專(zhuān)利名稱(chēng)：測(cè)試插座、使用其測(cè)試半導(dǎo)體封裝的方法、測(cè)試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有珀耳帖元件(Peltier element)的測(cè)試插座，包括該測(cè)試 插座的測(cè)試裝置，以及使用該測(cè)試插座測(cè)試半導(dǎo)體封裝的方法。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體芯片可通過(guò)晶片級(jí)測(cè)試工藝分為合格芯片或不合格芯片。 半導(dǎo)體芯片可用于處理或存儲(chǔ)許多精確數(shù)據(jù)的各種電子系統(tǒng)中。因而，晶片
級(jí)測(cè)試工藝對(duì)應(yīng)用于評(píng)估半導(dǎo)體芯片的可靠性和質(zhì)量的非常重要的工藝。晶 片級(jí)測(cè)試工藝可應(yīng)用于開(kāi)發(fā)階段的少量半導(dǎo)體芯片，晶片級(jí)測(cè)試工藝也可應(yīng) 用于批量生產(chǎn)階段的大量半導(dǎo)體芯片。
半導(dǎo)體芯片可被封裝以生產(chǎn)被保護(hù)材料例如環(huán)氧樹(shù)脂包封的半導(dǎo)體封 裝，半導(dǎo)體封裝也可通過(guò)封裝級(jí)測(cè)試工藝分為合格半導(dǎo)體封裝或不合格半導(dǎo) 體封裝。每個(gè)半導(dǎo)體封裝可在封裝級(jí)測(cè)試工藝期間插入到測(cè)試模塊襯底上的 插座中，然后在封裝級(jí)測(cè)試工藝之后從插座移除。當(dāng)在室溫下執(zhí)行封裝級(jí)測(cè) 試工藝時(shí)，即使測(cè)試的半導(dǎo)體封裝基本上具有優(yōu)良的特性，也可能難以將測(cè) 試結(jié)果認(rèn)為是可靠的數(shù)據(jù)。這是因?yàn)榘雽?dǎo)體封裝的特性會(huì)根據(jù)環(huán)境溫度而改 變。換句話說(shuō)，即使半導(dǎo)體封裝在室溫下展現(xiàn)優(yōu)良的特性，半導(dǎo)體封裝可能 在比室溫更高或更低的溫度下失靈。
實(shí)際上，半導(dǎo)體封裝在其操作期間可能暴露到不同的環(huán)境。因此，包括 封裝級(jí)測(cè)試工藝的測(cè)試工藝應(yīng)在各種條件下進(jìn)行以評(píng)估半導(dǎo)體封裝在各種 環(huán)境中是否正確操作。例如，為了評(píng)估半導(dǎo)體封裝的可靠性，可執(zhí)行溫度測(cè) 試或高壓應(yīng)力(HVS)測(cè)試。溫度測(cè)試可包括高溫測(cè)試和〗氐溫測(cè)試。
通常，可在室溫下測(cè)試半導(dǎo)體封裝的各種特性之后使用各種溫度生成器 執(zhí)行高溫測(cè)試。然而，傳統(tǒng)的可變溫度生成器具有大的體積，難以攜帶傳統(tǒng) 的可變溫度生成器。此外，會(huì)花費(fèi)長(zhǎng)時(shí)間來(lái)使用傳統(tǒng)的可變溫度生成器測(cè)試 少量半導(dǎo)體封裝。
為了執(zhí)行高溫測(cè)試，傳統(tǒng)的可變溫度生成器可提供加熱空氣至半導(dǎo)體封裝安裝于其中的插座。因此，插座和半導(dǎo)體封裝被間接加熱，然后可執(zhí)行高 溫測(cè)試。例如， 一旦可變溫度生成器設(shè)置成所需溫度，可變溫度生成器加熱 空氣且加熱的空氣被提供至插座和半導(dǎo)體封裝。因此，插座和半導(dǎo)體封裝可 被加熱到且維持在該所需溫度。在所需溫度測(cè)試半導(dǎo)體封裝之后，可變溫度 生成器的操作停止，用另一半導(dǎo)體封裝替代被測(cè)試的半導(dǎo)體封裝。因而，只 要測(cè)試新的半導(dǎo)體封裝，就需要額外時(shí)間來(lái)產(chǎn)生再加熱的氣體。結(jié)果，使用
