含第二玻璃組合物，所述第二玻璃組合物包含: 1.約5.2摩爾％至約16.1摩爾％ ZnO ； i1.約47.1摩爾％至約63.8摩爾％ S12 ； ii1.約8.2摩爾％至約15.5摩爾％ B2O3 ； iv.約0.4摩爾％至約3.9摩爾％ Al2O3 V.約14.2摩爾％至約22.9摩爾％ M2O,其中M選自L1、Na K、Rb、Cs及其組合； v1.約0.9摩爾％至約2.9摩爾％ MO，其中M選自Ca、Mg、Sr、Ba及其組合； vi1.約0.05摩爾％至約0.87摩爾％ Sb2O5和 vii1.約2.1摩爾％至約3.9摩爾％ F。
38.根據(jù)權(quán)利要求32所述的糊劑組合物，其還包含第二玻璃組合物，所述第二玻璃組合物包含: 1.約25.5摩爾％至約37摩爾％ PbO ； i1.約24摩爾％至約36摩爾％ZnO ； ii1.約22摩爾％至約35摩爾％S12 ； iv.約5.7摩爾％至約11.3摩爾％ Al2O3 ； V.約0.4摩爾％至約2.8摩爾％ M2O5，其中M選自Ta、P、V、Sb和Nb。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的糊劑組合物，其包含第三玻璃組合物，所述第三玻璃組合物包含: 1.約28摩爾％至約35摩爾％PbO ； i1.約25.2摩爾％至約34.7摩爾％ ZnO ； ii1.約23.9摩爾％至約33.2摩爾％ S12 ； iv.約6.2摩爾％至約10.8摩爾％ Al2O3 ； V.約0.6摩爾％至約2.5摩爾％ M2O5，其中M選自Ta、P、V、Sb和Nb。
40.根據(jù)權(quán)利要求1至39中所述的糊劑，其中所述玻璃組分還包含第二玻璃組合物，所述第二玻璃組合物包含: a.約55摩爾％至約71摩爾％PbO ； b.約0.5摩爾％至約5摩爾％ Bi2O3 ； c.約0.1摩爾％至約5摩爾％ S12 ; d.約17摩爾％至約27摩爾％B2OjP e.或者 1.約4摩爾％至約9摩爾％ZnO和0.1摩爾％至約5摩爾％ Fe2O3或者 i1.約2摩爾％至約12摩爾％MnO0
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的糊劑，其中所述第二玻璃組合物包含 a.約57摩爾％至約69摩爾％ PbO ； b.約0.8摩爾％至約4.3摩爾％ Bi2O3 ； c.約I摩爾％至約4摩爾％S12 ; d.約18.3摩爾％至約24.9摩爾％ B2O3和 e.或者 1.約5.1摩爾％至約8.2摩爾％ ZnO和I摩爾％至約4摩爾％ Fe2O3或者 i1.約3.2摩爾％至約10.7摩爾％ MnO。
42.根據(jù)權(quán)利要求25至41中任一項(xiàng)所述的糊劑，其中所述導(dǎo)電金屬組分包含D5tl尺寸為約0.01至約20微米，優(yōu)選約0.05至約10微米，更優(yōu)選約0.05至3微米的粒子。
43.根據(jù)權(quán)利要求25至41中所述的糊劑，其中所述導(dǎo)電金屬粒子的表面積為約0.01至1m2/g,優(yōu)選約0.1至8m2/g,更優(yōu)選約0.2至6m2/g,更優(yōu)選約0.2至5.5m2/g。
44.一種太陽能電池，其包含硅晶片和所述硅晶片上的接觸層，所述接觸層在燒制之前包含: a.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分 b.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含 1.約55摩爾％至約80摩爾％PbO ; i1.約4摩爾％至約13摩爾％S12 ; ii1.約11摩爾％至約22摩爾％Al2O3 ； iv.約3摩爾％至約10摩爾％MnO ； V.約0.5摩爾％至約5摩爾％ M2O5，其中M選自P、Ta、As、Sb、V、Nb及其組合；和 v1.約0.1摩爾％至約3摩爾％ MO2，其中M選自T1、Zr和Hf。
45.—種制備太陽能電池的方法,其包括: a.提供娃晶片； b.提供糊劑組合物，所述糊劑組合物在燒制之前包含； 1.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分； i1.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)小于約600°C的至少一種玻璃組合物； c.將所述糊劑組合物沉積到所述硅晶片的至少一側(cè)上；和 d.將所述晶片在足夠的溫度下燒制足夠長的時(shí)間以熔融所述玻璃組分且燒結(jié)所述導(dǎo)電金屬組分。
