專利名稱：高速低功耗雙列線紅外焦平面讀出電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及紅外成像技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高速低功耗雙列線 5 紅外焦平面讀出電路。
背景技術(shù)：
目前紅外成像系統(tǒng)在軍事、工農(nóng)業(yè)、醫(yī)學(xué)、天文等領(lǐng)域有著重要
的應(yīng)用。作為紅外成像技術(shù)核心的IRFPA (Infrared Focal Plane Array,
紅外焦平面陣列)，包括紅外探測(cè)器陣列和焦平面陣列ROIC(Readout ioIntegrated Circuit,讀出電路)兩部分。探測(cè)器陣列的作用是實(shí)現(xiàn)光電 轉(zhuǎn)換，讀出電路的作用則是完成像素信號(hào)的處理和讀出。其中，讀出 電路對(duì)紅外成像系統(tǒng)的性能有重要影響。
現(xiàn)有技術(shù)中的典型面陣ROIC整體框圖如圖l所示，其主要組成 部分包括像素陣列11、列讀出級(jí)12、輸出緩沖級(jí)13和控制信號(hào)產(chǎn)生 15邏輯等幾部分。隨著技術(shù)的進(jìn)步，ROIC的陣列規(guī)模越來越大，較大 規(guī)模的有640x480、 1024x 1024、 2048 x 2048等幾種規(guī)格，這意味 著輸出一幀畫面需要讀出更多的像素。此外，不同的應(yīng)用對(duì)輸出幀速 有不同的要求，例如，作為軍事應(yīng)用時(shí)，讀出電路幀速需要達(dá)到上百 幀每秒。越來越大的陣列規(guī)模和更高的幀速要求對(duì)像素讀出速率提出 20 了更大的挑戰(zhàn)。
對(duì)于行波讀出的工作方式，ROIC的每一行按照先積分后讀出的 順序工作。以MxN規(guī)模讀出電路為例，其工作時(shí)序如圖2所示。電 路以一個(gè)幀為周期重復(fù)工作，每個(gè)幀又由M個(gè)行周期組成。每個(gè)行 周期包括對(duì)當(dāng)前選中行進(jìn)行復(fù)位、積分和采樣操作，與此同時(shí)上一個(gè)
25行周期保存的結(jié)果也會(huì)在本行積分期間被順序讀出。行周期r，及幀
周期乙。，需要分別滿足以下關(guān)系式 <formula>formula see original document page 5</formula>其中，7^為復(fù)位時(shí)間，7]nt為積分時(shí)間，M為讀出電路總行數(shù)，
7;。,是一個(gè)列周期。
參見圖2的工作時(shí)序，若讀出電路從第n行開始操作，首先行選 信號(hào)RS〈n〉設(shè)為高電平，第n行被選中；然后對(duì)第n行像素單元進(jìn)行 復(fù)位，復(fù)位信號(hào)Res〈n〉為高電平；復(fù)位結(jié)束后Res〈n〉變回低電平，
各像素單元開始在其對(duì)應(yīng)列線上進(jìn)行積分。積分完成釆樣信號(hào)SH變 為高電平，每個(gè)像素單元的光電流信號(hào)轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)保存于對(duì)應(yīng)列
的釆樣電容中；釆樣結(jié)東后，SH變回低電平，行選信號(hào)RS〈n〉也變 回低電平，像素積分過程隨之結(jié)東，第n行像素積分過程也隨之結(jié)東， 然后第n+l行被選中，RS〈n+l〉變?yōu)楦唠娖?，之后進(jìn)行相同的復(fù)位， 積分釆樣操作；與此同時(shí)，列選信號(hào)0)1<1>、 Col<2>、…CoKM〉相 繼產(chǎn)生，使采樣電容上保存的積分結(jié)果被順序讀出。在第n+l行的采 樣信號(hào)有效之前，第n行的釆樣結(jié)果讀出過程必須完成。由圖2可知，
