專利名稱：絕緣體上應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的無損檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于一種絕緣體上應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的分析方法，尤其是Si / SiGe / Si-SOI異質(zhì)結(jié)的無損檢測方法。
背景技術(shù)：
應(yīng)變硅能夠提高電子和空穴的遷移率，有希望成為高性能金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFETs)的n型和p型溝道材料。以絕緣體上弛豫的SiGe 外延層作為襯底，能夠獲得使電子和空穴遷移率得到提高的應(yīng)變硅溝道n型和 p型MOSFETs。此項技術(shù)整合了絕緣體上硅(Silicon-On-Insulator， SOI)和 SiGe技術(shù)的優(yōu)點。SiGe外延層的應(yīng)變弛豫過程通常是通過在SiGe外延層和其 襯底之間的界面上引入失配位錯(Misfit Dislocation)來實現(xiàn)的。失配位錯的 總長度決定SiGe外延層的應(yīng)變弛豫度，失配位錯的兩端以穿透位錯(Threading Dislocation)的形式終止在SiGe外延層的表面。這些穿透位錯可能穿透后續(xù)生 長的外延層，進入器件功能區(qū)，降低載流子遷移率、增大漏電流以及造成場 效應(yīng)管閾值電壓的變化。
將表面平滑且應(yīng)變弛豫的Si^Gex合金層作為"虛襯底"，在其上可以獲 得載流子遷移率增加的應(yīng)變Si層，符合上述條件的Si^Ge,虛襯底"既可以在 Si襯底上得到，也可以在SOI上得到。為了在SOI上獲得弛豫SiGe層已經(jīng)發(fā)展 了如下制備技術(shù)晶片鍵合(Wafer Bonding)，智能剝離(Smart Cut)，氧 離子注入隔離(Separation by Implantation of Oxygen)，對SOI上低Ge含量 Si,—xGeJl進行氧化，以及在SOI上沉積Si"xGeJl后進行退火(Post-Deposition Annealing of Sii.xGex Films Deposited on SOI)?？梢钥吹?，上述工藝過程普遍 采用了高溫退火。對于SOI,高溫退火可使其絕緣層呈現(xiàn)粘滯性，從而保證失 配應(yīng)變從Si^Gex合金層向SOI頂層Si傳遞，實現(xiàn)Si,.、Ge,、合金層低位錯密度下 的應(yīng)變弛豫。然而，高溫退火容易導(dǎo)致位錯生成和其它相關(guān)的退化現(xiàn)象，諸 如Ge偏析、表面粗糙化等，所以降低退火溫度對于高質(zhì)量SiGe層的獲得是有 益的。Huang等采用BSG (Boron-Silicate-Glass)作為襯底絕緣層得到了高質(zhì) 量應(yīng)變弛豫SiGe層并降低了退火溫度。
針對于半導(dǎo)體外延層中位錯的分析方法主要有光學(xué)顯微鏡法、透射電
子顯微術(shù)、原子力顯微鏡法、拉曼光譜法以及同步輻射形貌術(shù)等。光學(xué)顯微 鏡法要對樣品進行表面腐蝕，然后進行光學(xué)成像，可以得到樣品表面穿透位 錯的分布信息；透射電子顯微術(shù)需要先將被分析的樣品制備成薄膜樣品，然 后在透射電子顯微鏡中進行觀察。釆用光學(xué)顯微鏡分析法和透射電子顯微術(shù) 對樣品的分析是破壞性的。在制備用于透射電子顯微鏡分析的樣品時，極易 人為引入缺陷，而且由于所觀察的樣品很薄，位錯在觀察過程中很可能移出 試樣表面，導(dǎo)致觀察結(jié)果不能反映缺陷在樣品中的真實情況。原子力顯微鏡 和拉曼光譜均為無損檢測技術(shù)，然而， 一般只能得到樣品表面或表層的結(jié)構(gòu) 信息，無法確定位錯的空間分布情況。