46.—種制備太陽能電池的方法,其包括: a.提供娃晶片； b.提供糊劑組合物，所述糊劑組合物在燒制之前包含； 1.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分； c.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分,所述玻璃組分包含軟化點(diǎn)小于約700°C的至少一種玻璃組合物。
47.一種制備太陽能電池的方法，其包括: a.提供娃晶片； b.提供糊劑組合物，所述糊劑組合物在燒制之前包含； 1.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分； i1.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含 1.約55摩爾％至約80摩爾％PbO ; 2.約4摩爾％至約13摩爾％S12 ; 3.約11摩爾％至約22摩爾％Al2O3 ； 4.約3摩爾％至約10摩爾％MnO ；5.約0.5摩爾％至約5摩爾％ M2O5其中M選自P、Ta、As、Sb、V、Nb及其組合；和 6.約0.1摩爾％至約3摩爾％ MO2，其中M選自T1、Zr和Hf ； c.將所述糊劑組合物沉積到所述硅晶片的至少一側(cè)上；和 d.將所述晶片在足夠的溫度下燒制足夠長的時(shí)間以熔融所述玻璃組分且燒結(jié)所述導(dǎo)電金屬組分。
48.一種太陽能電池，其包含硅晶片和所述硅晶片上的接觸層，所述接觸層在燒制之前包含: a.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分 b.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含 1.約24摩爾％至約38摩爾％PbO ； i1.約23摩爾％至約37摩爾％ZnO ； ii1.約21摩爾％至約37摩爾％S12 ； iv.約5摩爾％至約12摩爾％Al2O3 ;和 V.約0.1摩爾％至約3摩爾％ M2O5，其中M選自Ta、P V、Sb和Nb。
49.一種制備太陽能電池的方法，其包括: a.提供娃晶片； b.提供糊劑組合物，所述糊劑組合物在燒制之前包含； 1.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分 i1.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含 1.約47摩爾％至約75摩爾％PbO+ZnO ； 2.約24.3摩爾％至約32.1摩爾％ S12 ； 3.約6.2摩爾％至約13.1摩爾％ Al2O3 ;和4.約0.2摩爾％至約4.1摩爾％ M2O5，其中M選自P、Ta、V、Sb、Nb及其組合。 c.將所述糊劑組合物沉積到所述硅晶片的至少一側(cè)上；和 d.將所述晶片在足夠的溫度下燒制足夠長的時(shí)間以熔融所述玻璃組分且燒結(jié)所述導(dǎo)電金屬組分。
50.一種太陽能電池，其包含硅晶片和所述硅晶片上的接觸層，所述接觸層在燒制之前包含: a.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分b.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含 1.約43.2摩爾％至約67.1摩爾％ S12 ； i1.約6.4摩爾％至約17.9摩爾％ ZnO ； ii1.約7.7摩爾％至約15.9摩爾％ B2O3 ； iv.約0.3摩爾％至約4.1摩爾％ Al2O3 ； V.約12.3摩爾％至約21.4摩爾％ M2O,其中M選自L1、Na K、Rb、Cs及其組合； v1.約0.4摩爾％至約5摩爾％ MO，其中M選自Ca、Mg、Ba和Sr, vi1.約0.03摩爾％至約5摩爾％ Sb2O5 ;和 vii1.約1.5摩爾％至約10摩爾％ F。
