專(zhuān)利名稱(chēng)：探針卡組件及其中的探針座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種探針卡組件及其中的探針座，特別是應(yīng)用于晶片測(cè)試的探針卡組件及其中的探針座。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體的晶片制作工藝中，晶片切割前為了測(cè)試晶片上芯片(die)的良莠， 必須使用高性能的探針卡(probe card)來(lái)執(zhí)行晶片測(cè)試，如先前技術(shù)中的美國(guó)專(zhuān)利 US7304488、US7271603、US7053638等所揭露。探針卡上具有精密的測(cè)試探針，用來(lái)與待測(cè) 晶片接觸，導(dǎo)通電路，并執(zhí)行電性測(cè)試，以確保芯片的電氣特性與效能是依照設(shè)計(jì)規(guī)格制造 出來(lái)。近年來(lái)，高速運(yùn)作與高頻操作的集成電路元件盛行，因此測(cè)試機(jī)臺(tái)與探針卡也要能高 頻率相適應(yīng)。但是傳統(tǒng)懸臂式探針卡應(yīng)用在高頻測(cè)試時(shí)，因?yàn)樘结樜㈤g隙化及高頻信號(hào)產(chǎn) 生的電磁干擾與噪聲問(wèn)題十分嚴(yán)重，使得測(cè)試結(jié)果不穩(wěn)定，往往需要進(jìn)行額外的重測(cè)程序， 降低了測(cè)試準(zhǔn)確度與效能。因此，如何改進(jìn)現(xiàn)有的探針卡結(jié)構(gòu)以解決上述問(wèn)題，實(shí)為業(yè)界所需。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種探針卡組件及其中的探針座，可以有效降低高頻 測(cè)試所產(chǎn)生的噪聲以及降低環(huán)境中的噪聲以提升高頻測(cè)試的準(zhǔn)確度。根據(jù)本發(fā)明一方面提供一種探針卡組件，用于晶片測(cè)試，該探針卡組件主要包含 有一本體、一設(shè)置于該本體中央部位的探針座、以及多個(gè)設(shè)置于該探針座中的測(cè)試探針，所 述測(cè)試探針的尖端并自該探針座伸出，于晶片測(cè)試時(shí)用以接觸一待測(cè)晶片，所述測(cè)試探針 的另一端與該本體電性連接，其特點(diǎn)是該探針座進(jìn)一步包含多個(gè)噪聲消除針，各噪聲消除 針具有第一端與第二端，該第一端電性連接至該本體的接地端，該第二端于晶片測(cè)試時(shí)并 不接觸待測(cè)晶片，且各噪聲消除針并不接觸其鄰近的測(cè)試探針，且各噪聲消除針的外緣與 其鄰近的測(cè)試探針的外緣具有一間隙，該間隙介于5 30微米。根據(jù)本發(fā)明另一方面提供一種探針卡組件，用于晶片測(cè)試，包含有一本體、一設(shè)置 于該本體中央部位的探針座、以及多個(gè)設(shè)置于該探針座中的測(cè)試探針，所述測(cè)試探針的尖 端并自該探針座伸出，于晶片測(cè)試時(shí)用以接觸一待測(cè)晶片，所述測(cè)試探針的另一端與該本 體電性連接，其特點(diǎn)是該探針座進(jìn)一步包含多個(gè)噪聲消除針，各噪聲消除針具有第一端與 第二端，該第一端電性連接至該本體的接地端，該第二端于晶片測(cè)試時(shí)并不接觸待測(cè)晶片， 且各噪聲消除針并不接觸其鄰近的測(cè)試探針，且各噪聲消除針的針徑中心與其鄰近的測(cè)試 探針的針徑中心的距離介于85 150微米。根據(jù)本發(fā)明又一方面提供一種探針座，供使用于晶片測(cè)試的探針卡組件中，該探 針座設(shè)置于該探針卡組件的中央部位，多個(gè)測(cè)試探針設(shè)置于該探針座中，所述測(cè)試探針的 尖端并自該探針座伸出，于晶片測(cè)試時(shí)用以接觸一待測(cè)晶片，其特點(diǎn)是，該探針座包含多 個(gè)噪聲消除針，各噪聲消除針具有第一端與第二端，該第一端電性連接至該探針卡組件的接地端，該第二端于晶片測(cè)試時(shí)并不接觸待測(cè)晶片，且各噪聲消除針并不接觸其鄰近的測(cè) 試探針，且各噪聲消除針的外緣與其鄰近的測(cè)試探針的外緣具有一間隙，該間隙介于5 30微米。根據(jù)本發(fā)明再一方面提供一種探針座，供使用于晶片測(cè)試的探針卡組件中，該探 針座設(shè)置于該探針卡組件的中央部位，多個(gè)測(cè)試探針設(shè)置于該探針座中，所述測(cè)試探針的 尖端并自該探針座伸出，于晶片測(cè)試時(shí)用以接觸一待測(cè)晶片，其特點(diǎn)是，該探針座包含多 個(gè)噪聲消除針，各噪聲消除針具有第一端與第二端，該第一端電性連接至該探針卡組件的 接地端，該第二端于晶片測(cè)試時(shí)并不接觸待測(cè)晶片，且各噪聲消除針并不接觸其鄰近的測(cè) 試探針，且該噪聲消除針的針徑中心與其鄰近的測(cè)試探針的針徑中心的距離介于85 150 微米。