同歩輻射雙晶形貌術(shù)作為一種高空間 分辨率的無損檢測技術(shù)，可以同時獲得外延層和襯底中缺陷的空間分布信息， 但是，目前采用同步輻射雙晶形貌術(shù)未能獲得絕緣體上應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)外延層 和襯底中缺陷的空間分布信息，這是因為對于在SOI上采用不同方法所獲得的 應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)，通過對稱衍射獲得的雙晶搖擺曲線中多個Si層衍射峰出現(xiàn)合 并，使得對Si層衍射峰與各Si層的對應(yīng)關(guān)系無法判斷，因此，需要采用一種方 法對Si層衍射峰與各Si層的對應(yīng)關(guān)系加以區(qū)別后，再以同步輻射雙晶形貌術(shù)來 分析應(yīng)變Si層及其它Si層結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種絕緣體上應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的無損檢測方法，通 過本發(fā)明提供的方法步驟，可以從同步輻射雙晶形貌術(shù)，確定絕緣體上應(yīng)變 硅異質(zhì)結(jié)各衍射結(jié)構(gòu)與衍射峰的對應(yīng)關(guān)系，同時獲得包括應(yīng)變硅層在內(nèi)的各 衍射結(jié)構(gòu)的同步輻射雙晶形貌像。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取以下設(shè)計方案
1、 根據(jù)所要檢測的應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的晶體學(xué)結(jié)構(gòu)特征，按X射線雙晶對稱 衍射幾何進行實驗布置；
2、 利用同步輻射單色光對樣品進行對稱衍射獲得雙晶搖擺曲線，得到應(yīng) 變硅異質(zhì)結(jié)的衍射峰；
3、 將樣品以表面法線為軸旋轉(zhuǎn)180°,再次獲得雙晶搖擺曲線；
4、 比較旋轉(zhuǎn)180。前后的雙晶搖擺曲線，判斷各衍射峰與衍射結(jié)構(gòu)的對應(yīng)
關(guān)系；
5、 調(diào)整入射線的入射角度，以使Si層衍射合峰呈現(xiàn)非對稱性或出現(xiàn)分立 的峰；
6、 固定入射線的入射角度，在各衍射峰上拍攝對應(yīng)衍射結(jié)構(gòu)的同步輻射 形貌像。
本發(fā)明的優(yōu)點是實驗程序簡單、快捷，無須破壞樣品即可獲得應(yīng)變硅 異質(zhì)結(jié)中位錯的空間分布情況以及相關(guān)晶體學(xué)信息。


圖l: Si/SiGe/Si-SOI異質(zhì)結(jié)同步輻射雙晶形貌術(shù)實驗布置的示意圖。 圖2a: Si/SiGe/Si-SOI異質(zhì)結(jié)樣品旋轉(zhuǎn)前的同步輻射(004)衍射雙晶搖擺 曲線，
圖2b: Si/SiGe/Si-SOI異質(zhì)結(jié)樣品旋轉(zhuǎn)180。后的同步輻射(004)衍射雙晶搖 擺曲線。
圖3a: Si/SiGe/Si-SOI異質(zhì)結(jié)SOI體Si襯底的同步輻射雙晶形貌像， 圖3b: Si/SiGe/Si-SOI異質(zhì)結(jié)SiGe層上界面附近同步輻射雙晶形貌像， 圖3c: Si/SiGe/Si-SOI異質(zhì)結(jié)SiGe層下界面附近同歩輻射雙晶形貌像， 圖3d: Si/SiGe/Si-SOI異質(zhì)結(jié)應(yīng)變Si層的同步輻射雙晶形貌像， 圖3e: Si/SiGe/Si-SOI異質(zhì)結(jié)SiGe層下面Si層的同步輻射雙晶衍射形貌像。
圖4: Si/SiGe/Si-SOI異質(zhì)結(jié)Si層高分辨三軸X射線衍射2e-co掃描曲線。 圖5a: Si/SiGe/Si-SOI異質(zhì)結(jié)應(yīng)變Si層的高分辨透射電子顯微鏡二維晶格
