專利名稱：磁場吸引防止裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及防止磁共振診斷裝置產(chǎn)生的診斷用磁場對(duì)磁體的吸引的磁場吸引防止裝置。
背景技術(shù)：
磁共振診斷裝置產(chǎn)生的磁場波及到磁共振診斷裝置的外部。因此，會(huì)引起磁體被上述磁場吸引到磁共振診斷裝置的所謂磁場吸引。
近年來，磁共振診斷裝置產(chǎn)生的磁場的強(qiáng)度變得非常大。因此，有大物體被吸引、或被吸引的物體的移動(dòng)速度變大的情況，由于被吸引的物體與磁共振診斷裝置的沖撞，有可能造成被吸引的物體或磁共振診斷裝置的損傷。
因此，將不使磁體接近磁共振診斷裝置確定為磁共振診斷裝置使用上的規(guī)則。但是，已經(jīng)確定了會(huì)以3×10-3的概率產(chǎn)生人工失誤，無法完全避免。因此，只要求人的注意是難以充分防止磁場吸引的。
例如通過特開2004-350888可以了解縮減泄漏磁場的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)這樣的情況，希望確實(shí)地防止磁吸引的產(chǎn)生。
本發(fā)明的第一形式的磁場吸引防止裝置具備產(chǎn)生接近檢測用磁場，同時(shí)根據(jù)該接近檢測用磁場的強(qiáng)度變動(dòng)，檢測出磁體向磁共振診斷裝置的接近的接近檢測部件；與上述接近檢測部件檢測出上述磁體的接近的情況對(duì)應(yīng)地，防止上述磁體被上述磁共振診斷裝置的磁場吸引的防止部件。
本發(fā)明的第二形式的磁場吸引防止裝置具備檢測出磁體的接近的接近檢測部件；與上述接近檢測部件檢測出上述磁體的接近的情況對(duì)應(yīng)地，防止上述磁體被磁共振診斷裝置的磁場吸引的防止部件；產(chǎn)生用于消除從上述磁共振診斷裝置的泄漏磁場的消除磁場的消除磁場產(chǎn)生部件。
本發(fā)明的第三形式的磁場吸引防止裝置具備檢測出磁體的接近的接近檢測部件；與上述接近檢測部件檢測出上述磁體的接近的情況對(duì)應(yīng)地，防止上述磁體被上述磁共振診斷裝置的磁場吸引的防止部件；根據(jù)上述接近檢測部件的輸出，判斷上述接近檢測部件的故障的判斷部件。
將通過以下的具體說明和


本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)。但本發(fā)明并不只限于這些說明。

圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的磁共振成像裝置(MRI裝置)的結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是表示圖1中的檢測用線圈單元的結(jié)構(gòu)例子的圖。
圖3是表示圖1中的防止動(dòng)作部件是氣囊裝置的情況下的防止動(dòng)作的實(shí)施狀況的圖。
圖4是表示圖1中的檢測用線圈單元的變形結(jié)構(gòu)例子的圖。
圖5是表示實(shí)施例2的磁場吸引防止裝置的概要結(jié)構(gòu)和設(shè)置狀況的斜視圖。
圖6是表示圖5所示的磁場吸引防止裝置的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的框圖。
圖7是表示用于監(jiān)視磁體的帶入的圖1中的控制部件的處理的流程圖。
圖8是表示用于動(dòng)作測試的圖1中的控制部件的處理的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參考附圖，說明本發(fā)明的實(shí)施例。
(實(shí)施例1)圖1是表示實(shí)施例1的磁共振成像裝置(MRI裝置)的結(jié)構(gòu)的圖。該圖1所示的MRI裝置具備靜磁場磁鐵1、傾斜磁場線圈2、傾斜磁場電源3、臥臺(tái)4、臥臺(tái)控制部件5、發(fā)送RF線圈單元6、發(fā)送部件7、接收RF線圈單元8、接收部件9、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)10、檢測用線圈單元11、接近判斷部件12、防止動(dòng)作控制部件13、防止動(dòng)作部件14。
靜磁場磁鐵1為中空的圓筒形，在內(nèi)部的空間中產(chǎn)生均勻的靜磁場。作為該靜磁場磁鐵1，例如使用永磁鐵、超導(dǎo)磁鐵等。