可變溫度生成器的測(cè)試裝置的吞吐量(throughput)會(huì)下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及具有珀耳帖元件的測(cè)試插座，包括該測(cè)試插 座的測(cè)試裝置，以及使用該測(cè)試插座測(cè)試半導(dǎo)體封裝的方法。在一示例性實(shí) 施例中，測(cè)試插座包括半導(dǎo)體封裝定位于其中的插座體(socket body )、與 該插座體結(jié)合的插座頭、在該插座頭中的珀耳帖元件、以及連接到該珀耳帖
元件的電源端子。
在示例性實(shí)施例中，插座頭可包括設(shè)置在插座頭中的珀耳帖元件和插座 體中的半導(dǎo)體封裝之間的板(plate )。珀耳帖元件和半導(dǎo)體封裝之間的板可 包括導(dǎo)熱材料。插座頭可包括多個(gè)開(kāi)口。在一示例性實(shí)施例中，開(kāi)口可均勻 地排布于插座頭的頂板中。插座頭還可包括穿透插座頭的中心部分的中心開(kāi)。
在示例性實(shí)施例中，測(cè)試插座還可包括設(shè)置得與半導(dǎo)體封裝相鄰的溫度 傳感器。
在一示例性實(shí)施例中，測(cè)試裝置包括具有半導(dǎo)體封裝置于其中的測(cè)試插 座的測(cè)試單元、連接到測(cè)試單元以指示半導(dǎo)體封裝的溫度的溫度感測(cè)單元、 以及連接到溫度感測(cè)單元以控制測(cè)試單元的控制單元。測(cè)試插座包括半導(dǎo)體 封裝置于其中的插座體、與插座體結(jié)合的插座頭、插座頭中的珀耳帖元件、 以及連接到珀耳帖元件的電源端子。
根據(jù)一示例性實(shí)施例，所述方法包括i)提供測(cè)試插座，其具有插座體、 設(shè)置在插座體上以與插座體結(jié)合的插座頭、在插座頭中的珀耳帖元件、以及 連接到珀耳帖元件的電源端子；ii)將半導(dǎo)體封裝插入到插座體中；iii)應(yīng) 用第一電壓到電源端子以從珀耳帖元件產(chǎn)生熱，來(lái)自珀耳帖元件的熱傳導(dǎo)到 半導(dǎo)體封裝；iv)操作半導(dǎo)體封裝；v)測(cè)試半導(dǎo)體封裝；以及vi)用新的半導(dǎo)體封裝替代該半導(dǎo)體封裝。
在示例性實(shí)施例中，該方法還可包括依次且重復(fù)地執(zhí)行上述步驟iv)至
Vi)。
在示例性實(shí)施例中，該方法還可包括在上述步驟V)之后應(yīng)用第二電壓 至電源端子以冷卻半導(dǎo)體封裝，其中第二電壓具有與第一電壓相反的極性。
根據(jù)示例性實(shí)施例，插座頭可設(shè)置為具有設(shè)置于插座體中的半導(dǎo)體封裝 與插座頭中的珀耳帖元件之間的導(dǎo)熱材料板，且可設(shè)置為具有多個(gè)開(kāi)口。


將結(jié)合附圖從下面的描述更詳細(xì)地理解本發(fā)明的示例性實(shí)施例。 圖l是平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的測(cè)試插座。
圖2是沿圖i的插座中的線i-r取得的橫截面圖。
圖3是透視圖，示出在根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的測(cè)試插座中使用的
珀耳帖元件。
圖4是示意性模塊圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的包括測(cè)試插座 的半導(dǎo)體測(cè)試裝置。
圖5是流程圖，示出使用根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的測(cè)試插座測(cè)試半
導(dǎo)體封裝的方法。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示范性實(shí)施
的示例性實(shí)施例。而是，提供這些示例性實(shí)施例以使本公開(kāi)徹底和完整，并 將全面地將本發(fā)明的范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。整個(gè)附圖中相似的附 圖標(biāo)i己表示相似的元件。