本發(fā)明提供的探針卡組件及其中的探針座的有益技術(shù)效果是用于晶片測(cè)試時(shí)， 通過(guò)探針座中設(shè)置多個(gè)噪聲消除針，且將噪聲消除針予以接地，可以有效降低高頻測(cè)試所 產(chǎn)生的噪聲，并可降低環(huán)境中的噪聲，以提升高頻測(cè)試的準(zhǔn)確度。


圖1為本發(fā)明的探針卡組件及探針座的一較佳實(shí)施例示意圖。圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的探針座沿測(cè)試探針與噪聲消除針軸向的剖視圖。圖3為本發(fā)明的第一與第三較佳實(shí)施例的探針座沿測(cè)試探針與噪聲消除針徑向 的剖視圖。圖4為本發(fā)明的第二與第四較佳實(shí)施例的探針座沿測(cè)試探針與噪聲消除針徑向 的剖視圖。
具體實(shí)施例方式由于本發(fā)明揭露一種探針卡組件及其中的探針座，用于晶片的測(cè)試，其中探針卡 組件及探針座的使用原理與基本功能，已為相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者所能明了，故以 下文中的說(shuō)明，不再作完整描述。同時(shí)，以下文中所對(duì)照的附圖，是表達(dá)與本發(fā)明特征有關(guān) 的結(jié)構(gòu)示意，并未亦不需要依據(jù)實(shí)際尺寸完整繪制，特此先予以敘明。首先請(qǐng)參考圖1，圖中示出本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例，為一種探針卡組件100，主 要包含有本體11、設(shè)置于本體11中央部位的探針座12與設(shè)置于探針座12中的多個(gè)測(cè)試探 針13。上述的本體11主要為印刷電路板(Printed Circuit Board, PCB)，其中探針座12 主要是由環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)所形成，為先在一基座上擺設(shè)好多個(gè)測(cè)試探針13，并灌注環(huán)氧 樹(shù)脂固定上述的測(cè)試探針13，而形成一個(gè)探針座12，然后再將此探針座12固定于本體11 上。請(qǐng)參考圖2，為探針座12的剖視圖。測(cè)試探針13的尖端會(huì)自探針座12伸出，用以接觸 一待測(cè)晶片，進(jìn)行晶片測(cè)試，而測(cè)試探針13的另一端與本體11電性連接。探針座12進(jìn)一 步包含多個(gè)噪聲消除針14，噪聲消除針14具有第一端141與第二端142。第一端141電性 連接至本體11的接地端111或本體11的PCB板中的接地層，通過(guò)接地將噪聲消除。第二 端142鄰近于測(cè)試探針13接觸待測(cè)晶片的部位，第二端142可以埋入探針座12中，亦可以 突出于探針座12之外。但要特別留意的是，第二端142于晶片測(cè)試時(shí)，并不接觸待測(cè)晶片， 并且這些噪聲消除針14也不會(huì)接觸到鄰近的測(cè)試探針13。藉此，噪聲消除針14不會(huì)因?yàn)榻佑|而破壞鄰近的測(cè)試探針13的測(cè)試信號(hào)，卻可以因?yàn)殡姼行?yīng)與接地作用而消除測(cè)試 探針13環(huán)境中的高頻噪聲，進(jìn)而提升高頻測(cè)試的準(zhǔn)確度。在現(xiàn)有技術(shù)中，由于測(cè)試探針13 之間彼此相鄰極近，易發(fā)生串音(crosstalk)，信號(hào)容易互相干擾；而這種狀況通過(guò)本發(fā)明 所提出的噪聲消除針14得以有效地解決。請(qǐng)參考圖3，其為圖1沿A至A的剖視圖，噪聲消 除針14以設(shè)置于其鄰近的四個(gè)測(cè)試探針13的對(duì)角線(xiàn)交叉點(diǎn)為較佳，且噪聲消除針14的外 緣與其鄰近的測(cè)試探針I(yè)3的外緣，具有5 30微米的間隙Wl。