傾斜磁場線圈2為中空的圓筒形，被配置在靜磁場磁鐵1的內(nèi)側(cè)。傾斜磁場線圈2組合了與相互垂直的X、Y、Z的各軸對(duì)應(yīng)的3種線圈。傾斜磁場線圈2的上述3個(gè)線圈分別從傾斜磁場電源3接受電流供給，產(chǎn)生磁場強(qiáng)度沿著X、Y、Z的各軸變化的傾斜磁場。另外，Z軸方向是例如與靜磁場相同的方向。X、Y、Z各軸的傾斜磁場例如分別與切片選擇用傾斜磁場Gs、相位編碼用傾斜磁場Ge和讀出用傾斜磁場Gr對(duì)應(yīng)。為了任意地決定攝像斷面而利用切片選擇用傾斜磁場Gs。為了與空間位置對(duì)應(yīng)地使磁共振信號(hào)的相位變化而利用相位編碼用傾斜磁場Ge。為了與空間位置對(duì)應(yīng)地使磁共振信號(hào)的頻率變化而利用讀出用傾斜磁場Gr。
靜磁場磁鐵1和傾斜磁場線圈2被容納在架臺(tái)(gantory)中。在架臺(tái)中，沿著傾斜磁場線圈2的內(nèi)周形成空洞(攝影口)。
被檢體P在被載置在臥臺(tái)4的頂板41上的狀態(tài)下被插入到架臺(tái)的空洞(攝像口)內(nèi)。臥臺(tái)4的頂板41被臥臺(tái)控制部件5驅(qū)動(dòng)，在其長度方向和上下方向上移動(dòng)。通常，將臥臺(tái)4設(shè)置得其長度方向與靜磁場磁鐵1的中心軸平行。
發(fā)送RF線圈單元6內(nèi)置有至少一個(gè)線圈，并被配置在傾斜磁場線圈2的內(nèi)側(cè)。發(fā)送RF線圈單元6從接收部件7接受高頻脈沖的供給，產(chǎn)生高頻磁場。
發(fā)送部件7向發(fā)送RF線圈單元6發(fā)送與拉摩爾頻率對(duì)應(yīng)的高頻脈沖。
接收RF線圈單元8內(nèi)置有至少一個(gè)線圈，并被配置在傾斜磁場線圈2的內(nèi)側(cè)。接收RF線圈單元8接收由于上述高頻磁場的影響而從被檢體發(fā)射的磁共振信號(hào)。來自接收RF線圈單元8的信號(hào)被輸入到接收部件9。
接收部件9根據(jù)來自接收RF線圈單元8的輸出信號(hào)，生成磁共振信號(hào)數(shù)據(jù)。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)10具備接口部件101、數(shù)據(jù)收集部件102、重構(gòu)部件103、存儲(chǔ)部件104、顯示部件105、輸入部件106和控制部件107。
接口部件101與傾斜磁場電源3、臥臺(tái)控制部件5、發(fā)送部件7、接收RF線圈單元8和接收部件9等連接。接口部件101在這些所連接的各部件與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)10之間進(jìn)行收發(fā)信號(hào)的輸入輸出。
數(shù)據(jù)收集部件102經(jīng)由接口部件101收集從接收部件9輸出的數(shù)字信號(hào)。數(shù)據(jù)收集部件102將收集到的數(shù)字信號(hào)，即磁共振信號(hào)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部件104中。
重構(gòu)部件103針對(duì)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部件104中的磁共振信號(hào)數(shù)據(jù)，執(zhí)行后處理，即傅立葉變換等的重構(gòu)，求出被檢體P內(nèi)的希望的原子核的自旋的頻譜數(shù)據(jù)或圖像數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)部件104針對(duì)每個(gè)患者存儲(chǔ)磁共振信號(hào)數(shù)據(jù)、頻譜數(shù)據(jù)或圖像數(shù)據(jù)。
顯示部件105在控制部件107的控制下顯示頻譜數(shù)據(jù)或圖像數(shù)據(jù)等各種信息。作為顯示部件105，可以利用液晶顯示器等顯示設(shè)備。
輸入部件106接受從操作者的各種指令或信息的輸入。作為輸入部件106，可以適當(dāng)?shù)乩檬髽?biāo)、跟蹤球等指示設(shè)備(pointing device)、模式切換開關(guān)等選擇設(shè)備、或鍵盤等輸入設(shè)備。
控制部件107具有未圖示的CPU、存儲(chǔ)器等，統(tǒng)一地控制MRI裝置。
檢測用線圈單元11為環(huán)狀，排列配置在傾斜磁場線圈2上。檢測用線圈單元11內(nèi)置有環(huán)形的線圈，通過在該線圈的內(nèi)部通過了的磁場而感應(yīng)產(chǎn)生電壓。檢測用線圈單元11如圖2所示那樣具備一個(gè)線圈111。另外，線圈111的兩端與接近判斷部件12連接。理想的是線圈111構(gòu)成為適當(dāng)?shù)卣{(diào)整卷線方式、卷線數(shù)、或線圈卷線的間隔等，而能夠得到適當(dāng)?shù)撵`敏度。