圖1是平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的測(cè)試插座，圖2是沿
圖i的插座中的線i-r取得的橫截面圖。
參考圖1和2，提供用于測(cè)試半導(dǎo)體芯片的插座100。插座100可安裝 在插座板(socket board) 110上。插座100可以是精細(xì)球柵陣列(FBGA ) 插座。
插座100可包括插座頭100a和插座體100b。珀耳帖元件120可安裝在插座頭100a中。半導(dǎo)體芯片可被包封以提供半導(dǎo)體封裝105,插座體100b 可包括半導(dǎo)體封裝105定位于其中的芯片區(qū)140。芯片區(qū)140可設(shè)置成與珀 耳帖元件120相鄰。
插座頭100a可以可移除地附著到插座體100b且后來(lái)與插座體100b分 開(kāi)。也就是說(shuō)，插座頭100a可附著到插座體100b且可與其分開(kāi)。當(dāng)插座頭 100a附著到插座體100b時(shí)，插座頭100a可通過(guò)扣緊系統(tǒng)(fastening system ) (未示出)穩(wěn)固地貼附到插座體100b。
下文中，將參照?qǐng)D1至3描述珀耳帖元件120。
參考圖1至3，珀耳帖元件120可包括頂板122、底板124、以及設(shè)置在 頂板122與底板124之間的多個(gè)半導(dǎo)體125。半導(dǎo)體125可包括P型半導(dǎo)體 和N型半導(dǎo)體。頂板122可包括第一陶瓷板122b和附著到第一陶瓷板122b 的下表面的多個(gè)第一金屬板122a。類(lèi)似地，底板124可包4奮第二陶瓷板124b 和附著到第二陶瓷板124b的上表面的多個(gè)第二金屬板124a。在該示例性實(shí) 施例中，多個(gè)半導(dǎo)體125可設(shè)置在第一金屬板122a和第二金屬板124a之間， 半導(dǎo)體125可通過(guò)第一和第二金屬板122a和124a串聯(lián)地電連4妄。也就是說(shuō)， P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體可以交替且重復(fù)地排布以構(gòu)成串聯(lián)電路。
珀耳帖元件120的頂板122可與圖2所示的插座頭100a的頂板102接 觸，珀耳帖元件120的底板124可與圖2所示的插座頭100a的底板104接 觸。頂板102和底板104可包括導(dǎo)熱材料，從而從珀耳帖元件120產(chǎn)生的熱 能容易地通過(guò)頂板102或底板104傳導(dǎo)。更具體地，底板104可將來(lái)自珀耳 帖元件120的熱傳導(dǎo)至圖2所示的半導(dǎo)體封裝105。
一對(duì)電源端子150可分別連接至珀耳帖元件120的兩端。當(dāng)恒定電源電 壓應(yīng)用至電源端子150時(shí)，直流電流可流過(guò)珀耳帖元件120。在本示例性實(shí) 施例中，頂板122和底板124之一可被加熱，另 一個(gè)可被冷卻。例如，當(dāng)正 極性的電源電壓施加到連接P型半導(dǎo)體的電源端子150時(shí)，底板124可被加 熱，頂板122可被冷卻。相反地，當(dāng)電源電壓的正極性應(yīng)用于連接N型半導(dǎo) 體的電源端子150時(shí)，頂板122可被加熱，底板124可被冷卻。因此，可以 使用包括珀耳帖元件120的插座100在更高溫度或者更低溫度測(cè)試半導(dǎo)體芯 片，例如半導(dǎo)體封裝105。上述珀耳帖元件是本領(lǐng)域已知的。因此，將不進(jìn) 一步展開(kāi)對(duì)珀耳帖元件120的操作原理的詳細(xì)描述。
溫度傳感器160可安裝在插座頭100a的底板104處，由此感測(cè)傳導(dǎo)至半導(dǎo)體封裝105的熱。當(dāng)半導(dǎo)體封裝105被過(guò)度加熱超過(guò)特定溫度時(shí)，半導(dǎo) 體封裝105可被損壞從而最終導(dǎo)致故障。因而，如果溫度傳感器160指示超 過(guò)所需溫度的高溫時(shí)，通過(guò)減小經(jīng)電源端子150施加到珀耳帖元件120的電 源電壓，能防止半導(dǎo)體封裝105被過(guò)度加熱。
