專利名稱：用于輻射探測器的轉(zhuǎn)換器元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于輻射探測器的轉(zhuǎn)換器元件、包括這種轉(zhuǎn)換器元件的輻射探測器、包括這種輻射探測器的成像系統(tǒng)以及用于制造這種轉(zhuǎn)換器元件的方法。
背景技術(shù)：
US 2007/03006 Al公開了一種用于譜CT (計算機(jī)斷層攝影)掃描器的X射線探測器，其中，對入射的X射線光子進(jìn)行計數(shù)并針對它們的能量進(jìn)行分類。該探測器包括吸收入射的X射線光子的轉(zhuǎn)換材料以及用于探測所得到的電信號的電極。為了應(yīng)對高計數(shù)速率， 在轉(zhuǎn)換材料的晶塊上提供單陽極的陣列以減小像素的有效尺寸。然而，這種探測器的問題在于入射的X射線光子生成的電荷云會擴(kuò)展到不同像素上，從而使空間和/或譜分辨率下降。

發(fā)明內(nèi)容
基于這種情況，本發(fā)明的目的在于提供一種改善輻射探測的精確度、尤其是與用于譜CT的輻射探測器相關(guān)的精確度的手段。這一目的是通過根據(jù)權(quán)利要求1的轉(zhuǎn)換器元件、根據(jù)權(quán)利要求11的輻射探測器、 根據(jù)權(quán)利要求12的成像系統(tǒng)和根據(jù)權(quán)利要求13的方法實現(xiàn)的。在從屬權(quán)利要求中公開了優(yōu)選實施例。根據(jù)其第一方面，本發(fā)明涉及一種用于輻射探測器的轉(zhuǎn)換器元件，其包括以下部件a)至少兩個在下文被稱為“轉(zhuǎn)換元(cell)，，的單元，并且其包括用于將入射的電磁輻射轉(zhuǎn)換成電信號的轉(zhuǎn)換材料。在輻射探測器中通常操作“轉(zhuǎn)換元”，使得它們的信號對應(yīng)于利用所述探測器根據(jù)入射輻射生成的圖像的一個圖像要素(“像素”)。探測到的電磁輻射具體可以包括X射線或Y射線，并且輻射的光子生成的電信號通常將對應(yīng)于可以在轉(zhuǎn)換材料中移動的電荷云(例如，電子空穴對)。b)置于上述轉(zhuǎn)換元之間并通過材料結(jié)合到所述轉(zhuǎn)換元的至少一個“分隔壁”。通常，術(shù)語“通過材料結(jié)合”與“相互通過材料接合”、“熔接”或“材料配合”同意，應(yīng)當(dāng)表示兩種材料在分子水平上的接合。這種材料結(jié)合例如可以通過一種材料在另一種材料上或在所述另一種材料附近膠粘、焊接、熔接或晶體生長來實現(xiàn)。優(yōu)選地，分隔壁的材料直接(即無需任何像膠那樣的媒介材料)通過材料結(jié)合到轉(zhuǎn)換元。應(yīng)當(dāng)指出，分隔壁原則上可以具有任何形狀和尺度，盡管通常將使其形成像片或平板那樣。按照慣例，然后將把若干這樣的板統(tǒng)計為不同的“分隔壁”，盡管在概念上也可以將它們視為一個(形狀更復(fù)雜的)分隔壁。在現(xiàn)有技術(shù)中已知的用于譜CT的轉(zhuǎn)換器元件中(例如US 2007/03006A1)，提供了轉(zhuǎn)換材料的唯一的塊，通過置于它們上面的電極陣列按功能將其細(xì)分成多個元。然而，入射的光子所生成的電荷云能夠在這種塊中自由地擴(kuò)展，并由此到達(dá)生成所述電荷云的那些元之外的其他元的像素電極。與之不同的是，可以通過本發(fā)明的轉(zhuǎn)換器元件中兩個轉(zhuǎn)換元之間的分隔壁控制電信號的擴(kuò)展。利用對分隔壁的適當(dāng)設(shè)計，尤其能夠?qū)㈦姾稍葡拗频缴伤鲭姾稍频霓D(zhuǎn)換元中，即使所述元僅有很小的體積。因此，可以實現(xiàn)轉(zhuǎn)換器元件精確度和空間/譜分辨率的實質(zhì)性改善。用于轉(zhuǎn)換元的轉(zhuǎn)換材料具體可以包括CdTe和/或CdaiTe( “CZT”)，這些材料具有優(yōu)異的轉(zhuǎn)換特性，使得它們適于應(yīng)用于例如基于譜CT的光子計數(shù)中。