像，
圖5b: Si/SiGe/Si-SOI異質(zhì)結(jié)SiGe層下面Si層的高分辨透射電子顯微鏡二 維晶格像。
圖3a中，S為SOI體S射底表面劃痕，g為入射波矢在衍射面上的投影。圖 3d中，TD為穿透位錯。圖5b中互相垂直的直線指示位錯存在的位置。
具體實施例方式
實施例l (在鍵合背蝕SOI (BESOI)襯底上獲得的應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié) Si/SiGe/Si-SOI):
l摘要
利用超高真空化學(xué)汽相沉積(UHVCVD)在鍵合背蝕SOI (BESOI)襯底 上外延生長Si/SiGe/Si異質(zhì)結(jié)，并對其進行原位低溫?zé)崽幚慝@得部分弛豫的 SiGe層和應(yīng)變Si層。運用本發(fā)明得到了包括應(yīng)變Si層在內(nèi)的Si/SiGe/Si-SOI異 質(zhì)結(jié)的同步輻射雙晶形貌像。高分辨X射線衍射(HRTXD)和高分辨透射電 子顯微術(shù)(HREM)實驗驗證了本實用新型獲得的結(jié)果。
2實驗
樣品采用BESOI作為襯底材料，頂層是Si (001)。利用UHVCVD在此襯 底上連續(xù)外延生長Si/SiGe/Si。進行外延生長前，首先將BESOI置于沸騰的 H2S04:H20^4:1溶液中進行15分鐘化學(xué)清洗，然后在去離子水中漂洗10分鐘。 將樣品放入裝樣室前，在10XHF溶液中浸泡30秒去除表面氧化膜。當(dāng)外延生 長系統(tǒng)真空達到10—spa時，將樣品推入生長室。生長室由10001/s的渦輪分子泵 抽真空，基底真空度可達5xl(^Pa，外延生長過程中生長室壓力低于0.13Pa。 當(dāng)真空達到基底真空度后，將樣品快速升溫至750-80(TC進行表面高溫去氧， 保溫5分鐘后降至生長溫度，對于Si是60(TC， SiGe是55(TC。外延生長的氣體 源釆用SiH4和被H2稀釋為15 %的GeH4 ，生長時流速分別為1 Osccm和2sccm 。 最終得到的異質(zhì)結(jié)從上至下依次為Si帽層、SiGe層、Si緩沖層以及BESOI。外 延生長完成后，對樣品進行75(TC30分鐘的原位低溫?zé)崽幚怼?br> 同步輻射雙晶貌相術(shù)在北京同步輻射實驗室(BSRL) 4WIA線上的形貌 站進行。雙晶衍射的第一晶體為(+n, -n)排列的Si (111)晶體，選擇(004) 衍射成像，實驗布置如圖l所示。儲能環(huán)工作電壓2.2GeV，束流范圍50-100mA。 同步輻射雙晶形貌像記錄采用高清晰富士膠巻，為提高像清晰度膠片顯影采 取單面沖洗方式。高分辨三軸晶X射線衍射測量在Philips X'pert X射線衍射儀 上進行，經(jīng)四晶體Ge (220)單色器的CuKa, a二1.54056人)射線作為輻射源， 角分辨率小于12弧秒，探測器前安裝三次反射Ge (220)分析晶體(接受角約 為12弧秒)。工作電壓40kV，工作電流40mA。環(huán)境溫度變化小于rC。微觀 觀察在正OL-2010型高分辨電子顯微鏡上進行，工作電壓為200kV。
3實驗結(jié)果
選擇同步輻射入射束的入射方向并使其滿足(004)晶面Bmgg衍射條件。
以樣品表面法線為軸，在旋轉(zhuǎn)180。前后分別繪制004搖擺曲線，如圖2a和圖2b
所示。橫坐標(biāo)為入射線與樣品表面的夾角co，縱坐標(biāo)表示衍射強度計數(shù)。在圖 2a中l(wèi)、 2和3峰的半高寬A、 B-C、 D-E處拍攝同步輻射雙晶形貌像，如圖3a、 圖3b、圖3c、圖3d、圖3e所示。在搖擺曲線的這些部位，由于曲線的坡度很 陡，所以當(dāng)晶體中有微小應(yīng)變或點陣常數(shù)差，強度計數(shù)的變化明顯，因此對 晶體缺陷的探測異常靈敏。