多個(gè)開(kāi)口 130設(shè)置在插座頭100a的上部中以暴露插座頭100a的頂板 102，或暴露珀耳帖元件120的表面。開(kāi)口 130可以均勻地排布。每個(gè)開(kāi)口 130可具有相同或不同的構(gòu)造。可以額外地設(shè)置中心開(kāi)口 130a以穿透插座頭 100a的中心部分。在該示例性實(shí)施例中，插座頭100a的底板104可向上且 沿中心開(kāi)口 130a的側(cè)壁延伸。這樣，從珀耳帖元件120產(chǎn)生的熱可通過(guò)開(kāi) 口 130或中心開(kāi)口 130a有效地輻射。結(jié)果，開(kāi)口 130和中心開(kāi)口 130a可防 止半導(dǎo)體封裝105在測(cè)試過(guò)程期間由于從珀耳帖元件120產(chǎn)生的熱的積累而 損壞。
圖4是示意性模塊圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的包括測(cè)試插座 的半導(dǎo)體測(cè)試裝置。
參考圖4,根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體測(cè)試裝置包括測(cè)試單元 170、溫度感測(cè)單元180和控制單元190。測(cè)試單元170包括參照?qǐng)D1至3 描述的測(cè)試插座和用于操作測(cè)試插座的插座驅(qū)動(dòng)器(未示出)。溫度感測(cè)單 元180可連接到測(cè)試單元170，控制單元l卯可連接到溫度感測(cè)單元180。
當(dāng)電源電壓應(yīng)用到測(cè)試單元170中的測(cè)試插座的電源端子時(shí)，安裝在測(cè) 試插座中的珀耳帖元件的頂和底板之一可被加熱，珀耳帖元件的頂和底板中 的另一個(gè)可被冷卻。如果被加熱的板與安裝在測(cè)試插座中的半導(dǎo)體封裝接 觸，則半導(dǎo)體封裝的溫度可增大以達(dá)到所需的高溫。半導(dǎo)體封裝的溫度可在 溫度感測(cè)單元180上指示。在半導(dǎo)體封裝^R過(guò)分地加熱至所需高溫以上的溫 度的情況下，控制單元190可降低電源電壓以降低半導(dǎo)體封裝的溫度。
現(xiàn)在，參照?qǐng)D2和5描述使用根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的測(cè)試插座測(cè) 試半導(dǎo)體芯片例如半導(dǎo)體封裝的方法。
參考圖2和5，提供測(cè)試插座100 (圖5的步驟SIO)。半導(dǎo)體封裝105 插入到具有插座體100b和設(shè)置在插座體100b上的插座頭100a的測(cè)試插座 100中(圖5的步驟S20 )。為了將半導(dǎo)體封裝105插入到測(cè)試插座100中， 插座頭100a被提升以打開(kāi)測(cè)試插座IOO,半導(dǎo)體封裝105可置于插座體100b 的芯片區(qū)域140中。然后，在半導(dǎo)體封裝105被加載到芯片區(qū)域140中之后，插座頭100a可下移以閉合測(cè)試插座100。
電源電壓應(yīng)用到測(cè)試插座100中的珀耳帖元件120以將來(lái)自珀耳帖元件 120的熱傳導(dǎo)至半導(dǎo)體封裝105 (圖5的步驟S30)。結(jié)果，半導(dǎo)體封裝105 被加熱到所需高溫。然后可通過(guò)從附著到插座體110b的插座板110輸出的 電信號(hào)來(lái)操作半導(dǎo)體封裝105 (圖5的步驟S40 )。
在半導(dǎo)體封裝105的操作期間，可在所需高溫測(cè)試和評(píng)估半導(dǎo)體封裝 105的各種特性(圖5的步驟S50)。因此，可以執(zhí)行高溫測(cè)試。