另一方面，這些轉(zhuǎn)換材料非常脆，使得它們的機(jī)械處理很困難，并妨礙例如將其切割成小塊。由于轉(zhuǎn)換元和分隔壁之間的材料結(jié)合，本發(fā)明的轉(zhuǎn)換器元件即使對于這種脆性轉(zhuǎn)換材料也實現(xiàn)了穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。用于轉(zhuǎn)換元的其他可能的直接轉(zhuǎn)換材料例如是Si和GaAs。一般而言，轉(zhuǎn)換元可以具有任何形狀和尺寸。然而，在優(yōu)選實施例中，轉(zhuǎn)換元將具有大致為圓柱形或長方體形式，面積(垂直于縱軸測量的)為大約0.01X0. Olmm2到 IX 1mm2，優(yōu)選為大約0. 05X0. 05mm2到大約0. 3X0. 3mm2。在另一優(yōu)選實施例中，轉(zhuǎn)換元可以具有大致平坦的幾何結(jié)構(gòu)，厚度小于大約1mm，優(yōu)選小于大約0. 05mm。例如，具有這些尺度的轉(zhuǎn)換元適用于譜CT中的輻射探測器。如果包括上述脆性轉(zhuǎn)換材料，就幾乎不能通過切割或鋸割來制造這樣小的轉(zhuǎn)換元?？梢酝ㄟ^一個或多個分隔壁將轉(zhuǎn)換器元件中的至少一個轉(zhuǎn)換元與相鄰轉(zhuǎn)換元完全分隔。在這種情況下，使分隔壁對所述轉(zhuǎn)換元中生成的電信號的影響最大化并在整個像素體積上延伸。在轉(zhuǎn)換器元件的另一實施例中，通過材料結(jié)合到分隔壁的兩個轉(zhuǎn)換元此外可以彼此直接接觸。轉(zhuǎn)換元中的這種直接接觸可以有利地經(jīng)由例如轉(zhuǎn)換元的材料熔合提供附加的機(jī)械穩(wěn)定性。以上描述包括僅有由一個分隔壁分隔的兩個轉(zhuǎn)換元的轉(zhuǎn)換器元件。然而，在優(yōu)選實施例中，轉(zhuǎn)換器元件將包括多個(超過兩個)轉(zhuǎn)換元，它們之間有多個分隔壁，從而建立一維或二維布置。分隔壁可以是導(dǎo)電的，并且例如，包括金屬材料。然而，在優(yōu)選實施例中，分隔壁是電絕緣的。這具有以下優(yōu)點，即所述壁能夠阻止電荷轉(zhuǎn)移到相鄰轉(zhuǎn)換元中，而同時保留所述電荷，用于在它們最初的轉(zhuǎn)換元中進(jìn)行探測。具體適用于分隔壁的材料包括陶瓷材料和像硅(Si)的半導(dǎo)體，特別是在涂有電絕緣材料(例如材料的氧化物)時。為了能夠探測和評估轉(zhuǎn)換元中生成的電信號，轉(zhuǎn)換器元件可以包括第一電極，第一電極單獨連接到所述元的第一側(cè)上的轉(zhuǎn)換元。具體可以將第一電極作為陽極操作，在所述陽極處可以收集并探測已經(jīng)在轉(zhuǎn)換元中提升到導(dǎo)電帶中的電子。為了在轉(zhuǎn)換元中生成明確界定的電場，可以有利地為轉(zhuǎn)換器元件提供第二電極， 在所述元的第二側(cè)上所有轉(zhuǎn)換元共同連接到第二電極。通常將這一第二電極用作陰極。本發(fā)明還涉及一種輻射探測器，其包括上述種類的轉(zhuǎn)換器元件和附加部件，例如用于探測、處理和評估在轉(zhuǎn)換器元件中生成的電信號的讀出電路。此外，本發(fā)明涉及一種成像系統(tǒng)，例如譜CT掃描器，其包括上述種類的輻射探測器和附加部件，例如數(shù)據(jù)處理單元和輻射源。最后，本發(fā)明涉及一種制造用于輻射探測器的轉(zhuǎn)換器元件、特別是上述種類的轉(zhuǎn)換器元件的方法。該方法包括以下步驟
