專利名稱：一種銅綴溶液及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示缺陷的腐蝕溶液及其使用方法，具體地說是一種顯示重?fù)?<100>硅單晶位錯(cuò)缺陷的腐蝕溶液及其使用方法。
背景技術(shù)：
作為半導(dǎo)體電子元件的大多數(shù)制造過程的起始材料的單晶硅通常是用所謂 Czochralski法來制備的.在這個(gè)方法中，多晶體的硅(“多晶硅”)被裝入到一個(gè)坩堝內(nèi) 并被熔化，然后使一個(gè)籽晶與熔化的硅接，單晶便可在緩慢抽引下生長起來。隨著晶體的開 始生長，由于籽晶與熔液接觸時(shí)受到熱震動(dòng)，晶體內(nèi)的位錯(cuò)也就產(chǎn)生，且位錯(cuò)在生長的晶體 中傳播開來并成倍增加。目前ASTM1809-02推薦的顯示重?fù)?lt;100>硅單晶位錯(cuò)缺陷的腐蝕溶液有Secco溶 液和Wright溶液。其中Secco溶液為先將Ilg K2Cr2O3溶解于250ml H2O中，再以1 2的 比例與濃度49%的HF混合，該溶液存在的不足有對(duì)環(huán)境和人體危害較大；不適合重?fù)絇 型硅單晶。而 Wright 溶液由 A 溶液45g Cr203+90ml H2O 和 B 溶液6g Cu (NO3)2+180ml H2O 及C溶液90ml HNO3+180mlCH3COOH+180ml HF組成，先將A和B溶液混合，然后加入到C溶 液。該Wright溶液存在如下不足對(duì)環(huán)境和人體危害較大；在顯示重?fù)絅型硅單晶時(shí)，不夠 清晰充分。目前缺少一種對(duì)環(huán)境和人體影響小，能夠有效顯示重?fù)?lt;100>硅單晶的位錯(cuò)缺陷 的溶液。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于尋找一種能夠解決目前溶液存在的不足，有效顯示重?fù)?lt;100> 硅單晶的位錯(cuò)缺陷，并且對(duì)環(huán)境和人體影響較小的溶液。為了解決上述問題本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣的—種銅綴溶液，其特征在與，所述銅綴溶液包括A溶液和B溶液，其中A溶液為 Cu (NO3) 2在HF中的溶解液，B溶液為KOH在H2O中的溶解液。上述A溶液中Cu(NO3)2為固態(tài)，HF為液態(tài)，其中每IOOOmlHF中溶解 1. 2-1. 8gCu (NO3) 2。上述B溶液中KOH為固態(tài)，H2O為液態(tài)，其中每IOOOmlH2O中溶解3_8gK0H。一種銅綴溶液的使用方法，其特征在于它包括以下步驟先用A溶液綴蝕重?fù)焦?單晶一段時(shí)間；再將重?fù)焦鑶尉Х湃隑溶液中腐蝕一段時(shí)間，再用純水洗凈吹干，最后使用 儀器觀察晶體位錯(cuò)缺陷。上述在A溶液中綴蝕時(shí)間為20-40分鐘。上述在B溶液中腐蝕時(shí)間為40-80分鐘。本發(fā)明的有益效果是1、對(duì)人體和環(huán)境影響小；
3
2、能有效顯示重?fù)?lt;100>硅單晶的位錯(cuò)缺陷；3、原材料常見，比較容易得到；4、配制比較簡單，操作也比較簡單。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié) 合具體實(shí)施方式
，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。一種銅綴溶液，該銅綴溶液包括A溶液和B溶液，A溶液和B溶液不能混合，其中A 溶液為Cu (NO3) 2在HF中的溶解液，B溶液為KOH在H2O中的溶解液。A溶液中Cu (NO3) 2為 固態(tài)，HF為液態(tài)，其中每IOOOmlHF中溶解1. 2-1. 8gCu(NO3)20 B溶液中KOH為固態(tài)，H2O為 液態(tài)，其中每IOOOmlH2O中溶解3-8gK0H。該銅綴溶液的使用方法是先用A溶液綴蝕重?fù)焦鑶尉?0-40分鐘；再將重?fù)焦?單晶放入B溶液中腐蝕40-80分鐘，再用純水洗凈吹干，最后使用顯微鏡觀察晶體位錯(cuò)缺 陷。