專利名稱：Mr/pet成像系統(tǒng)的制作方法
MR/PET成像系統(tǒng) 下文涉及成像技術(shù)領(lǐng)域。下文所述內(nèi)容可例示性應(yīng)用于混合式磁共振掃描和正電 子發(fā)射層析攝影(PET)系統(tǒng)，且具體參考其加以描述。然而，下文所述內(nèi)容將在諸如混合式 PET/磁共振成像系統(tǒng)、混合式SPECT/磁共振成像系統(tǒng)等各種混合式成像系統(tǒng)中得到更一 般的應(yīng)用。 人們對于開發(fā)提供磁共振和PET成像能力的混合式掃描器非常感興趣。然而，磁 共振掃描器和PET掃描器都是高靈敏度的器械。PET掃描器的工作因磁共振掃描器產(chǎn)生的 磁場和射頻場以及磁共振掃描器的密集部件中的伽馬射線吸收而劣化。同時，PET探測器 中通常使用的鉛屏蔽會由于其高電導(dǎo)率而干擾磁共振成像。然而，不用這種屏蔽會大大降 低PET成像的性能。鉛屏蔽還很重，難以機械成形，這使得難以將具有鉛屏蔽的PET探測器 并入典型磁共振掃描器孔徑中可用的有限空間中。 下文提供了克服上述問題及其他問題的新的改進設(shè)備和方法。 根據(jù)一個方面，披露了一種成像系統(tǒng)，包括基本包圍檢查區(qū)域的正電子發(fā)射層析
攝影(PET)探測器；電子器件，所述電子器件與所述PET探測器可操作耦合，以執(zhí)行對檢驗
輻射的符合探測，所述檢驗輻射包括檢查區(qū)域中發(fā)生的電子正電子湮滅事件產(chǎn)生的511keV
伽馬射線；以及輻射屏蔽，所述輻射屏蔽與所述PET探測器相鄰設(shè)置，以減少非檢驗輻射與
所述PET探測器的交互，所述輻射屏蔽的至少一部分包括不導(dǎo)電且非鐵磁性重原子氧化物材料。 根據(jù)另一方面，披露了一種成像系統(tǒng)，包括基本包圍檢查區(qū)域的正電子發(fā)射層析 攝影(PET)探測器；電子器件，所述電子器件與所述PET探測器可操作耦合，以執(zhí)行對檢驗 輻射的符合探測，所述檢驗輻射包括檢查區(qū)域中發(fā)生的電子正電子湮滅事件產(chǎn)生的511keV 伽馬射線；包括主磁體和磁場梯度組件的磁共振掃描器，所述磁共振掃描器用于從與所述 PET探測器圍繞的所述檢查區(qū)域至少部分交迭的磁共振檢查區(qū)域采集成像數(shù)據(jù)；以及射頻 線圈，所述射頻線圈包括多個導(dǎo)體和包圍所述多個導(dǎo)體的射頻屏，所述PET探測器設(shè)置于 所述射頻屏外部，所述射頻屏在所述磁共振頻率為所述PET探測器提供射頻屏蔽。
根據(jù)另一方面，披露了一種成像系統(tǒng)，包括包括主磁體、磁場梯度組件和全身射 頻屏的磁共振掃描器；具有射頻屏的局部射頻線圈，所述射頻屏包括端蓋部分和凸緣開放 部分，設(shè)計所述凸緣部分的尺寸，使得所述凸緣部分的環(huán)形邊緣靠近所述全身射頻屏，以界 定包括所述局部射頻線圈的內(nèi)部的射頻空間和包括所述局部射頻線圈外部的大部分的無 射頻空間；以及安裝于所述無射頻空間中的所述局部射頻線圈上的正電子發(fā)射層析攝影 (PET)探測器的環(huán)形圈，以觀察所述局部射頻線圈的內(nèi)部。 根據(jù)另一方面，披露了一種成像系統(tǒng)，包括孔徑型磁共振掃描器，所述孔徑型磁 共振掃描器包括主磁體、磁場梯度組件和與所述掃描器孔徑共軸布置的大致圓柱形射頻 屏，所述大致圓柱形射頻屏具有半徑R2，只是在中央環(huán)形槽或溝道處，與所述半徑R2相比具 有更小半徑& ;一個或多個輻射探測器，所述一個或多個輻射探測器被接納到所述大致圓 柱形射頻屏的環(huán)形槽或溝道中并與電子器件可操作耦合以執(zhí)行輻射探測，所述一個或多個 輻射探測器包括輻射準(zhǔn)直器或輻射屏蔽，所述輻射準(zhǔn)直器或輻射屏蔽包括不導(dǎo)電且非鐵磁性的重原子氧化物材料。 根據(jù)另一方面，披露了一種用于成像系統(tǒng)的射頻屏，包括相對于中心軸具有半徑 &的大致圓柱形射頻屏，所述大致圓柱形射頻屏具有中央環(huán)形槽或溝道，在所述中央環(huán)形
槽或溝道處，所述大致圓柱形射頻屏具有與所述半徑R2相比更小的半徑
—個優(yōu)點在于提供了一種與磁共振系統(tǒng)兼容的具有有效屏蔽的PET探測器。
另一個優(yōu)點在于提供了一種容易成形為適合在典型磁共振掃描器孔徑中可用的 受限空間的PET探測器。 另一個優(yōu)點在于提供了一種具有從其排除了射頻信號的界限分明區(qū)域的磁共振 掃描器，這種區(qū)域可用于接納PET探測器或其他RF敏感部件。 另一個優(yōu)點在于提供了一種選擇性用于磁共振掃描器的緊湊型射頻線圈/PET探 測器陣列模塊。 另一個優(yōu)點在于提供了一種適于同時執(zhí)行PET和磁共振腦成像的組合PET/磁共 振腦線圈插件。 在閱讀并理解以下詳細(xì)說明的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會理解本發(fā)明的 其他優(yōu)點。 附圖僅用于例示優(yōu)選實施例，不應(yīng)視為限制本發(fā)明。

圖1示意性地示出了具有PET和磁共振成像能力的混合式成像系統(tǒng)的透視圖，其 部分被切除以顯示出選定的內(nèi)部部件； 圖2示意性地示出了圖1的成像系統(tǒng)的縱向截面圖，示出了包括PET探測器的輻 射屏蔽和全身射頻線圈導(dǎo)體的特征； 圖3示意性地示出了PET探測器和輻射屏蔽連同勻場片袋和一些勻場片的軸向視 圖； 圖4示意性地示出了圖2所示成像系統(tǒng)的同一縱向截面圖，但PET探測器的輻射 屏蔽朝向檢查區(qū)域延伸； 圖5示意性地示出了圖1的混合式系統(tǒng)的全身射頻線圈的透視圖，射頻屏插槽中 接納了環(huán)形圈狀PET探測器。以局部切除方式示出了圖5以顯示出選定的內(nèi)部部件；
