專利名稱：半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測(cè)在半導(dǎo)體晶圓的外周部產(chǎn)生的缺口 、 裂紋等缺陷的產(chǎn)生位置的半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
作為檢測(cè)半導(dǎo)體晶圓的中心位置的方法，利用了由隔著晶 圓邊緣而相對(duì)配置的發(fā)光器和受光器構(gòu)成的光透過式檢測(cè)單 元。具體地說(shuō)，檢測(cè)形成在晶圓邊緣上的作為定位部位的槽口 、 定位面等定位部位。已知根據(jù)該位置檢測(cè)得到晶圓中心位置的
光透過式檢測(cè)方法(例如，參照日本特開平8-279547號(hào)公報(bào))。
另外，已知光反射式檢測(cè)方法。例如，對(duì)半導(dǎo)體晶圓面照 射光，由攝像機(jī)接受該反射光。根據(jù)此時(shí)獲取的圖像數(shù)據(jù)決定 槽口的位置(例如，參照日本特開2003-258062號(hào)公報(bào))。
然而，在光透過式檢測(cè)方法中存在如下問題。在半導(dǎo)體晶 圓的圖案形成面上粘貼有保護(hù)帶的情況下，在前工序中覆蓋槽 口的保護(hù)帶的一部分被蒸鍍金屬膜、或附著粉塵。其結(jié)果，槽 口部分的光透過性下降，無(wú)法正確地4企測(cè)槽口。
另外，在光反射式檢測(cè)方法中存在如下問題。隨著半導(dǎo)體 晶圓面的狀態(tài)不同，照射光會(huì)發(fā)生漫反射。在該漫反射的影響 下槽口部分的圖像變得模糊，難以進(jìn)行正確的檢測(cè)。特別是在
現(xiàn)有的方法中，拍攝的圖像數(shù)據(jù)中，半導(dǎo)體晶圓部分顯示為黑 色，其它部分以白色濃淡來(lái)顯示。
因而，存在無(wú)法檢測(cè)比槽口還小的樣吏細(xì)缺口 、晶圓面裂紋 等缺陷的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置 檢測(cè)方法，其能夠高精度地檢測(cè)比槽口還小的微細(xì)缺口 、半導(dǎo) 體晶圓面的裂紋等缺陷。
本發(fā)明為了達(dá)到這種目的，采用如下結(jié)構(gòu)。
具備
由第l檢測(cè)單元檢測(cè)半導(dǎo)體晶圓的外周形狀的過程； 根據(jù)上述第l檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果求出半導(dǎo)體晶圓的中心 位置的過程；
由第2檢測(cè)單元接受來(lái)自半導(dǎo)體晶圓的面的反射光的過程； 根據(jù)上述第2檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果來(lái)檢測(cè)定位部位、求出該
定位部位的位置的過禾呈；以及
根據(jù)上述第24全測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果來(lái)4全測(cè)缺陷、求出該缺陷
位置的過程。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法，以下面的 順序進(jìn)行實(shí)施。由第l才全測(cè)單元檢測(cè)半導(dǎo)體晶圓(以下適當(dāng)稱作 "晶圓，，)的外周形狀。檢測(cè)在晶圓的外周上具備的槽口 、定位面 等定位部位的位置。根據(jù)該檢測(cè)結(jié)果求出晶圓的中心位置。在 這種情況下，作為第l檢測(cè)單元也可以使用光透過式或者光反射 式中的某一個(gè)。
接著，由第2檢測(cè)單元接受來(lái)自晶圓的圖案形成面或者其 背面的反射光。檢測(cè)晶圓外周的定位部位來(lái)求出該定位部位的 位置，并且根據(jù)第2檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果來(lái)檢測(cè)缺陷，求出該缺 陷的位置。
將這樣求出的位置信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器等中，從而能夠作為 以后的處理工序中的將半導(dǎo)體晶圓裝填到處理臺(tái)上時(shí)的定位、 方向設(shè)定的信息使用。