51.—種制備太陽能電池的方法,其包括: a.提供娃晶片； b.提供糊劑組合物，所述糊劑組合物在燒制之前包含； 1.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分 i1.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含 1.約43.2摩爾％至約67.1摩爾％ S12 ； 2.約6.4摩爾％至約47.9摩爾％ ZnO ； 3.約7.7摩爾％至約15.9摩爾％ B2O3 ； 4.約0.3摩爾％至約4.1摩爾％ Al2O3 ； 5.約12.3摩爾％至約21.4摩爾％ M2O,其中M選自L1、Na K、Rb和Cs ； 6.約0.4摩爾％至約3.7摩爾％ MO，其中M選自Ca、Mg、Ba和Sr ； 7.約0.03摩爾％至約1.2摩爾％ Sb2O5 ;和 8.約1.5摩爾％至約5.9摩爾％ F。 c.將所述糊劑組合物沉積到所述硅晶片的至少一側(cè)上；和 d.將所述晶片在足夠的溫度下燒制足夠長的時(shí)間以熔融所述玻璃組分且燒結(jié)所述導(dǎo)電金屬組分。
52.一種太陽能電池，其包含硅晶片和所述硅晶片上的接觸層，所述接觸層在燒制之前包含: a.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分 b.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含 1.約4摩爾％至約17摩爾％ZnO ; i1.約45摩爾％至約64摩爾％S12 ; ii1.約7摩爾％至約17摩爾％B2O3 ; iv.約0.4摩爾％至約3.9摩爾％ Al2O3 ； V.約0.6摩爾％至約3.2摩爾％ MO，其中M選自Ca、Mg、Sr、Ba及其組合； v1.約0.03摩爾％至約0.95摩爾％ Sb2O5和 vi1.約1.5摩爾％至約5.7摩爾％ F。
53.—種制備太陽能電池的方法,其包括: a.提供娃晶片； b.提供糊劑組合物，所述糊劑組合物在燒制之前包含； 1.約50重量％至約95重量％的導(dǎo)電金屬組分 i1.約0.5重量％至約15重量％的玻璃組分，所述玻璃組分包含至少第一玻璃組合物，所述至少第一玻璃組合物包含 ii1.約4摩爾％至約17摩爾％ZnO ; iv.約45摩爾％至約64摩爾％S12 ； V.約7摩爾％至約17摩爾％ B2O3 ; v1.約0.4摩爾％至約3.9摩爾％ Al2O3 ; vi1.約0.6摩爾％至約3.2摩爾％ MO，其中M選自Ca、Mg、Sr、Ba及其組合； vii1.約0.03摩爾％至約0.95摩爾％ Sb2O5和 ix.約1.5摩爾％至約5.7摩爾％ F ; c.將所述糊劑組合物沉積到所述硅晶片的至少一側(cè)上；和 d.將所述晶片在足夠的溫度下燒制足夠長的時(shí)間以熔融所述玻璃組分且燒結(jié)所述導(dǎo)電金屬組分。
54.一種糊劑組合物，其包含: 占所述糊劑組合物的約50重量％或更多以及約95重量％或更少的導(dǎo)電金屬組分； 占所述糊劑組合物的約0.5重量％或更多以及約15重量％或更少的玻璃組分，所述玻璃組分包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約40摩爾％或更少的S12和占所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少的一種或多種過渡金屬氧化物，所述過渡金屬氧化物的金屬選自 Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Rh、Ru、Pd 和 Pt ；和 占所述糊劑組合物的約5重量％或更多以及約20重量％或更少的媒介物。
55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的糊劑組合物，其中所述玻璃組分的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)小于約600°C，優(yōu)選約250°C至約650°C。
56.根據(jù)權(quán)利要求55所述的糊劑組合物，其中所述玻璃組分包含MnO、MnO2,N1, FeO、Fe2O3、Cu2O、CuO、CoO、V2O5、Cr2O3和Co2O3中的僅一種或多種作為過渡金屬氧化物，其中所述過渡金屬氧化物的含量分別為所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少。
57.根據(jù)權(quán)利要求54所述的糊劑組合物，其中所述玻璃組分包含MnO、MnO2,N1, FeO、Fe203、Cu20、Cu0、Co0和Co2O3中的僅一種或多種作為過渡金屬氧化物，其中所述過渡金屬氧化物的含量分別為所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少。