外延生長的單層或多層異質(zhì)結(jié)中外延層與襯底之間往往存在取向差，三 軸晶X射線衍射的高分辨特性可以將晶體結(jié)構(gòu)中的取向差和晶面間距的結(jié)構(gòu) 信息區(qū)分開來。本文采取如下操作對樣品進行2e-co掃描首先，對樣品進行 雙晶搖擺曲線測量，得到此異質(zhì)結(jié)亞結(jié)構(gòu)的衍射峰；然后，將co角固定在某個 峰位上，利用三軸晶進行2e掃描。利用三軸晶X射線衍射按照上述步驟對Si 層(004)晶面做29-co掃描曲線，所得結(jié)果如圖4所示。發(fā)生在SiGe層中的應(yīng) 變弛豫經(jīng)常在SiGe層和Si襯底之間的界面上或/和Si襯底中引入位錯，為了觀 察位錯在Si/SiGe/Si-SOI應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)中的分布情況，采用端視法對 Si/SiGe/Si-SOI應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的橫截面進行高分辨電子顯微成像，如圖5a和圖 5b所示。
4討論
(1) 在圖2a、圖2b中，由衍射峰的強度計數(shù)和峰形可知，l峰為BESOI 體Si襯底的衍射峰。樣品旋轉(zhuǎn)180。前后衍射峰的位置關(guān)系為l和3峰的角間距 由3000弧秒變?yōu)?3000弧秒，2和3峰的角間距基本保持不變，l和2峰的角間距 則由1000弧秒變?yōu)?5000弧秒。已知厶9=1/2 (Ao^+Acob)和Acp—/2 (Aco,、-AcoB)， 其中e為衍射面的Bragg角，cp為衍射面與表面的夾角，Aco,、和/k0B分別表示樣 品旋轉(zhuǎn)180。前后同一搖擺曲線中兩衍射峰的角間距。據(jù)此推斷，2峰源于SiGe 層衍射，3峰來自Si層衍射。l和2峰的角間距歸因于BESOI體Si襯底和SiGe層
(004)衍射面面間距的不同和它們之間的取向差，1和3峰的角間距為BES01 體Si襯底和Si層(004)衍射面之間存在傾斜角所致，2和3峰角間距歸因于Si 層和SiGe層衍射面面間距的不同。
(2) 應(yīng)變Si層和SiGe層下面Si層(004)衍射面面間距的不同使圖2a、圖
2b中3峰峰形呈現(xiàn)非對稱性。由于外延層厚度較薄以及衍射晶體中存在由位錯
應(yīng)變場引起的晶面扭曲或彎曲使衍射峰在雙晶衍射co或co-2e掃描模式下發(fā)生 寬化，使雙晶搖擺曲線中Si層衍射峰寬化成為一個峰——3峰，加之來自不同 Si層的衍射強度不同，最終導(dǎo)致3峰峰形的非對稱性。利用三軸晶X射線衍射
對si層做2e-co掃描，由于去除了由缺陷引入的晶面扭曲或彎曲等衍射峰峰形
寬化作用，使得Si層衍射峰呈現(xiàn)雙峰特征(見圖4)，此結(jié)果驗證了對Si層衍 射峰非對稱性的分析。
(3)在圖2a中半高寬A、 B-C、 D-E處拍攝Si/SiGe/Si-SOI應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié) 的同步輻射雙晶形貌像。由于發(fā)生在SiGe層中的應(yīng)變弛豫在SiGe層和其下面 的Si層之間的界面上或/和Si層中引入位錯，導(dǎo)致SiGe層下面Si層中的缺陷數(shù) 量遠多于Si帽層中的缺陷數(shù)量。同步輻射雙晶形貌像中正交且平行于011〉方 向的交叉狀襯度與失配位錯應(yīng)變場有關(guān)，所以在D和E處拍攝的同步輻射雙晶 形貌像圖3d和圖3e分別與應(yīng)變Si層和SiGe層下面Si層相對應(yīng)。SiGe層由完全應(yīng) 變到發(fā)生應(yīng)變弛豫是(004)晶面間距逐漸減小的過程。發(fā)生應(yīng)變弛豫后，SiGe 層中靠近下界面的(004)晶面間距變化最大，而靠近上界面的晶格由于受到 Si帽層壓應(yīng)力作用變化最小。圖3b的成像位置對應(yīng)于SiGe層中(004)晶面間 距相對較大的部位，晶面間距變化較小，所以是對SiGe層中靠近SiGe層與應(yīng) 變Si層界面晶格所成的像，圖3c在搖擺曲線上的成像位置對應(yīng)于SiGe層中 (004)晶面間距相對較小的部位，晶面間距變化較大，所以是對SiGe層中靠 近SiGe層與SiGe層下面Si層界面晶格所成的像。