當(dāng)完成上述測(cè)試程序時(shí)，已被測(cè)試的半導(dǎo)體封裝105可由新的半導(dǎo)體封 裝替代(圖5的步驟S60)。為了用新的半導(dǎo)體封裝替代半導(dǎo)體封裝105,可 以提升插座頭100a且移除插座體100b中的半導(dǎo)體封裝105。在該示例性實(shí) 施例中，甚至在插座頭100a被提升之后電源電壓可以仍然應(yīng)用到珀耳帖元 件。因而，珀耳帖元件可以持續(xù)地產(chǎn)生熱。在半導(dǎo)體封裝105的移除之后新 的半導(dǎo)體封裝可插入到插座體lOOb中，插座頭100a下移以閉合測(cè)試插座 100。因而，新的半導(dǎo)體封裝可—皮迅速加熱且在所需高溫下^皮測(cè)試，而沒(méi)有 等待珀耳帖元件再次加熱導(dǎo)致的任何時(shí)間延遲。結(jié)果，可以減少測(cè)試時(shí)間， 從而與常規(guī)技術(shù)相比，改善了測(cè)試插座的吞吐量。
在用新的半導(dǎo)體封裝替代半導(dǎo)體封裝105之后，控制單元190可確定是 否額外需要上述測(cè)試程序(圖5的步驟S70)。如果測(cè)試沒(méi)有完全結(jié)束，可 依次且重復(fù)執(zhí)行上述步驟S40至S60。否則，可以停止測(cè)試過(guò)程。
當(dāng)需要低溫測(cè)試時(shí)，通過(guò)改變應(yīng)用到珀耳帖元件的電源電壓的極性，可 實(shí)現(xiàn)低溫測(cè)試。因此，可使用單個(gè)測(cè)試插座IOO接連進(jìn)行高溫測(cè)試和低溫測(cè) 試?？稍趫D5所示的步驟S60之前或之后執(zhí)行^[氐溫測(cè)試。
根據(jù)前述示例性實(shí)施例，用于在各種溫度測(cè)試半導(dǎo)體封裝的測(cè)試插座包 括布置在其中的珀耳帖元件。電源電壓可持續(xù)地應(yīng)用到珀耳帖元件從而甚至 在用新的半導(dǎo)體封裝替代半導(dǎo)體封裝時(shí)也能產(chǎn)生熱。因而，新的半導(dǎo)體封裝 可被迅速加熱和測(cè)試，而沒(méi)有任何時(shí)間延遲。結(jié)果，可減小測(cè)試時(shí)間，由此 改善測(cè)試插座的吞吐量。此外，測(cè)試插座可包括暴露與珀耳帖元件相鄰的頂 板和底板中的至少一個(gè)的開(kāi)口。因而，即使珀耳帖元件可持續(xù)地產(chǎn)生熱，開(kāi) 口可防止半導(dǎo)體封裝被過(guò)分地加熱。因而，可以有效地執(zhí)行可靠的溫度測(cè)試， 而沒(méi)有任何半導(dǎo)體封裝的損壞。
雖然已經(jīng)結(jié)合如圖所示的本發(fā)明示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于此。對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言顯然的是，可以進(jìn)行各種替代、修 改和變化而布偏離本發(fā)明的范圍和思想。
本申請(qǐng)要求2007年1月22日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No. 2007-6644的優(yōu) 先權(quán)，在此并入其全部?jī)?nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)試插座，包括插座體，其中定位半導(dǎo)體封裝；插座頭，與該插座體結(jié)合；珀耳帖元件，布置在該插座頭中且與該半導(dǎo)體封裝相鄰；以及電源端子，連接到該珀耳帖元件。
2. 如權(quán)利要求1所述的測(cè)試插座，其中該插座頭包括設(shè)置于該插座頭中 的該珀耳帖元件和該插座體中的該半導(dǎo)體封裝之間的板，其中該珀耳帖元件 和該半導(dǎo)體封裝之間的該板包括導(dǎo)熱材料。
3. 如權(quán)利要求2所述的測(cè)試插座，其中該插座頭包括多個(gè)開(kāi)口。