在一個(gè)積分周期下，最多只能讀出一行信號(hào)。因此讀出速率受到了積 分周期限制。例如，若陣列規(guī)模為MxN，積分時(shí)間為T,則信號(hào)最 快讀出速率為M/T。可見積分時(shí)間越長(zhǎng)，信號(hào)讀出速率越慢。
因此，為了提高讀出速率必須縮短積分時(shí)間。但是，縮短積分時(shí) 間會(huì)導(dǎo)致輸出信號(hào)幅度降低。輸出信號(hào)幅度和積分電容、積分時(shí)間的 關(guān)系如下式所示
K一/ = 4一/ X Knt / ( 4 )
其中，4一,是探測(cè)器單元光電流的大小，^是積分時(shí)間，c"是
讀出電路像素單元內(nèi)積分電容，「一。,是像素積分輸出電壓。
由式(4)可知，為了得到和之前相當(dāng)?shù)妮敵鲂盘?hào)幅度，就必須 減小像素內(nèi)積分電容。但是輸出熱噪聲與電容成反比，如下式所示 可見，電容的降低會(huì)直接提高輸出噪聲&_，降低輸出信噪比。 另外，電容值的減小也會(huì)增加像素單元間的不一致性。因此不能通過 減小電容的方法提高讀出速率。由式(4)可知，在積分電容不變的 5條件下，需要提高信號(hào)積分時(shí)間維持輸出幅度，從而提高信噪比。但 由前面分析可知提高積分時(shí)間會(huì)降低讀出速率，而這也是需要避免的 結(jié)果。
為了克服這個(gè)矛盾，現(xiàn)有技術(shù)中有采用多通道并行工作的方式增 大讀出速率，即將整個(gè)陣列分成幾個(gè)并行工作的通道，如圖3所示。
1G 假設(shè)各通道讀出速率為V"s 、 V2/s、…Vn/s，由于每個(gè)通道獨(dú)立工
作，總像素讀出速率是各通道讀出速率之和。因此劃分的通道越多， 讀出速率越高，即使每個(gè)像素積分時(shí)間很長(zhǎng)，讀出速率仍然可以很高。 但是，由于每個(gè)通道需要獨(dú)立的輸出級(jí)，多通道讀出就會(huì)增加更多的
輸出級(jí)；在大規(guī)模面陣讀出電路中，由于輸出級(jí)需要驅(qū)動(dòng)大片外負(fù)載，
15并有很高的建立時(shí)間要求，其功耗源是總功耗的重要來源，過多的輸 出級(jí)會(huì)導(dǎo)致過大的功耗，同時(shí)會(huì)造成占用面積增大。

發(fā)明內(nèi)容
(一) 要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明的目的是提供一種高速低功耗雙列線紅外焦平面讀出電
20 路，以解決現(xiàn)有技術(shù)中積分時(shí)間與信號(hào)讀出速率不能同時(shí)滿足的問題。
(二) 技術(shù)方案
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案提出 一種高速低功耗雙列
線紅外焦平面讀出電路，包括用于完成光電流轉(zhuǎn)換與積分的MxN像
25素單元陣列，以及行控制信號(hào)產(chǎn)生邏輯、列控制信號(hào)產(chǎn)生邏輯和用于
每列讀出信號(hào)串行輸出的輸出緩沖級(jí)，其特征在于，該讀出電路還包
括
2N條列線，每列像素單元對(duì)應(yīng)奇、偶兩條列線，在所述每列像 素單元中，奇數(shù)行的像素單元和偶數(shù)行的像素單元分別連接至奇列線
和偶列線；
N個(gè)釆樣電容，用于保存每列像素單元的積分信號(hào)； 5N個(gè)列讀出級(jí)，用于將所述積分信號(hào)轉(zhuǎn)換為列讀出信號(hào)并輸出至 所述輸出緩沖級(jí)；