58.根據(jù)權(quán)利要求54所述的糊劑組合物，其中所述玻璃組分包含Μη0、Μη02和Fe2O3中的僅一種或多種作為過渡金屬氧化物，其中所述過渡金屬氧化物的含量分別為所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少。
59.根據(jù)權(quán)利要求54所述的糊劑組合物，其還包含占所述糊劑組合物的約0.01重量％或更多以及約10重量％或更少的一種或多種金屬乙酰丙酮酸鹽，其中所述金屬乙酰丙酮酸鹽中的金屬選自 V、Zn、Mn、Co、N1、Cu、Y、Zr、Ce、Ru、Rh 和 Fe
60.根據(jù)權(quán)利要求54所述的糊劑組合物，其還包含占所述糊劑組合物的約0.01重量％或更多以及約10重量％或更少的一種或多種金屬硅酸鹽，其中所述金屬硅酸鹽具有式:MxSiyOz+2y，其中 X = 1、2 或 3、Y = 1、2 或 3、Χ/Υ = 1/3 至 3、Z = 1/2Χ、X 或 2Χ 且金屬 M 選自:Ζη、Mg、L1、Mn、Co、N1、Cu、Gd、Zr、Ce、Fe、Al 和 Y。
61.一種太陽能電池，其包含硅晶片和所述硅晶片上的接觸層，所述接觸層在燒制之前包含: 占所述糊劑組合物的約50重量％或更多以及約95重量％或更少的導(dǎo)電金屬組分； 占所述糊劑組合物的約0.5重量％或更多以及約15重量％或更少的玻璃組分，所述玻璃組分包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約40摩爾％或更少的S12和占所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少的一種或多種過渡金屬氧化物，所述過渡金屬氧化物的金屬選自 Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Rh、Ru、Pd 和 Pt ；和 占所述糊劑組合物的約5重量％或更多以及約20重量％或更少的媒介物。
62.根據(jù)權(quán)利要求61所述的太陽能電池，其中所述玻璃組分包含MnO、Mn02、Ni0、FeO、Fe203、Cu20、Cu0、Co0和Co2O3中的僅一種或多種作為過渡金屬氧化物，其中所述過渡金屬氧化物的含量分別為所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少。
63.根據(jù)權(quán)利要求61所述的太陽能電池，其還包含占所述糊劑組合物的約0.01重量％或更多以及約10重量％或更少的一種或多種金屬乙酰丙酮酸鹽，其中所述所述金屬乙酰丙酮酸鹽中的金屬選自V、Zn、Mn、Co、N1、Cu、Y、Zr、Ce、Ru、Rh和Fe。
64.根據(jù)權(quán)利要求61所述的太陽能電池，其還包含有機(jī)金屬化合物，所述機(jī)金屬化合物選自有機(jī)鋅、有機(jī)釩、有機(jī)錳、有機(jī)鈷、有機(jī)鎳、有機(jī)鐵及其組合。
65.根據(jù)權(quán)利要求61所述的太陽能電池，其還包含有機(jī)鋅化合物。
66.根據(jù)權(quán)利要求61所述的太陽能電池，其還包含有機(jī)釩化合物。
67.根據(jù)權(quán)利要求61所述的太陽能電池，其還包含有機(jī)錳化合物。
68.根據(jù)權(quán)利要求61所述的太陽能電池，其還包含有機(jī)鈷化合物。
69.根據(jù)權(quán)利要求61所述的太陽能電池，其還包含有機(jī)鎳化合物。
70.根據(jù)權(quán)利要求61所述的太陽能電池，其還包含有機(jī)鐵化合物。
71.根據(jù)權(quán)利要求61所述的太陽能電池，其還包含占所述糊劑組合物約0.01重量％或更多以及約10重量％或更少的一種或多種金屬硅酸鹽，其中所述金屬硅酸鹽具有式:MxSiy0z+2y，其中 X = 1、2 或 3、Y = 1、2 或 3、Χ/Υ = 1/3 至 3、Z = 1/2Χ、X 或 2Χ 且金屬 M 選自:Ζη、Mg、L1、Mn、Co、N1、Cu、Gd、Zr、Ce、Fe、Al 和 Y。