a)提供種子材料，選擇種子材料，使得下文提到的轉(zhuǎn)換材料的晶體能夠在所述種子材料上面生長。b)在所述種子材料上提供第一材料的至少一個預(yù)先形成的分隔壁。c)在所述種子材料上生長轉(zhuǎn)換材料的晶體，使得分隔壁至少部分嵌入轉(zhuǎn)換材料中，其中，轉(zhuǎn)換材料適于將電磁輻射轉(zhuǎn)換成電信號。晶體生長例如可以在分隔壁內(nèi)從轉(zhuǎn)換材料的熔融、或通過物理氣相沉積(PVD)完成。該方法允許生產(chǎn)上述種類的轉(zhuǎn)換器元件。因此，關(guān)于該方法的細(xì)節(jié)、優(yōu)點和改進(jìn)之處的更多信息，參考前面的描述。有不同的方法在種子材料上生長轉(zhuǎn)換材料的晶體。根據(jù)優(yōu)選實施例，通過在種子材料上氣相沉積轉(zhuǎn)換材料實現(xiàn)晶體生長。任選地，根據(jù)其構(gòu)造出預(yù)先形成的分隔壁的第一材料可以僅僅是臨時的占位材料。在這種情況下，優(yōu)選在轉(zhuǎn)換材料晶體已經(jīng)生長之后，至少部分去除預(yù)先形成分隔壁的第一材料。那么所得到的空隙可以留下缺口，或者由變成最終分隔壁(的一部分)的第二材料至少部分替換被去除的第一材料。例如，分隔壁的第二材料可以是不會維持晶體生長的先前過程的材料。


參考下文描述的實施例，本發(fā)明的這些方面和其他方面將顯而易見并得以闡述。 將借助于附圖以舉例方式描述這些實施例，在附圖中圖1示意性圖示了 CT系統(tǒng)作為根據(jù)本發(fā)明的成像系統(tǒng)的范例；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)換器元件的第一實施例，其中，分隔壁完全包圍轉(zhuǎn)換元；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)換器元件的第二實施例，其中，分隔壁僅部分延伸到轉(zhuǎn)換材料中；圖4示意性圖示了用于制造根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)換器元件的設(shè)備；圖5示出了種子材料上預(yù)先形成的分隔壁。
具體實施例方式在附圖中，采用類似的附圖標(biāo)記或者相差100的整數(shù)倍的附圖標(biāo)記表示相同或類似的部件。下文描述將提到圖1中示意性示出的譜CT(計算機(jī)斷層攝影)掃描器1000的范例，但本發(fā)明不限于這種應(yīng)用。譜CT掃描器1000包括機(jī)架G，其中，彼此相對地安裝X射線源1200和X射線探測器1100，使得它們能夠繞著躺在機(jī)架中央臺上的患者P旋轉(zhuǎn)。探測器 1100和輻射源1200連接到控制單元1300，控制單元例如是具有輸入模塊(鍵盤)和輸出模塊(監(jiān)視器)的工作站。譜CT具有較高的診斷潛力，因為X射線源生成的并通過被掃描對象的多色X射線束中包含的譜信息被用于提供新的并且對診斷而言至關(guān)重要的信息。實現(xiàn)譜CT成像系統(tǒng)的技術(shù)是一種探測器，其能夠提供對擊中被掃描對象后方探測器的光子的通量和能譜的充分精確估計。由于出于圖像重建的原因，探測器還暴露于直接射束，所以被直接射束照射的探測器像素中的光子計數(shù)速率非常大(大約每mm2每秒IO9個光子，即lOOOMcps)。在常規(guī)硬件中，探測器像素將在大約lOMcps的計數(shù)速率下飽和。應(yīng)對這些高計數(shù)速率的一種方法是對探測器的傳感器部分進(jìn)行子結(jié)構(gòu)化，在所述傳感器中，X射線光子交互作用并生成電荷脈沖，進(jìn)一步由讀出電子線路評估電荷脈沖?？梢钥紤]在垂直于射束方向的平面中進(jìn)行二維子結(jié)構(gòu)化，形成彼此相鄰的小轉(zhuǎn)換元(例如， 面積為300 μ mX 300 μ m)，也可以考慮三維子結(jié)構(gòu)化，形成在射束方向上堆疊的若干不同傳感器層。在這種方式中，傳感器層中的每個子像素都具有其自身的能量解析讀出電子通道， 該通道具有針對每種能量的子通道。由于所謂的“小像素效應(yīng)”，針對給定探測器厚度(在射束方向上測量的)的更小像素通常還提供更好的譜響應(yīng)。然而，電荷共享變成相鄰像素間占優(yōu)勢的串?dāng)_現(xiàn)象，并設(shè)置了像素化的下限，因為它降低了譜性能。