此外，在上述方法中，接受反射光的過程優(yōu)選為例如對(duì)半 導(dǎo)體晶圓垂直照射光，將從半導(dǎo)體晶圓面垂直反射回來(lái)的反射 光由配置在該光路上的光學(xué)部件導(dǎo)入到攝像單元中來(lái)進(jìn)行檢測(cè)。
另外，在該方法中，優(yōu)選為光學(xué)部件是分束器，將從半導(dǎo) 體晶圓背面全反射并沿與照射光路相同的光路返回的反射光導(dǎo) 入到沿與該反射光正交的方向配置的攝像單元中。
根據(jù)該方法，通過對(duì)半導(dǎo)體晶圓垂直照射光，能夠與晶圓 面性狀無(wú)關(guān)地抑制漫反射。其結(jié)果，能夠高精度地檢測(cè)照射面 的微細(xì)裂紋等。
另外，在上述方法中，能夠如下這樣求出缺陷位置。
例如，第l，設(shè)定位部位為基準(zhǔn)位置，作為從該基準(zhǔn)位置 向半導(dǎo)體晶圓外周方向的偏移量而求出缺陷位置。
第2,通過由上述攝像單元得到的上述半導(dǎo)體晶圓的外周 的圖像數(shù)據(jù)和預(yù)先獲取的基準(zhǔn)圖像數(shù)據(jù)之間的圖案匹配來(lái)求出 缺陷位置。
第3，通過從由上述攝像單元得到的上述半導(dǎo)體晶圓的外 周的圖像數(shù)據(jù)求出的面積和預(yù)先決定的基準(zhǔn)面積的比較，估計(jì) 缺陷的候選，
由上述攝像裝置再次拍攝上述估計(jì)位置，
通過獲取的圖像數(shù)據(jù)和預(yù)先獲取的基準(zhǔn)圖像數(shù)據(jù)之間的圖 案匹配來(lái)確定缺陷位置。
根據(jù)上述第1-3的方法，能夠?qū)⒃诰A的邊緣產(chǎn)生的缺口 、 裂紋作為從槽口 、定位面等定位部位向晶圓外周方向的偏移量 而高精度地求出。
另外，在上述方法中，能夠根據(jù)缺陷位置信息決定粘合帶 對(duì)半導(dǎo)體晶圓的粘貼方向。
根據(jù)該方法，在使粘貼輥沿著半導(dǎo)體晶圓轉(zhuǎn)動(dòng)移動(dòng)來(lái)粘貼 粘合帶時(shí)，能夠通過粘貼輥的按壓力及其移動(dòng)，在不使裂紋等 從缺陷擴(kuò)大的方向上粘貼粘合帶。
另外，在上述方法中，半導(dǎo)體晶圓在圖案形成面上粘貼有 保護(hù)帶，還能夠根據(jù)缺陷位置信息決定保護(hù)帶的剝離方向。
根據(jù)該方法，使剝離輥、邊緣(edge)部件沿著半導(dǎo)體晶圓 轉(zhuǎn)動(dòng)移動(dòng)來(lái)剝離保護(hù)帶時(shí)，能夠通過剝離輥的按壓力及其移動(dòng)， 在不使裂紋等從缺陷擴(kuò)大的方向上剝離保護(hù)帶。
并且，在上述方法中，還能夠?qū)雽?dǎo)體晶圓的缺陷位置信
息送到下個(gè)工序。
根據(jù)該方法，通過在下個(gè)工序中利用半導(dǎo)體晶圓的缺陷位 置信息，能夠不使裂紋擴(kuò)大地進(jìn)行處理。


為了對(duì)發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明而圖示出幾個(gè)目前認(rèn)為合適的方式， 但是應(yīng)理解為發(fā)明并不被如圖示的結(jié)構(gòu)以及方案所限定。 圖l是表示定位器主要部分的立體圖。 圖2是定位器的聯(lián)系圖。
圖3是表示半導(dǎo)體晶圓的整體處理工序的流程圖。 圖4是表示處理工序的一部分的流程圖。 圖5是從背面?zhèn)瓤窗雽?dǎo)體晶圓的立體圖。 圖6是半導(dǎo)體晶圓的槽口部分的放大截面圖。 圖7是裝配架的立體圖。
圖8是表示保護(hù)帶的剝離處理狀態(tài)的立體圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照

本發(fā)明的 一 個(gè)實(shí)施例。
圖l中表示用于半導(dǎo)體晶圓的定位的定位器主要部分立體
圖，圖2中表示其聯(lián)系圖。另外，圖5中表示從所處理的半導(dǎo)體 晶圓(以下僅稱作"晶圓")W的背面?zhèn)瓤吹降牧Ⅲw圖，圖6中表示 晶圓W的一部分的截面圖。
如圖5以及圖6所示，晶圓W在形成電路圖案的表面粘貼有 保護(hù)帶PT。在該狀態(tài)下研磨晶圓W的背面，在變薄的該背面蒸 鍍金屬層M。因而，在晶圓W的外周上作為定位部位而形成的 槽口 K的部分中，在露出的保護(hù)帶PT的背面也蒸鍍有金屬層M。
