專利名稱：：一種測(cè)量準(zhǔn)一維納米材料賽貝克系數(shù)的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及熱電材料賽貝克系數(shù)的測(cè)量
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及測(cè)量例如納米管、納米線與納米帶等的準(zhǔn)一維納米材料的賽貝克系數(shù)的方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：熱電材料有著尺寸小、質(zhì)量輕、無機(jī)械部分、無噪聲等普通機(jī)械制冷或溫差發(fā)電手段難以媲美的優(yōu)點(diǎn)。熱電材料的表征是無量綱優(yōu)值系數(shù)ZT=S2o/K，其中，S為賽貝克系數(shù)(Seebeck系數(shù))，a為電導(dǎo)率，K為熱導(dǎo)率。它直觀的意義是制冷吸收能量與耗能之比，但是普通的塊體材料的ZT系數(shù)不到1，近期B.Poudeld等人的塊體材料的ZT系數(shù)可以達(dá)到1.4-1.6[B.Poudel,Q.Hao,Y.Ma，Y.Lan,A.Minnich,B.Yu，X.Yan,D.Wang，A.Muto,D.Vashaee,X.Chen,J.Liu,M.S.Dresselhaus,G.Chen,andZ.F.Ren,"High-ThermoelectricPerformanceofNanostructuredBismuthAntimonyTellurideBulkAlloys",Science320(5876》634-638,2008.]。而熱電材料的ZT系數(shù)到達(dá)3才可以與現(xiàn)在的制冷壓縮機(jī)效率媲美。理論計(jì)算表明，低維材料的ZT系數(shù)會(huì)相比塊體材料大3-10倍。美國(guó)RTI研究所的R.Venkatasubramanian等已經(jīng)報(bào)道厚度周期為5nm的超晶格材料在300K時(shí)的ZT系數(shù)可以至lj達(dá)2.4[R.Venkatasubramanian.Wa/.,"Thin-filmthermoelectricdeviceswithhighroom-temperaturefiguresofmerit",Nature413(2001)597.]，相比目前的塊體材料已經(jīng)有了質(zhì)的飛躍。理論預(yù)測(cè)準(zhǔn)一維納米材料的ZT系數(shù)可以到達(dá)6以上，但是由于準(zhǔn)一維納米材料的特殊性，在熱電參數(shù)的測(cè)量方面困難重重，常見的報(bào)道是測(cè)量納米線陣列的熱電性能，或者大量納米管組成的納米管束(bundle)的熱電性能。但是這些方法的測(cè)試結(jié)果粗糙，不具重復(fù)性，也不能獲得單根納米線的性質(zhì)。為數(shù)不多的單根納米線熱電性能實(shí)驗(yàn)報(bào)道中，主要沿用的是薄膜光刻技術(shù)制備的十微米大小的樣品平臺(tái)，利用多層膜技術(shù)在平臺(tái)上鍍出鉬電阻絲，作為測(cè)溫和溫控雙用途，而樣品則是隨機(jī)灑在樣品臺(tái)上的[P.Kim，L.Shi,A.Majumdar，andP.L.McEuen."ThermalTransportMeasurementsofIndividualMultiwalledNanotubes".Phys.Rev.Lett.,87(21):215502,Oct2001.]，這種方法由于平臺(tái)制備復(fù)雜技術(shù)的應(yīng)用而導(dǎo)致成本的高昂，推廣能力差。而且該方法溫度測(cè)量精度有限。加樣品的隨機(jī)灑的方法而導(dǎo)致成功率低下和對(duì)測(cè)量樣品的限制，問題主要體現(xiàn)在兩方面第一隨機(jī)灑樣品的方法很難可以得到單根樣品線，實(shí)驗(yàn)耗費(fèi)資源多；第二，多層膜平臺(tái)技術(shù)和MEMS技術(shù)的使用使得成本大大提高，對(duì)平臺(tái)推廣不利。