實(shí)施例一取一容器，倒入IOOOmlHF,再精確稱量1. 2gCu (NO3) 2倒入其中，攪拌均勻使之完全 溶解為A溶液，再另取一容器，倒入IOOOmlH2O,再精確稱量3gK0H倒入其中，攪拌均勻使之 完全溶解為B溶液，取待觀察重?fù)焦鑶尉Х湃階溶液中綴蝕20分鐘，再將重?fù)焦鑶尉Х湃?B溶液中腐蝕40分鐘，再用純水洗凈吹干，在顯微鏡下觀察晶體位錯(cuò)缺陷。實(shí)施例二取一容器，倒入IOOOmlHF,再精確稱量1. 5gCu (NO3) 2倒入其中，攪拌均勻使之完全 溶解為A溶液，再另取一容器，倒入IOOOmlH2O,再精確稱量5gK0H倒入其中，攪拌均勻使之 完全溶解為B溶液，取待觀察重?fù)焦鑶尉Х湃階溶液中綴蝕30分鐘，再將重?fù)焦鑶尉Х湃?B溶液中腐蝕60分鐘，再用純水洗凈吹干，在顯微鏡下觀察晶體位錯(cuò)缺陷。實(shí)施例三取一容器，倒入IOOOmlHF,再精確稱量1. 8gCu (NO3) 2倒入其中，攪拌均勻使之完全 溶解為A溶液，再另取一容器，倒入IOOOmlH2O,再精確稱量SgKOH倒入其中，攪拌均勻使之 完全溶解為B溶液，取待觀察重?fù)焦鑶尉Х湃階溶液中綴蝕40分鐘，再將重?fù)焦鑶尉Х湃?B溶液中腐蝕80分鐘，再用純水洗凈吹干，在顯微鏡下觀察晶體位錯(cuò)缺陷。以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù) 人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本 發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變 化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其 等同物界定。
權(quán)利要求
一種銅綴溶液，其特征在與，所述銅綴溶液包括A溶液和B溶液，其中A溶液為Cu(NO3)2在HF中的溶解液，B溶液為KOH在H2O中的溶解液。
2.如權(quán)利要求1所述的一種銅綴溶液，其特征在于，所述A溶液中Cu(NO3)2為固態(tài)，HF 為液態(tài)，其中每IOOOmlHF中溶解1. 2-1. 8gCu (NO3)20
3.如權(quán)利要求1所述的一種銅綴溶液，其特征在于，所述B溶液中KOH為固態(tài)，H2O為 液態(tài)，其中每IOOOmlH2O中溶解3-8gK0H。
4.一種如權(quán)利要求1所述的銅綴溶液的使用方法，其特征在于它包括以下步驟先用 A溶液綴蝕重?fù)焦鑶尉б欢螘r(shí)間；再將重?fù)焦鑶尉Х湃隑溶液中腐蝕一段時(shí)間，再用純水洗 凈吹干，最后使用儀器觀察晶體位錯(cuò)缺陷。
5.如權(quán)利要求4所述的一種銅綴溶液的使用方法，其特征在于，所述在A溶液中綴蝕時(shí) 間為20-40分鐘。
6.如權(quán)利要求4所述的一種銅綴溶液的使用方法，其特征在于，所述在B溶液中腐蝕時(shí) 間為40-80分鐘。全文摘要
本發(fā)明公開了一種銅綴溶液及其使用方法，其銅綴溶液包括A溶液和B溶液，A溶液和B溶液不能混合，其中A溶液為Cu(NO3)2在HF中的溶解液，B溶液為KOH在H2O中的溶解液。該銅綴溶液的使用方法是先用A溶液綴蝕重?fù)焦鑶尉?0-40分鐘；再將重?fù)焦鑶尉Х湃隑溶液中腐蝕40-80分鐘，再用純水洗凈吹干，最后使用顯微鏡觀察晶體位錯(cuò)缺陷。本發(fā)明具有對(duì)人體和環(huán)境影響??；能有效顯示重?fù)?lt;100>硅單晶的位錯(cuò)缺陷；原材料常見，比較容易得到；配制比較簡單，操作也比較簡單等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G01N1/32GK101899714SQ20091005216
公開日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2009年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月27日
發(fā)明者金柱 申請(qǐng)人:上海申和熱磁電子有限公司