如圖l以及圖2所示，定位器可以通過脈沖電機(jī)等旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng) 機(jī)構(gòu)2而繞著縱軸心P進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。另外，具備定位器臺(tái)l，該定 位器臺(tái)1能夠通過X軸驅(qū)動(dòng)^L構(gòu)3 、以及Y軸驅(qū)動(dòng)才幾構(gòu)4而沿相互 正交的X軸方向以及Y軸方向水平移動(dòng)。定位器臺(tái)l吸附保持使 由保護(hù)帶PT保護(hù)的表面向上而搬入的晶圓W。
在定位器臺(tái)1的外周方向上的規(guī)定位置上，作為第1檢測(cè)單 元配置有光透過式邊緣測(cè)量機(jī)構(gòu)5，并且在其它規(guī)定位置上，作 為第2檢測(cè)單元配置有光反射式缺陷檢測(cè)機(jī)構(gòu)6 。
邊緣測(cè)量機(jī)構(gòu)5由從上方對(duì)晶圓W照射光的光源7、以及在 晶圓W下方與光源7相對(duì)的受光傳感器8構(gòu)成。受光傳感器8利用 了將多個(gè)受光元件在晶圓W的半徑方向上以直線狀配置而成的 CCD線性傳感器。由該受光傳感器8得到的檢測(cè)數(shù)據(jù)被輸入到利 用微型計(jì)算機(jī)的控制器9中。
缺陷檢測(cè)機(jī)構(gòu)6由以下部分構(gòu)成光源IO,其從圖中下方 向上方對(duì)晶圓背面垂直照射光；偏振光分束器ll,來(lái)自該光源 10的光在晶圓背面垂直全反射，并沿與照射光相同光路返回， 該偏振光分束器ll使該反射光向圖中成直角的左方向變更；以 及CCD照相機(jī)12,其接受從偏振光分束器ll引導(dǎo)到橫方向的反 射光。由C C D照相機(jī)12拍攝的圖像數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在控制器9內(nèi)的存
儲(chǔ)器等存儲(chǔ)單元中。
定位器如上述那樣構(gòu)成，根據(jù)圖3以及圖4的流程圖說(shuō)明使 用了定位器的晶圓W的定位處理和缺陷一企測(cè)處理。
首先，晶圓w由機(jī)械臂等適當(dāng)?shù)牟倏v單元搬入，使粘貼有
保護(hù)帶PT的表面向上地載置在定位器臺(tái)l上。通過真空吸附來(lái) 保持載置的晶圓W (步驟SOl)。
接著，定位器臺(tái)l通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)才幾構(gòu)2以失見定速度向井見定方 向旋轉(zhuǎn)1次(步驟S02)。同時(shí)由邊緣測(cè)量機(jī)構(gòu)5的受光傳感器 (C C D線性傳感器)8進(jìn)行外周端的檢測(cè)，測(cè)量各旋轉(zhuǎn)相位中的外 周端位置并存儲(chǔ)(步驟S03)。
控制器9根據(jù)存儲(chǔ)的測(cè)量數(shù)據(jù)，作為X Y坐標(biāo)上的坐標(biāo)位置 (中心坐標(biāo))而算出晶圓W的中心位置(步驟S04)。
將算出的晶圓W的中心坐標(biāo)相對(duì)于定位器臺(tái)1中心的偏差 作為X Y校正移動(dòng)量而算出(步驟S 0 5)。該校正移動(dòng)量被存儲(chǔ)在 控制器9內(nèi)的存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)單元中(步驟S06)。
接著，定位器臺(tái)1以規(guī)定速度旋轉(zhuǎn)(步驟S07)。此時(shí)，從光 源10對(duì)晶圓外周部分的背面(下面)照射光，并且由CCD照相機(jī) 12連續(xù)拍攝在晶圓背面發(fā)生全反射而沿與照射光相同光路返回 的反射光。該獲取的攝像數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在控制器9內(nèi)的存儲(chǔ)器等中 (步驟S08)?？刂破?的運(yùn)算處理部根據(jù)獲取的攝像數(shù)據(jù)并行執(zhí) 行槽口位置算出處理(步驟SIO)、晶圓缺口位置算出處理(步驟 S20)、以及晶圓裂紋位置算出處理(步驟S30)。下面根據(jù)圖4的 流程圖說(shuō)明各運(yùn)算處理。