圖6示意性地示出了置于射頻屏插槽中的圖5的PET探測器模塊之一的部分縱向 截面圖； 圖7和8分別示出了包括集成安裝有PET探測器環(huán)形圈的局部頭部線圈的另一混 合系統(tǒng)的示意性透視圖和截面圖。 參考圖l，成像系統(tǒng)10包括磁共振掃描器，所述磁共振掃描器具有置于低溫外殼 14中的主磁體繞組12，界定了在磁共振檢查區(qū)域16中產(chǎn)生靜態(tài)軸向磁場BO的主磁體。磁 場梯度線圈20、22(示意性地示為支撐成型器，未示出磁場梯度產(chǎn)生導(dǎo)體)被構(gòu)造為兩部 分，兩部分之間為環(huán)形間隙，由機械支架24連接兩部分，以適應(yīng)梯度線圈部分20、22之間的 洛倫茲力。圖示的磁共振掃描器是孔徑型掃描器，并包括受檢者支撐26，所述受檢者支撐置 于孔徑中，以在孔徑的中心軸處或附近支撐受檢者，例如患病的人。在一些實施例中，大致 圓柱形的孔徑襯套28可以覆蓋孔徑的內(nèi)表面。在圖1的實施例中，中心環(huán)形間隙沒有梯度 線圈繞組，不過可能有電流饋送導(dǎo)體(未示出)，該導(dǎo)體任選地跨過中心間隙，以串行電連 接磁場梯度線圈繞組的兩個子組20、22。每個部分20、22包括成型器20、22的內(nèi)圓柱表面
7上支撐的初級梯度線圈繞組以及成型器20、22的外圓柱表面上支撐的屏蔽梯度線圈繞組， 且屏蔽梯度線圈繞組任選地還連接置于中心環(huán)形間隙的每個邊緣、電連接選定的初級和次 級線圈繞組的連接導(dǎo)體。 連接繞組允許中心環(huán)形間隙邊緣處的梯度線圈部分20、22具有非零電流密度。 設(shè)計磁場梯度線圈部分20、22的繞組配置以至少在磁共振檢查區(qū)域16中提供良好的磁 場梯度均勻性。利用流函數(shù)方法適當(dāng)?shù)貓?zhí)行這種設(shè)計，例如，如Peeren在Journal of Computational Physics 191巻305-21頁(2003)的文章"Stream Function Approach for Determining Optimal Surface Currents"以及Gerardus N. Peeren的博士論文 "Stream Function Approach forDetermining Optimal Surface Currents" (Eindhoven University of Technology2003)中所述，在此通過引用將兩者全文并入本文。流函數(shù)方法 確定由流函數(shù)表示的提供指定磁場分布的連續(xù)電流密度分布，并隨后對所獲得的流函數(shù)進 行離散化以獲得線圈繞組分布。在一些實施例中，配置梯度線圈繞組20、22，使得初級線圈 繞組和屏蔽線圈繞組的"指紋"從豎直方向旋轉(zhuǎn)大約45° 。在2007年4月4日提交的美國 臨時申請No. 60/910032中還介紹了 一些其他具有環(huán)形間隙的磁場梯度線圈，在此通過引 用將其全文并入。 正電子發(fā)射層析攝影(PET)探測器30的環(huán)形圈置于磁場梯度線圈20、22的環(huán)形 中心間隙中。在機械上以獨立于磁場梯度組件20、22、24的支撐的方式支撐PET探測器30。 在示出的實施例中，固定構(gòu)件32穿過支架24中的開口和低溫磁體外殼14中的開口，以獨 立于磁場梯度組件20、22、24支撐PET探測器30的環(huán)形圈。這種獨立支撐是有利的，因為 梯度線圈組件20、22、24 —般在工作期間會由于洛倫茲力而變形和振動。固定構(gòu)件32所連 接的外部支撐(未示出)可以是完全包圍磁共振掃描器的底架、容納掃描器的房間墻壁上 的一組加固點、固定到磁體內(nèi)部或外部結(jié)構(gòu)的表面的振動隔離等。 繼續(xù)參考圖l，磁共振掃描器還包括采集電子器件40，其操作磁場梯度線圈20、22 和一個或多個射頻線圈(圖1中未示出)，以產(chǎn)生和采集k空間樣本，由例如快速傅立葉變 換(FFT)重構(gòu)處理器的重構(gòu)處理器42處理k空間樣本以產(chǎn)生磁共振圖像，在圖像存儲器44 中存儲磁共振圖像、在用戶界面46上顯示磁共振圖像或以其他方式利用磁共振圖像。
由符合探測電子器件50控制PET探測器30以識別和積累基本同時發(fā)生的511keV 伽馬射線探測事件，所述伽馬射線探測事件表示在PET探測器30的環(huán)形圈圍繞的檢查區(qū)域 中的正電子電子湮滅事件。盡管在圖1中將符合探測電子器件50示為分立單元，但想到過 將這些電子器件的一部分與PET探測器30集成。例如，PET探測器30可以是形成于硅襯 底上的硅光電倍增管(SiPM)探測器，該硅襯底還支撐著模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換電子器件和時間 標(biāo)記電子器件，使得從PET探測器30卸載的數(shù)據(jù)例如以列表格式包括對應(yīng)于輻射探測事件 的以數(shù)字方式打上時間戳的數(shù)字樣本。 這種實施例中符合探測電子器件的遠(yuǎn)端部分包括數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理電子器件，其搜索 在選定時間窗口之內(nèi)同時發(fā)生且能量對應(yīng)于選定能量窗口之內(nèi)的511keV伽馬射線的輻射 探測事件數(shù)字樣本的列表?；就瑫r發(fā)生的511keV探測事件定義了響應(yīng)線的端點，在沿著 響應(yīng)線的某處發(fā)生同源的正電子電子湮滅事件。 在一些實施例中，符合探測電子器件50采集飛行時間(T0F)PET數(shù)據(jù)，其中，使用 兩個基本同時發(fā)生的511keV伽馬射線探測事件之間的時間差(或缺少時間差)來至少大致地沿著響應(yīng)線定位肇始的正電子電子湮滅事件。例如，如果時間差為零，則將肇始的正 電子電子湮滅事件定位在響應(yīng)線的大致中點處。