更進(jìn)一步，本發(fā)明經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn) 測(cè)試得到的結(jié)果顯示，這些噪聲消除針14的外緣與其鄰近的測(cè)試探針13的外緣，在10 25微米間隙Wi時(shí)，更可以有效降低高頻測(cè)試所產(chǎn)生的噪聲，當(dāng)然，可視實(shí)際制作的需求，設(shè) 計(jì)成其它符合本實(shí)施例條件的間隙。 請(qǐng)繼續(xù)參考圖1、圖2與圖4，本發(fā)明進(jìn)一步提出第二較佳實(shí)施例，為一種探針卡組 件100，主要包含有本體11、設(shè)置于本體11中央部位的探針座12、設(shè)置于探針座12中的多 個(gè)測(cè)試探針13、以及多個(gè)噪聲消除針14。請(qǐng)繼續(xù)參考圖2，噪聲消除針14具有第一端141 與第二端142。第一端141電性連接至本體11的接地端111或本體11的PCB板中的接地 層，通過(guò)接地將噪聲消除。第二端142鄰近于測(cè)試探針13接觸到待測(cè)晶片的部位，第二端 142可以埋入探針座12中，亦可以略突出于探針座12之外，但第二端142于晶片測(cè)試時(shí)，并 不接觸到待測(cè)晶片，并且這些噪聲消除針14也不會(huì)接觸到鄰近的測(cè)試探針13。藉此，這些 噪聲消除針14不會(huì)因?yàn)榻佑|而破壞鄰近的測(cè)試探針13的測(cè)試信號(hào)，卻可以因?yàn)榻拥刈饔?而消除測(cè)試探針13環(huán)境中的噪聲，進(jìn)而提升高頻測(cè)試的準(zhǔn)確度。請(qǐng)繼續(xù)參考圖4，其為圖1 沿A-A的剖視圖，這些噪聲消除針14以設(shè)置于其鄰近的四個(gè)測(cè)試探針13的對(duì)角線(xiàn)交叉點(diǎn) 為較佳，且噪聲消除針14的針徑中心與其鄰近的測(cè)試探針13的針徑中心，具有85 150 微米的距離W2。更進(jìn)一步，本發(fā)明經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)試得到的結(jié)果，這些噪聲消除針14的針徑中 心與其鄰近的測(cè)試探針I(yè)3的針徑中心，在90 145微米的距離W2時(shí)，更可以有效降低高 頻測(cè)試所產(chǎn)生的噪聲，當(dāng)然，可視實(shí)際制作的需求，設(shè)計(jì)成其它符合本實(shí)施例條件的針徑中 心間的距離。本發(fā)明進(jìn)一步提出一第三較佳實(shí)施例，為一種探針座，供使用于晶片測(cè)試的探針 卡組件中，其特征如前述第一較佳實(shí)施例中的探針座12所述。本發(fā)明進(jìn)一步提出一第四較佳實(shí)施例，為一種探針座，供使用于晶片測(cè)試的探針 卡組件中，其特征如前述第二較佳實(shí)施例中的探針座12所述。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用以限定本發(fā)明的申請(qǐng)專(zhuān)利權(quán)利；同時(shí) 以上的描述，對(duì)于熟知本技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)門(mén)人士應(yīng)可明了及實(shí)施，因此其它未脫離本發(fā)明所 揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在申請(qǐng)專(zhuān)利范圍中。
權(quán)利要求
一種探針卡組件，用于晶片測(cè)試，該探針卡組件主要包含有一本體、一設(shè)置于該本體中央部位的探針座、以及多個(gè)設(shè)置于該探針座中的測(cè)試探針，所述測(cè)試探針的尖端并自該探針座伸出，于晶片測(cè)試時(shí)用以接觸一待測(cè)晶片，所述測(cè)試探針的另一端與該本體電性連接，其特征在于該探針座進(jìn)一步包含多個(gè)噪聲消除針，各噪聲消除針具有第一端與第二端，該第一端電性連接至該本體的接地端，該第二端于晶片測(cè)試時(shí)并不接觸待測(cè)晶片，且各噪聲消除針并不接觸其鄰近的測(cè)試探針，且各噪聲消除針的外緣與其鄰近的測(cè)試探針的外緣具有一間隙，該間隙介于5～30微米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡組件，其特征在于，其中各噪聲消除針的第二端是埋 入該探針座中或突出于該探針座之外。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡組件，其特征在于，其中各噪聲消除針恰位于其鄰近 的四個(gè)測(cè)試探針的對(duì)角線(xiàn)交叉點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡組件，其特征在于，其中各噪聲消除針的外緣與其鄰 近的測(cè)試探針的外緣的間隙介于10 25微米。