4. 如權(quán)利要求3所述的測(cè)試插座，其中該開(kāi)口均勻地排布在該插座頭的 頂板中。
5. 如權(quán)利要求2所述的測(cè)試插座，其中該插座頭還包括穿透該插座頭的 中心部分的中心開(kāi)口 。
6. 如權(quán)利要求1所述的測(cè)試插座，還包括設(shè)置成與該半導(dǎo)體封裝相鄰的 溫度傳感器。
7. —種測(cè)試半導(dǎo)體封裝的方法，該方法包括i) 提供測(cè)試插座，其具有插座體、設(shè)置在該插座體上用于與該插座體結(jié) 合的插座頭、在該插座頭中的珀耳帖元件、以及連接到該珀耳帖元件的電源 端子；ii) 將半導(dǎo)體封裝插入到該插座體中；iii) 將第一電壓施加到該電源端子以從該珀耳帖元件產(chǎn)生熱，來(lái)自該珀 耳帖元件的熱被傳導(dǎo)至該半導(dǎo)體封裝；iv) 操作該半導(dǎo)體封裝；v) 測(cè)試該半導(dǎo)體封裝；以及vi) 用將被測(cè)試的新的半導(dǎo)體封裝替代已被測(cè)試的該半導(dǎo)體封裝。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，還包括依次且重復(fù)執(zhí)行步驟iv )至vi )。
9. 如權(quán)利要求7所述的方法，還包括在步驟v)之后將第二電壓施加到 該電源端子以冷卻該半導(dǎo)體封裝，其中該第二電壓具有與該第一電壓相反的 極性。
10. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中該插座頭設(shè)置為具有設(shè)置在該插座 體中的該半導(dǎo)體封裝與該插座頭中的該珀耳帖元件之間的導(dǎo)熱板，且設(shè)置為 具有形成在其中的多個(gè)開(kāi)口。
11. 一種測(cè)試裝置，包括測(cè)試單元，具有半導(dǎo)體封裝定位于其中的測(cè)試插座；溫度感測(cè)單元，連接到該測(cè)試單元以指示該半導(dǎo)體封裝的溫度；以及控制單元，連接到該溫度感測(cè)單元以控制該測(cè)試單元，其中該測(cè)試插座包括插座體，其中定位該半導(dǎo)體封裝；插座頭，與該插座體結(jié)合；珀耳帖元件，在該插座頭中布置得與該半導(dǎo)體封裝相鄰；以及 電源端子，連接到該珀耳帖元件。
12. 如權(quán)利要求11所述的測(cè)試裝置，其中該插座頭包括設(shè)置于該插座頭 中的該珀耳帖元件與該插座體中的該半導(dǎo)體封裝之間的板，其中該珀耳帖元 件和該半導(dǎo)體封裝之間的該板包括導(dǎo)熱材料。
13. 如權(quán)利要求12所述的測(cè)試裝置，其中該插座頭包括多個(gè)開(kāi)口。
14. 如權(quán)利要求13所述的測(cè)試裝置，其中該開(kāi)口均勻地排布在該插座頭 的頂才反中。
15. 如權(quán)利要求12所述的測(cè)試裝置，其中該插座頭還包括穿透該插座頭 的中心部分的中心開(kāi)口 。
16. 如權(quán)利要求11所述的測(cè)試裝置，還包括在該插座體中設(shè)置得與該半 導(dǎo)體封裝相鄰的溫度傳感器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種測(cè)試插座、使用該測(cè)試插座測(cè)試半導(dǎo)體封裝的方法、以及測(cè)試裝置。該測(cè)試插座包括其中定位半導(dǎo)體封裝的插座體、與該插座體結(jié)合的插座頭、在該插座頭中的珀耳帖元件、以及連接到該珀耳帖元件的電源端子。該測(cè)試裝置包括該測(cè)試插座。
文檔編號(hào)G01R1/04GK101303369SQ20081012778
公開(kāi)日2008年11月12日 申請(qǐng)日期2008年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月22日
發(fā)明者洪準(zhǔn)杓 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社