測(cè)量單根準(zhǔn)一維納米材料的賽貝克系數(shù)可以為研制高熱電性能的納米材料提供衡量指標(biāo)和反饋信息，為理論計(jì)算提供實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，還能為熱電納米器件的研制提供參考。如上所述，目前還沒有一種簡(jiǎn)單有效的方法和平臺(tái)來實(shí)現(xiàn)單根準(zhǔn)一維納米材料賽貝克系數(shù)的測(cè)量。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種成本低、易推廣、操作方便的單根準(zhǔn)一維納米材料賽貝克系數(shù)的測(cè)量方法和系統(tǒng)。本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種測(cè)量準(zhǔn)一維納米材料賽貝克系數(shù)的方法，包括以下步驟(1)使兩個(gè)橫截面尺度為微米級(jí)的線狀過渡電極分別與兩個(gè)大小為厘米級(jí)的塊狀金屬電極相接觸；(2)利用納米探針系統(tǒng)使單根的待測(cè)準(zhǔn)一維納米材料連接兩個(gè)過渡電極；(3)改變兩個(gè)塊狀金屬電極之間的溫度差，同時(shí)測(cè)量該兩電極的溫度差和對(duì)應(yīng)的電勢(shì)差，通過電勢(shì)差與溫度差之間的關(guān)系計(jì)算得到準(zhǔn)一維納米材料的賽貝克系數(shù)。上述方法中，厘米級(jí)塊狀金屬電極需要選用導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性都較為良好并熱容較大的材料，例如表1中所列的三種金屬紫銅、金、銀都是優(yōu)良的電極材料，但是出于成本控制的考慮，在參數(shù)差別不大的情況下，優(yōu)選紫銅作為電極的材料，也可選用不銹鋼、黃銅、鋁等金屬材料。表l.幾種優(yōu)秀電導(dǎo)、熱導(dǎo)以及比熱的金屬<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>至于過渡電極的材料，不光要有良好的導(dǎo)熱導(dǎo)電性，還需要其化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，不易被氧化，而且由于過渡電極的引入使得樣品測(cè)量回路中出現(xiàn)了三種材料，所以過渡電極最好選用各方面性能(尤其是賽貝克系數(shù))和厘米級(jí)金屬電極差不多的材料，首選為金，也可以是鉑。過渡電極的形狀為線狀，橫切面線度優(yōu)選在1(Him-5(^m，兩個(gè)過渡電極之間的最小間距一般要求低于lOO)am，以便于待測(cè)樣品(準(zhǔn)一維納米材料)的安裝，一般在50pm左右。上述步驟(2)使用的納米探針系統(tǒng)可以是安裝在掃描電子顯微鏡(SEM)中的納米探針系統(tǒng)，也可以是其它可供納米觀測(cè)和操縱的系統(tǒng)，以操縱待測(cè)的準(zhǔn)一維納米材料。上述步驟(3)中，改變兩個(gè)塊狀電極之間溫度差的方法通常是保持一個(gè)電極的溫度不變，而改變另一個(gè)電極的溫度。加熱電極可利用紅外加熱裝置或直流加熱裝置，而制冷則可利用液氮接觸制冷(即通過熱的良導(dǎo)體連接電極與液氮)。兩電極溫度差的測(cè)定可通過在厘米級(jí)塊狀金屬電極內(nèi)接近過渡電極的地方植入溫度傳感器來實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明還提供了一個(gè)實(shí)現(xiàn)上述方法的測(cè)量系統(tǒng)，包括實(shí)驗(yàn)平臺(tái)、變溫裝置和數(shù)據(jù)采集及處理裝置三部分，其中實(shí)驗(yàn)平臺(tái)又包括兩個(gè)厘米級(jí)的塊狀金屬電極、兩個(gè)橫截面尺度為微米級(jí)的線狀過渡電極和一底座，兩塊狀金屬電極通過隔熱墊片安裝于底座上，兩過渡電極分別與兩塊狀金屬電極緊密接觸，兩過渡電極的最小間距低于100^im，用于安裝待測(cè)準(zhǔn)一維納米材料；變溫裝置是對(duì)塊狀金屬電極進(jìn)行加熱和/或制冷的裝置；數(shù)據(jù)采集及處理裝置包括兩個(gè)溫度傳感器、一個(gè)電壓測(cè)試儀和一計(jì)算單元，溫度傳感器被植入厘米級(jí)塊狀金屬電極內(nèi)部、緊鄰過渡電極的地方，其信號(hào)線連接至計(jì)算單元；電壓測(cè)試儀兩端電壓引線分別連接兩個(gè)塊狀金屬電極，其測(cè)得的電勢(shì)差傳給計(jì)算單元；計(jì)算單元接收并處理溫度和電壓數(shù)據(jù)，獲得準(zhǔn)一維納米材料的賽貝克系數(shù)。