這是因為如下事實x射線在轉(zhuǎn)換材料的體塊中交互作用生成電子云(為簡單起見，這里不考慮空穴)，電子云沿著公共陰極和陽極之間電勢建立的電場的通量線漂移(與所述場的方向相反)。電子云具有有限的尺度，并且在其向陽極漂移的過程中會(經(jīng)由擴(kuò)散過程和庫侖斥力)擴(kuò)展開。最終，一些電荷將漂移到相鄰像素上，從而使總電荷分布到若干像素，這使得難以推斷原始光子能量。為了解決這些問題，本文提出在像素之間包括分隔材料(例如絕緣體)，由此使電荷共享效應(yīng)顯著最小化。然而，由于CdTe和CdSiTe屬于用于譜CT的最有前景的直接轉(zhuǎn)換材料，并且這些材料是非常脆的材料，所以像素結(jié)構(gòu)化不是一項簡單的任務(wù)。一項可能的工作是生長已經(jīng)限于像素結(jié)構(gòu)(一維或二維)中的晶體?？梢葬槍υ陬A(yù)定義結(jié)構(gòu)中生長晶體的設(shè)置調(diào)整文獻(xiàn)中描述的晶體生長方法(參見，Pelliciari，B等人，“A new growth method for CdTe-a breakthrough towards large areas，，，Journal of Crystal growth 275 U005)第 99-105 頁；Mullins J. Τ.等人，“Crystal growth of large-diameter bulk CdTe on GaAs wafer seed plates，，，Journal of Crystal growth 31(K2008)第 2058-2061 頁，Mullins J. Τ.等人，“Vapor-Phase Growth of bulk Crystals of Cadmium Telluride and Cadmium Zinc Telluride on Gallium Arsenide Seeds，，， Journal of Electronic Material 37 Q008)，第 1460-1464 頁)。圖2圖示了具有轉(zhuǎn)換器塊130的轉(zhuǎn)換器元件100的第一實施例，將轉(zhuǎn)換器塊130結(jié)構(gòu)化成由分隔壁135彼此分隔的長方體形狀的轉(zhuǎn)換元131的二維陣列。所示出的轉(zhuǎn)換器元件100的尺寸通常為1. 5X1. 5 X 3mm3，并且輻射探測器包括在xy平面中二維布置的大量這種元件(這種更大的探測器通常會是作為晶片制造的連續(xù)裝置)。轉(zhuǎn)換元131在其前側(cè)承載可逐一尋址的陽極120，其中，為簡單起見未示出接觸所述陽極、用于讀出和處理所探測到的信號的電子線路。在轉(zhuǎn)換器塊130的背側(cè)，設(shè)置公共陰極110，其覆蓋所有轉(zhuǎn)換元131 的背側(cè)。當(dāng)X射線光子在轉(zhuǎn)換材料的導(dǎo)電帶中、例如在圖2的左上方轉(zhuǎn)換元131中生成電荷云(電子-空穴對)時，這種云的擴(kuò)展被分隔壁135限制到生成所述云的那一轉(zhuǎn)換元中。 通過這種方式，可以顯著改善轉(zhuǎn)換器元件100的空間和譜分辨率，同時減小有效像素尺寸， 從而能夠應(yīng)對發(fā)生的最大計數(shù)速率。應(yīng)當(dāng)指出，盡管附圖示出X射線光子沿χ方向入射，但可以將探測器用于任何其他方向入射的光子，尤其是沿著正或負(fù)X、y或Z方向的垂直入射。