另一方面，如果時間差較大(例如大約為 500ps)，那么將肇始正電子電子湮滅事件定位得較靠近兩個基本同時發(fā)生的511keV伽馬 射線探測事件中較早一個的探測器。對于PET或TOF PET數(shù)據(jù)的任一種而言，重構(gòu)處理器 52都執(zhí)行圖像重構(gòu)過程，例如迭代反向投影重構(gòu)，以產(chǎn)生PET圖像，所述PET圖像被存儲在 圖像存儲器54中、顯示于用戶界面46上，或以其他方式被利用。 參考圖2和3，在一些實施例中，為圖1的成像系統(tǒng)的PET子系統(tǒng)提供輻射屏蔽60、 62，所述輻射屏蔽將PET探測器30的視域大致限制到PET成像的檢查區(qū)域64。輻射屏蔽 60、62有利地由不導(dǎo)電、非鐵磁性且基本無放射性的重原子氧化物材料，例如氧化鉛(PbO) 制成。由于鉛(Pb)原子的原子重量大，氧化鉛具有極好的伽馬射線停止特性。氧化鉛具 有高密度0 9.5g/cm"，而且是不導(dǎo)電的和非鐵磁性的。有利地，由于氧化鉛的磁化率低 (<43X10—6Cm3/mol)且其電導(dǎo)率低，磁共振成像不會受到氧化鉛的強烈影響。在一些實施 例中，輻射屏蔽60、62還包括其中散布了粉末形式的氧化鉛的樹脂、玻璃或塑料基質(zhì)材料。 在一些實施例中，輻射屏蔽60、62包括含氧化鉛的陶瓷材料，例如通過對氧化鉛粉末進行 熱固化或?qū)⑵浔簾刹ＡЩ蚓w形式來生產(chǎn)。 對包含氧化鉛的樹脂、玻璃或塑料材料進行成形的能力具有一定優(yōu)點，如在圖3 中可以最清楚地看出的，圖3示出了沿軸向(例如B。)觀察的構(gòu)造為模塊的PET探測器30 的一部分。對輻射屏蔽單元60、62進行成形以界定適于接納射頻線圈棒66a的通道。進一 步設(shè)計輻射屏蔽單元60、62的形狀以界定勻場片袋68，向一些勻場片袋中插入鐵磁體勻場 片70，以調(diào)節(jié)磁場。勻場片70能夠校正由輻射屏蔽單元60、62導(dǎo)致的殘余磁化率偽影或其 他磁場不均勻源或同時校正兩者。勻場片70可以是無源鐵磁體勻場片、有源勻場線圈或其 組合。包含氧化鉛的樹脂、玻璃或塑料材料是電絕緣的，因此可以充當(dāng)支撐射頻線圈棒66 和/或相關(guān)射頻屏蔽的電介質(zhì)成型器。于是，在這些實施例中與射頻線圈集成地形成輻射 屏蔽60、62。 如圖2所示，輻射屏蔽60、62在PET探測器30的環(huán)形圈的相對側(cè)上形成環(huán)形圈； 因此，輻射屏蔽60、62和勻場片70不在PET探測器30和檢查區(qū)域64之間的視線中，因此 不會遮擋檢驗輻射(例如源自檢查區(qū)域64的511keV伽馬射線)。然而，輻射屏蔽60、62確 實會遮擋源自檢查區(qū)域64外部或從外部散射的非檢驗輻射。PET探測器30和檢查區(qū)域64 之間的視線之內(nèi)的射頻線圈導(dǎo)電棒66的部分應(yīng)當(dāng)具有沿視線足以對檢驗輻射而言基本透 明的厚度。例如，導(dǎo)電棒66的部分可以是厚度小于或大約為5-6S的大致平坦銅條，其中 S為趨膚深度。對于B。二3T，用于^質(zhì)子共振的磁共振頻率大約為128MHz，趨膚深度S 大約為6微米，因此帶狀線優(yōu)選地小于50微米厚，更優(yōu)選地大約為30-40微米厚。為了減 小線圈阻抗，任選地將帶狀線制造得較寬，例如大約1-5厘米或更寬，但也想到過更窄寬度 的帶狀線。 參考圖4，在一些實施例中，輻射屏蔽62可以選擇性地向著檢查區(qū)域64延伸或遠(yuǎn) 離檢查區(qū)域64延伸。適當(dāng)?shù)赝ㄟ^非鐵磁材料制成的致動器實現(xiàn)輻射屏蔽單元62向檢查區(qū) 域64的延伸。為了容納任選相交的射頻線圈導(dǎo)體66，輻射屏蔽單元62可以包括沿延伸方 向行進的窄槽。盡管圖2-4中未示出，在一些實施例中，還想到使輻射屏蔽延伸到與PET探 測器30重合的輻射區(qū)域，或者甚至徑向延伸超過PET探測器30，直到低溫外殼14，以提供額外的屏蔽。任選地，受檢者支撐下方的輻射屏蔽單元可以永久地延伸到受檢者支撐及其 相關(guān)導(dǎo)向體、驅(qū)動器等所允許的程度。還想到可以利用基于氧化鉛的輻射屏蔽材料涂布梯 度線圈組件的選定表面，例如最內(nèi)直徑或表面，以便提供進一步集成的輻射屏蔽。
參考圖5，示出了用于與PET探測器30集成的適當(dāng)全身射頻線圈80。射頻線圈 80包括前述導(dǎo)電棒66，在圖5的實施例中，導(dǎo)電棒66在一端或兩端由端環(huán)82連接(在圖 5的切開區(qū)域中僅可看到一個端環(huán)82的一部分和棒66的一部分)。在例示性射頻線圈80 中，導(dǎo)體中包括集總調(diào)諧電容器84。為了避免遮擋檢驗輻射，將這些集總電容器84設(shè)置于 PET探測器30和檢查區(qū)域之間的視線之外。在圖5的實施例中，將集總電容器84設(shè)置得 沿軸向偏離PET探測器30的環(huán)形圈。有利地，至少在導(dǎo)體66通過PET探測器30和檢查區(qū) 域64之間的視線處，利用帶狀線技術(shù)制造導(dǎo)體66。帶狀線應(yīng)當(dāng)具有小于或大約為50微米 的厚度，更優(yōu)選地，具有大約5-6 S的厚度，即對于B。 = 3T (對于^磁共振，128MHz)，約為 30-40微米，以便保持高的SNR。 繼續(xù)參考圖5并進一步參考圖6，射頻線圈80還包括大致圓柱形的射頻屏88，其 包圍棒66和任選的( 一個或多個)端環(huán)82，以改善接納的SNR，并且，如果射頻線圈80被 用作發(fā)射機，限制通向梯度線圈的RF損耗和耦合損耗。在一些實施例中，省去端環(huán)之一或 兩者，并將棒電耦合到射頻屏88，以提供電流返回路徑。PET探測器模塊30設(shè)置于射頻屏 88后方，S卩，設(shè)置于來自射頻線圈80的射頻發(fā)射被射頻屏88遮擋的區(qū)域中。