防止動(dòng)作控制部件13在磁體接近了架臺(tái)的情況下，使防止動(dòng)作部件14動(dòng)作。
防止動(dòng)作部件14進(jìn)行用于防止該磁體被架臺(tái)的磁場吸引的防止動(dòng)作。作為防止動(dòng)作部件14，例如可以適用聲音重放裝置、發(fā)光裝置、顯示裝置、自動(dòng)門裝置、氣囊裝置、或磁場消除裝置等。
接著，說明如上述那樣構(gòu)成的MRI裝置的動(dòng)作。
靜磁場磁鐵1在其內(nèi)部的空洞內(nèi)產(chǎn)生用于診斷的磁場。該磁場也泄漏到靜磁場磁鐵1的空洞以外。靜磁場磁鐵1產(chǎn)生的磁場是不隨時(shí)間變化的靜磁場，泄漏的磁場也同樣是靜磁場。但是，如果磁體接近了架臺(tái)，則受到其影響，磁場的強(qiáng)度(磁通密度)變化。如果設(shè)通過了線圈111的磁通在某時(shí)間dt內(nèi)變化的量為dΦ，線圈111的周圍的磁通密度在時(shí)間dt內(nèi)變化的量為dB，線圈111的內(nèi)側(cè)的面積為S，則在線圈111的兩端產(chǎn)生的電壓V為V ＝-(dΦ/dt)＝-(dB/dt)×S由于面積S不變化，所以電壓V為與dB/dt對(duì)應(yīng)的大小。即，電壓V為與單位時(shí)間內(nèi)的磁通密度的變化量對(duì)應(yīng)的大小。因此，接近判斷部件12在產(chǎn)生了某種程度的電壓V的情況，判斷為磁體接近了。另外，考慮到靜磁場磁鐵1的性能等地預(yù)先決定在產(chǎn)生了怎樣程度的電壓V的情況下判斷為磁體接近了，使得不受通常的靜磁場的變化的影響。
防止動(dòng)作控制部件13等待由接近判斷部件12判斷出磁體的接近。另外，防止動(dòng)作控制部件13控制防止動(dòng)作部件14，使得與判斷出磁體接近了的情況對(duì)應(yīng)地執(zhí)行防止動(dòng)作。在該控制下，防止動(dòng)作部件14執(zhí)行防止動(dòng)作。在防止動(dòng)作部件14是聲音重放裝置的情況下，防止動(dòng)作是聲音信息的輸出。在防止動(dòng)作部件14是發(fā)光裝置的情況下，防止動(dòng)作是發(fā)光。在防止動(dòng)作部件14是顯示裝置的情況下，防止動(dòng)作是文字信息或圖標(biāo)等的顯示。另外，聲音信息或文字信息的內(nèi)容例如是“技師、患者帶入了磁體”等。在防止動(dòng)作部件14是自動(dòng)門裝置的情況下，防止動(dòng)作是關(guān)閉自動(dòng)門并上鎖。另外，自動(dòng)門例如被設(shè)置在設(shè)置有MRI裝置的房間的入口。在防止動(dòng)作部件14是氣囊裝置的情況下，防止動(dòng)作是氣囊的展開。例如如圖3所示那樣，氣囊141在展開時(shí)覆蓋架臺(tái)G的空洞的開口。在防止動(dòng)作部件14是磁場消除裝置的情況下，防止動(dòng)作是對(duì)靜磁場磁鐵1產(chǎn)生的靜磁場的消除。
因此，在執(zhí)行了聲音信息的輸出、發(fā)光、或文字信息或圖標(biāo)的顯示等的情況下，能夠促使將磁體接近MRI裝置的人的注意，能夠防止磁體接近MRI裝置。另外，在執(zhí)行了自動(dòng)門的關(guān)閉上鎖、氣囊的展開的情況下，能夠物理地進(jìn)一步防止磁體接近MRI裝置。在執(zhí)行了磁場的消除的情況下，即使磁體接近MRI裝置，也不會(huì)產(chǎn)生磁場吸引。通過這些措施，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠確實(shí)地防止磁吸引的產(chǎn)生。
(實(shí)施例2)圖5是表示實(shí)施例2的磁場吸引防止裝置的概要結(jié)構(gòu)和設(shè)置狀況的斜視圖。該圖5所示的磁場吸引防止裝置包括線圈單元21a、21b、22a、22b、門傳感器23a、23b、警報(bào)部件24a、24b、24c和主單元25。
線圈單元21a、22a、門傳感器23a和警報(bào)部件24a分別被設(shè)置在前室31的出入口31a的近旁。線圈單元21b、22b、門傳感器23b和警報(bào)部件24b分別被設(shè)置在攝影室32的出入口32a的近旁。24c和主單元25例如分別被設(shè)置在操作室(未圖示)內(nèi)。
更具體地說，線圈單元21a、22a在夾著出入口31a而相互相對(duì)的狀態(tài)下，被設(shè)置在前室31的內(nèi)部的地板上。門傳感器23a面對(duì)著出入口31a被安裝在前室31的墻壁上。警報(bào)部件24a被安裝在出入口31a的上方的前室31的內(nèi)壁面上。線圈單元21b、22b在夾著出入口32a而相互相對(duì)的狀態(tài)下，被設(shè)置在攝影室32的內(nèi)部的地板上。門傳感器23b面對(duì)著出入口32a被安裝在攝影室32的墻壁上。線圈單元21b、22b、門傳感器23b和警報(bào)部件24b只是設(shè)置地點(diǎn)不同，其他與線圈21a、22a、門傳感器23a和警報(bào)部件24a一樣地設(shè)置。
