專利名稱：電流偵測電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系相關(guān)于 一種電流偵測技術(shù)，尤指 一種容易在一積體電路 制作之電流偵測電路。
背景技術(shù)：
目前偵測功率電晶體(Power MOS)電流的方法是偵測電晶體 串聯(lián)一偵測電阻。請參考第1圖，第1圖為先前技術(shù)一傳統(tǒng)電流偵測 電路之示意圖。兩個電晶體以并聯(lián)方式耦接。電晶體12為功率電晶 體，電晶體14為偵測電晶體。功率電晶體12以及偵測電晶體14以 相同制程制作于相同基板，特性應(yīng)該相同。功率電晶體12的電流l1 與遠(yuǎn)大于偵測電晶體14的電流12有一比例，功率電晶體12的電流 11遠(yuǎn)大于偵測電晶體14的電流12。偵測電阻Rs將電流轉(zhuǎn)成電壓。 偵測電阻Rs之壓降偵測功率電晶體12的電流11。
偵測電阻Rs之壓降偵測功率電晶體12的電流11。然而，在積 體電路制作偵測電阻Rs，很難不使用大面積，而正確無誤地控制數(shù) 十歐姆到數(shù)百歐姆之低阻值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之主要目的之一在于揭露一種電流偵測電路，可以解決先 前技術(shù)中不易在積體電路制作偵測電阻Rs的問題。
本發(fā)明系提供一種電流偵測電路，耦接于一電流放大器，其包含
有
一功率電晶體(Power MOS),用于輸出一大電流； 一開關(guān)，用于決定一偵測期間(sensing period ); 以及 一投切電阻(switching resistor)，阻值大約數(shù)K歐姆到數(shù)十K 歐姆；其中上述功率電晶體具有一低導(dǎo)通電阻(low on-resistance)特 性，而可不需要一偵測電阻(sensing resistor);上述開關(guān)導(dǎo)通時， 上述投切電阻測得一電壓降。
于一實施例中，上述測得之電壓由上述電流放大器放大。上述投 切電阻之阻值精確度可相對地較低。


第1圖為先前技術(shù)一傳統(tǒng)電流偵測電路之示意圖。
第2圖為根據(jù)本發(fā)明之一第一實施例中一電流偵測電路之示意圖。
主要元件符號說明
Vdd端 供應(yīng)端
Rs 偵測電阻
10 電流放大器
12 功率電晶體
14 偵測電晶體
20 電it力文大器
22 功率電晶體
24 開關(guān)
26 投切電阻
具體實施例方式
請參考第2圖，第2圖為根據(jù)本發(fā)明之一第一實施例中一電流偵 測電路之示意圖。上述電流偵測電路，耦接于一電流放大器，其包含 有 一功率電晶體2 2， 一開關(guān)2 4;以及一投切電阻2 6。上述功率電晶體2 2具有一低導(dǎo)通汲極至源極電阻，此特性可用 來代替一偵測電阻。上述功率電晶體2 2可輸出一大電流。上述投切 電阻2 6可為一大電阻，阻值大約數(shù)K歐姆到數(shù)十K歐姆。上述開 關(guān)2 4用于決定一偵測期間。上述開關(guān)2 4導(dǎo)通時，上述投切電阻2 6測得VDD端及SW端間之電壓降。上述測得之電壓由上述電流放 大器2 0放大。
上述投切電阻2 6可用阻值精確度較低之電阻，因而第2圖之電 流偵測電路容易在 一 積體電路制作。
本發(fā)明可容易地制作電流偵測電路，因此，先前技術(shù)中很難正確 無誤地控制低阻值的問題造成的缺失，能徹底解決。
以上所述僅為本發(fā)明之較佳實施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做 之均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明之涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種電流偵測電路，耦接于一電流放大器，其包含有一功率電晶體(Power MOS)，用于輸出一大電流；一開關(guān)，用于決定一偵測期間(sensing period)；以及一投切電阻(switching resistor)，阻值大約數(shù)K歐姆到數(shù)十K歐姆；其中上述功率電晶體具有一低導(dǎo)通電阻(low on-resistance)特性，而可不需要一偵測電阻(sensing resistor)；上述開關(guān)導(dǎo)通時，上述投切電阻測得一電壓降。
2. 如權(quán)利要求1所述之電流偵測電路，其中上述測得之電壓由 上述電流放大器放大。
3. 如權(quán)利要求1所述之電流偵測電路，其中上述投切電阻之阻值 精確度可相對地較4氐。
全文摘要
一種電流偵測電路，耦接于一電流放大器，其包含有一功率電晶體(Power MOS)，一開關(guān)以及一投切電阻(switching resistor)。上述投切電阻之阻值大約數(shù)K歐姆到數(shù)十K歐姆。上述功率電晶體可輸出一大電流。上述開關(guān)可決定偵測期間(sensing period)。上述功率電晶體具有一低導(dǎo)通電阻(low on-resistance)特性，而可不需要一偵測電阻(sensing resistor)。上述開關(guān)導(dǎo)通時，上述投切電阻可偵測一電壓降。上述電流放大器可放大器上述測得之電壓。上述投切電阻之阻值精確度可相對地較低。
文檔編號G01R19/00GK101598747SQ20081012767
公開日2009年12月9日 申請日期2008年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月2日
發(fā)明者楊能貞 申請人:廣鵬科技股份有限公司