從由C C D照相機(jī)12的連續(xù)拍攝得到的圖像中，將通過面積 比較而一致的部分選擇為被認(rèn)為是槽口 K的候選(步驟Sll)。此 時(shí)利用的圖像是接受從光源IO照射的光在晶圓背面反射而返回
的反射光的大致全部光量所得到的。因而，晶圓背面的正常狀 態(tài)的部分被強(qiáng)調(diào)為白。除此之外的晶圓外周端的槽口 、缺口、 裂紋、以及晶圓外周區(qū)域顯現(xiàn)為黑。
接著，算出從攝像開始位置到槽口候選位置為止的偏移量 (旋轉(zhuǎn)角度)(步驟S12)。根據(jù)該算出結(jié)果，對(duì)定位器臺(tái)l進(jìn)行旋轉(zhuǎn) 控制，使其移動(dòng)偏移量，從而使槽口候選移動(dòng)到攝像位置(步驟
513) 。
當(dāng)槽口候選與攝像位置重合時(shí)，再次拍攝槽口候選(步驟
514) ，通過與預(yù)先登記的槽口形狀進(jìn)行圖案匹配等來(lái)進(jìn)行比較， 判別槽口 K(步驟S15)。
當(dāng)判別了槽口K時(shí)，算出其位置坐標(biāo)(步驟S16)。根據(jù)該坐 標(biāo)數(shù)據(jù)算出用于將槽口 K移動(dòng)到預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)位置(旋轉(zhuǎn)相
位)的校正移動(dòng)量e(步驟si7)。將該校正移動(dòng)量e存儲(chǔ)在控制器9
內(nèi)的存儲(chǔ)器等中(步驟S18)。
通過面積比較從由CCD照相機(jī)12的連續(xù)拍攝得到的圖像中 選擇被認(rèn)為是缺口的候選(步驟S21)。
接著，算出從攝像開始位置到缺口候選位置為止的偏移量 (旋轉(zhuǎn)角度)(步驟S22)。根據(jù)該算出結(jié)果，對(duì)定位器臺(tái)l進(jìn)行旋轉(zhuǎn) 控制使其移動(dòng)偏移量從而使得缺口候選移動(dòng)到攝像位置(步驟
523) 。
當(dāng)缺口候選與攝像位置重合時(shí)，再次拍攝缺口候選(步驟
524) ,通過與預(yù)先登記的槽口形狀進(jìn)行圖案匹配等來(lái)進(jìn)行比較， 根據(jù)是否匹配來(lái)判別是否是缺口 (步驟S25)。
當(dāng)判別是缺口時(shí)，算出其位置坐標(biāo)(步驟S26)。將該坐標(biāo)存 儲(chǔ)到控制器9內(nèi)的存儲(chǔ)器等中(步驟S 2 7)。 [晶圓裂紋位置算出處理(步驟S30)]
通過濃淡變化從由C C D照相機(jī)1 2的連續(xù)拍攝得到的圖像中
選擇晶圓裂紋(步驟S31)。此時(shí)使用的圖像是接受從光源IO照射
的光在晶圓背面反射而返回的反射光的大致全部光量所得到 的。因而，晶圓背面的正常狀態(tài)的部分被強(qiáng)調(diào)為白。除此之外 的晶圓外周端的槽口、缺口、裂紋、以及晶圓外周區(qū)域顯現(xiàn)為 黑。即，去除了由晶圓背面性狀引起的漫反射的影響，在白色 顯示的晶圓背面的圖像上鮮明地顯示微細(xì)的裂紋。
當(dāng)判別為晶圓W存在裂紋時(shí)，算出裂紋長(zhǎng)度及其坐標(biāo)位置 (步驟S32)。將該算出結(jié)果存儲(chǔ)在控制器9內(nèi)的存儲(chǔ)器等中(步驟 S33)。
當(dāng)以上各處理結(jié)束時(shí)，進(jìn)行晶圓定位處理和檢測(cè)信息的傳 遞處理。
在晶圓定位處理工序中，根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器等中的XY校正 移動(dòng)量，定位器臺(tái)l在圖1所示的X-Y平面上水平移動(dòng)。同時(shí)，
根據(jù)校正移動(dòng)量e使定位器臺(tái)l旋轉(zhuǎn)移動(dòng)。其結(jié)果，將晶圓W校
正為中心位置是基準(zhǔn)位置、槽口 K朝向基準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)相位的規(guī)定姿 勢(shì)(步驟S41)。之后，將晶圓W從定位器臺(tái)l搬出并運(yùn)送到下一 工序中(步驟S42)。