另外，線圈單元21a、22a或線圈單元21b、22b可以設(shè)置在前室31或攝影室32的墻壁表面上，也可以埋設(shè)在前室31或攝影室32中、門33a的門框或門33b的門框的內(nèi)部。進(jìn)而，線圈單元21a、22a或線圈單元21b、22b還可以構(gòu)成配置為使得通過了出入口31a或出入口32a的人通過線圈單元21a、22a或線圈單元21b、22b中。
門傳感器23a、23b分別檢測分別安裝在出入口31a、32a的門33a、33b的開閉。
警報(bào)部件24a、24b、24c進(jìn)行聲音信息的輸出、發(fā)光、或文字信息或圖標(biāo)等的顯示等的警報(bào)動(dòng)作。
另外，攝影室32配置有MRI裝置34，是用于進(jìn)行該MRI裝置34的攝影的房間。前室31是用于被檢體準(zhǔn)備進(jìn)行攝影的房間。
圖6是表示圖5所示的磁場吸引防止裝置的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的框圖。
線圈單元21a、21b、22a、22b分別內(nèi)置有線圈211a、211b、221a、221b。線圈單元22a、22b還分別內(nèi)置有磁檢測器222a、222b。另外，磁檢測器222a、222b也可以分別內(nèi)置于線圈單元21a、21b中。
線圈211a、211b、221a、221b接受來自主單元25的電流供給，產(chǎn)生磁場。
磁檢測器222a、222b檢測磁場，輸出具有與其強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的電平的檢測信號(hào)。作為磁檢測器222a、222b，可以使用薄膜磁通量閘門磁傳感器、高斯測量器(霍爾元件)、磁阻元件、或磁二極管等公知的元件。
主單元25包含檢測電源251a、251b、消除電源252a、252b、接近判斷部件253a、253b、通信部件254和控制部件255。
檢測電源251a、251b分別與線圈211a、211b連接，輸出用于從所連接的線圈產(chǎn)生磁場的控制電流。
消除電源252a、252b分別與線圈221a、221b連接，輸出用于從所連接的線圈產(chǎn)生消除磁場的消除電流。
接近判斷部件253a、253b分別與磁檢測器222a、222b連接，根據(jù)所連接的磁檢測器的輸出信號(hào)，判斷有無磁體接近。
通信部件254進(jìn)行用于使得控制部件255能夠經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)34與服務(wù)中心35通信的處理。
控制部件255分別與門傳感器23a、23b、警報(bào)部件24a、24b、24c、檢測電源251a、251b、消除電源252a、252b、接近判斷部件253a、253b、通信部件254連接?？刂撇考?55一邊參照門傳感器23a、23b的檢測結(jié)果、接近判斷部件253a、253b的判斷結(jié)果，一邊控制警報(bào)部件24a、24b、24c、檢測電源251a、251b和消除電源252a、252b。
接著，說明以上那樣構(gòu)成的磁場吸引防止裝置的動(dòng)作。
在通常的動(dòng)作模式時(shí)，控制部件255將前室31和攝影室32分別作為對(duì)象，分別個(gè)別地進(jìn)行用于監(jiān)視磁體的帶入的處理。在此，以用于監(jiān)視將磁體帶入前室31的處理為例，詳細(xì)說明該處理。
圖7是表示用于監(jiān)視磁體的帶入的控制部件255的處理的流程圖。
在步驟Sa1中，控制部件255等待門傳感器23a檢測出門33a打開。然后，如果由門傳感器23a檢測出門33a打開了，則控制部件255從步驟Sa1前進(jìn)到步驟Sa2。
在步驟Sa2中，控制部件255分別向檢測電源251a和消除電源252a指示檢測用電流和消除用電流的供給開始。與之對(duì)應(yīng)地，檢測電源251a和消除電源252a開始輸出檢測用電流和消除用電流。檢測用電流是用于使得從線圈211a產(chǎn)生用于檢測磁體接近的磁場的直流電流。檢測用電流的大小被設(shè)置為能夠使線圈211a產(chǎn)生覆蓋出入口31a的周圍，并且充分波及到磁檢測器222a的檢測用磁場。消除用電流是使線圈221b產(chǎn)生用于消除從MRI裝置34產(chǎn)生并波及到磁檢測器222a的泄漏磁場的消除磁場的電流。消除用電流的適當(dāng)?shù)拇笮『蜆O性與來自MRI裝置34的泄漏磁場的影響的大小和泄漏磁場的方向?qū)?yīng)地變化。因此，例如根據(jù)在設(shè)置磁場吸引防止裝置等時(shí)在磁檢測器222a附近測量出的泄漏磁場的強(qiáng)度和方向，設(shè)置消除用電流的適當(dāng)?shù)拇笮『蜆O性。