圖3示出了轉(zhuǎn)換器元件200的備選實施例，其具有轉(zhuǎn)換塊230、公共陰極210和個體陽極220。與先前的實施例不同的是，分隔壁235僅部分(沿χ方向)延伸到轉(zhuǎn)換器塊 230中。因此轉(zhuǎn)換元231在靠近公共陰極的背側(cè)彼此接觸(即熔合)。本發(fā)明還包括在預(yù)定義像素結(jié)構(gòu)中生長例如Cd(Zn)Te晶體的方法。圖4示出了利用多管物理氣相輸送(MTPVT，參見Mullins等人的上述文獻(xiàn))的方法從GaAs種子晶片8生長晶體(在這種情況下為CdTe或CdSiTe)制造根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)換器元件300的對應(yīng)設(shè)備1。設(shè)備1置于真空環(huán)境中，并且包括兩個分別填充SiTe和CdTe的管5、7。在中心管 9(上述管5、7經(jīng)由交叉構(gòu)件3連接到所述中心管上)中，在放置在基座6上的種子材料8 上生長轉(zhuǎn)換器元件300?？梢杂杉訜崞?、4對交叉構(gòu)件和管加熱。如圖5更詳細(xì)所示，在制造過程的開始在種子晶片8頂部沉積預(yù)先像素化的分隔壁結(jié)構(gòu)335。預(yù)定義的結(jié)構(gòu)可以包括一維或二維壁，其中，圖5示出了二維網(wǎng)格的范例，其具有用于轉(zhuǎn)換元的孔331。然后在氣相沉積工藝期間在這些孔中生長轉(zhuǎn)換材料。在晶體生長之后，可能需要后期處理步驟從而將所得到的坯料切成預(yù)期的探測器幾何形狀?？梢允褂醚心ズ蛼伖鈱Ω鶕?jù)圖2或3的轉(zhuǎn)換器元件進(jìn)行拋光。預(yù)定義的分隔壁結(jié)構(gòu)基本可以由經(jīng)得起晶體生長工藝溫度循環(huán)的任何材料制成。 適當(dāng)材料的范例為Si (優(yōu)選具有氧化壁)或陶瓷。在備選實施例中，圖5的預(yù)先形成的分隔壁335可以包括用作晶體生長期間最終分隔壁的占位材料的前體材料。在生長轉(zhuǎn)換材料之后，可以通過例如蝕刻去除這種前體材料。在所得到的空隙中可以沉積與晶體機(jī)械/化學(xué)技術(shù)指標(biāo)兼容的任何其他材料以構(gòu)成最終的分隔壁。對所述輻射探測器進(jìn)行單像素結(jié)構(gòu)化能夠?qū)崿F(xiàn)小像素的好處，同時避免電荷共享導(dǎo)致性能下降。在用于譜CT的直接轉(zhuǎn)換器中時，包括上述種類的轉(zhuǎn)換器元件的輻射探測器特別有益。然而，從預(yù)定義像素結(jié)構(gòu)受益的任何其他應(yīng)用或材料也可以使用本發(fā)明。最后應(yīng)當(dāng)指出的是，在本申請中，“包括” 一詞不排除其他元件或步驟的存在，“一” 或“一個”并不排除多個，并且單個處理器或其他單元可以實現(xiàn)若干裝置的功能。本發(fā)明體現(xiàn)在每個新穎的特征要素和特征要素的每種組合中。此外，權(quán)利要求中的附圖標(biāo)記不應(yīng)被視為對其范圍構(gòu)成限制。
權(quán)利要求
1.一種用于輻射探測器(1100)的轉(zhuǎn)換器元件(100、200、300)，包括a)包含轉(zhuǎn)換材料的至少兩個轉(zhuǎn)換元(131、231、331)，其用于將入射電磁輻射(X)轉(zhuǎn)換成電信號；b)置于所述轉(zhuǎn)換元之間并通過材料結(jié)合到所述轉(zhuǎn)換元的至少一個分隔壁(135、235、 335)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換器元件(100、200、300)，其特征在于所述轉(zhuǎn)換材料包括CdTe、CdZnTe、Si和/或GaAs。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換器元件(100、200、300)，其特征在于所述轉(zhuǎn)換元(131、231、331)具有大致為圓柱形或長方體形式，基底面積為大約0. Olmm2到Imm2和/或厚度小于1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換器元件(100)，其特征在于由分隔壁(13 將至少一個轉(zhuǎn)換元(131)與相鄰轉(zhuǎn)換元完全分隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換器元件(200)， 