上述實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的厘米級(jí)塊狀金屬電極優(yōu)選導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性較好并熱容較大的材料制成，例如紫銅、金、銀、不銹鋼、黃銅、鋁等。為了減少兩個(gè)電極之間的熱輻射與對(duì)流所帶來的能量轉(zhuǎn)換，可將兩個(gè)塊狀金屬電極的相對(duì)面做成由上到下向內(nèi)傾斜的斜坡狀。上述實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的底座要求選用熱導(dǎo)率較小(一般小于2W/mK)、不導(dǎo)電的材料，起到支撐的作用，可選用玻璃，也可選用特福龍或其他硬質(zhì)的高聚合不導(dǎo)電材料。為了阻礙電極與底座之間的熱傳導(dǎo)，電極通過隔熱墊片與底座相連，隔熱墊片可選用塑料材質(zhì)的空心帽結(jié)構(gòu)物件，可用萬能膠將三者固定連接起來。上述實(shí)驗(yàn)平臺(tái)中，過渡電極承擔(dān)著由厘米級(jí)電極向納米級(jí)待測(cè)樣品之間銜接過渡的任務(wù)，其引入需要避免因氧化而造成待測(cè)樣品線和電極之間的接觸不良問題，所以需要選用有良好的導(dǎo)熱導(dǎo)電性、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、不易被氧化，而且各方面性能(尤其是賽貝克系數(shù))和厘米級(jí)金屬電極差不多的材料，首選為金或鉑。過渡電極的形狀為線狀，橫切面線度優(yōu)選在1(Vm-5(Him，兩個(gè)過渡電極之間的最小間距優(yōu)選5(Him左右。可通過壓片將過渡電極壓在塊狀金屬電極的表面上。上述變溫裝置用來改變兩個(gè)塊狀金屬電極之間溫度差，一般保持一個(gè)電極的溫度不變，而另一個(gè)電極的溫度變化。變溫裝置分為加熱與制冷裝置兩種。加熱裝置可以是紅外加熱裝置或直流加熱裝置，例如由一個(gè)紅外加熱器與一個(gè)聚光器組成的裝置，紅外加熱器可選大功率的紅外波輻射燈泡(浴霸類型)，聚光器是一個(gè)鋁箔包的錐形體，錐形體的大口套在紅外加熱器上，尖頭位置開一小口，對(duì)準(zhǔn)一個(gè)塊狀金屬電極，即可做到使其升溫的目的。制冷則可利用液氮接觸制冷，其組成為一保溫桶與一銅編織線，保溫桶內(nèi)裝液氮，編織線一端塞進(jìn)保溫桶內(nèi)而另一端與一個(gè)塊狀金屬電極相接觸，即可達(dá)到使之降溫的目的。上述數(shù)據(jù)采集及處理裝置中的溫度傳感器的安裝可以是在塊狀金屬電極靠近過渡電極的位置切一個(gè)口，形成一個(gè)空腔，然后植入溫度傳感器，用萬能膠固定，而溫度傳感器的信號(hào)線接至計(jì)算單元。溫度傳感器的選擇隨測(cè)量區(qū)間不同而不同，在高溫區(qū)可采用T或K型熱偶或Pt100或1000熱電阻，在低溫區(qū)可采用Pt100或1000熱電阻或SiD傳感器。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明有益的技術(shù)效果是1、可以給出單根準(zhǔn)一維納米樣品的具體賽貝克系數(shù)，從而得到被測(cè)樣品的真實(shí)屬性，而不是對(duì)大量樣品的統(tǒng)計(jì)效果，可重復(fù)性高；2、相比現(xiàn)有的單根準(zhǔn)一維納米樣品測(cè)量方法來說，成本低廉，制作簡(jiǎn)單，易于推廣；3、利用納米探針系統(tǒng)安裝納米材料，而不是隨機(jī)撒在電極兩側(cè)，提高了實(shí)驗(yàn)的成功率、可控性與可靠性。