2N個(gè)釆樣控制開關(guān)，分別連接至每條列線，對(duì)所述每條列線進(jìn) 行積分信號(hào)的采樣控制，且所述每列像素單元對(duì)應(yīng)的奇、偶兩條列線 通過所述采樣控制開關(guān)連接至同一采樣電容； io 所述讀出電路以一個(gè)幀為工作周期重復(fù)，在所述工作周期內(nèi)，所 述行控制信號(hào)產(chǎn)生邏輯順序生成M個(gè)交疊的行選信號(hào)；在奇數(shù)行、 偶數(shù)行的行選信號(hào)高電平結(jié)東之前，分別導(dǎo)通奇列線、偶列線對(duì)應(yīng)的 釆樣控制開關(guān)；在釆樣結(jié)東后，每條奇列線或偶列線對(duì)應(yīng)的釆樣控制 開關(guān)斷開，之后所述列控制信號(hào)產(chǎn)生邏輯生成順序有效的N個(gè)不交 15疊列選信號(hào)，從而控制順序讀出所述采樣電容保存的該行各列的積分 采樣信號(hào)；且第n行信號(hào)讀出過程必須在第n+l行釆樣信號(hào)有效之前 完成，從而讀出電路平均 一個(gè)行周期可以完成兩行像素的積分和兩行 采樣電容信號(hào)的讀出。
上述的高速低功耗雙列線紅外焦平面讀出電路中，該讀出電路的 20工作時(shí)序具體為
設(shè)n為奇數(shù)，第n行被選中時(shí)，行選信號(hào)RS〈n〉為高電平，然后 對(duì)其復(fù)位，復(fù)位信號(hào)Res〈n〉為高電平；復(fù)位結(jié)束后，Res〈n》變回低 電平，各像素單元開始在對(duì)應(yīng)的列線上進(jìn)行像素積分；積分至一半時(shí)， 第n+l行被選中，RS〈n+l〉為高電平；然后對(duì)第n+l行進(jìn)行復(fù)位、積 25分；第n+l行積分至一半時(shí)，第n行積分完成，所有奇列線對(duì)應(yīng)的釆 樣信號(hào)SHO變?yōu)楦唠娖?，所述釆樣電容開始進(jìn)行釆樣；采樣結(jié)東后， SHO變回低電平，第n行的行選信號(hào)RS〈n》變回低電平；然后，第 n+2行被選中，并開始復(fù)位、積分；在第n+2行選中同時(shí)，列選信號(hào) Col<l>、 Col<2>、 Col<3>、…CoKN〉順序有效，從而每一列釆樣電 容上存儲(chǔ)的電壓值經(jīng)由列放大器和輸出級(jí)被順序讀出。
上述的高速低功耗雙列線紅外焦平面讀出電路中，所述釆樣控制 5 開關(guān)由一個(gè)MOS晶體管或一對(duì)互補(bǔ)MOS晶體管構(gòu)成。 (三)有益效果
本發(fā)明的技術(shù)方案通過采用雙列線結(jié)構(gòu)解決了積分時(shí)間和信號(hào) 讀出速率之間的矛盾當(dāng)像素積分時(shí)，奇偶兩行像素可以同時(shí)在各自 列線上進(jìn)行積分，互不干擾；在信號(hào)讀出時(shí)，奇偶兩行則是先后通過 io同一列輸出級(jí)順序讀出。因此，在平均每個(gè)行周期內(nèi)，電路可以完成 對(duì)兩行像素的積分和兩行信號(hào)的讀出，同時(shí)并沒有引入額外的列讀出 級(jí)和輸出緩沖級(jí)，從而實(shí)現(xiàn)了低代價(jià)、低功耗、高信噪比及高讀出速 率。


is圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的單列線結(jié)構(gòu)面陣焦平面讀出電路整體框圖； 圖2為圖1所示單列線結(jié)構(gòu)讀出電路一幀的工作時(shí)序圖； 圖3為現(xiàn)有技術(shù)中釆用多通道結(jié)構(gòu)的焦平面讀出電路框圖； 圖4為本發(fā)明高速低功耗雙列線紅外焦平面讀出電路實(shí)施例框
20圖5為圖4所示本發(fā)明實(shí)施例讀出電路一幀的工作時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。 圖4為本發(fā)明高速低功耗雙列線紅外焦平面讀出電路實(shí)施例框 圖，如圖所示，本實(shí)施例的讀出電路包括MxN的像素單元陣列41， 25用于完成光電流轉(zhuǎn)換與積分；2N條列線42，每列像素單元對(duì)應(yīng)奇、 偶兩條列線，在每列像素單元中，奇數(shù)行的像素單元和偶數(shù)行的像素 單元分別連接至奇列線和偶列線；N個(gè)釆樣電容43,用于保存每列 像素單元的積分信號(hào)；N個(gè)列讀出級(jí)44，用于將釆樣電容43保存的 積分信號(hào)轉(zhuǎn)換為列讀出信號(hào)并輸出至輸出緩沖級(jí)45;輸出緩沖級(jí)45, 用于完成各列讀出信號(hào)的串行輸出；以及，分別用于產(chǎn)生行選信號(hào)及 列選信號(hào)的行控制信號(hào)產(chǎn)生邏輯46及列控制信號(hào)產(chǎn)生邏輯47。 5 本實(shí)施例的讀出電路還包括2N個(gè)釆樣控制開關(guān)48，分別連接