因此，在打開門33a時(shí)，在出入口31a的周圍，消除從MRI裝置34的泄漏磁場，去除磁檢測器222a的磁飽和限制。由磁檢測器222a檢測該檢測用磁場，并將其檢測結(jié)果作為具有與檢測用磁場的強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的電平的檢出信號(hào)提供給接近判斷部件253a。接近判斷部件253a在檢出信號(hào)的電平的變動(dòng)量小于等于預(yù)先決定的基準(zhǔn)的情況下，判斷為磁體沒有接近。但是，如果磁體通過了出入口31a而被帶入到前室31中，則由于該磁體的影響，檢測用磁場發(fā)生變動(dòng)，檢出信號(hào)的電平產(chǎn)生比之前更大的變動(dòng)。另外，如果檢出信號(hào)的電平的變動(dòng)量超過上述基準(zhǔn)，則接近判斷部件253a判斷為磁體接近了。
但是，消除磁場也可以降低磁檢測器222a、222b附近的泄漏磁場的影響。另一方面，檢測用磁場為了確保能夠檢測出磁體接近的范圍而使得不被泄漏磁場影響，而必須形成為至少覆蓋出入口31a、32a的周圍。因此，如圖6所示那樣，將線圈221a、221b配置得比線圈211a、211b更接近磁檢測器222a、222b是合理的。另外，由于這樣檢測用磁場和消除用磁場各自所要求的范圍的大小不同，所以線圈221a、221b也可以比線圈211a、211b小。
因此，在步驟Sa3和步驟Sa4中，控制部件255等待門33a關(guān)閉、或接近判斷部件253a判斷出磁體接近。另外，如果接近判斷部件253a判斷出磁體接近了，則控制部件255從步驟Sa4前進(jìn)到步驟Sa5。在步驟Sa5中，控制部件255執(zhí)行警報(bào)處理。該警報(bào)處理使警報(bào)部件24a、24c的至少一個(gè)動(dòng)作。如果使警報(bào)部件24a動(dòng)作，則向?qū)⒋朋w帶入到前室的人或已經(jīng)在前室的人通知將磁體帶入了前室的情況。另外，如果使警報(bào)部件24c動(dòng)作，則向在操作室內(nèi)的技師通知磁體被帶入了前室的情況。該警報(bào)處理可以限于一定時(shí)間內(nèi)進(jìn)行，也可以直到由接近判斷部件253a判斷出磁體不接近為止持續(xù)進(jìn)行。
另外，如果警報(bào)處理結(jié)束，則控制部件255前進(jìn)到步驟Sa6。另外，在接近判斷部件253a沒有判斷為磁體接近了而門33a關(guān)閉的情況下，控制部件255從步驟Sa3前進(jìn)到步驟Sa6。在步驟Sa6中，控制部件255分別向檢測電源251a和消除電源252a指示檢測用電流和消除用電流的供給停止。與之對(duì)應(yīng)地，檢測電源251a和消除電源252a停止輸出檢測用電流和消除用電流。
如果步驟Sa6結(jié)束，則控制部件255暫時(shí)結(jié)束圖7所示的處理，只在被設(shè)置為通常的動(dòng)作模式時(shí)，立即重新開始圖7所示的處理。
另外，在設(shè)置了測試模式的情況下，控制部件255將前室31和攝影室32分別作為對(duì)象，個(gè)別地進(jìn)行用于動(dòng)作測試的處理。在此，以將攝影室32作為對(duì)象的用于動(dòng)作測試的處理為例，詳細(xì)說明該處理。另外，測試模式可以由技師或服務(wù)人員手動(dòng)地設(shè)置，也可以在磁場吸引防止裝置或MRI裝置34的啟動(dòng)時(shí)、或每一定時(shí)刻等時(shí)由控制部件255自動(dòng)地設(shè)置。
圖8是表示用于動(dòng)作測試的控制部件255的處理的流程圖。
在步驟Sb1中，控制部件255分別向檢測電源251b和消除電源252b指示測試用電流和消除用電流的供給開始。與之對(duì)應(yīng)地，檢測電源251b和消除電源252b開始輸出測試用電流和消除用電流。測試用電流是用于使線圈211b模擬地產(chǎn)生與磁體接近時(shí)的檢測用磁場的強(qiáng)度變化一樣地變化的測試用磁場的電流。因此，測試用電流是直流，其大小是變化的。
因此，如果檢測電源251b、線圈211b、磁檢測器222b和接近判斷部件253b全部正常動(dòng)作，則接近判斷部件253b應(yīng)該判斷為磁體接近了。