類似于導(dǎo)體 66，至少在PET探測器30的視線中，射頻屏88應(yīng)當(dāng)由薄金屬、網(wǎng)狀金屬屏蔽或其他結(jié)構(gòu)制 成(例如，厚度大約為5-6 S ，即對于B。 = 3T為30-40微米)，以確保射頻屏88不會吸收檢 驗511keV伽馬顆粒的紊亂部分?？梢詫F屏或地平面制造成具有電容性橋接或交迭的帶 槽薄銅結(jié)構(gòu)，使其在高頻處呈現(xiàn)為連續(xù)的片，且不支持大約5kHz以下的梯度狀渦電流。在 使用集總元件電容性橋接的情況下，優(yōu)選地將這些橋接定位于PET探測器的視線之外。類 似的隔離屏蔽任選地保護PET不受磁共振發(fā)射影響并保護磁共振掃描器不受PET電子活動 影響?；蛘?，可以由導(dǎo)電網(wǎng)制成RF屏，優(yōu)選地導(dǎo)電網(wǎng)的線密度、線徑和電導(dǎo)率的組合允許低 于大約5kHz的脈沖梯度場通過并基本屏蔽掉大約在磁共振頻率下的電磁場。
在一些實施例中，PET探測器30的輻射敏感元件包括觀察閃爍體91的雪崩光電二 極管或硅光電倍增管(SiPM)元件90。撞擊在閃爍體91上的511keV伽馬射線產(chǎn)生"閃爍"， 即由最靠近的SiPM元件90探測到的閃光。在一些實施例中，使用Anger邏輯或其他處理 基于閃爍的強度和分布提供定位和對顆粒能量的估計。在Frach等人的WO 2006/111883A2 以及Fiedler等人的WO 2006/111869A2中描述了一些適當(dāng)?shù)腟iPM器件，在此通過引用將 其全文并入。SiPM或APD探測器有一些優(yōu)點，包括緊湊性以及對磁場較不靈敏。然而，還想 到采用例如遠(yuǎn)離磁體布置并通過光纖與閃爍體91可操作耦合的常規(guī)光電倍增管探測器， 或采用光電導(dǎo)或其他固態(tài)元件，其響應(yīng)于511keV伽馬射線的撞擊直接產(chǎn)生電流或其他電 信號而不利用閃爍體91。 在圖6的實施例中，SiPM元件90與包括時域轉(zhuǎn)換(TDC) /模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換(ADC) 電子器件的符合探測電子器件50。b的板部分電連接，模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換電子器件將輻射探測 事件轉(zhuǎn)換成包括對應(yīng)于所探測顆粒能量的數(shù)字化強度信息和表示探測時間的數(shù)字時間戳 的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。在一些實施例中，SiPM探測器90和TDC/ADC電子器件50。b單片集成于公共硅 襯底上。此外，將與PET探測器30可操作連接的電力和通信線纜94置于射頻屏88外部，與PET探測器30可操作連接以將PET探測器保持在適當(dāng)工作溫度的流體冷卻線96也設(shè)置 于圓柱形射頻屏88外部。 在圖5和6所示的實施例中，射頻屏88包括環(huán)形溝道或溝槽98，其接納PET探測 器30的環(huán)形圈。(在圖5中，去除兩個PET探測器模塊以更清晰地顯露出溝道98)。在圖 5和6所示的實施例中，射頻屏88中的環(huán)形溝道98由位于與PET探測器30的環(huán)形圈交迭 的軸向位置且相對于磁共振掃描器孔徑的中心軸CA具有第一半徑I^的區(qū)域界定，第一半 徑&小于PET探測器30的環(huán)形圈的最內(nèi)半徑RPET。射頻屏88在不與PET探測器30的環(huán) 形圈交迭的軸位置處具有大于第一半徑Ri的第二半徑R"射頻屏中的環(huán)形溝道98局部降 低了 RF線圈的靈敏度，但總體或集成線圈靈敏度通常在圓柱形線圈中心附近更高，因此環(huán) 形溝道98的效果是改變線圈的靈敏度和靈敏度均勻性。溝道98使得PET探測器30能夠 位于較靠近的最內(nèi)半徑RPET處，以提供增強的信號，并因此為PET成像提供增強的SNR。構(gòu) 思可以使射頻屏88在半徑&處沿長度方向延伸以基本覆蓋梯度線圈組件的內(nèi)徑表面。環(huán) 形槽或溝道98是任選的；在其他實施例中，半徑&、 R2可以是相同值(即省去溝槽98)，基 本等于梯度線圈組件內(nèi)半徑。在一些實施例中，基于重原子氧化物的輻射屏蔽可以沿著梯 度線圈20、22的內(nèi)徑表面的至少一部分延伸。 將射頻屏88配置成射頻線圈80工作的磁共振頻率下的RF地平面，但對于脈沖梯 度磁場，例如低于5kHz的場而言基本透明?？梢酝ㄟ^如下方式實現(xiàn)這一 目的向射頻屏88 中并入集總或分布式電抗性元件，例如電容器；將屏蔽88制造成交替開槽的雙層印刷電路 板結(jié)構(gòu)，其中選擇兩層的間距以實現(xiàn)電容效應(yīng)；等等。由于射頻屏88的低通性質(zhì)，它對于磁 共振頻率下的能量遮擋很強，但對于較低頻率，例如切換或調(diào)制磁場梯度的典型頻率，是基 本透射的。 將PET探測器30和相關(guān)線纜及冷卻線94、96放置在大致圓柱形射頻屏88體積外 部確保了在磁共振成像期間由射頻線圈80產(chǎn)生的射頻信號不會對PET探測器性能產(chǎn)生不 利影響。然而，PET探測器30也可能產(chǎn)生無線電頻率干擾，這對于磁共振成像而言可能是 有問題的。因此，任選地用薄的電隔離99包圍PET探測器30，該電隔離在高頻處起隔離作 用，在低頻處表現(xiàn)為阻抗。例如，該電隔離99可以是薄的導(dǎo)電非諧振屏或銅屏蔽(例如，35 微米厚是適當(dāng)?shù)??；蛘?，該隔離可以被配置為分段的RF屏蔽，或可以被配置為由不能支持 低頻渦電流的網(wǎng)狀導(dǎo)體制成的屏蔽。圖示的PET探測器30被布置為模塊，每個模塊都具有 電隔離99，所述電隔離與相鄰模塊的電隔離電氣地隔離，以打破感應(yīng)表面。電隔離99還適 當(dāng)?shù)爻洚?dāng)光屏蔽，以阻擋無關(guān)光子觸發(fā)SiPM元件90，或者可以提供獨立的光屏蔽。