在檢測(cè)信息的傳遞處理工序中，將槽口位置、晶圓缺口位 置、以及晶圓裂紋位置的檢測(cè)信息通過網(wǎng)絡(luò)、記錄介質(zhì)傳遞到 以后的各處理工序的各控制器等，或?qū)⒂涗浻懈魑恢眯畔⒌谋? 維或者3維編碼的標(biāo)簽等粘貼在晶圓W上(步驟S51)。
以下例示了在晶圓W上產(chǎn)生缺口 、裂紋并檢測(cè)出它們的情 況的一例處理。
在將完成背面研磨處理的晶圓W通過切割帶DT粘貼保持 在環(huán)形架f上、制作如圖7所示的裝配架MF的情況下，利用在前 工序中得到并傳遞的各位置信息。
對(duì)在圖案外周的區(qū)域中檢測(cè)出缺口 、裂紋的晶圓W,由各 工序的控制器讀出缺口等的位置信息。根據(jù)該位置信息，將沒 有缺口、裂紋等的部分設(shè)定為帶粘貼方向。例如，設(shè)定帶粘貼 方向(粘貼輥的移動(dòng)方向)使得缺口 、裂紋位于帶粘貼終端側(cè)。 也就是說(shuō)，比較缺口的大小，將較大的缺口優(yōu)先設(shè)定在粘貼終 端位置，或沿著裂紋長(zhǎng)度方向設(shè)定帶粘貼方向。通過這樣設(shè)定 帶粘貼方向，能夠降低作用于晶圓W的帶粘貼應(yīng)力，預(yù)先避免 缺口 、裂紋擴(kuò)大。
另外，在將晶圓W通過切割帶DT粘貼保持在環(huán)形架f上后、 剝離粘貼在晶圓W表面上的保護(hù)帶PT的情況下，如下進(jìn)行處 理。例如，如圖8所示，通過邊緣部件14將窄剝離帶ST粘貼在 保護(hù)帶PT上，同時(shí)在邊緣部件14的前端折返回收剝離帶ST。由 此，能夠?qū)冸x帶ST與保護(hù)帶PT—體從晶圓表面剝離。
在這種剝離處理中，對(duì)于檢測(cè)出缺口、裂紋的晶圓W,與 切割帶DT的粘貼相同地將沒有缺口 、裂紋等的部分設(shè)定為帶剝 離方向。也就是說(shuō)，設(shè)定剝離帶ST的粘貼方向(邊緣部件14的移 動(dòng)方向)，使得缺口、裂紋位于帶粘貼終端側(cè)。通過這樣粘貼剝 離帶ST，降低作用于晶圓W的缺口等中的帶剝離應(yīng)力、邊緣部 件14的按壓力，并且降低剝離時(shí)作用的剝離應(yīng)力(彎曲量)。
例如，在缺口處于剝離終端位置的情況下，即-使以缺口位 置為起點(diǎn)向剝離方向產(chǎn)生彎曲作用，也不存在以后以缺口為起 點(diǎn)發(fā)生破損的部分。因而，能夠預(yù)先避免剝離時(shí)晶圓W的缺口 、 裂紋擴(kuò)大。
在裂紋的情況下，當(dāng)裂紋長(zhǎng)度方向和剝離連接點(diǎn)一致時(shí)， 會(huì)由剝離應(yīng)力助長(zhǎng)晶圓W從其部位彎曲，但是通過沿著長(zhǎng)度方 向剝離保護(hù)帶PT,能夠預(yù)先避免這種現(xiàn)象。另外，通過以裂紋 長(zhǎng)度方向的中心側(cè)為起點(diǎn)沿直徑方向(向夕卜)剝離，能夠降低剝離晶圓W時(shí)的彎曲量，能夠預(yù)先避免裂紋的擴(kuò)大。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，還能夠如下地變形實(shí)施。
(1) 在上述實(shí)施例中，由利用了 CCD線性傳感器8的第l檢測(cè)
單元5求出晶圓中心位置，但是也可以由利用了 CCD照相機(jī)的圖 像處理來(lái)求出晶圓中心位置。
(2) 在上述實(shí)施例中，示出了并行進(jìn)行槽口位置算出處理、 晶圓缺口位置算出處理、以及晶圓裂紋位置算出處理的情況， j旦是也可以依次進(jìn)4亍。
(3) 在上述實(shí)施例中，從晶圓W背面垂直照射光，但是也可 以從圖案形成面的表面?zhèn)日丈涔狻?br> 本發(fā)明能夠在不超出其思想或者本質(zhì)的范圍內(nèi)以其它具 體方式實(shí)施，因而，作為表示發(fā)明范圍的內(nèi)容并非是以上說(shuō)明， 而應(yīng)該參照附加的權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法，其特征在于，上述方法包括如下過程由第1檢測(cè)單元檢測(cè)半導(dǎo)體晶圓的外周形狀；根據(jù)上述第1檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果求出半導(dǎo)體晶圓的中心位置；由第2檢測(cè)單元接受來(lái)自半導(dǎo)體晶圓的面的反射光；根據(jù)上述第2檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果來(lái)檢測(cè)定位部位，求出該定位部位的位置；以及根據(jù)上述第2檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果來(lái)檢測(cè)缺陷，求出該缺陷的位置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法， 