5.一種探針卡組件，用于晶片測(cè)試，包含有一本體、一設(shè)置于該本體中央部位的探針 座、以及多個(gè)設(shè)置于該探針座中的測(cè)試探針，所述測(cè)試探針的尖端并自該探針座伸出，于晶 片測(cè)試時(shí)用以接觸一待測(cè)晶片，所述測(cè)試探針的另一端與該本體電性連接，其特征在于該探針座進(jìn)一步包含多個(gè)噪聲消除針，各噪聲消除針具有第一端與第二端，該第一端 電性連接至該本體的接地端，該第二端于晶片測(cè)試時(shí)并不接觸待測(cè)晶片，且各噪聲消除針 并不接觸其鄰近的測(cè)試探針，且各噪聲消除針的針徑中心與其鄰近的測(cè)試探針的針徑中心 的距離介于85 150微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的探針卡組件，其特征在于，其中各噪聲消除針的第二端是埋 入該探針座中或突出于該探針座之外。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的探針卡組件，其特征在于，其中各噪聲消除針恰位于其鄰近 的四個(gè)測(cè)試探針的對(duì)角線(xiàn)交叉點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的探針卡組件，其特征在于，其中各噪聲消除針的針徑中心與 其鄰近的測(cè)試探針的針徑中心的距離介于90 145微米。
9.一種探針座，供使用于晶片測(cè)試的探針卡組件中，該探針座設(shè)置于該探針卡組件的 中央部位，多個(gè)測(cè)試探針設(shè)置于該探針座中，所述測(cè)試探針的尖端并自該探針座伸出，于晶 片測(cè)試時(shí)用以接觸一待測(cè)晶片，該探針座的特征在于該探針座進(jìn)一步包含多個(gè)噪聲消除針，各噪聲消除針具有第一端與第二端，該第一端 電性連接至該探針卡組件的接地端，該第二端于晶片測(cè)試時(shí)并不接觸待測(cè)晶片，且各噪聲 消除針并不接觸其鄰近的測(cè)試探針，且各噪聲消除針的外緣與其鄰近的測(cè)試探針的外緣具 有一間隙，該間隙介于5 30微米。
10.一種探針座，供使用于晶片測(cè)試的探針卡組件中，該探針座設(shè)置于該探針卡組件的 中央部位，多個(gè)測(cè)試探針設(shè)置于該探針座中，所述測(cè)試探針的尖端并自該探針座伸出，于晶 片測(cè)試時(shí)用以接觸一待測(cè)晶片，該探針座的特征在于該探針座進(jìn)一步包含多個(gè)噪聲消除針，各噪聲消除針具有第一端與第二端，該第一端 電性連接至該探針卡組件的接地端，該第二端于晶片測(cè)試時(shí)并不接觸待測(cè)晶片，且各噪聲消除針并不接觸其鄰近的測(cè)試探針，且該噪聲消除針的針徑中心與其鄰近的測(cè)試探針的針 徑中心的距離介于85 150微米。
全文摘要
本發(fā)明提供一種探針卡組件及其中的探針座，探針卡組件主要包含有本體、設(shè)置于本體中央部位的探針座、以及多個(gè)設(shè)置于探針座中的測(cè)試探針。所述的多個(gè)測(cè)試探針的尖端自探針座伸出，于晶片測(cè)試時(shí)用以接觸一待測(cè)晶片，測(cè)試探針的另一端與本體電性連接。探針座進(jìn)一步包含多個(gè)噪聲消除針，各噪聲消除針具有第一端與第二端，第一端電性連接至本體的接地端，而第二端于晶片測(cè)試時(shí)并不接觸待測(cè)晶片，且各噪聲消除針并不接觸其鄰近的測(cè)試探針，且各噪聲消除針的外緣與其鄰近的測(cè)試探針的外緣具有5～30微米的間隙。
文檔編號(hào)G01R1/073GK101865938SQ200910135009
公開(kāi)日2010年10月20日 申請(qǐng)日期2009年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月14日
發(fā)明者易繼銘 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司