上述同步輻射雙晶形貌術(shù)的實驗結(jié)果與對樣品進行的高分辨電子顯微成 像結(jié)果相一致(見圖5),即失配應(yīng)變的弛豫主要通過在SiGe層與其下面的 Si層之間的界面上或/和在SiGe層下面的Si層中引入失配位錯而實現(xiàn)，具體分 析，見《Si/SiGe-OI應(yīng)變異質(zhì)結(jié)構(gòu)的高分辨電子顯微分析》(半導(dǎo)體學(xué)報，2004, 25 (9) ， 1123~1127)。
實施例2 (樣品為在氧注入隔離SOI (SIMOX SOI)襯底上獲得的應(yīng)變 硅異質(zhì)結(jié)Si/SiGe/Si-S01)
據(jù)已有的資料可知，實施例2方法獲得的應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)Si/SiGe/Si-SOI的 雙晶搖擺曲線特征是SIMOX SOI體Si襯底峰基底處高角側(cè)呈現(xiàn)非對稱性。 SIMOX SO頂層Si與體S射底之間不存在取向差；在SIMOX SOI上制備應(yīng)變
硅異質(zhì)結(jié)的過程中，由于SiGe層發(fā)生了應(yīng)變弛豫，從而可能在應(yīng)變Si層與SOI 頂層Si之間引入取向差。此外，SiGe層的應(yīng)變弛豫使Si帽層發(fā)生應(yīng)變得到應(yīng)變 Si層，與此同時，SiGe層中的應(yīng)變也發(fā)生向下傳遞使SOI頂層Si發(fā)生應(yīng)變。通 常情況下，應(yīng)變Si層的應(yīng)變量大于SO頂層Si的應(yīng)變量，在對稱衍射雙晶搖擺 曲線上，SOI體S射底衍射峰的高角端依次為SO頂層Si和應(yīng)變Si層的衍射峰。 然而，由于應(yīng)變Si層與SOI頂層Si之間可能存在取向差，加之厚度效應(yīng)和缺陷 應(yīng)變場引入的峰的寬化作用，最終導(dǎo)致Si層衍射峰與Si層衍射結(jié)構(gòu)的對應(yīng)關(guān)系 難以確認。為了明確Si層衍射峰與Si層衍射結(jié)構(gòu)的對應(yīng)關(guān)系，需要按照本實用 新型的步驟分辨衍射峰與衍射結(jié)構(gòu)的對應(yīng)關(guān)系，而后在各衍射上得到對應(yīng)衍 射結(jié)構(gòu)的同步輻射雙晶形貌像。 5總結(jié)
利用同步輻射雙晶貌相術(shù)，按照本發(fā)明的設(shè)計方案，獲得了經(jīng)原位低溫 熱處理的Si/SiGe/Si-SOI異質(zhì)結(jié)樣品旋轉(zhuǎn)180。前后的雙晶搖擺曲線，判定了衍 射峰與異質(zhì)結(jié)各衍射結(jié)構(gòu)的對應(yīng)關(guān)系，并在同步輻射雙晶搖擺曲線各衍射峰 半高寬處拍攝了包括應(yīng)變Si層在內(nèi)的同步輻射雙晶貌像。高分辨三軸晶X射線 衍射和高分辨電子顯微術(shù)的實驗結(jié)果表明，本實用新型的設(shè)計方案所獲得的 結(jié)果是可靠的。
權(quán)利要求
1.一種絕緣體上應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的無損檢測方法，其特征在于(1)、根據(jù)所要檢測的應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的晶體學(xué)結(jié)構(gòu)特征，按X射線雙晶對稱衍射幾何進行實驗布置；(2)、利用同步輻射單色光對樣品進行對稱衍射獲得雙晶搖擺曲線，得到應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的衍射峰；(3)、將樣品以表面法線為軸旋轉(zhuǎn)180°，再次獲得雙晶搖擺曲線；(4)、比較旋轉(zhuǎn)180°前后的雙晶搖擺曲線，判斷各衍射峰與衍射結(jié)構(gòu)的對應(yīng)關(guān)系；(5)、調(diào)整入射線的入射角度，以使Si層衍射合峰呈現(xiàn)非對稱性或出現(xiàn)分立的峰；(6)、固定入射線的入射角度，在各衍射峰上拍攝對應(yīng)衍射結(jié)構(gòu)的同步輻射形貌像。