因此，在步驟Sb2中，控制部件255確認(rèn)接近判斷部件253b是否判斷為磁體接近了。另外，如果接近判斷部件253b判斷為接近了，則控制部件255從步驟Sb2前進(jìn)到步驟Sb3，判斷為正常。但是，如果接近判斷部件253b判斷為沒有接近，則控制部件255從步驟Sb2前進(jìn)到步驟Sb4，判斷為故障。
控制部件255從步驟Sb3或步驟Sb4前進(jìn)到步驟Sb5。在步驟Sb5中，控制部件255分別向檢測電源251b和消除電源252b指示測試用電流和消除電流的供給停止。與之對(duì)應(yīng)地，檢測電源251b和消除電源252b停止輸出檢測用電流和消除用電流。
在步驟Sb6中，控制部件255進(jìn)行處理，向預(yù)先決定的通知目標(biāo)通知包含上述判斷結(jié)果的測試結(jié)果信息。在通知目標(biāo)是服務(wù)中心35的情況下，控制部件255經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)34從通信部件254向服務(wù)中心35發(fā)送測試結(jié)果信息。也可以將通知目標(biāo)設(shè)置為設(shè)置在操作室的MRI裝置34的操作部件等。另外，也可以在主單元25中具備顯示器，在該顯示器上顯示測試結(jié)果信息的內(nèi)容。
因此，根據(jù)實(shí)施例2，根據(jù)為了從線圈211a、211b檢測出磁體的接近而產(chǎn)生的檢測用磁場的變動(dòng)，檢測出磁體向該檢測用磁場的接近，因此如實(shí)施例1那樣，與使用泄漏磁場的情況相比，提高了檢測精度。
另外，根據(jù)實(shí)施例2，消除了從MRI裝置34的泄漏磁場，因此即使在該泄漏磁場強(qiáng)的位置，也能夠防止磁場檢測器222a、222b因泄漏磁場而飽和，能夠適當(dāng)?shù)貦z測出磁體的接近。
另外，根據(jù)實(shí)施例2，在磁體接近檢測用磁場的情況下，通過使警報(bào)部件24a、24b、24c動(dòng)作而通知有關(guān)人員，因此能夠促使有關(guān)人員注意不要使磁體進(jìn)一步接近MRI裝置34，其結(jié)果是能夠防止產(chǎn)生磁場吸引。
另外，根據(jù)實(shí)施例2，通過將從線圈211a、211b產(chǎn)生的磁場作為具有強(qiáng)度變化的測試用磁場，能夠簡單地對(duì)是否能夠正常檢測出磁體的接近進(jìn)行測試。
另外，根據(jù)實(shí)施例2，分別在前室的出入口31a和攝影室的出入口32a檢測磁體的接近，因此能夠進(jìn)行2個(gè)階段的警報(bào)。能夠更確實(shí)地防止向MRI裝置34的磁場吸引。另外，有以下的情況在前室的出入口31a檢測出磁體的接近的情況下，產(chǎn)生促使有關(guān)人員注意的程度的緩和的警報(bào)，在攝影室的出入口32a檢測出磁體的接近的情況下，產(chǎn)生大音量的警報(bào)音等向有關(guān)人員進(jìn)行強(qiáng)烈的警告，如果對(duì)警報(bào)動(dòng)作附加緊急度，則能夠進(jìn)一步提高警報(bào)的效果。
另外，根據(jù)實(shí)施例2，如門31a、32a打開的情況等那樣，只在有可能產(chǎn)生新的磁體接近時(shí)，產(chǎn)生檢測用磁場和消除磁場，因此能夠防止這些檢測用磁場和消除磁場對(duì)MRI裝置34的攝影產(chǎn)生影響。
本實(shí)施例可以進(jìn)行如下這樣的各種變形實(shí)施。
在實(shí)施例1中，檢測用線圈單元11也可以在如圖4所示那樣具備線圈111的基礎(chǔ)上，還具備線圈112。這時(shí)，線圈112也可以具有與線圈111相反的卷線方向，另外，沿著靜磁場的方向相互隔開地配置。線圈111的兩端與差動(dòng)放大器113的兩個(gè)輸入端連接，線圈112的兩端與差動(dòng)放大器114的兩個(gè)輸入端連接。另外，將差動(dòng)放大器113、114的輸出分別輸入到接近判斷部件12。這時(shí)，接近判斷部件12在與線圈111、112的隔開距離L對(duì)應(yīng)地適當(dāng)?shù)貙?duì)差動(dòng)放大器113、114輸出的電壓進(jìn)行加權(quán)的基礎(chǔ)上，根據(jù)相互補(bǔ)足所得到的值的變化，判斷磁體是否接近了。由此，能夠重點(diǎn)測量近旁磁場的變化。