圖1是本發(fā)明實(shí)施例設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是納米探針系統(tǒng)在SEM下安裝待測(cè)樣品的照片。圖3是本發(fā)明實(shí)施例測(cè)量回路的賽貝克效應(yīng)示意圖。圖4是本發(fā)明實(shí)施例測(cè)得的賽貝克系數(shù)隨溫度變化的情況圖。圖中1——厘米級(jí)塊狀金屬電極2——過渡電極3——待測(cè)準(zhǔn)一維納米材料4——壓片5"~~溫度傳感器6——底座7——隔熱墊片8——納米探針具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖，通過實(shí)施例進(jìn)一步描述本發(fā)明，但不以任何方式限制本發(fā)明的范圍。如圖1所示，所用實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的厘米級(jí)塊狀金屬電極1通過隔熱墊片7與底座6相連，每個(gè)塊狀金屬電極1上有兩片有相同材料制成的壓片4，一共四片，其中中間一組壓片用來壓過渡電極2，外面一組壓片壓住電壓測(cè)量線，待測(cè)的準(zhǔn)一維納米材料3就置于兩個(gè)過渡電極2上。塊狀金屬電極1的尺寸在10mmX10mmX40mm左右，其材料要求熱導(dǎo)率大于100W/mK，電導(dǎo)率大于15000000S/m，首選材料為紫銅。為了減少兩電極之間的熱對(duì)流，電極相對(duì)的面做成斜坡狀。底座6需要起到隔熱和支撐的雙重作用，所以應(yīng)選用熱導(dǎo)較低的有一定硬度的材料，一般要求熱導(dǎo)率小于2W/mK，不導(dǎo)電，首選材料為玻璃，也可選用特福龍或其他硬質(zhì)的高聚合不導(dǎo)電材料，可使用尺寸為30mmX100mmX2mm左右的生物實(shí)驗(yàn)用載玻片。隔熱墊片7為塑料材質(zhì)的空心帽結(jié)構(gòu)，電極1與底座6的接觸面積只占其俯瞰截面積的10%_50%，盡量減少電極1與底座6之間的熱傳導(dǎo)。金屬電極1、隔熱墊片7與底座6三者之間通過萬能膠固連。為保證過渡電極2與塊狀金屬電極1接觸良好，要求壓片4與塊狀金屬電極1之間的接觸面非常光滑。過渡電極2優(yōu)選用金絲，兩金絲之間的間距50pm左右(參見圖2)。在塊狀金屬電極1靠近過渡電極2的位置切一個(gè)口，使之形成一個(gè)空腔，則可在其中植入溫度傳感器5，用萬能膠保證固連后將溫度傳感器的信號(hào)線接出至信號(hào)處理單元。溫度傳感器的種類隨測(cè)量區(qū)間不同而不同，在高溫區(qū)可采用T或K型熱偶或PtlOO或1000熱電阻，在低溫區(qū)可采用PtlOO或1000熱電阻或SiD傳感器，尺寸限制在5mmX5mmX5mm以內(nèi)為宜，測(cè)量誤差要小于1K。實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的組裝順序是先將溫度傳感器5植入塊狀金屬電極1中，再按順序分別粘連隔熱墊片7與底座6，隔熱墊片7與塊狀金屬電極1，然后將過渡電極2連接到塊狀金屬電極1上，用壓片4壓好，注意兩個(gè)過渡電極2之間的距離需要小于100微米，否則很有可能導(dǎo)致間距大于待測(cè)樣品的長(zhǎng)度而導(dǎo)致安裝失敗。隨后將外面一組壓片4將電壓引線壓好，再進(jìn)入SEM納米探針系統(tǒng)進(jìn)行待測(cè)樣品線的安裝[方法見Q.Chen，S.Wang,andL.M.Peng,"EstablishingOhmiccontactsforinsitucurrent-voltagecharacteristicmeasurementsonacarbonnanotubeinsidethescanningelectronmicroscope,"Nanotechnol"vol.17,no.4,pp.1087-1098，Jan.2006](見圖2)。