其特征在于所述兩個轉(zhuǎn)換元(231)彼此部分直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換器元件(100、200、300)，其特征在于其包括多個轉(zhuǎn)換元(131、231、331)的一維結(jié)構(gòu)或二維結(jié)構(gòu)，在所述轉(zhuǎn)換元之間具有分隔壁(135、235、335)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換器元件(100、200、300)， 其特征在于所述分隔壁(135、235、33幻是電絕緣的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換器元件(100、200、300)，其特征在于所述分隔壁(135、235、335)的材料包括具體具有氧化表面的像Si的半導(dǎo)體或陶瓷材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換器元件(100、200、300)，其特征在于所述轉(zhuǎn)換元(131、231、331)單獨連接到第一側(cè)上的第一電極(120、220)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換器元件(100、200、300)，其特征在于所述轉(zhuǎn)換元(131、231、331)連接到第二側(cè)上的公共第二電極(110、210)。
11.一種輻射探測器(1100)，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換器元件(100、200、300)。
12.—種成像系統(tǒng)(1000)，尤其是譜CT掃描器，包括根據(jù)權(quán)利要求11所述的輻射探測器(1100)。
13.—種制造用于輻射探測器(1100)的轉(zhuǎn)換器元件(100、200、300)的方法，包括以下步驟a)提供種子材料(8)；b)在所述種子材料上提供至少一個預(yù)先形成的分隔壁(335)；c)在所述種子材料上生長能夠?qū)㈦姶泡椛?X)轉(zhuǎn)換成電信號的轉(zhuǎn)換材料的晶體，使得所述分隔壁(33 至少部分被嵌入。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于通過氣相沉積在所述種子材料(8)上生長所述轉(zhuǎn)換材料的晶體。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于在晶體生長之后至少部分去除所述分隔壁(335)的原始材料并優(yōu)選至少部分由另一種材料代替。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于輻射探測器、具體用于譜CT掃描器的轉(zhuǎn)換器元件(100)。所述轉(zhuǎn)換器元件(100)包括至少兩個轉(zhuǎn)換元(131)，其至少部分由中間的分隔壁(135)彼此分隔，所述分隔壁影響入射輻射(X)生成的電信號的擴(kuò)展。所述轉(zhuǎn)換元(131)具體可以包括CdTe和/或CdZnTe晶體。優(yōu)選通過例如在預(yù)先形成的分隔壁之間進(jìn)行氣相沉積來生長所述晶體。
文檔編號G01T1/29GK102209912SQ200980144530
公開日2011年10月5日 申請日期2009年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月10日
發(fā)明者B·門瑟, C·博伊默, C·赫爾曼, J·維格特, K·J·恩格爾, M·西蒙, O·米爾亨斯, R·斯特德曼布克 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司