在實(shí)施例1中，也可以具備多個(gè)防止動(dòng)作部件14。多個(gè)防止動(dòng)作部件14可以進(jìn)行相互相同的防止動(dòng)作，也可以進(jìn)行各自不同的防止動(dòng)作。例如，作為防止動(dòng)作部件14可以具備多個(gè)同樣的顯示裝置，也可以作為防止動(dòng)作部件14分別具備聲音重放裝置和自動(dòng)門裝置。在該情況下，多個(gè)防止動(dòng)作部件14可以分別同時(shí)進(jìn)行防止動(dòng)作，也可以在錯(cuò)開的定時(shí)下進(jìn)行防止動(dòng)作。例如，如果在由聲音重放裝置產(chǎn)生警告的基礎(chǔ)上，在磁體進(jìn)一步接近的情況下關(guān)閉自動(dòng)門等，則能夠多階段地防止磁吸引，是有效的。
在實(shí)施例1中，也可以通過其他方法檢測磁體的接近。例如設(shè)置產(chǎn)生與診斷用磁場不同的檢測用磁場的磁場產(chǎn)生器，可以根據(jù)該檢測用磁場的變動(dòng)，檢測出磁體的接近。
在實(shí)施例1中，為了檢測出磁體，也可以通過還考慮到傾斜磁場的狀態(tài)，而在產(chǎn)生傾斜磁場時(shí)也防止磁體的磁場吸引。
在實(shí)施例1中，也可以使檢測用線圈單元11、接近判斷部件12、防止動(dòng)作控制部件13和防止動(dòng)作部件14從MRI裝置獨(dú)立，來實(shí)現(xiàn)單獨(dú)的磁場吸引防止裝置。
在實(shí)施例2中，檢測用磁場的產(chǎn)生并不只限于門33a、33b的狀態(tài)等，也可以始終進(jìn)行。另外，如通過紅外線傳感器檢測出人的接近的情況等那樣，也可以根據(jù)來自其他傳感器的信號(hào)，決定產(chǎn)生檢測用磁場的定時(shí)。
在實(shí)施例2中，也可以與警報(bào)動(dòng)作不同地或代替警報(bào)動(dòng)作，而進(jìn)行以下的動(dòng)作等自動(dòng)地關(guān)閉門33a、33b，或如實(shí)施例1那樣，展開MRI裝置34所具備的氣囊。例如，在出入口31a檢測出磁體的接近的情況下，如果自動(dòng)地關(guān)閉門33b或鎖住門33b，則能夠極確實(shí)地防止向MRI裝置34的磁場吸引。
在實(shí)施例2中，也可以代替磁檢測器222a、222b，而如實(shí)施例1那樣，使用利用了由線圈感應(yīng)產(chǎn)生的電流的變動(dòng)的傳感器。
在實(shí)施例2中，也可以分別設(shè)置多個(gè)磁檢測器222a、222b，來預(yù)防磁檢測器222a、222b的故障。
在實(shí)施例2中，也可以使用交流電流作為檢測用電流。在該情況下，由于檢測用磁場的強(qiáng)度以一定周期變動(dòng)，所以監(jiān)視與該變動(dòng)頻率同步的變化，由此能夠檢測出磁體的接近。在該情況下，通過對(duì)與上述變動(dòng)頻率有很大差異的頻率的成分進(jìn)行濾波，能夠不受變動(dòng)頻率與檢測用磁場有很大差異的其他磁場的影響、或電噪聲的影響，而高精度地檢測出磁體的接近。
本發(fā)明并不只限于這些實(shí)施例和說明，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍，可以對(duì)實(shí)施例進(jìn)行組合或變形，而這些組合和變形也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種磁場吸引防止裝置，其特征在于包括產(chǎn)生接近檢測用磁場，同時(shí)根據(jù)該接近檢測用磁場的強(qiáng)度變動(dòng)，檢測出磁體向磁共振診斷裝置的接近的接近檢測部件；與上述接近檢測部件檢測出上述磁體的接近的情況對(duì)應(yīng)地，防止上述磁體被上述磁共振診斷裝置的磁場吸引的防止部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于上述防止部件通過產(chǎn)生警報(bào)、向上述磁共振診斷裝置和上述磁體之間插入障礙物、以及消除由上述磁共振診斷裝置產(chǎn)生的磁場的至少一個(gè)方法，來防止上述磁體被上述磁共振診斷裝置的磁場吸引。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于上述防止部件通過產(chǎn)生警報(bào)音、產(chǎn)生警報(bào)光、以及顯示警報(bào)信息中的至少一個(gè)方法來進(jìn)行上述警報(bào)的產(chǎn)生。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于上述防止部件直到接近檢測部件不檢測出上述磁體向上述磁共振診斷裝置的接近為止，持續(xù)地進(jìn)行防止上述磁體被上述磁共振診斷裝置的磁場吸引的動(dòng)作。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于還包括消除磁場產(chǎn)生部件，產(chǎn)生用于消除從上述磁共振診斷裝置產(chǎn)生并波及到由上述接近檢測部件檢測上述接近檢測用磁場的區(qū)域的泄漏磁場的消除磁場。