實(shí)驗(yàn)平臺(tái)組裝完成后，控制一個(gè)塊狀金屬電極的溫度不變，而改變另一塊狀金屬電極的溫度，同時(shí)測(cè)量?jī)啥藴囟扰c電壓。賽貝克系數(shù)由下式定義五=SVT(1)其中五為電場(chǎng)強(qiáng)度，而電勢(shì)的定義為￡=_W(2)溫度梯度指向溫度較高的地方，而電勢(shì)指向電壓較低的方向，比較方程(1)和(2)可得到vr=-svr(3)當(dāng)本發(fā)明實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的各電極和電壓測(cè)量導(dǎo)線等材料的賽貝克系數(shù)差不多時(shí)(例如塊狀金屬電極為紫銅電極，過渡電極為金線，導(dǎo)線為銅線)，整個(gè)測(cè)量回路的賽貝克效應(yīng)示意圖可如圖3所示，其中A為待測(cè)樣品，B為電極和導(dǎo)線等組成的電壓測(cè)量回路，在總回路中有<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>其中1點(diǎn)與4點(diǎn)是連接到電壓表的兩個(gè)點(diǎn)，1點(diǎn)與4點(diǎn)等溫，則H翏(5)公式(5)中&為待測(cè)樣品的絕對(duì)賽貝克系數(shù)；^為測(cè)量回路材料的絕對(duì)賽貝克系數(shù)(AbsoluteSeebeckCoefficientorThermopower);AV為測(cè)得的電勢(shì)差，AT為測(cè)得的溫度差。在此測(cè)量多壁碳納米管的賽貝克系數(shù)，系統(tǒng)電壓測(cè)量利用了Ke池ley2182ANanovoltmeter測(cè)量最小分度lnV，可以滿足測(cè)量需求?？蛇x擇變溫方法為液氮制冷(對(duì)于測(cè)量常溫以下溫度區(qū)域的Seebeck系數(shù)，目前可以實(shí)現(xiàn)到180K)或紅外加熱(對(duì)于測(cè)量常溫以上區(qū)域目前可以實(shí)現(xiàn)到360K)，按圖1連接好導(dǎo)線后即可進(jìn)行測(cè)量，得到一系列電勢(shì)差和溫度差的數(shù)據(jù)(降溫溫區(qū)在180K至270K的數(shù)據(jù)有5000組左右)，然后以每10K為區(qū)間作線性擬合作為此區(qū)間溫度中點(diǎn)的AV相對(duì)AT的斜率，dAV/dAT隨溫度的變化情況如圖4所示。再利用公式(5)SA=SB-dAV/dAT，通過現(xiàn)有文獻(xiàn)資料可査出銅等材料在不同溫度下的賽貝克系數(shù)(即SB已知)，則可得到不同溫度下的待測(cè)樣品的絕對(duì)賽貝克系數(shù)SA。權(quán)利要求1.一種測(cè)量準(zhǔn)一維納米材料賽貝克系數(shù)的方法，包括以下步驟1)使兩個(gè)橫截面尺度為微米級(jí)的線狀過渡電極分別與兩個(gè)大小為厘米級(jí)的塊狀金屬電極相接觸；2)利用納米探針系統(tǒng)使單根的待測(cè)準(zhǔn)一維納米材料連接兩個(gè)過渡電極；3)改變兩個(gè)塊狀金屬電極之間的溫度差，同時(shí)測(cè)量該兩電極的溫度差和對(duì)應(yīng)的電勢(shì)差，計(jì)算得到準(zhǔn)一維納米材料的賽貝克系數(shù)。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述塊狀金屬電極使用紫銅、金、銀、不銹鋼、黃銅或鋁制成。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述過渡電極為金絲或鉑絲，其橫切面線度為10pm-50|am，兩個(gè)過渡電極之間的最小間距低于100nm。4.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于所述步驟3)中，保持一個(gè)塊狀金屬電極的溫度不變，而改變另一個(gè)塊狀金屬電極的溫度，利用紅外加熱裝置或直流加熱裝置加熱，而利用液氮接觸的方式制冷。5.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于所述步驟3)中溫度差的測(cè)定可通過在塊狀金屬電極內(nèi)接近過渡電極的地方植入溫度傳感器來實(shí)現(xiàn)。