參考圖7和8，描述另一成像系統(tǒng)10'。成像系統(tǒng)10'類似于圖I的成像系統(tǒng)IO， 但使用了單件磁場梯度組件20'，而不是由環(huán)形間隙分開并由支架24支撐的兩段20、22。 此外，PET探測器30的環(huán)形圈未設(shè)置于磁共振掃描器的孔徑中，而是與包括導(dǎo)電棒166和 周圍的射頻屏188的局部頭部線圈100集成。在圖7的實施例中，導(dǎo)電端環(huán)1S2、183將導(dǎo) 電棒166的末端互連。射頻屏188可以具有端蓋屏蔽，所述端蓋屏蔽具有端蓋1S8^端蓋 188Ee布置成靠近端環(huán)183。端環(huán)183與靠近端蓋188Ee的射頻屏188松散地耦合，以界定射 頻鏡，增強局部頭部線圈100內(nèi)部的B工場均質(zhì)性。在一些實施例中，如圖8所示，省去端環(huán) 183，將導(dǎo)電棒166的末端電容性連接到端蓋188^處的射頻屏188，以界定射頻鏡。在開放 末端可以有端環(huán)182，或者對于類似于TEM的RF線圈結(jié)構(gòu)，可以消除端環(huán)。端蓋188提供的射頻鏡還用于容納射頻能量，以幫助隔離RF元件和置于射頻屏188外部的PET探測器33 的環(huán)形圈。 局部頭部線圈100與端蓋相對的末端是開放的，以將人的頭部或其他成像受檢者 接納到線圈100內(nèi)部。為了阻擋無線電頻率干擾以免其到達PET探測器30，射頻屏188包括 向外延伸的凸緣188F。如圖8所示，孔徑型磁共振掃描器包括大致圓柱形的射頻屏蔽288， 射頻屏蔽288與孔徑襯套28共軸并包圍孔徑襯套，且緊靠所述孔徑襯套。任選地，棒266 和諸如端環(huán)(未示出)的其他導(dǎo)體與大致圓柱形的射頻屏蔽288合作界定全身射頻線圈， 全身射頻線圈留在孔徑中，但通常在使用頭部線圈IOO時不被使用。設(shè)計局部射頻線圈100 的向外延伸凸緣188F的尺寸，以朝向大致圓柱形的全身射頻屏蔽288環(huán)形向外延伸，使得 凸緣188F的環(huán)形邊緣靠近全身射頻屏蔽288，以在磁共振頻率下提供屏蔽。為了適應(yīng)這種 布置，利用與頭部線圈100—起插入孔徑中的修正受檢者支撐26'替換圖1的受檢者支撐 26。 于是，局部線圈100的射頻屏188，包括端蓋部分188^和向外延伸的凸緣188F，與 大致圓柱形的射頻屏蔽288配合，以界定兩個空間射頻空間300和無射頻空間302，所述 射頻空間300包括局部線圈100的內(nèi)部，局部射頻線圈IOO產(chǎn)生的射頻信號可以在其中傳 播，所述無射頻空間302包括局部線圈IOO外部的大部分，由于協(xié)作的射頻屏蔽和屏蔽部分 188、 188EC、 188F、288，無射頻空間被屏蔽于這種射頻信號。"無射頻空間"302識別與射頻空 間300相比由于上述諧振射頻線圈的原因局部射頻線圈IOO產(chǎn)生的射頻能量得以大大減少 或消除的空間。如圖8所示，PET探測器30的環(huán)形圈設(shè)置于無射頻空間302中，因此不受
局部頭部線圈ioo產(chǎn)生的射頻信號的不利影響。 在圖8中所示的實施例中，還有利地將符合探測電子器件50安裝在無射頻空間 302中端蓋屏蔽部分188^后方的局部頭部線圈IOO上。(盡管未示出，任選地提供電介質(zhì) 成型器或框架，用于對射頻屏188和其他部件50、 166、 182、 183進行機械支撐)。線纜束310 從電子器件50伸出。有利地，電子器件50和線纜束310都設(shè)置于無射頻空間302中，因此， 任選地從線纜束310和其他電氣PET部件省去陷波電路、不平衡變壓器和其他一般用于減 少與射頻線圈的交互的射頻信號衰減裝置。 因為PET探測器30被屏和屏部分188、188EC、188F、288的組合很好地屏蔽，所以想 到對置于端蓋局部線圈100內(nèi)部的腦部或其他受檢者同時進行PET和磁共振成像。屏和屏 部分188、188Ee、188F、288是磁共振頻率下的地平面，因此被配置成不為脈沖磁場梯度頻率 提供顯著阻擋。薄的電隔離屏蔽99是由銅或另一屏蔽材料制成，該材料不會顯著扭曲由磁 場梯度組件20'產(chǎn)生的遠(yuǎn)離PET探測器模塊30附近的磁場梯度。導(dǎo)體166和射頻屏188 適當(dāng)?shù)厥潜罹€或薄銅箔或像全身PET/磁共振實施例的導(dǎo)體66和射頻屏88的導(dǎo)電網(wǎng)， 因此不會干擾PET數(shù)據(jù)的采集。例如，將局部射頻線圈IOO適當(dāng)配置成用于腦成像的求積 頭部線圈。在包括線圈模塊100的空間提供和解調(diào)功能的情況下，可以結(jié)合線圈模塊100 使用多元件只接納射頻線圈。有利地，在從孔徑取走具有PET探測器30的局部射頻線圈模 塊100時，磁共振掃描器作為常規(guī)掃描器工作，磁場區(qū)域中沒有任何PET探測器。
已經(jīng)例示性地參考包括磁共振和PET能力的成像系統(tǒng)描述了以上實施例。然而， 要認(rèn)識到，可以類似地構(gòu)造和利用其他混合式成像系統(tǒng)。例如，具有相對于中心軸CA的半 徑R2且具有相比于半徑R2具有較小半徑&的中心環(huán)形槽或溝道98的大致圓柱形射頻屏