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于上述接近檢測部件具備以下部件中的至少一個(gè)產(chǎn)生上述接近檢測用磁場的檢測用磁場產(chǎn)生部件；檢測出由上述檢測用磁場產(chǎn)生部件產(chǎn)生的上述接近檢測用磁場的強(qiáng)度的磁場檢測部件；檢測模塊，它具備根據(jù)由上述磁場檢測部件檢測出的上述接近檢測用磁場的強(qiáng)度變動(dòng)來判斷有無上述磁體接近上述磁共振診斷裝置的判斷部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于上述檢測用磁場產(chǎn)生部件具備線圈；向上述線圈提供用于從上述線圈產(chǎn)生上述接近檢測用磁場的控制電流的供給部件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于上述供給部件提供直流電流作為上述控制電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于上述供給部件提供交流電流作為上述控制電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于上述接近檢測部件的上述檢測模塊檢測上述磁體通過設(shè)置在攝影室和與該攝影室相鄰的前室之間的第一出入口而接近上述磁共振診斷裝置的情況，其中該攝影室設(shè)置了上述磁共振診斷裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于還包括控制上述檢測模塊使其與設(shè)置在第二出入口的門的動(dòng)作對(duì)應(yīng)地開始檢測動(dòng)作的控制部件，其中該第二出入口與上述第一出入口不同并且設(shè)置在上述前室。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于上述接近檢測部件具備2個(gè)上述檢測模塊，這2個(gè)檢測模塊的1個(gè)檢測上述磁體通過設(shè)置在攝影室和與該攝影室相鄰的前室之間的第一出入口而向上述磁共振診斷裝置接近的情況，另一個(gè)檢測上述磁體通過設(shè)置在上述前室的與上述第一出入口不同的第二出入口而接近上述磁共振診斷裝置的情況，其中該攝影室設(shè)置了上述磁共振診斷裝置。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于上述檢測用磁場產(chǎn)生部件具有在測試模式時(shí)使上述接近檢測用磁場的強(qiáng)度變化的功能，該磁場吸引防止裝置還具備在上述測試模式時(shí)，根據(jù)由上述磁場檢測部件檢測出的磁場強(qiáng)度的變化，檢測出上述檢測模塊的故障的故障檢測部件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁場吸引防止裝置，其特征在于還包括將表示上述故障檢測部件的檢測結(jié)果的信息，發(fā)送到遠(yuǎn)離的服務(wù)中心、或上述磁共振診斷裝置的發(fā)送部件。
15.一種磁場吸引防止裝置，其特征在于包括檢測出磁體的接近的接近檢測部件；與上述接近檢測部件檢測出上述磁體的接近的情況對(duì)應(yīng)地，防止上述磁體被上述磁共振診斷裝置的磁場吸引的防止部件；產(chǎn)生用于消除從上述磁共振診斷裝置的泄漏磁場的消除磁場的消除磁場產(chǎn)生部件。
16.一種磁場吸引防止裝置，其特征在于包括檢測出磁體的接近的接近檢測部件；與上述接近檢測部件檢測出上述磁體的接近的情況對(duì)應(yīng)地，防止上述磁體被上述磁共振診斷裝置的磁場吸引的防止部件；根據(jù)上述接近檢測部件的輸出，判斷上述接近檢測部件的故障的判斷部件。
全文摘要
本發(fā)明的磁場吸引防止裝置具備產(chǎn)生接近檢測用磁場，同時(shí)根據(jù)該接近檢測用磁場的強(qiáng)度變動(dòng)，檢測出磁體向磁共振診斷裝置的接近的接近檢測部件；與上述接近檢測部件檢測出上述磁體的接近的情況對(duì)應(yīng)地，防止上述磁體被上述磁共振診斷裝置的磁場吸引的防止部件。
文檔編號(hào)G01R33/3815GK101044980SQ20071008858
公開日2007年10月3日 申請日期2007年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日
發(fā)明者早川浩 申請人:株式會(huì)社東芝, 東芝醫(yī)療系統(tǒng)株式會(huì)社