6.—種測(cè)量準(zhǔn)一維納米材料賽貝克系數(shù)的系統(tǒng)，包括實(shí)驗(yàn)平臺(tái)、變溫裝置和數(shù)據(jù)釆集及處理裝置三部分，其中實(shí)驗(yàn)平臺(tái)又包括兩個(gè)厘米級(jí)的塊狀金屬電極、兩個(gè)橫截面尺度為微米級(jí)的線狀過渡電極和一底座，兩塊狀金屬電極通過隔熱墊片安裝于底座上，兩過渡電極分別與兩塊狀金屬電極緊密接觸，兩過渡電極的最小間距低于lOOjam，用于安裝待測(cè)準(zhǔn)一維納米材料；變溫裝置是對(duì)塊狀金屬電極進(jìn)行加熱和/或制冷的裝置；數(shù)據(jù)釆集及處理裝置包括兩個(gè)溫度傳感器、一個(gè)電壓測(cè)試儀和一計(jì)算單元，溫度傳感器被植入厘米級(jí)塊狀金屬電極內(nèi)部、緊鄰過渡電極的地方，其信號(hào)線連接至計(jì)算單元；電壓測(cè)試儀兩端電壓引線分別連接兩個(gè)塊狀金屬電極，其測(cè)得的電勢(shì)差傳給計(jì)算單元；計(jì)算單元接收并處理溫度和電壓數(shù)據(jù)，獲得準(zhǔn)一維納米材料的賽貝克系數(shù)。7.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于所述塊狀金屬電極用紫銅、金、銀、不銹鋼、黃銅或鋁制成，兩個(gè)塊狀金屬電極的相對(duì)面呈由上到下向內(nèi)傾斜的斜坡狀。8.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于所述過渡電極為金絲或鉑絲，其橫切面線度為10pm-5(Vm,被壓片壓于塊狀金屬電極上表面。9.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于加熱用變溫裝置由一個(gè)紅外加熱器與一個(gè)聚光器組成，聚光器是一個(gè)鋁箔包的錐形體，錐形體的大口套在紅外加熱器上，尖頭位置開一小口，對(duì)準(zhǔn)一塊狀金屬電極；制冷用變溫裝置由一保溫桶和一銅編織線組成，保溫桶內(nèi)裝液氮，銅編織線一端塞進(jìn)保溫桶內(nèi)而另一端與一塊狀金屬電極相接觸。10.如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于用于高溫區(qū)測(cè)量的溫度傳感器采用T或K型熱偶，或者是Pt100或1000熱電阻；用于低溫區(qū)測(cè)量的溫度傳感器采用Pt100或1000熱電阻，或者是SiD傳感器。全文摘要本發(fā)明公開了一種測(cè)量準(zhǔn)一維納米材料賽貝克系數(shù)的方法和系統(tǒng)，使兩個(gè)橫截面尺度為微米級(jí)的線狀過渡電極分別與兩個(gè)厘米級(jí)的塊狀金屬電極相接觸，然后利用納米探針系統(tǒng)使單根的待測(cè)準(zhǔn)一維納米材料連接兩個(gè)過渡電極，改變兩個(gè)塊狀金屬電極之間的溫度差，同時(shí)測(cè)量該兩電極的溫度差和對(duì)應(yīng)的電勢(shì)差，即可獲得準(zhǔn)一維納米材料的賽貝克系數(shù)。相應(yīng)的測(cè)試系統(tǒng)包括實(shí)驗(yàn)平臺(tái)、變溫裝置和數(shù)據(jù)采集及處理裝置三部分。本發(fā)明通過微米級(jí)過渡電極解決了厘米級(jí)電極到納米級(jí)待測(cè)樣品的接觸過渡問題，利用納米探針系統(tǒng)安裝納米材料，而不是隨機(jī)撒在電極兩側(cè)，提高了實(shí)驗(yàn)的成功率、可控性與可靠性，所提供的測(cè)量系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、易推廣等優(yōu)點(diǎn)。文檔編號(hào)G01N33/00GK101354388SQ20081011927公開日2009年1月28日申請(qǐng)日期2008年9月2日優(yōu)先權(quán)日2008年9月2日發(fā)明者彭練矛,燁王,王俊逸,許勝勇,高亦斌申請(qǐng)人:北京大學(xué)