1288也很適于容納具有輻射準(zhǔn)直器的一個或多個可活動輻射探測器頭，輻射準(zhǔn)直器包括不導(dǎo) 電且非鐵磁性重原子氧化物材料，例如氧化鉛材料。這種輻射探測器頭或頭例如能夠界定 提供單光子發(fā)射計算層析攝影(SPECT)成像能力等的伽馬攝像機。在這些實施例中，耦合 的電子器件執(zhí)行輻射探測，但輻射探測不包括符合探測。中央環(huán)形槽或溝道98使得輻射探 測器頭能夠相對靠近成像受檢者被定位，同時保持屏蔽于磁共振成像和相關(guān)過程產(chǎn)生的射 頻能量。因為中央環(huán)形槽或溝道98是環(huán)形的，因此它容易適應(yīng)輻射探測器頭繞檢查區(qū)域的 回轉(zhuǎn)，甚至直到整個360。的回轉(zhuǎn)。圖l所示的穿過支架24中的開口以及低溫磁體外殼14 中的開口的固定構(gòu)件32容易適于提供得到適當(dāng)振動隔離的支撐，用于獨立地安裝能夠或 圍繞檢查區(qū)域旋轉(zhuǎn)輻射探測器頭的環(huán)形機器人輻射探測器頭定位系統(tǒng)并進行諸如側(cè)斜或 傾斜探測器頭的其他調(diào)節(jié)。再者，容易將這里所述的用于輻射屏蔽60、62中的不導(dǎo)電且非 鐵磁性重原子氧化物材料用于構(gòu)造通常結(jié)合伽馬攝像機的輻射探測器頭使用的類型的磁 共振兼容準(zhǔn)直器。例如，這種準(zhǔn)直器可以包括其中散布了粉末形式的氧化鉛的樹脂、玻璃或 塑料基質(zhì)材料，或者可以包括含氧化鉛的陶瓷材料，例如通過對氧化鉛粉末進行熱固化或 焙燒成玻璃或晶體形式來制造。容易對這種復(fù)合材料或陶瓷進行成形或形成，以界定具有 準(zhǔn)直小孔陣列或準(zhǔn)直蜂窩結(jié)構(gòu)的準(zhǔn)直器。 已經(jīng)參考優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明。在閱讀和理解前述詳細(xì)說明的前提下，其他 人可以想到各種修改和變化。只要修改和變化落入所附權(quán)利要求或其等價要件的范圍內(nèi)， 本發(fā)明意在被視為包括所有這種修改和變化。
1權(quán)利要求
一種成像系統(tǒng)，包括基本包圍檢查區(qū)域的正電子發(fā)射層析攝影(PET)探測器(30)；與所述PET探測器可操作地耦合的電子器件(50，50ob)，用以執(zhí)行對檢驗輻射的符合探測，所述檢驗輻射包括發(fā)生在所述檢查區(qū)域中的正電子湮滅事件所產(chǎn)生的511keV伽馬射線；以及與所述PET探測器相鄰設(shè)置的輻射屏蔽(60，62)，用以減少非檢驗輻射與所述PET探測器的交互，所述輻射屏蔽(60，62)的至少一部分含有不導(dǎo)電且非鐵磁性重原子氧化物材料。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的成像系統(tǒng)，其中，所述輻射屏蔽(60，62)包括氧化鉛材料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的成像系統(tǒng)，其中，所述輻射屏蔽(60，62)包括氧化鉛粉末材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的成像系統(tǒng)，其中，所述輻射屏蔽(60，62)還包括其中散布了所 述氧化鉛粉末材料的樹脂、玻璃或塑料基質(zhì)材料。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的成像系統(tǒng)，其中，所述輻射屏蔽(60，62)包括含氧化鉛的陶瓷 材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的成像系統(tǒng)，其中，所述輻射屏蔽(60，62)可以選擇性地朝向所 述檢查區(qū)域延伸或者遠(yuǎn)離所述檢查區(qū)域延伸。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像系統(tǒng)，還包括包括主磁體(12，14)、磁場梯度組件(20，20' ，22,24)和射頻線圈的磁共振掃描器，所 述磁共振掃描器用于從與由所述PET探測器(30)圍繞的所述檢查區(qū)域至少部分交迭的磁 共振檢查區(qū)域采集成像數(shù)據(jù)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像系統(tǒng)，其中，所述磁共振掃描器為孔徑型掃描器，所述 PET探測器(30)被布置成與所述孔徑型掃描器的孔徑同心的環(huán)形圈，而含有不導(dǎo)電且非鐵 磁性重原子氧化物材料的所述輻射屏蔽(60，62)被布置成與所述孔徑同心且在所述PET探 測器的所述環(huán)形圈的相對側(cè)上的兩個環(huán)形屏蔽圈(60，62)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像系統(tǒng)，其中，所述磁共振掃描器還包括 在與所述環(huán)形屏蔽圈(60，62)相同的軸向位置處設(shè)置的環(huán)形鐵磁勻場片(70)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像系統(tǒng)，其中，所述磁共振掃描器為孔徑型掃描器，所述 PET探測器(30)被布置成與所述孔徑型掃描器的孔徑同心的環(huán)形圈，且所述磁共振掃描器 還包括與所述孔徑共軸布置的圓柱形射頻屏(88，288)，所述磁場梯度組件(20，20' ，22,24) 設(shè)置于所述圓柱形射頻屏外部。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的成像系統(tǒng)，其中，所述圓柱形射頻屏(88)具有接納所述 PET探測器(30)的所述環(huán)形圈的環(huán)形槽或溝道(98)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的成像系統(tǒng)，還包括與所述PET探測器(30)可操作的連接并置于所述圓柱形射頻屏(88)外部的電力和通 信線纜(94);以及與所述PET探測器可操作地連接并置于所述圓柱形射頻屏外部的流體冷卻線(96)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的成像系統(tǒng)，其中，所述PET探測器(30)包括PET探測器模塊，每個所述PET探測器模塊都基本被在所述磁共振頻率下屏蔽所述PET探測器的屏蔽 (99)圍繞。
14. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像系統(tǒng)，其中，所述射頻線圈包括布置于所述PET探測器(30)和所述檢查區(qū)域之間的視線中的多個導(dǎo)電元件(66， 166)， 所述導(dǎo)電元件具有沿所述視線以對于所述檢驗輻射而言基本透明的厚度。
15. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像系統(tǒng)，其中，所述射頻線圈包括布置于所述PET探測器(30)和所述檢查區(qū)域之間的視線中的多個導(dǎo)電元件(66， 166)， 所述導(dǎo)電元件具有沿所述視線小于或大約為50微米的厚度。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的成像系統(tǒng)，其中，所述導(dǎo)電元件(66,166)的至少一部分是 大致平坦的銅帶或帶狀線。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的成像系統(tǒng)，其中，所述射頻線圈還包括 置于所述PET探測器(30)和所述檢查區(qū)域之間的所述視線外側(cè)的集總電容器(84)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像系統(tǒng)，其中，所述射頻線圈和所述PET探測器(30)被集 成地布置成局部射頻線圈模塊(100)，其包括多個導(dǎo)體(166);基本圍繞所述導(dǎo)體的射頻屏蔽(188， 188Ee， 188F)，所述導(dǎo)體和所述射頻屏被配置成在 大約所述磁共振頻率下共振，以在所述磁共振頻率下提供所述導(dǎo)體和周圍結(jié)構(gòu)之間的射頻 屏蔽，所述射頻屏蔽對于由所述磁場梯度組件(20')產(chǎn)生的場以及所述檢驗輻射而言基 本是透明的；所述PET探測器(30)被布置于所述射頻屏蔽外部并包括寬帶射頻屏蔽(99)，界定所述 線圈并位于所述PET探測器和所述檢查區(qū)域之間的視線中的導(dǎo)體具有沿所述視線以對于 所述檢驗輻射基本透明的厚度，所述多個導(dǎo)體、射頻屏蔽和PET探測器被布置為可以選擇 性插入所述磁共振檢查區(qū)域中的模塊。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的成像系統(tǒng)，其中，所述局部射頻線圈(100)是大致圓柱形 的末端被蓋住的射頻線圈，其中，所述射頻屏蔽(188，188EC，188F)在被蓋末端處具有端蓋 (188J，且界定所述線圈的導(dǎo)體(166)包括與臨近所述被蓋末端的所述射頻屏蔽連接以界 定射頻鏡的棒(166)或端環(huán)(183)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的成像系統(tǒng)，其中，所述局部射頻線圈(100)具有至少一個凸 緣端，在所述凸緣端，所述射頻屏蔽(188，188EB，188F)包括向外延伸的凸緣(188》，作為圓 柱形孔徑掃描器的所述磁共振掃描器還包括全身射頻屏蔽(288)，所述局部射頻線圈的向外延伸凸緣朝向所述全身射頻屏蔽延伸， 以界定獨立的射頻空間和無射頻空間(300,302)。
21. —種成像系統(tǒng)，包括基本包圍檢查區(qū)域的正電子發(fā)射層析攝影(PET)探測器(30);與所述PET探測器可操作耦合的電子器件(50， 50。b)，用以執(zhí)行對檢驗輻射的符合探 測，所述檢驗輻射包括發(fā)生在所述檢查區(qū)域中的電子正電子湮滅事件產(chǎn)生的511keV伽馬 射線；以及包括主磁體(12,14)和磁場梯度組件(20， 20' ，22,24)的磁共振掃描器，所述磁共振 掃描器用于從與由所述PET探測器圍繞的所述檢查區(qū)域至少部分交迭的磁共振檢查區(qū)域采集成像數(shù)據(jù)；以及射頻線圈(80，100)，所述射頻線圈包括多個導(dǎo)體(66,166)和包圍所述多個導(dǎo)體的射 頻屏蔽(88， 188， 188EB， 188F)，所述PET探測器設(shè)置于所述射頻屏蔽外部，所述射頻屏蔽在 所述磁共振頻率下為所述PET探測器提供射頻屏蔽。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的成像系統(tǒng)，還包括與所述PET探測器(30)設(shè)置在一起并含有重金屬氧化物的輻射屏蔽(60，62)，用以減 少非檢驗輻射與所述PET探測器的交互。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的成像系統(tǒng)，其中，所述輻射屏蔽(60，62)含有散布于樹脂、 玻璃或塑料基質(zhì)材料中的氧化鉛。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的成像系統(tǒng)，其中，所述輻射屏蔽(60，62)選擇性地向著所述 檢查區(qū)域延伸或遠(yuǎn)離所述檢查區(qū)域延伸。
25. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的成像系統(tǒng)，其中，所述磁共振掃描器為孔徑型掃描器，所述 射頻屏包括與所述孔徑型掃描器的孔徑共軸布置的圓柱形射頻屏(88)，且所述PET探測器 (30)被布置成與所述圓柱形射頻屏的所述孔徑同心并在所述圓柱形射頻屏外部的環(huán)形圈。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的成像系統(tǒng)，其中，所述圓柱形射頻屏(88)具有接納所述 PET探測器(30)的環(huán)形圈的環(huán)形槽或溝道(98)。
27. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的成像系統(tǒng)，其中，位于所述PET探測器(30)和所述檢查區(qū) 域之間的視線中的導(dǎo)體(66,166)具有沿所述視線小于或大約為50微米的厚度。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的成像系統(tǒng)，其中，所述射頻線圈(80)還包括 置于所述PET探測器(30)和所述檢查區(qū)域之間的所述視線外側(cè)的集總電容器(84)。
29. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的成像系統(tǒng)，其中，所述射頻線圈和所述PET探測器(30)被 集成地布置成可選擇性插入所述磁共振檢查區(qū)域中的局部射頻線圈模塊(100)。
30. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的成像系統(tǒng)，其中，所述局部射頻線圈(100)是末端被蓋住的 射頻線圈，其中，所述射頻屏(188，188EC，188F)在被蓋末端處具有端蓋(188J，以界定射頻 鏡。
31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的成像系統(tǒng)，其中，所述局部射頻線圈(100)具有與所述被蓋 住末端相對的凸緣端，所述射頻屏(188，188EC，188F)在所述凸緣端處包括向外延伸的凸緣 (188F)。
32. —種成像系統(tǒng)，包括包括主磁體(12，14)、磁場梯度組件(20')和全身射頻屏(288)的磁共振掃描器； 具有射頻屏(188，188Ee，188F)的局部射頻線圈(IOO)，所述射頻屏包括端蓋部分(188EC)和凸緣開放部分(188》，設(shè)計所述凸緣部分的尺寸，使得所述凸緣部分的環(huán)形邊緣靠近所述全身射頻屏，以界定包括所述局部射頻線圈內(nèi)部的射頻空間(300)和包括所述局部射頻線圈外部的大部分的無射頻空間(302);以及安裝于所述無射頻空間中的所述局部射頻線圈上的正電子發(fā)射層析攝影(PET)探測器(30)以觀察所述局部射頻線圈的內(nèi)部的環(huán)形圈。
33. —種成像系統(tǒng)，包括孔徑型磁共振掃描器，包括主磁體(12，14)，磁場梯度組件(20， 20' ，22,24)和與所述掃描器孔徑共軸布置的大致圓柱形射頻屏(88)，所述大致圓柱形射頻屏具有半徑og，只是在中央的環(huán)形槽或溝道(98)處具有與所述半徑(R2)相比更小的半徑(R》；一個或多個輻射探測器(30)，所述一個或多個輻射探測器被接納到所述大致圓柱形射 頻屏的所述環(huán)形槽或溝道中并與電子器件(50，50。b)可操作耦合以執(zhí)行輻射探測，所述一 個或多個輻射探測器(30)包括輻射準(zhǔn)直器或輻射屏蔽(60，62，99)，所述輻射屏蔽包括不 導(dǎo)電且非鐵磁性的重原子氧化物材料。
34. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的成像系統(tǒng)，其中，所述一個或多個輻射探測器包括正電子 發(fā)射層析攝影(PET)探測器(30)的環(huán)形圈，所述正電子發(fā)射層析攝影探測器被接納到所述 環(huán)形槽或溝道(98)中并包括包覆的輻射屏蔽(60，62，99)的環(huán)形圈，所述輻射屏蔽包括不 導(dǎo)電且非鐵磁性的重原子氧化物材料。
35. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的成像系統(tǒng)，其中，所述一個或多個輻射探測器是從如下構(gòu) 成的組選擇的(i)具有輻射屏蔽(60，62，99)的正電子發(fā)射層析攝影(PET)探測器(30)， 所述輻射屏蔽包括不導(dǎo)電且非鐵磁性的重原子氧化物材料，以及(ii) 一個或多個具有輻 射準(zhǔn)直器的可移動輻射探測器頭，所述輻射準(zhǔn)直器包括不導(dǎo)電且非鐵磁性的重原子氧化物 材料。
36. —種用于成像系統(tǒng)中的射頻屏，所述射頻屏包括相對于中心軸(CA)具有半徑(R2)的大致圓柱形射頻屏(88)，所述大致圓柱形射頻屏 具有中央環(huán)形槽或溝道(98)，在所述中央環(huán)形槽或溝道(98)處，所述大致圓柱形射頻屏具 有與所述半徑(R2)相比更小的半徑(R》。
全文摘要
一種成像系統(tǒng)，包括被寬帶電隔離(99)和符合探測電子器件(50，50ob)或其他輻射探測器遮蔽的正電子發(fā)射層析攝影(PET)探測器(30)。磁共振掃描器包括主磁體(12，14)和磁場梯度組件(20，20′，22，24)，用于從與由PET探測器圍繞的檢查區(qū)域至少部分交迭的磁共振檢查區(qū)域采集成像數(shù)據(jù)。射頻線圈(80，100)具有多個導(dǎo)體(66，166)和射頻屏蔽(88，188，188EB，188F)，所述射頻屏蔽基本圍繞所述導(dǎo)體以在磁共振頻率屏蔽線圈。輻射探測器位于射頻屏蔽外部。與輻射探測器一起設(shè)置包含不導(dǎo)電且非鐵磁性的重原子氧化物材料的磁共振兼容輻射準(zhǔn)直器或屏蔽(60，62)。
文檔編號G01T1/16GK101765790SQ200880100388
公開日2010年6月30日 申請日期2008年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月25日
發(fā)明者G·D·德梅斯泰, M·A·莫里希, T·J·佐爾夫, V·舒爾茨 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司