至每條列線，對(duì)每條列線進(jìn)行積分信號(hào)的釆樣控制；且每列像素單元 對(duì)應(yīng)的奇、偶兩條列線通過采樣控制開關(guān)48連接至同一釆樣電容43。 釆樣控制開關(guān)48具體可采用一個(gè)MOS晶體管或一對(duì)互補(bǔ)的MOS (Metal Oxide Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管構(gòu)成。
io 上述實(shí)施例的讀出電路每一幀的工作時(shí)序如圖5所示，電路以一
個(gè)幀為重復(fù)的周期工作。 一個(gè)幀包括M個(gè)交疊的行周期，每個(gè)行周 期包括對(duì)當(dāng)前選中行進(jìn)行復(fù)位，積分，釆樣操作，與此同時(shí)上兩個(gè)行 周期保存的結(jié)果也會(huì)在積分期間被順序讀出。
設(shè)n為奇數(shù)，第n行被選中時(shí)，行選信號(hào)RS〈n〉為高電平，然后
15 對(duì)第n行像素單元進(jìn)行復(fù)位，復(fù)位信號(hào)Res〈i^為高電平；復(fù)位結(jié)東 后，Res化〉變回低電平，各像素單元開始在對(duì)應(yīng)的列線上進(jìn)行像素積 分；積分至一半時(shí)，第n+l行被選中，RS〈n+l〉為高電平；然后對(duì)第 n+l行進(jìn)行復(fù)位、積分；第n+l行積分至一半時(shí)，第n行積分完成， 所有奇列線對(duì)應(yīng)的采樣信號(hào)SHO變?yōu)楦唠娖剑姌与娙?3開始進(jìn)行
20 釆樣；采樣結(jié)東后，SHO變回低電平，第n行的行選信號(hào)RS〈n〉變 回低電平；然后，第n+2行被選中，并開始復(fù)位、積分；在第n+2 行選中同時(shí)，列選信號(hào)0)1<1>、 Col<2>、 Col<3>、…CoKN〉順序有 效，從而每一列釆樣電容43上存儲(chǔ)的電壓值經(jīng)由列讀出級(jí)44和輸出 緩沖級(jí)45被順序讀出。
25 通過上述時(shí)序可知，在同一時(shí)刻奇偶兩行可以同時(shí)積分，信號(hào)讀
出則是奇偶行順序讀出。從而在一定的讀出速率下，積分時(shí)間可以變
為大于原來的2倍；而在一定的積分時(shí)間下，則可獲得大于原來2倍
的讀出速率。
進(jìn)一步如圖5所示，釆樣開關(guān)的控制信號(hào)為SHO和SHE兩個(gè)信 號(hào)，其中SHO控制所有奇數(shù)列釆樣開關(guān)，SHE控制所有偶數(shù)列的采 樣開關(guān)。兩個(gè)信號(hào)在本實(shí)例中均為片外外加信號(hào)，都是周期為一個(gè)行 5周期的周期脈沖信號(hào)。脈沖寬度可根據(jù)信號(hào)建立要求確定允許的釆 樣誤差越小，則脈沖寬度越長(zhǎng)，反之則脈沖寬度越短。每個(gè)周期內(nèi)脈 沖的位置一般在接近行選信號(hào)結(jié)尾處，而且要保證行選信號(hào)在采樣脈 沖結(jié)東之前必須有效(高電平)。由于采樣控制信號(hào)只是簡(jiǎn)單的周期 脈沖信號(hào)，因此不需要復(fù)雜的產(chǎn)生邏輯， 一般的波形發(fā)生器都可以產(chǎn) io 生。
根據(jù)上述本發(fā)明實(shí)施例的讀出電路，以下通過一個(gè)大規(guī)模紅外讀 出電路進(jìn)行設(shè)計(jì)驗(yàn)證。