72.根據(jù)權(quán)利要求61所述的太陽能電池，其還包含選自以下的至少一種:硼酸鉛、硅酸鉛、4Pb0.Si02、3Pb0.Si02、2Pb0.Si02、3Pb0.2Si02 和 Pb0.S12、硅酸鉍、Bi2O3.S12,3Bi203.5Si02、硅酸鋅、2Zn0.Si02、Zr02.S12、硼酸鋅、硅鋅礦、鋯石、鈮酸鹽、鈮酸鉍、鈦酸鹽、鈦酸秘
73.一種制備糊劑組合物的方法，其包括: 組合導(dǎo)電金屬組分、玻璃組分和媒介物，所述玻璃組分包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約40摩爾％或更少的S12和占所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少的一種或多種過渡金屬氧化物，所述過渡金屬氧化物的金屬選自Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Rh、Ru、Pd 和 Pt ;和 將所述導(dǎo)電金屬組分和所述玻璃組分分散在所述媒介物中。
74.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其包括: 組合所述導(dǎo)電金屬組分、所述玻璃組分、金屬乙酰丙酮酸鹽和所述媒介物，其中所述所述金屬乙酰丙酮酸鹽中的金屬選自V、Zn、Mn、Co、N1、Cu、Y、Zr、Ce、Ru、Rh和Fe ;和 將所述導(dǎo)電金屬組分、所述金屬乙酰丙酮酸鹽和所述玻璃組分分散在所述媒介物中。
75.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其包括: 組合所述導(dǎo)電金屬組分、所述玻璃組分、金屬硅酸鹽和所述媒介物，其中所述金屬硅酸鹽具有式:MxSiyOz+2y，其中 X = 1、2 或 3、Y = 1、2 或 3、Χ/Υ = 1/3 至 3、Z = 1/2Χ、Χ 或 2Χ 且金屬 M選自:Ζη、Mg、L1、Mn、Co、N1、Cu、Gd、Zr、Ce、Fe、Al 和 Y ;和 將所述導(dǎo)電金屬組分、所述金屬硅酸鹽和所述玻璃組分分散在所述媒介物中。
76.一種制備太陽能電池接觸層的方法，其包括: 提供娃基底； 將糊劑組合物施加到所述基底的前側(cè)上，所述糊劑包含: 占所述糊劑組合物的約50重量％或更多以及約95重量％或更少的導(dǎo)電金屬組分； 占所述糊劑組合物的約0.5重量％或更多以及約15重量％或更少的玻璃組分，所述玻璃組分包含占所述玻璃組分的約3摩爾％或更多以及約40摩爾％或更少的S12和占所述玻璃組分的約0.1摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少的一種或多種過渡金屬氧化物，所述過渡金屬氧化物的金屬選自 Mn、Fe、Co、N1、Cu、T1、V、Cr、W、Nb、Ta、Hf、Rh、Ru、Pd 和 Pt ；和 占所述糊劑組合物的約5重量％或更多以及約20重量％或更少的媒介物；和 加熱所述糊劑以燒結(jié)所述導(dǎo)電金屬組分且熔融所述玻璃。
77.根據(jù)權(quán)利要求76所述的方法，其中所述玻璃組分包含選自MnO、MnO2,N1, FeO、Fe203、Cu20、Cu0、Co0和Co2O3中的至少一種作為過渡金屬氧化物，其中所述過渡金屬氧化物的含量分別為所述玻璃組分的約0.5摩爾％或更多以及約25摩爾％或更少。
78.根據(jù)權(quán)利要求76所述的方法，其中所述玻璃組分還包含占所述糊劑組合物的約0.01重量％或更多以及約10重量％或更少的一種或多種金屬乙酰丙酮酸鹽，其中所述金屬乙酰丙酮酸鹽中的金屬選自V、Zn、Mn、Co、N1、Cu、Y、Zr、Ce、Ru、Rh和Fe。
79.根據(jù)權(quán)利要求76所述的方法，其中所述玻璃組分還包含占所述糊劑組合物約0.01重量％或更多以及約10重量％或更少的一種或多種金屬硅酸鹽，其中所述金屬硅酸鹽具有式:MxSiy0z+2y，其中 X = 1、2 或 3、Y = 1、2 或 3、X/Y = 1/3 至 3、Z = 1/2X、X 或 2X 且金屬 M 選自:Zn、Mg、L1、Mn、Co、N1、Cu、Gd、Zr、Ce、Fe、Al 和 Y。
【文檔編號(hào)】H01B1/22GK104205242SQ201280067617
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月22日
【發(fā)明者】Y·楊, S·斯里德哈蘭, U·庫馬爾, A·S·沙科赫 申請(qǐng)人:赫勞斯貴金屬北美康舍霍肯有限責(zé)任公司