其特征在于，在接受反射光的過程中，對(duì)半導(dǎo)體晶圓垂直照射光，將從 半導(dǎo)體晶圓的面垂直反射回來(lái)的反射光由配置在該光路上的光學(xué)部件導(dǎo)入到攝像單元中來(lái)進(jìn)行檢測(cè)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法， 其特征在于，上述光學(xué)部件是分束器，其將從半導(dǎo)體晶圓的背面全反射 并沿與照射光路相同的光路返回的反射光導(dǎo)入到沿與該反射光 正交的方向配置的攝像單元中。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法， 其特征在于，以上述定位部位為基準(zhǔn)位置，作為從該基準(zhǔn)位置向半導(dǎo)體 晶圓外周方向的偏移量而求出上述缺陷的位置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法， 其特征在于，如下這樣求出上述缺陷的位置 通過由上述攝像單元得到的上述半導(dǎo)體晶圓的外周的圖像 數(shù)據(jù)和預(yù)先獲取的基準(zhǔn)圖像數(shù)據(jù)之間的圖案匹配來(lái)求出。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法，其特征在于，進(jìn) 一 步如下這樣求出上述缺陷的位置將從通過上述攝像單元得到的上述半導(dǎo)體晶圓外周的圖像 數(shù)據(jù)求出的面積和預(yù)先決定的基準(zhǔn)面積進(jìn)行比較，估計(jì)缺陷的 候選，通過上述攝像單元再次拍攝上述估計(jì)位置， 將獲取的圖像數(shù)據(jù)和預(yù)先獲取的基準(zhǔn)圖像數(shù)據(jù)之間進(jìn)行圖 案匹配，由此確定缺陷位置。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法， 其特征在于，根據(jù)上述缺陷的位置信息，決定對(duì)上述半導(dǎo)體晶圓的粘合 帶的粘貼方向。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法， 其特征在于，上述半導(dǎo)體晶圓在圖案形成面上粘貼有保護(hù)帶，根據(jù)上述缺陷的位置信息，決定上述保護(hù)帶的剝離方向。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法， 其特征在于，將上述半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置信息送到下一個(gè)工序。
全文摘要
提供一種半導(dǎo)體晶圓的缺陷位置檢測(cè)方法。由第1檢測(cè)單元檢測(cè)半導(dǎo)體晶圓的外周形狀，根據(jù)第1檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果求出晶圓的中心位置。另外，由第2檢測(cè)單元接受來(lái)自晶圓面的反射光，根據(jù)第2檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果檢測(cè)定位部位，求出該定位部位的位置。并且，根據(jù)第2檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果檢測(cè)缺陷，求出該缺陷的位置。
文檔編號(hào)G01B11/00GK101339913SQ20081012782
公開日2009年1月7日 申請(qǐng)日期2008年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月2日
發(fā)明者山本雅之, 池田諭 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社