設(shè)計(jì)釆用逐行行波讀出方法，要求幀速為30Q)s;為保證信噪比， 要求像素積分時(shí)間〉60us。 15 由于行周期中復(fù)位時(shí)間很短，因此近似認(rèn)為行周期等于像素積分時(shí)間。
若采用單列線單通道結(jié)構(gòu)，每個(gè)積分周期內(nèi)讀出一行像素。其像 素讀出速率為
Vpix=M/T= 1024/60us= 17/us 20 其中M^024,為一行內(nèi)像素?cái)?shù)，T=60us,為像素積分時(shí)間。
由此可以得出讀出電路幀速 Vframe=Vpix/1024x 1024=16*s
可見釆用單列線結(jié)構(gòu)無法滿足性能要求。因此釆用本發(fā)明實(shí)施例 的雙列線結(jié)構(gòu)。從而在一個(gè)積分周期內(nèi)，有兩行像素被讀出，其像素 25 讀出速率為
Vpix=2M/T=2048/60us=34/us 此時(shí)幀速為Vframe=Vpix/l 024x 1024=32*s
可見，釆取雙列線讀出結(jié)構(gòu)后，讀出速率滿足了設(shè)計(jì)要求。 本發(fā)明實(shí)施例的讀出電路通過雙列線結(jié)構(gòu)解決了積分時(shí)間和信 號(hào)讀出速率之間的矛盾。在雙列線結(jié)構(gòu)中，當(dāng)像素積分時(shí)，奇偶兩行 5像素可以同時(shí)在各自列線上進(jìn)行積分，互不干擾；在信號(hào)讀出時(shí)，奇 偶兩行則是先后通過同一列輸出級(jí)順序讀出。因此，在一個(gè)行周期內(nèi)， 電路可以完成對(duì)兩行像素的積分和兩行信號(hào)的讀出，同時(shí)并沒有引入 額外的列讀出級(jí)和輸出緩沖級(jí)，從而實(shí)現(xiàn)了低代價(jià)，低功耗，高信噪 比和高讀出速率。
io 上述本發(fā)明實(shí)施例的雙列線結(jié)構(gòu)讀出電路在新一代大規(guī)模紅外 成像系統(tǒng)中將會(huì)有重要應(yīng)用。特別是在1024x 1024以上規(guī)模的制冷 型短波紅外探測(cè)器陣列中，積分電流很小(遠(yuǎn)小于lnA)，所以需要 較長(zhǎng)的積分時(shí)間以確保高信噪比；而且像素?cái)?shù)目巨大(1024個(gè)/行)， 所以需要高像素讀出速率以確保圖像連續(xù)。此外由于系統(tǒng)工作在低溫
15環(huán)境下(77K),因此讀出電路對(duì)低功耗有很高的要求。本發(fā)明提出 的雙列線結(jié)構(gòu)在以上各方面都較傳統(tǒng)單列線結(jié)構(gòu)有著明顯的優(yōu)勢(shì)，因 此可以作為紅外成像系統(tǒng)的重要組件廣泛的應(yīng)用于太空，工農(nóng)業(yè)，醫(yī) 藥，交通，軍事等領(lǐng)域。
以上為本發(fā)明的最佳實(shí)施方式，依據(jù)本發(fā)明公開的內(nèi)容，本領(lǐng)域
20的普通技術(shù)人員能夠顯而易見地想到一些雷同、替代方案，均應(yīng)落入 本發(fā)明保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求
1、一種高速低功耗雙列線紅外焦平面讀出電路，包括用于完成光電流轉(zhuǎn)換與積分的M×N像素單元陣列，以及行控制信號(hào)產(chǎn)生邏輯、列控制信號(hào)產(chǎn)生邏輯和用于每列讀出信號(hào)串行輸出的輸出緩沖級(jí)，其特征在于，該讀出電路還包括2N條列線，每列像素單元對(duì)應(yīng)奇、偶兩條列線，在所述每列像素單元中，奇數(shù)行的像素單元和偶數(shù)行的像素單元分別連接至奇列線和偶列線；N個(gè)采樣電容，用于保存每列像素單元的積分信號(hào)；N個(gè)列讀出級(jí)，用于將所述積分信號(hào)轉(zhuǎn)換為列讀出信號(hào)并輸出至所述輸出緩沖級(jí)；2N個(gè)采樣控制開關(guān)，分別連接至每條列線，對(duì)所述每條列線進(jìn)行積分信號(hào)的采樣控制，且所述每列像素單元對(duì)應(yīng)的奇、偶兩條列線通過所述采樣控制開關(guān)連接至同一采樣電容；所述讀出電路以一個(gè)幀為工作周期重復(fù)，在所述工作周期內(nèi)，所述行控制信號(hào)產(chǎn)生邏輯順序生成M個(gè)交疊的行選信號(hào)；在奇數(shù)行、偶數(shù)行的行選信號(hào)高電平結(jié)束之前，分別導(dǎo)通奇列線、偶列線對(duì)應(yīng)的采樣控制開關(guān)；在采樣結(jié)束后，每條奇列線或偶列線對(duì)應(yīng)的采樣控制開關(guān)斷開，之后所述列控制信號(hào)產(chǎn)生邏輯生成順序有效的N個(gè)不交疊列選信號(hào)，從而控制順序讀出所述采樣電容保存的該行各列的積分采樣信號(hào)；且第n行信號(hào)讀出過程必須在第n+1行采樣信號(hào)有效之前完成，從而讀出電路平均一個(gè)行周期可以完成兩行像素的積分和兩行采樣電容信號(hào)的讀出。
2、如權(quán)利要求1所述的高速低功耗雙列線紅外焦平面讀出電路，其特征在于，該讀出電路的工作時(shí)序具體為設(shè)n為奇數(shù)，第n行被選中時(shí)，行選信號(hào)RS〈i^為高電平，然后 對(duì)其復(fù)位，復(fù)位信號(hào)Res〈i^為高電平；復(fù)位結(jié)束后，Res〈n〉變回低 電平，各像素單元開始在對(duì)應(yīng)的列線上進(jìn)行像素積分；積分至一半時(shí)，第n+l行被選中，RS〈n+l〉為高電平；然后對(duì)第n+l行進(jìn)行復(fù)位、積 分；第n+l行積分至一半時(shí)，第n行積分完成，所有奇列線對(duì)應(yīng)的采 樣信號(hào)SHO變?yōu)楦唠娖?，所述釆樣電容開始進(jìn)行釆樣；釆樣結(jié)束后,5 SHO變回低電平，之后第n行的行選信號(hào)RS〈n〉變回低電平；然后， 第n+2行被選中，并開始復(fù)位、積分；在第n+2行選中同時(shí)，列選信 號(hào)0)1<1>、 Col<2>、 Col<3>、…CoKN〉順序有效，從而每一列釆樣 電容上存儲(chǔ)的第n行的釆樣電壓值經(jīng)由列放大器和輸出級(jí)被順序讀 出，且所述第n行的釆樣電壓值必須在第n+l行釆樣信號(hào)有效前讀出io完畢。
3、如權(quán)利要求1或2所述的高速低功耗雙列線紅外焦平面讀出 電路，其特征在于，所述釆樣控制開關(guān)由一個(gè)MOS晶體管或一對(duì)互 補(bǔ)MOS晶體管構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高速低功耗雙列線紅外焦平面讀出電路，包括M×N的像素單元陣列，行、列控制信號(hào)產(chǎn)生邏輯及輸出緩沖級(jí)，還包括2N條列線，每列像素單元對(duì)應(yīng)奇、偶兩條列線，在每列像素單元中，奇數(shù)行和偶數(shù)行的像素單元分別連接至奇列線和偶列線；2N個(gè)采樣控制開關(guān)，分別連接至每條列線，進(jìn)行積分信號(hào)的采樣控制，且每列像素單元對(duì)應(yīng)的奇、偶兩條列線通過采樣控制開關(guān)連接至同一采樣電容。本發(fā)明的技術(shù)方案通過采用雙列線結(jié)構(gòu)解決了積分時(shí)間和信號(hào)讀出速率之間的矛盾，在一個(gè)行周期內(nèi)，電路可以完成對(duì)兩行像素的積分和兩行信號(hào)的讀出，同時(shí)并沒有引入額外的列讀出級(jí)和輸出緩沖級(jí)，從而實(shí)現(xiàn)了低代價(jià)、低功耗、高信噪比及高讀出速率。
文檔編號(hào)G01J5/10GK101354288SQ20081011975
公開日2009年1月28日 申請(qǐng)日期2008年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月8日
發(fā)明者暢 劉, 吉利久, 張雅聰, 陳中建, 魯文高 申請(qǐng)人:北京大學(xué)