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種絕緣體上應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的無損檢測方法， 其特征在于所述的樣品為在鍵合背蝕SOI(BESOI)或智能剝離SOI(Smart-cut SOI)襯底上獲得的應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)Si/SiGe/Si-SOI;所述的在各衍射峰上拍攝 對應(yīng)衍射結(jié)構(gòu)的同步輻射形貌像分別為(1) 、在峰形呈非對稱性或分立的Si層衍射峰半高寬處分別拍攝應(yīng)變Si 層和SiGe層下面Si層的同步輻射形貌像；(2) 、在SiGe層衍射峰兩側(cè)半高寬處分別拍攝靠近SiGe層上下界面附近的同步輻射形貌像；(3) 、在SOI體Si襯底的半高寬處拍攝SOI體Si襯底的形貌像。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種絕緣體上應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的無損檢測方法， 其特征在于所述的樣品為在氧注入隔離SOI (SIMOXSOI)襯底上獲得的應(yīng) 變硅異質(zhì)結(jié)Si/SiGe/Si-SOI;所述的在各衍射峰上拍攝對應(yīng)衍射結(jié)構(gòu)的同步輻 射形貌像分別為(1)、在峰形呈非對稱性的SOI體Si襯底衍射峰基底處高角邊一側(cè)分別 拍攝應(yīng)變Si層和SiGe層下面Si層的同步輻射形貌像；(2) 、在SOI體Si襯底的半高寬處拍攝SOI體Si襯底的形貌像；(3) 、在SiGe層衍射峰兩側(cè)半高寬處分別拍攝靠近SiGe層上下界面附近 的同步輻射形貌像。
全文摘要
一種絕緣體上應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的無損檢測方法，它包括(1)、根據(jù)所要檢測的應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的晶體學(xué)結(jié)構(gòu)特征，按X射線雙晶對稱衍射幾何進行實驗布置；(2)、利用同步輻射單色光對樣品進行雙晶對稱衍射獲得搖擺曲線，得到應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)的衍射峰；(3)、將樣品以表面法線為軸旋轉(zhuǎn)180°，再次獲得搖擺曲線；(4)、比較旋轉(zhuǎn)180°前后的雙晶搖擺曲線，判斷各衍射峰與衍射結(jié)構(gòu)的對應(yīng)關(guān)系；(5)、調(diào)整入射線的入射角度，以使Si層衍射合峰呈現(xiàn)非對稱性或出現(xiàn)分立的峰；(6)、固定入射線的入射角度，在各衍射峰上拍攝對應(yīng)衍射結(jié)構(gòu)的同步輻射形貌像。本發(fā)明的優(yōu)點是實驗程序簡單、快捷，無須破壞樣品即可獲得應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)中位錯的空間分布情況以及相關(guān)晶體學(xué)信息。
文檔編號G01N23/20GK101201330SQ20061016528
公開日2008年6月18日 申請日期2006年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日
發(fā)明者劉安生, 孫澤明, 屠海令, 胡廣勇, 邵貝羚, 馬通達 申請人:北京有色金屬研究總院